KR20020018280A - 이중노광을 이용한 포토마스크의 전자빔 노광방법 및 이를이용한 포토마스크 제조방법 - Google Patents

이중노광을 이용한 포토마스크의 전자빔 노광방법 및 이를이용한 포토마스크 제조방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 반도체 소자를 제조하는데 사용되는 포토마스크에 관한 것으로, 보다 상세하게는 포토마스크를 전자빔으로 노광하는 방법 및 이를 이용해 포토마스크를 제조하는 방법을 제공한다. 본 발명은, 포토마스크 기판 상에 도포된 전자빔 레지스트를 상기 전자빔 레지스트가 후속하는 현상공정에서 현상되지 않을 정도로 상기 전자빔 레지스트에 전자빔을 노광하는 제 1 노광단계 및 상기 제 1 노광단계의 전자빔의 가속전압에 비해 높은 가속전압을 가진 전자빔으로 노광하는 제 2 노광단계를 통해 노광함으로써 높은 해상도를 요하는 미세패턴을 가진 포토마스크를 보다 짧은 시간에 제조할 수 있게 한다.

Description

이중노광을 이용한 포토마스크의 전자빔 노광방법 및 이를 이용한 포토마스크 제조방법{Method of electron beam lithography by double exposure and fabrication method of photomask using the same}
본 발명은 반도체 장치의 포토마스크에 관한 것으로, 보다 상세하게는 포토마스크를 전자빔으로 노광하는 방법 및 이를 이용해 포토마스크를 제조하는 방법에 관한 것이다.
전자빔 노광은 주로 포토마스크를 제조하는 데 사용되는 기술로써, 기판 전면에 소정의 물질층을 형성하고 상기 물질층 위에 전자빔 레지스트를 도포한 후, 원하는 패턴대로 전자빔을 조사하는 것을 의미한다. 전자빔 노광을 거친 기판은 후속의 공정에서 전자빔 레지스트를 현상하여 전자빔 레지스트 패턴을 형성하고, 상기 전자빔 레지스트 패턴을 식각마스크로 하여 상기 물질층을 식각하여 원하는 패턴을 가진 포토마스크를 제조할 수 있다.
반도체 소자가 집적화됨에 따라 디자인룰도 점점 작아져 포토마스크 제조에 요구되는 패턴의 선폭(critical dimension)도 점차 줄어들고 있다. 따라서, 전자빔 노광장치의 가속전압을 높임으로써 입사전자의 산란범위(scattering range)를 줄여 패턴의 해상도를 높이고자 하는 노력이 지속되고 있다. 그러나, 높은 가속전압을 갖는 전자빔 노광장치를 사용함에 따라 예기치 못한 문제점이 발생하고 있는데, 이를 도 1을 참조하여 설명한다.
도 1의 (a)는 통상의 차광막(101) 및 전자빔 레지스트(102)가 형성되어 있는 포토마스크 기판(100)에 입사되는 전자빔(103)의 거동을 나타내고 있다. 전자빔 레지스트 내에 빗금친 부분(106)은 노광될 영역을 나타낸다. 전자빔 레지스트에 입사된 전자(104)는 전자빔 레지스트를 이루는 물질, 전자빔 레지스트의 표면 및 계면 등에서 산란하여 전자빔 레지스트에 흡수되거나 포토마스크 기판을 투과하게 된다. 이러한 산란으로 인하여 전자의 에너지가 전자빔 레지스트(102) 내의 노광영역(106) 밖의 레지스트 영역에도 흡수되게 된다.
도 1의 (b)는 앞서 설명된 입사 전자가 전자빔 레지스트에 흡수되는 에너지 분포를 도시한 것이다. 낮은 가속전압의 전자빔(111)은 입사되는 전자의 산란범위가 넓어 흡수에너지도 넓은 분포를 가지게 된다. 그러나, 가속전압이 높은 전자빔(112)의 경우에는 전자의 산란범위가 매우 좁아 에너지 분포도 매우 좁은 분포를 가질 뿐만 아니라, 전자빔 레지스트 내에서 산란하기보다는 포토마스크 기판(100)을 투과하여 버림으로써 전자빔 레지스트에 흡수되는 에너지량이 급격히 줄어들게 된다. 예를 들면, 동일한 패턴을 형성하기 위해 10keV의 가속전압을 가진 노광장치로 노광할 때에는 8μC의 도우즈가 필요하였으나, 50keV의 가속전압을 가진 노광장치를 사용할 경우에는 32μC의 도우즈가 필요하게 되어 노광시간도 훨씬 많이 소요된다. 따라서 높은 가속전압을 가진 전자빔을 발생시키는 노광장치는 높은 해상도를 가진 포토마스크를 제조할 수 있으나, 생산성 측면에서는 매우 불리한 약점을 가지고 있다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 전자빔 레지스트가 도포된 포토마스크의 패턴 해상도를 높임과 동시에 짧은 시간으로 원하는 패턴을 형성할 수 있는 노광방법 및 상기 노광방법을 이용한 포토마스크 제조방법을 제공하는데 있다.
도 1은 전자빔 레지스트에 입사된 전자빔의 거동 및 가속전압에 따라 전자빔 레지스트에 흡수되는 에너지 분포를 도시한 것이다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따라 포토마스크를 제조하는 단계를 도시한 흐름도이다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 2단계 노광공정을 거친 전자빔 레지스트와 종래의 1단계 노광공정을 거친 전자빔 레지스트의 흡수 에너지를 비교한 개념도이다.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 전자빔 도우즈를 결정하는 단계를 도시한 흐름도이다.
도 5에 본 발명의 실시예에 사용된 테스트 패턴을 도시한 것이다.
도 6은 본 발명의 실시예에 따른 각 도우즈의 조합에 따라 전자빔 레지스트에 노광될 테스트 패턴이 배열된 모습을 도시한 것이다.
도 7a는 본 발명의 실시예에 따른 각 도우즈의 조합에 대하여 기준패턴에 해당하는 전자빔 레지스트 패턴의 선폭을 도시한 것이다.
도 7b는 본 발명의 실시예에 따른 각 도우즈의 조합에 대하여 비교패턴의 도우즈마진을 도시한 것이다.
상기의 기술적 과제를 달성하기 위해 본 발명은 전자빔 레지스트가 도포된 포토마스크의 노광방법을 제공한다. 본 발명에 따르면, 포토마스크 기판 상에 도포된 전자빔 레지스트가 후속하는 현상공정에서 현상되지 않을 정도로 상기 전자빔 레지스트에 전자빔을 제 1 노광한다. 이어서, 상기 1차 노광시의 전자빔의 가속전압에 비해 높은 가속전압을 가진 전자빔으로 제 2 노광한다. 여기서 제 1 노광과 제 2 노광은 순서를 바꾸어 수행될 수 있다.
상기의 기술적 과제를 달성하기 위해 본 발명은 또한 전자빔 레지스트가 도포된 포토마스크를 제조하는 방법을 제공한다. 본 발명에 따르면, 먼저 투명기판 상에 위상반전막 및/또는 차광막을 형성하고, 상기 위상반전막 및/또는 차광막 상에 전자빔 레지스트를 도포한다. 이어서, 상기 전자빔 레지스트가 후속하는 현상공정에서 현상되지 않을 정도로 상기 전자빔 레지스트에 전자빔을 노광하는 제 1 노광단계 및 상기 제 1 노광단계의 전자빔의 가속전압에 비해 높은 가속전압을 가진 전자빔을 원하는 패턴대로 노광하는 제 2 노광단계를 수행한다. 상기의 두 단계의 과정을 거쳐 노광된 전자빔 레지스트를 현상하여 상기 원하는 패턴의 전자빔 레지스트 패턴을 형성한다. 계속하여, 상기 전자빔 레지스트 패턴을 식각마스크로 하여 상기 위상반전막 및/또는 차광막을 식각함으로써 원하는 패턴이 형성된 포토마스크를 제조할 수 있다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 설명한다.
먼저, 도 2는 본 발명의 실시예에 따라 포토마스크를 제조하는 단계를 도시한 흐름도이다.
도 2를 보면, 먼저 포토마스크의 기판으로 투명기판을 준비한다. 상기 투명기판에는 주로 유리나 석영기판이 사용된다. 상기 투명기판 상에 차광막을 형성한다. 차광막의 재질로는 주로 크롬이 사용된다. 필요에 따라 위상반전마스크를 제조하기 위해서는 상기 차광막 위 또는 아래, 또는 상기 차광막을 대신하여 MoSiON 등의 물질로 이루어진 위상반전막을 형성할 수 있다. 상기 차광막 및/또는 위상반전막은 스퍼터링이나 화학기상증착에 의해 증착될 수 있다. 이어서, 상기 차광막 상에 전자빔 레지스트를 도포한다. 상기 전자빔 레지스트는 네거티브(negative)형이거나 포지티브(positive)형일 수 있는데, 포지티브형은 후속의 현상공정에서 노광된 부분이 현상되어 제거되며, 네거티브형은 노광된 부분이 잔류하여 패턴을 형성하게 된다.
계속 도 2를 참조하면, 상기 전자빔 레지스트가 도포된 포토마스크를 노광한다. 노광단계는 낮은 가속전압의 전자빔으로 상기 전자빔 레지스트를 노광시키는 제 1 노광단계와 제 1 노광단계의 전자빔에 비해 높은 가속전압의 전자빔으로 노광시키는 제 2 노광단계로 수행된다. 여기서, 제 1 노광단계는 전자빔으로 전자빔 레지스트의 전면을 노광시키는 방법(이하 전면노광이라 한다)으로 수행된다. 물론, 후속의 식각공정에서 형성될 소정의 물질층(예컨대 차광막) 패턴을 따라 노광(이하패턴노광이라 한다)될 수도 있다. 제 1 노광단계는 상대적으로 낮은 가속전압, 예컨대 10, 20, 30keV의 전자빔으로 노광되므로 높은 가속전압, 예컨대 50keV 이상의 전자빔으로 수행되는 제 2 노광단계에 비해 전자빔 레지스트에 에너지가 흡수되는 속도가 빠르다. 그러나, 제 1 노광단계에서 흡수되는 에너지는, 이것은 주입되는 전자빔의 도우즈와 노광시간에 의해 결정되는데, 노광된 부위의 전자빔 레지스트가 후속되는 현상공정을 통해 현상되지 않을 정도여야 한다.
제 2 노광단계는 제 1 노광단계에 비해 높은 가속전압의 전자빔을 전자빔 레지스트에 조사함으로써 수행된다. 이 단계에서는 제 1 노광단계와는 달리 패턴노광을 실시한다.
도 3은 본 발명의 2단계 노광공정을 거친 전자빔 레지스트와 종래의 1단계 노광공정을 거친 전자빔 레지스트의 흡수 에너지를 비교하여 개념적으로 도시한 것이다. 도 3의 x축에서 참조부호 e는 전자빔이 조사되어 노광되는 영역을 u는 노광되지 않는 영역을 나타낸다. 도 3의 (a)는 종래의 1 단계 노광을 거친 전자빔 레지스트의 흡수에너지를 도시한 것으로, 노광영역(e)에만 에너지가 흡수된다. 그러나, 도 3의 (b)와 같이 본 발명의 2 단계 노광을 거친 경우, 전자빔 레지스트에 흡수된 총에너지는 제 1 노광에 의한 배경 에너지(background energy; 1)와 제 2 노광에 의한 피크 에너지(peak energy; 2)의 합이 된다. 본 발명에서 이와 같이 두 단계의 노광공정이 수행되는 이유는 앞서 종래기술에서 설명한 바와 같이 높은 가속전압의 전자빔은 전자빔이 조사되는 영역 주위로 산란되는 범위(scattering range)가 좁아 높은 해상도의 패턴을 얻을 수 있는 반면, 전자빔 레지스트에 흡수되지 않고 투과하여 전자빔 레지스트에 흡수되는 에너지가 적기 때문이다. 따라서, 에너지 흡수율이 높은 낮은 가속전압의 전자빔으로 전자빔 레지스트에 노광을 하고, 이어서, 높은 가속전압의 전자빔으로 전자빔 레지스트에 노광하여, 노광시간을 단축시킬 뿐만 아니라 높은 해상도의 패턴을 얻을 수 있다. 제 1 노광단계에 있어서 중요한 점은, 제 1 노광에 의한 배경에너지(1)가 전자빔 레지스트에 실제로 패턴을 형성하지 않을 정도의 에너지여야 한다는 것이다. 즉, 전자빔 레지스트의 에너지 역치(threshold energy; ET)보다 충분히 낮아야 한다. 이상의 조건이 충족되는 한, 전자빔 레지스트에 흡수되는 총에너지는 제 1 노광단계에 의한 배경에너지(1)와 제 2 노광단계에 의한 피크에너지(2)의 산술적 합이므로 제 1 노광단계와 제 2 단계 노광단계는 순서를 바꾸어 수행될 수도 있다. 또한 제 1 노광단계에 의해 흡수된 에너지는 전자빔 레지스트에 패턴을 형성할 정도가 아니므로, 제 1 노광단계는 전면노광이 아닌 패턴노광으로 수행될 수도 있다.
계속 도 2를 참조하면, 상기 노광된 전자빔 레지스트를 현상액으로 현상하여 전자빔 레지스트 패턴을 형성한다. 이어서, 상기 전자빔 레지스트 패턴을 식각마스크로 전자빔 레지스트 하부의 차광막 및/또는 위상반전막을 식각하여 포토마스크를 제조할 수 있다. 여기서, 현상공정 및 식각공정은 전자빔 레지스트, 차광막 및/또는 위상반전막의 재질에 따라 달라지나, 이 분야의 통상의 숙련자에게는 널리 알려진 기술이므로 별도로 설명하지 않는다.
이하에서는 도 4 내지 도 6을 참조하여, 본 발명의 2 단계 노광공정을 수행하기 위해 다른 가속전압을 갖는 전자빔의 도우즈를 결정하는 방법을 설명한다. 본실시예에서 사용된 노광장치는 10keV을 가속전압을 갖는 라스터 스캔(raster scan)방식의 Etec사 Mebes설비와 50keV의 가속전압을 갖는 벡터 스캔방식의 도시바의 EBM-3000설비이다.
도 4는 본 발명의 전자빔 도우즈를 결정하는 단계를 도시한 흐름도이다.
도 4를 참조하면, 먼저 전자빔으로 노광될 테스트패턴을 설계한다(단계(a)). 전자빔의 도우즈는 노광 및 현상을 거쳐 포토마스크 상에 형성될 패턴의 선폭(critical dimension) 및 도우즈 마진을 고려하여 결정된다. 따라서 먼저, 선폭 및 도우즈 마진을 측정할 테스트 패턴이 결정되어야 한다. 도 4에 본 발명에 사용된 테스트 패턴(210)을 도시하였다. 상기 테스트 패턴(210)은 기준패턴영역(B)과 비교패턴영역(A 및 C) 및 패턴이 형성되지 않는 영역(D)으로 형성된다. 상기 기준패턴영역(B) 및 비교패턴영역(A 및 C)은 각각 복수개의 특정한 선폭(240)을 가진 기준패턴(230) 및 비교패턴(231 및 232)을 가지고 있다. 후속의 노광 및 현상공정에서 패턴이 형성되지 않는 영역(D)은 제 1 노광 즉, 낮은 가속전압의 전자빔에 의한 전면노광만 실시되는 영역이며, 패턴이 형성되는 영역(A, B 및 C)은 제 1 및 제 2 노광이 모두 행해지는 영역이다. 기준패턴(230) 및 비교패턴(231 및 232)은 전자빔에 노광되어 현상시 전자빔 레지스트가 제거되거나(포지티브형) 잔류하여(네거티브형), 도우즈의 결정을 위한 패턴선폭 및 도우즈 마진을 측정할 부분이다. 여기서 비교패턴(231,232)은 각각 패턴노광(제 2 노광)시 기준패턴에 노광된 패턴노광도우즈의 90%의 도우즈로 노광되거나 110% 의 도우즈로 노광된다. 본 실시예에서 기준패턴 및 비교패턴의 설계선폭(240)는 1㎛로 하였다.
계속 도 4를 참조하면, (a) 단계에 이어서, 노광을 통해 상기 테스트 패턴을 형성할 전면노광도우즈 및 패턴노광도우즈를 결정한다(단계(b)). 본 실시예에서는 통상의 노광장치에서 사용되는 노광도우즈를 고려하여 전면노광도우즈는 2~10 μC의 범위에서 2μC의 간격으로 도우즈를 달리하고, 패턴노광도우즈는 12~20μC의 범위에서 2μC의 간격으로 도우즈를 달리하여 노광되도록 하였다. 상기 테스트 패턴은 상기 도우즈 범위 내에서 전면노광도우즈와 패턴노광도우즈의 가능한 조합에 대응되는 개수만큼 형성된다. 도 6은 포토마스크 기판(200) 상에 상기 도우즈의 조합에 따라 전자빔으로 노광될 테스트 패턴(210)이 배열된 모습을 도시한 것이다. 도 6에서 x축은 테스트 패턴의 전면노광도우즈를 나타내고, y축은 도우즈합(전면노광도우즈와 패턴노광도우즈의 합)을 나타낸다.
계속 도 4를 참조하면, 상기 설계된 테스트 패턴에 따라 노광도우즈별로 전자빔을 포토마스크 상에 조사하여 노광한다. 이를 도 5 및 도 6을 참조하여 설명하면, 먼저, 각각의 전면노광도우즈에 따라 상기 테스트 패턴(210)의 전영역을 전면노광한다(단계 (c)). 이어서, 각각의 패턴노광도우즈에 따라 상기 테스트 패턴(210) 내의 기준패턴(230) 및 비교패턴(231 및 232)을 패턴노광한다. 상기 패턴노광은 기준패턴(230)의 경우 패턴노광도우즈의 100%의 도우즈, 기준패턴 좌측의 비교패턴(231)은 90%의 도우즈 및 기준패턴 우측의 비교패턴(232)은 110%의 도우즈로 노광한다(단계 (d)). 각각의 테스트 패턴(210)은 전면노광도우즈와 도우즈의 합이 다르므로 이를 고려하여 도 6에 도시된 바의 배열을 따라 상기 테스트 패턴(210)을 노광한다.
계속 도 4를 참조하면, 상기 노광된 전자빔 레지스트를 현상하여 전자빔 레지스트 패턴을 형성한다(단계(e)). 본 실시예에서는 상기 테스트 패턴이 노광된 전자빔 레지스트를 4분 30초간 현상한 결과 도우즈의 합이 16μC이하인 경우에는 패턴이 형성되지 않았다. 따라서 이하의 과정에서는 이러한 결과를 토대로 도우즈 합이 16μC 이하인 경우는 도우즈를 결정하는 데 있어 고려의 대상에서 제외하였다.
이어서 현상된 전자빔 레지스트 패턴에서 상기 기준패턴(도 5의 230) 및 비교패턴(도 5의 231, 232)에 해당하는 전자빔 레지스트 패턴의 선폭을 측정하고, 상기 측정된 선폭으로부터 도우즈 마진을 다음의 식으로부터 계산한다(단계(f)).
여기서, 비교패턴에 해당하는 레지스트 패턴간의 선폭차는 앞서 설명한 90% 도우즈로 패턴노광된 비교패턴(도 5의 231)과 110%의 도우즈로 패턴노광된 비교패턴(도 5의 232)에 해당되는 현상된 전자빔 레지스트 패턴 간의 선폭차를 의미하고, 비교패턴간의 % 도우즈차는 90%의 도우즈로 패턴노광된 비교패턴(도 5의 231)과 110%의 도우즈로 패턴노광된 비교패턴(도 5의 232)간의 도우즈차를 퍼센트로 나타낸 것으로, 본 실시예에서 %도우즈차는 20이 된다.
다시 도 4를 참조하면, 상기의 계산을 거쳐 적절한 선폭과 도우즈 마진을 가진 도우즈의 조합을 선택한다(단계(g)). 이하에서는 이러한 선택의 일례를 도 7a 및 도 7b를 참조하여 설명한다. 도 7a 및 도 7b에서 참조부호 211이 지시하는 그래프는 도우즈합이 18μC인 경우를 지칭하고, 참조부호 212는 도우즈합 20μC 그리고 참조부호 213은 도우즈합 22μC인 경우를 지칭한다. 여기서, 4분 30초간의 현상과정에서 패턴이 형성되지 않은 조합, 즉 도우즈합이 16μC 이하인 경우는 제외되었다. 도 7a는 각 도우즈의 조합에 따라 상기 기준패턴에 해당하는 전자빔 레지스트 패턴의 선폭을 도시한 것이다. 앞서 언급한 바와 같이 기준패턴의 설계선폭은 1㎛이다. 적절한 목표선폭을 어떻게 결정하는냐에 따라 다르겠지만, 설계선폭을 10% 초과하는 값을 목표선폭으로 할 때 선폭 1.1㎛에 근사한 값을 가진 도우즈의 조합은 도 7a의 그래프로부터 전면노광도우즈:패턴노광도우즈가 2:20(301), 4:18(302), 6:16(303) 및 8:12(304)인 경우이다. 그러나, 도우즈 조합이 2:20(301)인 경우에는 전면노광도우즈가 작으므로 인해 패턴노광에 많은 시간이 걸린다는 문제점이 있으므로 바람직한 조합이 될 수 없다. 나머지 조합의 경우 노광에 걸린 총시간이 약 35분정도 소요되었다. 이것은 50keV의 가속전압을 가진 전자빔으로 1 단계의 패턴노광만을 행하였을 때 소요되는 시간이 약 52분정도인 것과 비교해 보면, 생산성(throughput)측면에서 30%정도의 향상효과가 있는 것을 알 수 있다.
이상 3개의 조합(302, 303 및 304)은 도 7b에 도시된 도우즈 마진도 양호한 값을 나타내는 것을 알 수 있다. 도 7b를 살펴보면, 상기 조합들은 도우즈마진이 약 2~3nm/%도우즈 정도의 범위에 있는데, 전면노광없이 50keV의 가속전압을 가진 노광장치에서 패턴노광만을 행하였을 때 얻어지는 도우즈마진이 약 2.4nm/%도우즈 인 것과 비교해 볼 때 적절한 값을 가지는 것을 알 수 있다. 이와 같은 과정을 거쳐 적절한 도우즈의 조합을 결정할 수 있는데, 이상의 실시예로부터 전면노광도우즈:패턴노광도우즈는 약 1:1~1:5범위에 있을 때가 바람직함을 알 수 있다.
본 발명의 방법에 따르면, 가속전압이 다른 전자빔을 이용한 2 단계 노광을 통해 에너지 흡수율이 높은 낮은 가속전압의 전자빔이 가지는 장점과 높은 패턴 해상도를 가진 높은 가속전압 전자빔이 가지는 장점을 이용하여, 미세패턴을 가진 포토마스크를 보다 짧은 시간에 생산할 수 있게 된다.

Claims (12)

  1. 포토마스크 기판 상에 도포된 전자빔 레지스트를 소정의 패턴으로 전자빔 노광하는 방법에 있어서,
    상기 전자빔 레지스트가 후속하는 현상공정에서 현상되지 않을 정도로 상기 전자빔 레지스트에 전자빔을 노광하는 제 1 노광단계; 및
    상기 제 1 노광단계의 전자빔의 가속전압에 비해 높은 가속전압을 가진 전자빔으로 노광하는 제 2 노광단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 포토마스크의 전자빔 노광방법.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 노광단계는 35 keV 이하의 가속전압을 가진 전자빔에 의해 노광되는 것을 특징으로 하는 포토마스크의 전자빔 노광방법.
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 노광단계는 상기 소정의 패턴을 따르지 않고마스크 전면을 노광하여 수행되는 것을 특징으로 하는 포토마스크의 전자빔 노광방법.
  4. 제 1 항에 있어서, 상기 제 2 노광단계의 도우즈와 제 1 노광단계의 도우즈의 비는 1 ~ 5인 것을 특징으로 하는 포토마스크의 전자빔 노광방법.
  5. 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 노광단계가 상기 제 2 노광단계에 비해 먼저 수행되는 것을 특징으로 하는 포토마스크의 전자빔 노광방법.
  6. 제 1 항에 있어서, 상기 제 2 노광단계가 상기 제 1 노광단계에 비해 먼저 수행되는 것을 특징으로 하는 포토마스크의 전자빔 노광방법.
  7. 투명기판 상에 위상반전막 및/또는 차광막을 형성하는 단계;
    상기 위상반전막 및/또는 차광막 상에 전자빔 레지스트를 도포하는 단계;
    상기 전자빔 레지스트가 후속하는 현상단계에서 현상되지 않을 정도로 상기 전자빔 레지스트에 전자빔을 노광하는 제 1 노광단계;
    상기 제 1 노광단계의 전자빔의 가속전압에 비해 높은 가속전압을 가진 전자빔을 원하는 패턴대로 노광하는 제 2 노광단계;
    상기 제 1 및 제 2 노광된 전자빔 레지스트를 현상하여 상기 원하는 패턴의 전자빔 레지스트 패턴을 형성하는 단계; 및
    상기 전자빔 레지스트 패턴을 식각마스크로 하여 상기 위상반전막 및/또는 차광막을 식각하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 포토마스크 제조방법.
  8. 제 7 항에 있어서, 상기 제 1 노광단계는 35 keV 이하의 가속전압을 가진 전자빔에 의해 노광되는 것을 특징으로 하는 포토마스크의 제조방법.
  9. 제 7 항에 있어서, 상기 제 1 노광단계는 상기 원하는 패턴을 따르지 않고 마스크 전면을 노광하여 수행되는 것을 특징으로 하는 포토마스크의 제조방법.
  10. 제 7 항에 있어서, 상기 제 2 노광단계의 도우즈와 제 1 노광단계의 도우즈의 비는 1 ~ 5인 것을 특징으로 하는 포토마스크의 제조방법.
  11. 제 7 항에 있어서, 상기 제 1 노광단계가 상기 제 2 노광단계에 비해 먼저 수행되는 것을 특징으로 하는 포토마스크 제조방법.
  12. 제 7 항에 있어서, 상기 제 2 노광단계가 상기 제 1 노광단계에 비해 먼저 수행되는 것을 특징으로 하는 포토마스크 제조방법.
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