KR100822297B1 - 알루미늄막을 이용한 하프톤 마스크 및 그 제조 방법 - Google Patents
알루미늄막을 이용한 하프톤 마스크 및 그 제조 방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR100822297B1 KR100822297B1 KR1020060035815A KR20060035815A KR100822297B1 KR 100822297 B1 KR100822297 B1 KR 100822297B1 KR 1020060035815 A KR1020060035815 A KR 1020060035815A KR 20060035815 A KR20060035815 A KR 20060035815A KR 100822297 B1 KR100822297 B1 KR 100822297B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- light
- aluminum film
- film
- aluminum
- transparent substrate
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/26—Phase shift masks [PSM]; PSM blanks; Preparation thereof
- G03F1/32—Attenuating PSM [att-PSM], e.g. halftone PSM or PSM having semi-transparent phase shift portion; Preparation thereof
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/80—Etching
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
- G03F7/091—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers characterised by antireflection means or light filtering or absorbing means, e.g. anti-halation, contrast enhancement
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/7095—Materials, e.g. materials for housing, stage or other support having particular properties, e.g. weight, strength, conductivity, thermal expansion coefficient
- G03F7/70958—Optical materials or coatings, e.g. with particular transmittance, reflectance or anti-reflection properties
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01013—Aluminum [Al]
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Environmental & Geological Engineering (AREA)
- Epidemiology (AREA)
- Public Health (AREA)
- Architecture (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
Description
Claims (10)
- 투명기판;상기 투명기판 상에 형성되어 조사되는 소정 파장대의 광을 투과시키는 광투과부;상기 투명기판 상에 형성되어 조사되는 소정 파장대의 광을 차단시키는 광차단부;상기 투명기판 상에 형성되어 조사되는 소정 파장대의 광의 일부만을 투과시키는 반투과부를 포함하여 이루어지되,상기 광차단부는 순차적으로 적층된 알루미늄막과 차광물질막으로 구성되고, 상기 반투과부는 알루미늄막이며, 상기 투명기판의 양 측면에 형성되는 광차단부는상기 차광물질막이 상기 알루미늄막의 바깥 쪽 측면까지 덮이도록 형성된 것을 특징으로 하는 알루미늄막을 이용한 하프톤 마스크.
- 삭제
- 청구항 1에 있어서,상기 반투과부의 광투과율은 상기 알루미늄막의 두께 또는 조성물을 조정하여 결정되는 것을 특징으로 하는 알루미늄막을 이용한 하프톤 마스크.
- 청구항 3에 있어서,상기 알루미늄막은 알루미늄(Al) 또는 알루미늄(Al)을 주원소로 하여 첨가물질이 적어도 하나가 결합된 화합물인 것을 특징으로 하는 알루미늄막을 이용한 하프톤 마스크.
- 청구항 4에 있어서,상기 첨가물질은 COx, Ox, Nx 중 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 알루미늄막을 이용한 하프톤 마스크.
- 청구항 3에 있어서,상기 알루미늄막의 두께는 1㎚ ~ 100㎚ 사이의 범위인 것을 특징으로 하는 알루미늄막을 이용한 하프톤 마스크.
- 청구항 1에 있어서,상기 차광물질막은 50㎚ ~ 200㎚ 사이의 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 알루미늄막을 이용한 하프톤 마스크.
- 투명기판 상에 알루미늄막, 차광물질막 및 포토레지스트를 순차적으로 형성하되, 상기 차광물질막이 상기 알루미늄막의 전면 및 바깥쪽 측면까지 모두 덮도록 하며,상기 포토레지스트에 대하여 풀(full) 노광과 하프(half) 노광을 수행한 후, 상기 노광된 포토레지스트 부분을 현상함으로써, 풀(full) 노광 영역과 하프(half) 노광 영역을 형성하는 단계;상기 풀(full) 노광 영역에 노출된 상기 차광물질막과 그 하부에 형성된 알루미늄막을 순차적으로 에칭하여 광투과부를 형성하되, 상기 알루미늄막의 에칭은 인산, 질산 및 초산 중 어느 하나를 이용하는 단계;상기 포토레지스트에 대하여 에싱(ashing) 처리를 수행함으로써, 상기 하프(half) 노광 영역에 위치한 상기 차광물질막을 외부로 노출시키는 단계;상기 외부로 노출된 차광물질막을 부분 에칭하여 상기 알루미늄막을 외부로 노출시킴으로써 반투과부를 형성시키고, 상기 포토레지스트를 박리하여 광차단부를 형성시키는 단계를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 알루미늄막을 이용한 하프톤 마스크의 제조방법.
- 삭제
- 청구항 8에 있어서,상기 포토레지스트의 박리는 상기 알루미늄막이 제거되지 않는 현상액을 이용하되, 상기 현상액은 아세톤 또는 신나(thinner)인 것을 특징으로 하는 알루미늄막을 이용한 하프톤 마스크의 제조 방법.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020060035815A KR100822297B1 (ko) | 2006-04-20 | 2006-04-20 | 알루미늄막을 이용한 하프톤 마스크 및 그 제조 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020060035815A KR100822297B1 (ko) | 2006-04-20 | 2006-04-20 | 알루미늄막을 이용한 하프톤 마스크 및 그 제조 방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20070103898A KR20070103898A (ko) | 2007-10-25 |
KR100822297B1 true KR100822297B1 (ko) | 2008-04-15 |
Family
ID=38818099
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020060035815A KR100822297B1 (ko) | 2006-04-20 | 2006-04-20 | 알루미늄막을 이용한 하프톤 마스크 및 그 제조 방법 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR100822297B1 (ko) |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20000017645A (ko) * | 1998-08-31 | 2000-03-25 | 마찌다 가쯔히꼬 | 하프톤 마스크의 제조공정 |
JP2002062638A (ja) * | 2000-08-21 | 2002-02-28 | Semiconductor Leading Edge Technologies Inc | マスクブランクス、フォトマスク、パターン形成方法および半導体装置の製造方法 |
-
2006
- 2006-04-20 KR KR1020060035815A patent/KR100822297B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20000017645A (ko) * | 1998-08-31 | 2000-03-25 | 마찌다 가쯔히꼬 | 하프톤 마스크의 제조공정 |
JP2002062638A (ja) * | 2000-08-21 | 2002-02-28 | Semiconductor Leading Edge Technologies Inc | マスクブランクス、フォトマスク、パターン形成方法および半導体装置の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20070103898A (ko) | 2007-10-25 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI461833B (zh) | 多調式光罩、多調式光罩之製造方法及圖案轉印方法 | |
KR100201040B1 (ko) | 위상 쉬프트 마스크 및 그 제조 방법 | |
JP4934237B2 (ja) | グレートーンマスクの製造方法及びグレートーンマスク、並びにパターン転写方法 | |
KR20110083583A (ko) | 다계조 포토마스크, 다계조 포토마스크의 제조 방법, 패턴 전사 방법, 및 박막 트랜지스터의 제조 방법 | |
TW201142484A (en) | Multi-tone photomask, method of manufacturing a multi-tone photomask, multi-tone photomask blank and pattern transfer method | |
JP4934236B2 (ja) | グレートーンマスクブランク、グレートーンマスクの製造方法及びグレートーンマスク、並びにパターン転写方法 | |
JP3209257B2 (ja) | 位相シフトマスク及びその製造方法 | |
KR101094540B1 (ko) | 다계조 포토마스크의 제조 방법 및 다계조 포토마스크용 블랭크, 및 전자 디바이스의 제조 방법 | |
KR101216849B1 (ko) | 다계조 포토마스크의 제조 방법 및 다계조 포토마스크와 패턴 전사 방법 | |
KR100822297B1 (ko) | 알루미늄막을 이용한 하프톤 마스크 및 그 제조 방법 | |
KR101374923B1 (ko) | 포토마스크 및 그 제조 방법, 패턴 전사 방법, 및 페리클 | |
KR20030052956A (ko) | 위상 시프트 마스크의 제조 방법, 위상 시프트 마스크 및장치 | |
JPH0943830A (ja) | ハーフトーン型位相シフトマスク及びハーフトーン型位相シフトマスクブランク並びにそれらの製造方法 | |
KR101171432B1 (ko) | 다계조 포토마스크, 다계조 포토마스크의 제조 방법, 패턴 전사 방법, 및 박막 트랜지스터의 제조 방법 | |
KR100787090B1 (ko) | 다중 반투과부를 구비한 하프톤 마스크 및 그 제조 방법 | |
US20110193202A1 (en) | Methods to achieve 22 nanometer and beyond with single exposure | |
JPH07261367A (ja) | ホトマスクおよびその製造方法 | |
KR20070101428A (ko) | 하프톤 마스크 및 그 제조 방법 | |
KR101369302B1 (ko) | Ti계 물질의 선택적 에칭을 통한 하프톤 마스크제조방법및 하프톤마스크 | |
JP7214593B2 (ja) | フォトマスクの製造方法 | |
KR100802448B1 (ko) | 에칭 스토퍼층을 구비한 하프톤 마스크 및 그 제조 방법 | |
KR101077355B1 (ko) | Mtm 포토 마스크의 제조방법 | |
KR100822296B1 (ko) | 다단 구조를 가지는 하프톤 마스크 및 그 제조 방법 | |
KR20070100492A (ko) | 경사진 반투과부를 구비한 하프톤 마스크 및 그 제조 방법 | |
KR20150089303A (ko) | 포토마스크 제조방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20130906 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20140305 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20150305 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20160304 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20170307 Year of fee payment: 10 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20180306 Year of fee payment: 11 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20190313 Year of fee payment: 12 |