JPS58175830A - パタ−ン形成方法 - Google Patents
パタ−ン形成方法Info
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- JPS58175830A JPS58175830A JP57058837A JP5883782A JPS58175830A JP S58175830 A JPS58175830 A JP S58175830A JP 57058837 A JP57058837 A JP 57058837A JP 5883782 A JP5883782 A JP 5883782A JP S58175830 A JPS58175830 A JP S58175830A
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 23
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 30
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 30
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 14
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 abstract 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 abstract 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 241000123069 Ocyurus chrysurus Species 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 108091008695 photoreceptors Proteins 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は微細な矩形パターンを精度良く形成する方法に
関するものである。
関するものである。
被食刻基板に矩形パターンを形成する方法において、パ
ターン巾が２〜３μｍ以下の微細加工では通常ポジ型感
光性樹脂膜が用いられている。このポジ型感光性樹脂の
露光方法として、高解像度でかつ島歩留゛りが得られる
ステップアンドリピート方式等のレンズ用いる投影露光
方法が用いられる０ 投影露光方法は第１図に示すようにマスク１を通過した
光線Ｘをレンズ２を介して被食刻基板３上の感光性樹脂
膜４上に結像するようにしたものである。ただし、この
方法はレンズ２を使用するだめマスクパターンエッヂで
光の回折が生じパターン巾が微細化するにつれ、光照射
部とじゃへい部のコントラストが劣化する。すなわち照
射部の光量が減少し、マスクしゃへい部にも光がまわり
込むという欠点があった。特に矩形パターンでは前記欠
点が４辺から生じ、４辺からの影響により照射量の劣化
が大きい。したがって、微細な矩形パターン形成には照
射量を増加する必要がある。
ターン巾が２〜３μｍ以下の微細加工では通常ポジ型感
光性樹脂膜が用いられている。このポジ型感光性樹脂の
露光方法として、高解像度でかつ島歩留゛りが得られる
ステップアンドリピート方式等のレンズ用いる投影露光
方法が用いられる０ 投影露光方法は第１図に示すようにマスク１を通過した
光線Ｘをレンズ２を介して被食刻基板３上の感光性樹脂
膜４上に結像するようにしたものである。ただし、この
方法はレンズ２を使用するだめマスクパターンエッヂで
光の回折が生じパターン巾が微細化するにつれ、光照射
部とじゃへい部のコントラストが劣化する。すなわち照
射部の光量が減少し、マスクしゃへい部にも光がまわり
込むという欠点があった。特に矩形パターンでは前記欠
点が４辺から生じ、４辺からの影響により照射量の劣化
が大きい。したがって、微細な矩形パターン形成には照
射量を増加する必要がある。
しかし照射量の増加とともにじゃへい部へのまわり込み
槍も多くなる。
槍も多くなる。
こうした不都合を第２図にて説明する。前述のごとく照
射量を大きくすると、微細パターン形成領域６で第２図
（８）に示すごとく感光性樹脂膜４ａの残膜量が少なく
なる。こうした状態で被食刻基板３をスパッタリング法
等のいわゆるドライエツチング法により食刻した場合特
に残存量が少さくパターンサイズの小さい感光性樹脂４
ａも食刻され、エツチング部８は所望の形状となっても
４ａをマスクにエツチングされる被食刻基板のエツチン
グ部８の形状も劣化する（第２図Ｂ）。また、第２図（
ｑから明らかなように本来矩形パターンとなるべきエツ
チング部８のコーナーでの精度が悪くない、コーナーが
円形状になるという欠点もあった０ 本発明は上記欠点にかんがみなされたもので、微細な矩
形パターンの形成り法特に投影露光方法を用いて微細な
矩形パターンを精度良く形成する方法を提供するもので
ある。
射量を大きくすると、微細パターン形成領域６で第２図
（８）に示すごとく感光性樹脂膜４ａの残膜量が少なく
なる。こうした状態で被食刻基板３をスパッタリング法
等のいわゆるドライエツチング法により食刻した場合特
に残存量が少さくパターンサイズの小さい感光性樹脂４
ａも食刻され、エツチング部８は所望の形状となっても
４ａをマスクにエツチングされる被食刻基板のエツチン
グ部８の形状も劣化する（第２図Ｂ）。また、第２図（
ｑから明らかなように本来矩形パターンとなるべきエツ
チング部８のコーナーでの精度が悪くない、コーナーが
円形状になるという欠点もあった０ 本発明は上記欠点にかんがみなされたもので、微細な矩
形パターンの形成り法特に投影露光方法を用いて微細な
矩形パターンを精度良く形成する方法を提供するもので
ある。
すなわち、本発明は被食刻膜あるいは被食刻基板上に第
１のパターン形成する第１の層を形成した後、感光性樹
脂膜を第１の層の膜厚より厚く形成し、第１のパターン
と交差する第２のパターンを有するマスクによる光照射
を行ない、交差部の感光性樹脂膜および第１の層を除去
した後、被食刻膜に矩形パターンを形成することを特徴
とするものである。
１のパターン形成する第１の層を形成した後、感光性樹
脂膜を第１の層の膜厚より厚く形成し、第１のパターン
と交差する第２のパターンを有するマスクによる光照射
を行ない、交差部の感光性樹脂膜および第１の層を除去
した後、被食刻膜に矩形パターンを形成することを特徴
とするものである。
以下、不発ｍ１面を用いて詳細に説明する。
第３−．４．５図は本発明の一実施例を示す工程の平面
および一面図である。なお、第３図の平面に対応する所
定の断面を第４図、第６図に示す。
および一面図である。なお、第３図の平面に対応する所
定の断面を第４図、第６図に示す。
まず、半導体基板１ｏ上にｂ １０２等の絶縁膜１１が
形成された被食刻基板上に第１の層たとえば多結晶硅素
膜あるいはアルミニウムなどの第１のパターン１２を形
成する（第３．４．５図Ａ）。
形成された被食刻基板上に第１の層たとえば多結晶硅素
膜あるいはアルミニウムなどの第１のパターン１２を形
成する（第３．４．５図Ａ）。
次に全面にポジ型感光性樹脂膜１３を前記第１の層の膜
厚より厚く形成するにＪ３．４．５図Ｂ）。
厚より厚く形成するにＪ３．４．５図Ｂ）。
次に前記第１のパターン１２と交差するじゃへい部１４
、開孔部１６からなる第２のパターンを有する第６図に
示すマスク１６を用い、感光性樹脂膜１３に投影露光方
法により光照射を行なう。光照射は第１のパターン１２
と交差部上の感光性樹脂膜１３′が後の現像処理で除去
されるに十分な量とする。次に現像処理により、パター
ン１２の表面より上に位置する樹脂膜１３と１３′を除
去し交差部の第１の層１２のみを露出し、被食刻基板の
絶縁膜１１上には、前記感光性樹脂膜１３を残し、しか
るのち、第１のパターン１２の無出部を食刻し、開孔部
１７を形成し絶縁膜１１の一部を露出させる（第３．４
．５図Ｄ）。次に残された第１のパターン１２および感
光性樹脂膜１３を食刻マスクとして、被食刻基板の絶縁
膜１１を食刻した後、前記第１のパターン１２および感
光性樹脂膜１３を除去し、所定の開孔矩形パターン１８
を形成する（第３．４．５図Ｅ）。
、開孔部１６からなる第２のパターンを有する第６図に
示すマスク１６を用い、感光性樹脂膜１３に投影露光方
法により光照射を行なう。光照射は第１のパターン１２
と交差部上の感光性樹脂膜１３′が後の現像処理で除去
されるに十分な量とする。次に現像処理により、パター
ン１２の表面より上に位置する樹脂膜１３と１３′を除
去し交差部の第１の層１２のみを露出し、被食刻基板の
絶縁膜１１上には、前記感光性樹脂膜１３を残し、しか
るのち、第１のパターン１２の無出部を食刻し、開孔部
１７を形成し絶縁膜１１の一部を露出させる（第３．４
．５図Ｄ）。次に残された第１のパターン１２および感
光性樹脂膜１３を食刻マスクとして、被食刻基板の絶縁
膜１１を食刻した後、前記第１のパターン１２および感
光性樹脂膜１３を除去し、所定の開孔矩形パターン１８
を形成する（第３．４．５図Ｅ）。
以上の方法によれば、矩形パターン１９の形成用のパタ
ーンの二辺は第１のパターン１２で、他の二辺は感光性
樹脂膜１３で構成するため、従来の方法と異なり、樹脂
膜の矩形パターンを形成する必要はなく、精度良く矩形
パターンを形成できる。まだ、第１のパターン１２上の
感光性樹脂膜パターン１３ａはストライプパターンであ
り、このパターン１３は絶縁膜１２エツチング用マスク
となる第１のパターン１２を選択的に食刻するマスクと
なればよいため、膜厚が薄くまた断面形状が少し変形し
ても矩形パターン１９の形状にはほとんど影響をおよぼ
さない。
ーンの二辺は第１のパターン１２で、他の二辺は感光性
樹脂膜１３で構成するため、従来の方法と異なり、樹脂
膜の矩形パターンを形成する必要はなく、精度良く矩形
パターンを形成できる。まだ、第１のパターン１２上の
感光性樹脂膜パターン１３ａはストライプパターンであ
り、このパターン１３は絶縁膜１２エツチング用マスク
となる第１のパターン１２を選択的に食刻するマスクと
なればよいため、膜厚が薄くまた断面形状が少し変形し
ても矩形パターン１９の形状にはほとんど影響をおよぼ
さない。
以上の様に本発明では第１の層で形成した凸部の感光性
樹脂膜のみを露光・現像処理で除去し、かつ第１と第２
のストライプパターンの交差部により矩形パターンを形
成するため、茜精度に矩形パターンを形成することがで
きる。
樹脂膜のみを露光・現像処理で除去し、かつ第１と第２
のストライプパターンの交差部により矩形パターンを形
成するため、茜精度に矩形パターンを形成することがで
きる。
なお第１の層は、反射率の高い金属等の物質を用いた方
が第２のパターン形成に必要な照射量が少なく、第１の
パターン１２以外の被食刻基板上の感光性樹脂膜１３を
厚く残留させることができる。また本発明は投影露光以
外の露光方法にも適用できることはいうまでもないとと
もに、第１と第２のパターンは、直角で交差してもそれ
以外の角度で交差させてもよい。
が第２のパターン形成に必要な照射量が少なく、第１の
パターン１２以外の被食刻基板上の感光性樹脂膜１３を
厚く残留させることができる。また本発明は投影露光以
外の露光方法にも適用できることはいうまでもないとと
もに、第１と第２のパターンは、直角で交差してもそれ
以外の角度で交差させてもよい。
第１図は一般的な投影露光方法の概念図、第２轡は本発
明の一実施例によるパターン形成方法の工程平面図、第
４図（８）〜に）、第６図（５）〜（Ｅ）はそれぞれ第
３図（５）〜（Ｅ）における■−ロ線、 ■−ｍ線に対
応する工程断面図、第６図は本発明に用いる感光性樹脂
膜露光用のマスクパターンを示す図である０ １１・・・・・・絶縁膜、１２・・・・・・第１のパタ
ーン、１３．１３ａ・・・・・・感光性樹脂膜、１６・
・・・・・第２のパターンを有するマスク、１９・・・
・・・開孔パターン。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 第 （Ｃｔ 第２図 ３図 ■ ［− ■１− 第４図 第５図
明の一実施例によるパターン形成方法の工程平面図、第
４図（８）〜に）、第６図（５）〜（Ｅ）はそれぞれ第
３図（５）〜（Ｅ）における■−ロ線、 ■−ｍ線に対
応する工程断面図、第６図は本発明に用いる感光性樹脂
膜露光用のマスクパターンを示す図である０ １１・・・・・・絶縁膜、１２・・・・・・第１のパタ
ーン、１３．１３ａ・・・・・・感光性樹脂膜、１６・
・・・・・第２のパターンを有するマスク、１９・・・
・・・開孔パターン。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 第 （Ｃｔ 第２図 ３図 ■ ［− ■１− 第４図 第５図
Claims (2)
- （１）被食刻基板上に第１のパターンを有する第１の層
を船成する工程と、前記第１の層の膜厚より厚く感光性
樹脂膜を形成する工程と、前記第１のパターンと交差す
る第２のパターンを前記感光性樹脂膜に形成し前記第１
と第２のパターンの交差部の前記第１の層を露出する工
程と、前記露出した第１の層を食刻した後前記被食刻基
板を食刻する工程とを備えたことを特徴とするノくター
ン形成方法。 - （２）第１の層として反射率の高い金属層を用いること
を特徴とする特許請求の範囲第１項に記載のパターン形
成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57058837A JPS58175830A (ja) | 1982-04-08 | 1982-04-08 | パタ−ン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57058837A JPS58175830A (ja) | 1982-04-08 | 1982-04-08 | パタ−ン形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58175830A true JPS58175830A (ja) | 1983-10-15 |
| JPH0219970B2 JPH0219970B2 (ja) | 1990-05-07 |
Family
ID=13095762
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57058837A Granted JPS58175830A (ja) | 1982-04-08 | 1982-04-08 | パタ−ン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58175830A (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61144084A (ja) * | 1984-12-18 | 1986-07-01 | Agency Of Ind Science & Technol | ジョセフソン接合素子の形成方法 |
| JPS61144083A (ja) * | 1984-12-18 | 1986-07-01 | Agency Of Ind Science & Technol | ジヨセフソン接合素子の形成方法 |
| JPS61154037A (ja) * | 1984-12-26 | 1986-07-12 | Nec Corp | 微細パタ−ン形成方法 |
| JPS61216431A (ja) * | 1985-03-22 | 1986-09-26 | Nec Corp | 微細パタ−ン形成方法 |
| JPS61263179A (ja) * | 1985-05-16 | 1986-11-21 | Agency Of Ind Science & Technol | ジヨセフソン接合素子の製造方法 |
| JPS62115722A (ja) * | 1985-03-22 | 1987-05-27 | Nec Corp | 微細パタ−ン形成方法 |
| JPS62183576A (ja) * | 1986-02-08 | 1987-08-11 | Agency Of Ind Science & Technol | ジヨセフソン素子の製造方法 |
| JPS6394692A (ja) * | 1986-10-09 | 1988-04-25 | Agency Of Ind Science & Technol | ジヨセフソン接合素子の製造方法 |
| JPH01179418A (ja) * | 1988-01-07 | 1989-07-17 | Sharp Corp | マスク |
| JPH0525601U (ja) * | 1991-09-17 | 1993-04-02 | 株式会社オビツ製作所 | 花束用照明装置 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS53124085A (en) * | 1977-01-26 | 1978-10-30 | Texas Instruments Inc | Semiconductor memory |
| JPS56137623A (en) * | 1980-03-28 | 1981-10-27 | Nec Corp | Forming of cross pattern electrode |
| JPS56137622A (en) * | 1980-03-28 | 1981-10-27 | Nec Corp | Forming of cross pattern electrode |
-
1982
- 1982-04-08 JP JP57058837A patent/JPS58175830A/ja active Granted
Patent Citations (3)
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| JPH0234195B2 (ja) * | 1984-12-18 | 1990-08-01 | Kogyo Gijutsuin | |
| JPS61144083A (ja) * | 1984-12-18 | 1986-07-01 | Agency Of Ind Science & Technol | ジヨセフソン接合素子の形成方法 |
| JPS61144084A (ja) * | 1984-12-18 | 1986-07-01 | Agency Of Ind Science & Technol | ジョセフソン接合素子の形成方法 |
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| JPS61263179A (ja) * | 1985-05-16 | 1986-11-21 | Agency Of Ind Science & Technol | ジヨセフソン接合素子の製造方法 |
| JPH0511432B2 (ja) * | 1985-05-16 | 1993-02-15 | Kogyo Gijutsuin | |
| JPS62183576A (ja) * | 1986-02-08 | 1987-08-11 | Agency Of Ind Science & Technol | ジヨセフソン素子の製造方法 |
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0219970B2 (ja) | 1990-05-07 |
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