JP3253590B2 - ハーフトーンマスクの製造方法 - Google Patents

ハーフトーンマスクの製造方法

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Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はハーフトーンマスク
の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】以下、ハーフトーンマスク作製工程を示
す図である。図２を用いて、本発明のハーフトーンマス
ク作製工程を説明する。
【０００３】ハーフトーンマスクに使用される透明基板
２１の材料は主に石英、半透明膜の材料は主にモリブデ
ンシリサイド膜２２、また、遮光膜の材料は主にクロム
膜２３が用いられている。モリブデンシリサイド膜厚は
ＫｒＦエキシマ露光光で約９３ｎｍ、クロム膜厚は約７
０ｎｍであり、真空蒸着やスパッタリング法により形成
されている。ハーフトーンマスクの加工に必要な保護膜
材料は主に電子ビーム（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｂｅａｍ）
（以下、「ＥＢ」という）レジスト２４が用いられてい
る。
【０００４】また、ＥＢレジスト２４の膜厚は約４５０
〜５５０ｎｍであり、スピン・オン法により塗布される
（図２（ａ））。ＥＢレジストはＥＢ描画と現像により
パターニングされる（図２（ｂ））。遮光膜パターンと
半透明膜パターンとのアライメント精度を向上させるこ
ととＥＢ描画工程数を最小限に抑えることを目的とし
て、ＥＢ描画は中間調レジスト膜厚となる第１描画領域
２４ａとレジストが現像により完全に除去される第２描
画領域２４ｂとに分けて行われる。
【０００５】次に、露出されたクロム膜２３は、上記Ｅ
Ｂレジスト２４をマスクに用いて、ＣＣｌ4 ＋Ｏ2 のガ
スプラズマによりドライエッチングされる（図２
（ｃ））。
【０００６】次に、露出されたモリブデンシリサイド膜
２２はＣＦ4 ＋Ｏ2 ＋Ｎ2 プラズマにより連続的にドラ
イエッチングされる（図２（ｄ））。その後、第１描画
領域２４ａのＥＢレジスト２４はＯ2 プラズマによりア
ッシング除去される（図２（ｅ））。
【０００７】次に、露出されたクロム膜２３は、残存す
るＥＢレジスト２４をマスクに、硝酸第二セリウムアン
モニウムと過塩素酸の混合液を用いて、ウエットエッチ
ングされる（図２（ｆ））。残ったＥＢレジスト２４は
ジメチルホルムアミド、アセトン、硫酸過水の順に浸漬
し、除去される（図２（ｇ））。以上の工程により、ハ
ーフトーンマスクは作製されていた。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかし、このプロセス
ではハーフトーンマスク製造の歩留まりが小さい。Ｏ2
プラズマによるアッシングレートが不安定になるためで
ある。アッシングレートが小さい場合、中間調レジスト
を除去できないため、ハーフトーンマスクを作製できな
い。
【０００９】アッシングレートが不安定になる原因はモ
リブデンシリサイドのドライエッチング工程にある。Ｃ
Ｆ4 ＋Ｏ2 ＋Ｎ2 プラズマを用いたモリブデンシリサイ
ドのドライエッチングがレジストのアッシング耐性を大
きくし、Ｏ2 プラズマによるアッシングレートを小さく
するためである。
【００１０】本発明は上記問題点に鑑み、Ｏ2 プラズマ
によるアッシングレートが飛躍的に向上するハーフトー
ンマスクの製造方法を提供するものである。
【００１１】
【００１２】
【課題を解決するための手段】請求項１に記載の本発明
のハーフトーンマスクの製造方法は、透明基板上に半透
明膜を有し、且つ、該半透明膜上に遮光膜を有するブラ
ンクマスクに電子ビームレジストを塗布する工程と、電
子ビームの電荷量を制御することにより、上記電子ビー
ムレジストの一部が現像によっても所定の膜厚だけ残存
する第１描画領域と、該第１描画領域に隣接し、上記電
子ビームレジストが現像により完全に除去される第２描
画領域とを形成する工程と、現像により、上記電子ビー
ムレジストが２階調の膜厚になるようにパターニングを
行う工程と、上記第２描画領域が完全に除去された電子
ビームレジストをマスクに上記遮光膜をエッチングし、
所定パターンの遮光膜を形成した後、上記第１描画領域
の電子ビームレジストが所定の膜厚になるまでアッシン
グを行う工程と、上記パターニングされた遮光膜をマス
クに上記半透明膜をパターニングすると同時に、上記第
１描画領域のレジストを完全に除去する工程と、電子ビ
ームにより描画されていない上記電子ビームレジストを
マスクに上記遮光膜をパターニングする工程とを有する
ことを特徴とするものである。
【００１３】また、請求項２に記載の本発明のハーフト
ーンマスクの製造方法は、上記アッシング後の上記第１
描画領域の電子ビームレジストの膜厚が、上記半透明膜
の膜厚の２０％以上で且つ６０％以下であることを特徴
とする、請求項１に記載のハーフトーンマスクの製造方
法である。
【００１４】また、請求項３に記載の本発明のハーフト
ーンマスクの製造方法は、上記半透明膜をモリブデンシ
リサイド膜とすることを特徴とする、請求項１又は請求
項２に記載のハーフトーンマスクの製造方法である。
【００１５】更に、請求項４に記載の本発明のハーフト
ーンマスクの製造方法は、上記モリブデンシリサイド膜
のエッチングにフッ化炭素と酸素と窒素との混合ガスを
エッチングガスとして用いたことを特徴とする、請求項
３に記載のハーフトーンマスクの製造方法である。
【００１６】すなわち、Ｏ2 プラズマを用いたアッシン
グにより第１描画領域のレジストを除去できない問題を
解決するために、第１描画領域のレジストのアッシング
除去をモリブデンシリサイドのドライエッチング前に行
う。これにより、ＣＦ4 ＋Ｏ2 ＋Ｎ2 プラズマを用いた
モリブデンシリサイドのドライエッチングはＯ2 プラズ
マを用いたアッシングに無関係となるので、１００ｎｍ
／ｍｉｎ以上のアッシングレートが安定的に得られ、第
１描画領域のレジストを除去できる。
【００１７】
【実施の形態】以下、一の実施の形態に基づいて、本発
明を詳細に説明する。
【００１８】図１は本発明の実施例であるハーフトーン
マスク作製工程を示す図である。図１において、１は透
明基板となる石英基板、２は半透明膜となるモリブデン
シリサイド膜、３は遮光膜となるクロム膜、４は電子ビ
ーム（以下、「ＥＢ」と称す）レジスト、４ａは第１描
画領域、４ｂは第２描画領域を示す。
【００１９】以下、図１を用いて、本発明のハーフトー
ンマスク作製工程を説明する。
【００２０】まず、石英基板１上にスパッタ、真空蒸着
等によりモリブデンシリサイド膜２を９０〜１００ｎｍ
成膜し、その上に、クロム膜３を６０〜７０ｎｍ成膜す
る。続いてＥＢレジスト４を４５０〜５５０ｎｍ塗布す
る（図１（ａ））。
【００２１】尚、レジストとしてはモリブデンシリサイ
ド膜２とクロム膜３のエッチングの際、エッチング耐性
の優れたものでなければならない。ＥＢ描画工程におい
て、遮光領域は未描画、半透過領域は現像後にレジスト
膜厚が未描画領域の半分になるような領域（第１描画領
域４ａ）となるように必要電荷量を設定し、透過領域は
完全にレジストを除去される領域（第２描画領域４ｂ）
となるように必要電荷量を設定し、電子ビームを照射す
る。レジストにはネガ形とポジ形とがあり図に示したの
はポジ形レジストを使った場合であって、電子ビームの
当たらなかった部分が次の現像工程でレジストパターン
として残り、電子ビームの当たった部分は現像液に溶解
し、クロム膜３が部分的に露出する（図１（ｂ））。
【００２２】現像後、露出したクロム膜３のドライエッ
チングを行う。エッチングは平行平板式反応性イオンエ
ッチング法（ＲＩＥ）を用いる。エッチングガスはＣＣ
ｌ4（テトラクロロメタン）とＯ2 （酸素）、あるい
は、ＣＨ2 Ｃｌ2 （ジクロロメタン）とＯ2 を流量 ２
５ｓｃｃｍ：７５ｓｃｃｍ に制御して使用する。ＲＦ
パワーは２００Ｗ（５００Ｗ以内）、圧力は３３．２Ｐ
ａ、電極間距離は６０ｍｍ、放電周波数は１３．５６Ｍ
Ｈｚである。
【００２３】クロム膜３のエッチングレートは５５ｎｍ
／ｍｉｎであり、クロム膜３とモリブデンシリサイド膜
２のエッチング選択比は３０以上である。ＥＢレジスト
４はクロム膜３のエッチングに対する保護膜として働
き、ＥＢレジスト４に覆われていない領域のクロム膜３
のみが除去され、モリブデンシリサイド膜２が部分的に
露出する（図１（ｃ））。クロム膜３のドライエッチン
グに塩素系ガスを使用した場合、レジストのドライエッ
チング耐性は十分である。クロム膜３をドライエッチン
グした後、第１描画領域４ａのＥＢレジスト４のアッシ
ング除去を行う（図１（ｄ））。
【００２４】このアッシングは第１描画領域４ａのＥＢ
レジスト４の膜厚が、モリブデンシリサイド膜２のエッ
チング中に第１描画領域４ａのＥＢレジスト４を完全に
除去できる２０〜５０ｎｍ残るように行うことが望まし
い。すなわち、第１描画領域４ａのＥＢレジスト４の膜
厚を、下地のモリブデンシリサイド膜２の膜厚の２０〜
６０％にすることが望ましい。後に行われるクロム膜３
のウエットエッチングレートを劣化させないためであ
る。しかしながら、このアッシングの際、第１描画領域
４ａのＥＢレジスト４を完全に除去してもよい。
【００２５】アッシングは平行平板式反応性イオンエッ
チング法（ＲＩＥ）を用いる。アッシングガスはＯ2
（酸素）を流量１００ｓｃｃｍに制御して使用する。Ｒ
Ｆパワーは１５０Ｗ（５００Ｗ以内）圧力１０Ｐａ、磁
場強度１００Ｇ、電極間距離は６０ｍｍ、放電周波数は
１３．５６ＭＨｚである。レジストのアッシングレート
は１００ｎｍ／ｍｉｎである。
【００２６】次に、第１描画領域４ａのＥＢレジスト４
をアッシングした後、クロム膜３をマスクにモリブデン
シリサイド膜２のドライエッチングを行う（図１
（ｅ））。エッチングは平行平板式反応性イオンエッチ
ング法（ＲＩＥ）を用いる。エッチングガスはＣＦ4 と
Ｏ2 （酸素）とＮ2 （窒素）を流量１００ｓｃｃｍ：５
ｓｃｃｍ：１８ｓｃｃｍに制御して使用する。ＲＦパワ
ーは１００Ｗ、圧力は２Ｐａ、電極間距離は６０ｍｍ、
磁場強度１００Ｇ、放電周波数は１３．５６ＭＨｚであ
る。
【００２７】次に、モリブデンシリサイド膜２をドライ
エッチングした後、露出されているクロム膜３のウエッ
トエッチングを残存しているレジストをマスクに用いて
行う。エッチャントは硝酸第２セリウムアンモニウムと
過塩素酸の混合液を使用する（図１（ｆ））。
【００２８】次に、クロム膜３のウエットエッチングの
後、ＥＢレジスト４の剥離除去を行う（図１（ｇ））。
剥離液はジメチルホルムアミド、アセトン、硫酸過水を
使用する。この場合、薬液に対する透明基板１とモリブ
デンシリサイド膜２とクロム膜３の耐性は十分でなけれ
ばならない。
【００２９】
【発明の効果】以上、詳細に説明したように、透明基板
上に遮光膜及び半透明膜を有するハーフトーンマスク作
製において、ＣＦ4 ＋Ｏ2 ＋Ｎ2 プラズマを用いたモリ
ブデンシリサイドのドライエッチングによりレジストの
組成を変化させる前に、中間調レジストのＯ2 プラズマ
によるアッシング除去を行うことで、中間調レジストの
アッシングレート１００ｎｍ／ｍｉｎ以上が安定的に得
られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のハーフトーンマスクの製造工程図であ
る。
【図２】従来のハーフトーンマスクの製造工程図であ
る。
【符号の説明】
１ 透明基板 ２ モリブデンシリサイド膜 ３ クロム膜 ４ ＥＢレジスト ４ａ 第１描画領域 ４ｂ 第２描画領域

Claims (4)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 透明基板上に半透明膜を有し、且つ、該
    半透明膜上に遮光膜を有するブランクマスクに電子ビー
    ムレジストを塗布する工程と、 電子ビームの電荷量を制御することにより、上記電子ビ
    ームレジストの一部が現像によっても所定の膜厚だけ残
    存する第１描画領域と、該第１描画領域に隣接し、上記
    電子ビームレジストが現像により完全に除去される第２
    描画領域とを形成する工程と、 現像により、上記電子ビームレジストが２階調の膜厚に
    なるようにパターニングを行う工程と、 上記第２描画領域が完全に除去された電子ビームレジス
    トをマスクに上記遮光膜をエッチングし、所定パターン
    の遮光膜を形成した後、上記第１描画領域の電子ビーム
    レジストが所定の膜厚になるまでアッシングを行う工程
    と、 上記パターニングされた遮光膜をマスクに上記半透明膜
    をパターニングすると同時に、上記第１描画領域のレジ
    ストを完全に除去する工程と、 電子ビームにより描画されていない上記電子ビームレジ
    ストをマスクに上記遮光膜をパターニングする工程とを
    有することを特徴とする、ハーフトーンマスクの製造方
    法。
  2. 【請求項２】 上記アッシング後の上記第１描画領域の
    電子ビームレジストの膜厚が、上記半透明膜の膜厚の２
    ０％以上で且つ６０％以下であることを特徴とする、請
    求項１に記載のハーフトーンマスクの製造方法。
  3. 【請求項３】 上記半透明膜をモリブデンシリサイド膜
    とすることを特徴とする、請求項１又は請求項２に記載
    のハーフトーンマスクの製造方法。
  4. 【請求項４】 上記モリブデンシリサイド膜のエッチン
    グにフッ化炭素と酸素と窒素との混合ガスをエッチング
    ガスとして用いたことを特徴とする、請求項３に記載の
    ハーフトーンマスクの製造方法。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10676831B2 (en) 2014-07-15 2020-06-09 De Nora Permelec Ltd Electrolysis cathode and method for producing electrolysis cathode

Families Citing this family (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6799312B1 (en) * 2000-06-05 2004-09-28 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Dark line CD and XY-CD improvement method of the variable shaped beam lithography in mask or wafer making
KR100697366B1 (ko) * 2000-06-29 2007-03-20 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 박막 트랜지스터 액정표시장치 제조에서 사용하는 하프 톤 마스크
KR20020018280A (ko) 2000-09-01 2002-03-08 윤종용 이중노광을 이용한 포토마스크의 전자빔 노광방법 및 이를이용한 포토마스크 제조방법
US6436587B1 (en) * 2000-09-18 2002-08-20 Sharp Laboratories Of America, Inc. Method of making a multi-level reticle using bi-level photoresist, including a phase-shifted multi-level reticle
KR100484517B1 (ko) * 2000-12-19 2005-04-20 호야 가부시키가이샤 그레이톤 마스크 및 그 제조 방법
US6569581B2 (en) * 2001-03-21 2003-05-27 International Business Machines Corporation Alternating phase shifting masks
JP2003173015A (ja) 2001-09-28 2003-06-20 Hoya Corp グレートーンマスクの製造方法
JP2003114514A (ja) * 2001-10-02 2003-04-18 Sharp Corp マスクを用いたパターンの転写方法、ハーフトーンマスク、及びその製造方法、並びに回路基板の製造方法
KR100873069B1 (ko) * 2002-05-31 2008-12-11 삼성전자주식회사 크롬 식각용 에천트 및 이를 이용한 이중 금속 박막패터닝 방법
US7410795B2 (en) * 2002-12-23 2008-08-12 Vical Incorporated Codon-optimized polynucleotide-based vaccines against human cytomegalovirus infection
KR100848815B1 (ko) * 2004-11-08 2008-07-28 엘지마이크론 주식회사 하프톤 마스크 및 그 제조방법 및 이를 이용한평판패널디스플레이
JP4339232B2 (ja) * 2004-11-26 2009-10-07 Ｎｅｃ液晶テクノロジー株式会社 アクテイブマトリクス型表示装置用フォトマスク及びその製造方法
KR100629359B1 (ko) * 2005-08-09 2006-10-02 삼성전자주식회사 감광성 폴리이미드막을 사용하여 반도체소자를 제조하는방법들 및 그에 의해 제조된 반도체소자들
KR100822297B1 (ko) * 2006-04-20 2008-04-15 엘지마이크론 주식회사 알루미늄막을 이용한 하프톤 마스크 및 그 제조 방법
KR100849849B1 (ko) * 2006-06-30 2008-08-01 주식회사 에스앤에스텍 평탄 투과율 그레이톤 블랭크마스크 및 이를 이용한포토마스크
JP4896671B2 (ja) * 2006-11-06 2012-03-14 三菱電機株式会社 ハーフトーンマスク及びこれを用いたパターン基板の製造方法
KR101056251B1 (ko) * 2007-10-26 2011-08-11 주식회사 하이닉스반도체 반도체 소자의 패터닝 방법
JP4878379B2 (ja) * 2009-02-09 2012-02-15 Ｈｏｙａ株式会社 グレートーンマスクの製造方法
JP2012008545A (ja) * 2010-05-24 2012-01-12 Hoya Corp 多階調フォトマスクの製造方法、及びパターン転写方法
JP2012008546A (ja) * 2010-05-24 2012-01-12 Hoya Corp 多階調フォトマスクの製造方法、及びパターン転写方法
JP4840834B2 (ja) * 2010-11-01 2011-12-21 Ｈｏｙａ株式会社 グレートーンマスク及びその製造方法
US9535316B2 (en) * 2013-05-14 2017-01-03 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Photomask with three states for forming multiple layer patterns with a single exposure
JP2017072842A (ja) * 2016-11-09 2017-04-13 Hoya株式会社 フォトマスクの製造方法、フォトマスク、パターン転写方法、及びフラットパネルディスプレイの製造方法
KR102279271B1 (ko) 2019-11-20 2021-07-20 대한민국(국립재활원장) 휠체어 안전장치 및 이를 포함하는 트레드밀

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5244759A (en) * 1991-02-27 1993-09-14 At&T Bell Laboratories Single-alignment-level lithographic technique for achieving self-aligned features
US5342476A (en) * 1993-01-21 1994-08-30 Vlsi Technology, Inc. Reduction of polycide residues through helium backside pressure control during dry etching
US5354417A (en) * 1993-10-13 1994-10-11 Applied Materials, Inc. Etching MoSi2 using SF6, HBr and O2
US5783337A (en) * 1997-05-15 1998-07-21 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Process to fabricate a double layer attenuated phase shift mask (APSM) with chrome border
US5853923A (en) * 1997-10-23 1998-12-29 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Double layer method for fabricating a rim type attenuating phase shifting mask

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10676831B2 (en) 2014-07-15 2020-06-09 De Nora Permelec Ltd Electrolysis cathode and method for producing electrolysis cathode

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