JPS58175830A - パタ−ン形成方法 - Google Patents
パタ−ン形成方法Info
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- JPS58175830A JPS58175830A JP57058837A JP5883782A JPS58175830A JP S58175830 A JPS58175830 A JP S58175830A JP 57058837 A JP57058837 A JP 57058837A JP 5883782 A JP5883782 A JP 5883782A JP S58175830 A JPS58175830 A JP S58175830A
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は微細な矩形パターンを精度良く形成する方法に
関するものである。
関するものである。
被食刻基板に矩形パターンを形成する方法において、パ
ターン巾が2〜3μm以下の微細加工では通常ポジ型感
光性樹脂膜が用いられている。このポジ型感光性樹脂の
露光方法として、高解像度でかつ島歩留゛りが得られる
ステップアンドリピート方式等のレンズ用いる投影露光
方法が用いられる0 投影露光方法は第1図に示すようにマスク1を通過した
光線Xをレンズ2を介して被食刻基板3上の感光性樹脂
膜4上に結像するようにしたものである。ただし、この
方法はレンズ2を使用するだめマスクパターンエッヂで
光の回折が生じパターン巾が微細化するにつれ、光照射
部とじゃへい部のコントラストが劣化する。すなわち照
射部の光量が減少し、マスクしゃへい部にも光がまわり
込むという欠点があった。特に矩形パターンでは前記欠
点が4辺から生じ、4辺からの影響により照射量の劣化
が大きい。したがって、微細な矩形パターン形成には照
射量を増加する必要がある。
ターン巾が2〜3μm以下の微細加工では通常ポジ型感
光性樹脂膜が用いられている。このポジ型感光性樹脂の
露光方法として、高解像度でかつ島歩留゛りが得られる
ステップアンドリピート方式等のレンズ用いる投影露光
方法が用いられる0 投影露光方法は第1図に示すようにマスク1を通過した
光線Xをレンズ2を介して被食刻基板3上の感光性樹脂
膜4上に結像するようにしたものである。ただし、この
方法はレンズ2を使用するだめマスクパターンエッヂで
光の回折が生じパターン巾が微細化するにつれ、光照射
部とじゃへい部のコントラストが劣化する。すなわち照
射部の光量が減少し、マスクしゃへい部にも光がまわり
込むという欠点があった。特に矩形パターンでは前記欠
点が4辺から生じ、4辺からの影響により照射量の劣化
が大きい。したがって、微細な矩形パターン形成には照
射量を増加する必要がある。
しかし照射量の増加とともにじゃへい部へのまわり込み
槍も多くなる。
槍も多くなる。
こうした不都合を第2図にて説明する。前述のごとく照
射量を大きくすると、微細パターン形成領域6で第2図
(8)に示すごとく感光性樹脂膜4aの残膜量が少なく
なる。こうした状態で被食刻基板3をスパッタリング法
等のいわゆるドライエツチング法により食刻した場合特
に残存量が少さくパターンサイズの小さい感光性樹脂4
aも食刻され、エツチング部8は所望の形状となっても
4aをマスクにエツチングされる被食刻基板のエツチン
グ部8の形状も劣化する(第2図B)。また、第2図(
qから明らかなように本来矩形パターンとなるべきエツ
チング部8のコーナーでの精度が悪くない、コーナーが
円形状になるという欠点もあった0 本発明は上記欠点にかんがみなされたもので、微細な矩
形パターンの形成り法特に投影露光方法を用いて微細な
矩形パターンを精度良く形成する方法を提供するもので
ある。
射量を大きくすると、微細パターン形成領域6で第2図
(8)に示すごとく感光性樹脂膜4aの残膜量が少なく
なる。こうした状態で被食刻基板3をスパッタリング法
等のいわゆるドライエツチング法により食刻した場合特
に残存量が少さくパターンサイズの小さい感光性樹脂4
aも食刻され、エツチング部8は所望の形状となっても
4aをマスクにエツチングされる被食刻基板のエツチン
グ部8の形状も劣化する(第2図B)。また、第2図(
qから明らかなように本来矩形パターンとなるべきエツ
チング部8のコーナーでの精度が悪くない、コーナーが
円形状になるという欠点もあった0 本発明は上記欠点にかんがみなされたもので、微細な矩
形パターンの形成り法特に投影露光方法を用いて微細な
矩形パターンを精度良く形成する方法を提供するもので
ある。
すなわち、本発明は被食刻膜あるいは被食刻基板上に第
1のパターン形成する第1の層を形成した後、感光性樹
脂膜を第1の層の膜厚より厚く形成し、第1のパターン
と交差する第2のパターンを有するマスクによる光照射
を行ない、交差部の感光性樹脂膜および第1の層を除去
した後、被食刻膜に矩形パターンを形成することを特徴
とするものである。
1のパターン形成する第1の層を形成した後、感光性樹
脂膜を第1の層の膜厚より厚く形成し、第1のパターン
と交差する第2のパターンを有するマスクによる光照射
を行ない、交差部の感光性樹脂膜および第1の層を除去
した後、被食刻膜に矩形パターンを形成することを特徴
とするものである。
以下、不発m1面を用いて詳細に説明する。
第3−.4.5図は本発明の一実施例を示す工程の平面
および一面図である。なお、第3図の平面に対応する所
定の断面を第4図、第6図に示す。
および一面図である。なお、第3図の平面に対応する所
定の断面を第4図、第6図に示す。
まず、半導体基板1o上にb 102等の絶縁膜11が
形成された被食刻基板上に第1の層たとえば多結晶硅素
膜あるいはアルミニウムなどの第1のパターン12を形
成する(第3.4.5図A)。
形成された被食刻基板上に第1の層たとえば多結晶硅素
膜あるいはアルミニウムなどの第1のパターン12を形
成する(第3.4.5図A)。
次に全面にポジ型感光性樹脂膜13を前記第1の層の膜
厚より厚く形成するにJ3.4.5図B)。
厚より厚く形成するにJ3.4.5図B)。
次に前記第1のパターン12と交差するじゃへい部14
、開孔部16からなる第2のパターンを有する第6図に
示すマスク16を用い、感光性樹脂膜13に投影露光方
法により光照射を行なう。光照射は第1のパターン12
と交差部上の感光性樹脂膜13′が後の現像処理で除去
されるに十分な量とする。次に現像処理により、パター
ン12の表面より上に位置する樹脂膜13と13′を除
去し交差部の第1の層12のみを露出し、被食刻基板の
絶縁膜11上には、前記感光性樹脂膜13を残し、しか
るのち、第1のパターン12の無出部を食刻し、開孔部
17を形成し絶縁膜11の一部を露出させる(第3.4
.5図D)。次に残された第1のパターン12および感
光性樹脂膜13を食刻マスクとして、被食刻基板の絶縁
膜11を食刻した後、前記第1のパターン12および感
光性樹脂膜13を除去し、所定の開孔矩形パターン18
を形成する(第3.4.5図E)。
、開孔部16からなる第2のパターンを有する第6図に
示すマスク16を用い、感光性樹脂膜13に投影露光方
法により光照射を行なう。光照射は第1のパターン12
と交差部上の感光性樹脂膜13′が後の現像処理で除去
されるに十分な量とする。次に現像処理により、パター
ン12の表面より上に位置する樹脂膜13と13′を除
去し交差部の第1の層12のみを露出し、被食刻基板の
絶縁膜11上には、前記感光性樹脂膜13を残し、しか
るのち、第1のパターン12の無出部を食刻し、開孔部
17を形成し絶縁膜11の一部を露出させる(第3.4
.5図D)。次に残された第1のパターン12および感
光性樹脂膜13を食刻マスクとして、被食刻基板の絶縁
膜11を食刻した後、前記第1のパターン12および感
光性樹脂膜13を除去し、所定の開孔矩形パターン18
を形成する(第3.4.5図E)。
以上の方法によれば、矩形パターン19の形成用のパタ
ーンの二辺は第1のパターン12で、他の二辺は感光性
樹脂膜13で構成するため、従来の方法と異なり、樹脂
膜の矩形パターンを形成する必要はなく、精度良く矩形
パターンを形成できる。まだ、第1のパターン12上の
感光性樹脂膜パターン13aはストライプパターンであ
り、このパターン13は絶縁膜12エツチング用マスク
となる第1のパターン12を選択的に食刻するマスクと
なればよいため、膜厚が薄くまた断面形状が少し変形し
ても矩形パターン19の形状にはほとんど影響をおよぼ
さない。
ーンの二辺は第1のパターン12で、他の二辺は感光性
樹脂膜13で構成するため、従来の方法と異なり、樹脂
膜の矩形パターンを形成する必要はなく、精度良く矩形
パターンを形成できる。まだ、第1のパターン12上の
感光性樹脂膜パターン13aはストライプパターンであ
り、このパターン13は絶縁膜12エツチング用マスク
となる第1のパターン12を選択的に食刻するマスクと
なればよいため、膜厚が薄くまた断面形状が少し変形し
ても矩形パターン19の形状にはほとんど影響をおよぼ
さない。
以上の様に本発明では第1の層で形成した凸部の感光性
樹脂膜のみを露光・現像処理で除去し、かつ第1と第2
のストライプパターンの交差部により矩形パターンを形
成するため、茜精度に矩形パターンを形成することがで
きる。
樹脂膜のみを露光・現像処理で除去し、かつ第1と第2
のストライプパターンの交差部により矩形パターンを形
成するため、茜精度に矩形パターンを形成することがで
きる。
なお第1の層は、反射率の高い金属等の物質を用いた方
が第2のパターン形成に必要な照射量が少なく、第1の
パターン12以外の被食刻基板上の感光性樹脂膜13を
厚く残留させることができる。また本発明は投影露光以
外の露光方法にも適用できることはいうまでもないとと
もに、第1と第2のパターンは、直角で交差してもそれ
以外の角度で交差させてもよい。
が第2のパターン形成に必要な照射量が少なく、第1の
パターン12以外の被食刻基板上の感光性樹脂膜13を
厚く残留させることができる。また本発明は投影露光以
外の露光方法にも適用できることはいうまでもないとと
もに、第1と第2のパターンは、直角で交差してもそれ
以外の角度で交差させてもよい。
第1図は一般的な投影露光方法の概念図、第2轡は本発
明の一実施例によるパターン形成方法の工程平面図、第
4図(8)〜に)、第6図(5)〜(E)はそれぞれ第
3図(5)〜(E)における■−ロ線、 ■−m線に対
応する工程断面図、第6図は本発明に用いる感光性樹脂
膜露光用のマスクパターンを示す図である0 11・・・・・・絶縁膜、12・・・・・・第1のパタ
ーン、13.13a・・・・・・感光性樹脂膜、16・
・・・・・第2のパターンを有するマスク、19・・・
・・・開孔パターン。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか1名第1
図 第 (Ct 第2図 3図 ■ [− ■1− 第4図 第5図
明の一実施例によるパターン形成方法の工程平面図、第
4図(8)〜に)、第6図(5)〜(E)はそれぞれ第
3図(5)〜(E)における■−ロ線、 ■−m線に対
応する工程断面図、第6図は本発明に用いる感光性樹脂
膜露光用のマスクパターンを示す図である0 11・・・・・・絶縁膜、12・・・・・・第1のパタ
ーン、13.13a・・・・・・感光性樹脂膜、16・
・・・・・第2のパターンを有するマスク、19・・・
・・・開孔パターン。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか1名第1
図 第 (Ct 第2図 3図 ■ [− ■1− 第4図 第5図
Claims (2)
- (1)被食刻基板上に第1のパターンを有する第1の層
を船成する工程と、前記第1の層の膜厚より厚く感光性
樹脂膜を形成する工程と、前記第1のパターンと交差す
る第2のパターンを前記感光性樹脂膜に形成し前記第1
と第2のパターンの交差部の前記第1の層を露出する工
程と、前記露出した第1の層を食刻した後前記被食刻基
板を食刻する工程とを備えたことを特徴とするノくター
ン形成方法。 - (2)第1の層として反射率の高い金属層を用いること
を特徴とする特許請求の範囲第1項に記載のパターン形
成方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57058837A JPS58175830A (ja) | 1982-04-08 | 1982-04-08 | パタ−ン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57058837A JPS58175830A (ja) | 1982-04-08 | 1982-04-08 | パタ−ン形成方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS58175830A true JPS58175830A (ja) | 1983-10-15 |
JPH0219970B2 JPH0219970B2 (ja) | 1990-05-07 |
Family
ID=13095762
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP57058837A Granted JPS58175830A (ja) | 1982-04-08 | 1982-04-08 | パタ−ン形成方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS58175830A (ja) |
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61144084A (ja) * | 1984-12-18 | 1986-07-01 | Agency Of Ind Science & Technol | ジョセフソン接合素子の形成方法 |
JPS61144083A (ja) * | 1984-12-18 | 1986-07-01 | Agency Of Ind Science & Technol | ジヨセフソン接合素子の形成方法 |
JPS61154037A (ja) * | 1984-12-26 | 1986-07-12 | Nec Corp | 微細パタ−ン形成方法 |
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JPS62115722A (ja) * | 1985-03-22 | 1987-05-27 | Nec Corp | 微細パタ−ン形成方法 |
JPS62183576A (ja) * | 1986-02-08 | 1987-08-11 | Agency Of Ind Science & Technol | ジヨセフソン素子の製造方法 |
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JPH0525601U (ja) * | 1991-09-17 | 1993-04-02 | 株式会社オビツ製作所 | 花束用照明装置 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS53124085A (en) * | 1977-01-26 | 1978-10-30 | Texas Instruments Inc | Semiconductor memory |
JPS56137623A (en) * | 1980-03-28 | 1981-10-27 | Nec Corp | Forming of cross pattern electrode |
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-
1982
- 1982-04-08 JP JP57058837A patent/JPS58175830A/ja active Granted
Patent Citations (3)
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JPS61144083A (ja) * | 1984-12-18 | 1986-07-01 | Agency Of Ind Science & Technol | ジヨセフソン接合素子の形成方法 |
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JPS61263179A (ja) * | 1985-05-16 | 1986-11-21 | Agency Of Ind Science & Technol | ジヨセフソン接合素子の製造方法 |
JPH0511432B2 (ja) * | 1985-05-16 | 1993-02-15 | Kogyo Gijutsuin | |
JPS62183576A (ja) * | 1986-02-08 | 1987-08-11 | Agency Of Ind Science & Technol | ジヨセフソン素子の製造方法 |
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0219970B2 (ja) | 1990-05-07 |
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