KR101077355B1 - Ｍｔｍ 포토 마스크의 제조방법 - Google Patents

Ｍｔｍ 포토 마스크의 제조방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 MTM 포토 마스크 및 이를 제조하는 방법에 관한 것으로, 디스플레이 패널 제조 또는 반도체 제조에 필요한 멀티 트랜스미션 모듈레이션(Multi Transmission Modulation; 이하 MTM) 마스크 제조 시, 노광 마스크 패턴이 형성되는 영역은 차광층, 반사방지층 및 반투과층 중 선택되는 하나 이상의 층을 포함하고, 정렬 마크 패턴이 형성되는 영역은 차광층 단독 구조 또는 반투과층/차광층의 순차적 적층 구조를 포함하는 구조인 정렬 마크에 반사 방지막(Anti Reflection Layer)을 사용하지 않는 마스크 구조를 제공함으로써, 마스크 제조를 위한 노광 공정에서 정렬도를 향상시키고, 마스크 생산성을 향상시킬 수 있도록 하는 발명에 관한 것이다.

Description

ＭＴＭ 포토 마스크의 제조방법{METHOD FOR FABRICATING MULTI TRANSMISSION MODULATION PHOTOMASK}
본 발명은 디스플레이 패널 제조 또는 반도체 제조에 사용되는 MTM 마스크의 정렬도를 향상시키는 기술에 관한 것 이다.
일반적으로 디스플레이 패널 제조 및 반도체 제조에 필요한 마스크는 완전히 빛을 차단하는 차광 영역과 100% 투과하는 투광 영역으로 나뉘어진다.
그 다음으로, 위상반전 마스크가 개발 되었는데, 이 경우는 위의 두 영역에 위상차 또는 투과율을 조절하여 노광 공정에서 필요한 공정 마진(Margin)을 향상시킬 수 있다. 이러한 위상반전 마스크를 사용하는 경우 상이 맺히는 웨이퍼나 패널에 레지스트(Resist)가 남아 있는 영역과 제거되는 영역으로 구별될 수 있다.
한편, 디스플레이 패널 제조에 필요한 마스크의 경우에는 빛을 차단하는 차광 영역과 100% 투과되는 투광 영역 이외에 투과율이 0과 1의 사이 값을 구현할 수 있는 반투광 영역이 필요하다.
이러한 반투광 영역을 포함하는 마스크를 사용하는 경우 노광 마스크를 사용하는 공정의 수를 감소시킬 수 있는데, 이러한 목적으로 개발된 마스크가 슬릿(Slit) 마스크와 트랜스미션 모듈레이션(Transmission Modulation, MT) 마스크가 있다.
종래의 일반 마스크의 경우는 빛이 통과는 영역(투과율 1)과 차단하는 영역(투과율 0)만으로 구성되어 있었다. 특히 디스플레이 패널 제조에 사용되는 마스크의 경우 하나의 마스크상에 투과율이 0과 1의 중간 값을 갖는 마스크 개발이 요구되었는데, 이와 같은 중간 값의 투과율을 얻기 위해서는 마스크 상에 형성된 투광 또는 차광 패턴 상부에 다시 필요한 물질을 도포하거나, 패턴과 마스크 기판 사이에 필요 물질을 삽입하였다.
그 결과로, 중간 값을 갖는 마스크 패턴이 하나 이상 형성되었고, 3 톤(tone), 4 톤(tone)의 멀티 트랜스미션 모듈레이션 마스크(이하, MTM 마스크)가 개발되었다.
기존 마스크의 경우는 마스크 제조 공정에서 차광 패턴에 한 번의 노광 공정만 수행하면 되었으나, MTM 마스크의 경우에는 여러 층이 포함되므로, 각 층별 노광 공정이 필요하다.
이와 같은 다수의 노광 공정에서 첫 번 째 공정에 의하여 형성된 패턴과 두 번째 공정에서 형성된 패턴이 정확하게 일치하여야 한다. 따라서, 매우 정밀한 정렬(Alignment)이 요구되고 있다. 마스크 정렬시 정렬마크(Alignment Mark)영역에 빛을 조사하여 반사되는 빛의 신호를 입력 받고, 처음 노광된 패턴의 정보를 비교 하여 인식하게 된다. 그러므로, 반사되는 빛의 신호가 강할수록 정렬도를 향상시킬 수 있다.
그런데, 통상적으로 사용되는 종래의 MTM 마스크에서는 빛을 차단하는 차광층 상부에 빛의 반사를 최소화하는 반사방지층(Anti Reflectance)이 형성되어, 정렬에 필요한 신호를 얻기 매우 어려운 문제가 있다.
도 1은 종래기술에 따른 MTM 마스크를 도시한 단면도이다.
도 1을 참조하면, MTM 마스크의 기본적 구성으로 유리기판(10) 상부에 형성되는 차광층(20)과 차광층 상부에 형성되는 반사방지층(30) 및 반사방지층(30) 상부에 형성되는 반투과층(40)을 포함한다.
여기서, 유리기판(10)은 디스플레이 패널 제품을 제조하기 위한 메인(Main) 마스크 패턴 영역(10A)과 마스크 제조 공정에서의 정렬을 위한 정렬 마크 영역(10B)으로 구분될 수 있다. 이때, 정렬 마크 영역(10B)의 반투과층(40)은 도포 공정에서 선택적으로 제외될 수 있다.
그러나 이와 같은 차이에도 불구하고, 정렬을 위해 입사된 빛(50)에 비하여 반사되는 빛(60)이 미약해서 정렬 신호가 약해지는 문제가 있다.
도 2는 종래기술에 따른 MIM 마스크의 정렬 마크 신호를 나타낸 개략도이다.
도 2를 참조하면, 정렬 마크(Mark) 신호가 'h' 높이로 비교적 약한 신호를 나타내고 있음을 알 수 있다.
이와 같이, 종래 기술에 따른 MTM 마스크의 경우, 정렬 마크 영역의 반사 방지막에 의해서, 마스크 제조 공정에 필요한 빛 반사가 억제되는 문제가 있다. 따라 서, 정렬에 필요한 충분한 신호를 얻기 힘들며, 정렬오차가 커지는 문제가 발생한다. 이러한 문제로 인하여 장시간의 노광 공정이 필요하고, 현상 후 정렬도를 정밀하게 확인하여야 하는 추가적인 공정이 필요하며, 정렬도가 만족스럽지 못할 경우 마스크를 다시 제조하거나, 재작업(Rework)을 수행하여야 하는 문제가 있어 제조 시간 및 단가가 상승 되고 있다.
본 발명은 정렬 마크 패턴이 형성된 영역에 반사방지층을 사용하지 않음으로써, 마스크 제조 공정에서 필요한 충분한 정렬 신호를 얻을 수 있도록 하고, 이로 인하여 제조된 MTM 마스크를 이용함으로써, 디스플레이 패널 제조를 위한 생산 공정 효율을 향상시킬 수 있도록 하는 MTM 마스크의 제조방법을 제공하는 것을 그 목적으로 한다.
삭제
본 발명의 제 1 실시예에 따른 MTM 마스크 제조 방법은 투명기판 상부에 차광층을 형성한 후, 상기 차광층을 패터닝하여 노광 마스크 패턴 및 정렬 마크 패턴을 형성하는 단계 및 상기 정렬 마크 패턴이 형성된 영역을 차단시킨 후, 상기 노광 마스크 패턴이 형성된 영역 상부에 반투과층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
삭제
다음으로, 본 발명의 제 2 실시예에 따른 MTM 마스크 제조 방법은 투명기판 상부에 차광층을 형성한 후, 상기 차광층을 패터닝하여 노광 마스크 패턴 및 정렬 마크 패턴을 형성하는 단계와, 상기 정렬 마크 패턴이 형성된 영역을 차단시킨 후, 상기 노광 마스크 패턴 상부에 반사방지층을 형성하는 단계 및 상기 노광 마스크 패턴이 형성된 영역 상부에 반투과층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
그 다음으로, 본 발명의 제 3 실시예에 따른 MTM 마스크 제조 방법은 투명기판 상부에 반투과층을 형성하는 단계와, 상기 반투과층 상부에 차광층을 형성한 후, 상기 차광층을 패터닝하여 노광 마스크 패턴 및 정렬 마크 패턴을 형성하는 단계 및 상기 정렬 마크 패턴이 형성된 영역을 차단시킨 후, 상기 노광 마스크 패턴 상부에 반사방지층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
여기서, 상기 정렬 마크 패턴이 형성된 영역을 차단시키는 공정은 감광막 또는 절연층을 이용하여 수행하는 것을 특징으로 하고, 상기 정렬 마크 패턴 상부에 반사물질층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하고, 상기 반사물질층은 은(Ag) 또는 글라스 비드(Glass Beads) 분말을 더 포함하는 것을 특징으로 한다.
이상에서와 같이, 본 발명에 따른 노광 공정 적용 시, 정렬 공정을 정확하게 수행할 수 있어 마스크 제조 공정을 단순화 할 수 있다. 특히, 차광층의 높은 반사 율을 이용하면, 종래 보다 2.5 ~ 5배의 향상된 정렬 신호를 얻을 수 있어 마스크 노광 공정시간을 단축 시킬 수 있으며, 정렬에 문제가 발생하여 수행하여야 하는 불필요한 기존의 후속 공정을 제거할 수 있다.
따라서, 본 발명은 MTM 마스크 제조 수율을 향상시키고, 비용 절감 및 제조 기간을 단축시킬 수 있는 효과를 제공한다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 구체적인 실시 예를 상세하게 설명하면 다음과 같다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 상세하게 후술되어 있는 실시예들 및 도면을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나, 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.
도 3 내지 도 5는 본 발명의 제1 내지 제3 실시예에 따른 MTM 마스크를 제조하는 방법을 나타낸 단면도들이다.
먼저, 도 3 내지 도 5를 참조하여 나타나는 본 발명에 따른 MTM 마스크의 공통적인 구조를 살펴보면 다음과 같다.
MTM(Multi Transmission Modulation) 마스크를 구성하는 투명기판(100, 200, 300)은 노광 마스크 패턴형성 영역(100A, 200A, 300A) 및 정렬 마크 패턴 형성 영역(100B, 200B, 300B)으로 구분된다.
여기서, 노광 마스크 패턴이 형성되는 영역(100A, 200A, 300A)은 차광층(120, 220, 320), 반사방지층(230, 330) 및 반투과층(140, 240, 340) 중 선택되는 하나 이상의 층을 포함 한다. 도 4 및 도 5의 경우에는 상기 세 종류의 층이 모두 사용되지만, 도 3의 경우 반사방지층이 제외된다. 이러한 구조를 TM(Transmission Modulation) 마스크라고 표현할 수도 있으나, 본 발명에서는 MTM에 TM의 의미도 포함하는 것을 특징으로 한다.
다음으로, 정렬 마크 패턴이 형성되는 영역(100B, 200B, 300B)은 차광층(120, 220, 320) 단독 구조 또는 반투과층(140, 240, 340)/차광층(120, 220, 320)의 순차적 적층 구조를 포함 한다. 도 3 및 도 4의 실시예는 차광층(120, 220) 단독 구조를 나타내고 있으며, 도 5의 실시예는 반투과층(340)/차광층(320)의 적층구조를 나타내고 있다.
상술한 바와 같이, 본 발명에서는 정렬 마크 패턴이 형성되는 영역(100B, 200B, 300B)에 반사방지층(230, 330)을 사용하지 않음으로써, 마스크 제조 공정에서 필요한 충분한 정렬 신호를 얻을 수 있도록 하고, 이로 인하여 디스플레이 패널 제조를 위한 생산 공정 효율을 향상시킬 수 있도록 한다.
이를 위한 수단으로, 투명기판(100, 200, 300)은 글라스(Glass), 쿼츠(Quartz) 및 용융석영 중 선택되는 하나의 재질로 형성되는 것을 사용하는 것이 바람직하다.
다음으로, 차광층(120, 220, 320)은 Cr, Al, Ti, W, Si 및 Mo 중 선택되는 하나 이상의 물질로 형성하는 것이 바람직하다. 본 발명에 따른 차광층(120, 220, 320)은 노광에 사용되는 광원을 완전히 차단할 수 있는 물질을 사용하되, MTM 마스크 제조 공정에서의 정렬을 용이하게 하기 위하여 반사율 또한 뛰어난 물질을 사용하는 것이 바람직하다. 특히, 본 발명에서는 정렬 마크 패턴 영역(100B, 200B, 300B)의 차광층 상부에 반사물질층을 더 형성하여 반사율을 극대화시킬 수 있다. 이러한 반사물질층의 일례로는 은(Ag) 또는 글라스 비드(Glass Beads) 분말이 있으며, 이들을 코팅함으로써, 정렬에 사용되는 빛 중 반사되는 빛(160)의 강도를 더 극대화 시킬 수 있다.
그 다음으로, 반투과층(140, 240, 340)은 투과되는 광의 양을 필요에 따라서 조절하는 부분으로서, CrxOy, CrxCoy, CrxCoyNz, SixNy, MoxSiy 등이 사용될 수 있다. 또한, MoSi의 화합물인 MoSiCN, MoSiON, MoSiN, MoSiCON, MoSiCONF 등이나, CrN, Ti, Mo, W 등도 될 수 있다. 여기서, x,y,z는 자연수이다.
그 다음으로, 반사방지층(230, 330)은 10 ~ 20%의 반사율을 가지는 물질을 사용하는 것이 바람직하다. 반사방지층(230, 330)은 노광 마스크 패턴이 형성되는 영역(100A, 200A, 300A)을 통과하는 빛의 간섭을 감소시키고, 해상도를 향상시키는 역할을 한다. 이때, 반사율이 10% 미만일 경우에는 빛의 간섭 방지 효과가 미약해질 수 있고, 반사율이 20%를 초과하는 경우에는 해상도 향상 효과가 떨어질 수 있 다.
따라서, 반사방지층은 디스플레이 패널 제조와 직접적으로 관련이 없는 정렬 마크 패턴 형성 영역에 형성되지 않더라도 전혀 문제가 되지 않는다. 오히려, MTM 마스크 제조에 있어서는 정렬 신호를 약화시키는 기능만 할 뿐이므로, 본 발명에서는 정렬 마크 패턴 형성 영역의 반사방지층을 생략한 것이며, 이로 인하여 MTM 마스크 제조 수율을 향상시킬 수 있었다.
이와 같은 특성을 가지는 본 발명의 MTM 마스크 제조 방법에 대해 살펴 보면 다음과 같다.
도 3은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 MTM 마스크 제조 방법을 도시한 것으로, 투명기판(100) 상부에 차광층(120)을 형성한 후, 차광층을 패터닝하여 노광 마스크 패턴 및 정렬 마크 패턴을 형성한다. 이 과정을 통하여 투명기판(100)은 노광 마스크 패턴 영역(100A)과 정렬 마크 패턴 영역(100B)으로 나뉠 수 있다.
다음에는, 정렬 마크 패턴 영역(100B) 상부에 감광막 또는 절연층을 형성한 후, 노광 마스크 패턴 영역(100A) 상부에만 반투과층(140)을 형성 한다. 이때, 반투과층(140) 형성 공정 이전에 노광 마스크 패턴 영역(100A)을 먼저 차단시킨 후 은(Ag) 또는 글라스 비드(Glass Beads) 분말을 이용하여 정렬 마크 패턴 표면에 반사물질층을 형성하는 경우, 정렬 신호가 더 강해져서 후속의 반투과층(140) 형성 공정이 더 용이해 질 수 있다.
이와 같은 공정으로 노광 마스크 패턴 영역(100A)에는 차광층/반투과층 구조로 마스크 패턴이 형성되도록 하고, 정렬 마크 패턴 영역(100B)에는 고 반사효율을 가지는 차광층(120)이 패터닝된 정렬 마크 패턴이 형성된다.
이와 같은 MTM 마스크 제조 공정이 완료되면, 정렬 마크 패턴 영역에 정렬용 빛을 조사하여, 입사된 빛(150)과 반사된 빛(160)의 강도를 측정하여 정렬을 수행하게 된다.
다음으로 도 4는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 MTM 마스크 제조 방법을 도시한 것이다.
투명기판(200) 상부에 차광층(220)을 형성한 후, 차광층(220)을 패터닝하여 노광 마스크 패턴 영역(200A) 및 정렬 마크 패턴 영역(200B)을 구분 짓는다.
다음에는, 정렬 마크 패턴 영역(200A)을 차단시킨 후, 노광 마스크 패턴 상부에 반사방지층(230) 및 반투과층(240)을 순차적으로 형성한다. 이때, 반사방지층(230) 및 반투과층(240)을 각각 패터닝하면서, 정렬 마크 패턴이 사용되며, 입사된 빛(250)과 반사된 빛(260)의 차이가 극명하게 드러나게 되어 정렬이 용이하고, 우수한 품질의 MTM 마스크를 제조할 수 있게 된다.
아울러, 반투과층(240) 형성 공정 이전에 노광 마스크 패턴 영역(200A)을 먼저 차단시킨 후 은(Ag) 또는 글라스 비드(Glass Beads) 분말을 이용하여 정렬 마크 패턴 표면에 반사물질층을 형성하는 경우, 정렬 신호가 더 강해져서 후속의 반사방지층(230) 및 반투과층(240) 형성 공정이 더 용이해 질 수 있다. 또한, 정렬 마크 신호를 더 강력해질 경우 마스크 정렬 노광 시 신호가 증폭되어 계측 에러(Error) 및 재현성을 향상시킬 수 있다.
그 다음으로 도 5는 본 발명의 제 3 실시예에 따른 MTM 마스크 제조 방법을 도시한 것이다.
투명기판(300) 상부에 반투과층(340)을 먼저 형성한다. 이때, 반투과층(340)을 패터닝하여 미리 정렬 마크 패턴 영역(300A) 및 정렬 마크 패턴 영역(300B)을 구분하는 것이 바람직하다. 이와 같이, 반투과층(340)을 먼저 형성하는 것은, MTM 마스크 제조 완료 후 디스플레이 패널 제작을 위한 노광 공정에서 투광 되는 빛의 양을 용이하게 조절하기 위함이다. 그러나, MTM 마스크 제조를 위한 정렬 마크 패턴 영역(300B)에서는 특별한 영향을 미치지 않으므로, 차광층(320) 하부에 그대로 잔류 시켜도 전혀 문제가 되지 않는다.
따라서, MTM 마스크 제조를 위함 다음 과정으로 반투과층(340) 상부에 차광층(320)을 형성한 후, 차광층(320)을 패터닝하여 노광 마스크 패턴 및 정렬 마크 패턴을 형성한다.
그 다음에는, 정렬 마크 패턴 영역(300B)을 감광막 또는 절연막을 이용하여 차단시킨 후, 노광 마스크 패턴 상부에 반사방지층(330)을 형성하여 MTM 마스크 제조 공정을 완료한다. 이때, 반사방지층(330) 형성 공정 이전에 노광 마스크 패턴 영역(300A)을 먼저 차단시킨 후 은(Ag) 또는 글라스 비드(Glass Beads) 분말을 이용하여 정렬 마크 패턴 표면에 반사물질층을 형성하는 경우, 정렬 신호가 더 강해져서 후속의 반사방지층(330) 형성 공정이 더 용이해 질 수 있다.
여기서, 상기 정렬 마크 패턴이 형성된 영역을 차단시키는 공정은 감광막 또 는 절연층을 이용하여 수행하는 것을 특징으로 하고, 상기 정렬 마크 패턴 상부에 반사물질층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하고, 상기 반사물질층은 은(Ag) 또는 글라스 비드(Glass Beads) 분말을 더 포함하는 것을 특징으로 한다.
도 6은 본 발명에 따른 MIM 마스크의 정렬 마크 신호를 나타낸 개략도이다.
도 6에 도시된 신호의 높이와 도 2에 도시된 정렬 마크 신호의 높이를 비교해 보면, 한 눈에 보아도 도 6의 정렬 마크 신호 높이가 두드러짐을 알 수 있다.
본 발명에 따른 차광층의 경우 약 50%의 반사율을 갖는 물질을 사용하고 있으며, 반사방지층은 10%에서 20%의 반사율을 갖는 물질을 사용하고 있다. 즉, 본 발명에 따른 정렬 마크 신호가 입사된 빛의 50%의 세기를 갖는 다면, 상기 도 2에서와 같은 종래의 정렬 마크 신호는 입사된 빛의 10 ~ 20% 세기 밖에 갖지 못한다.
따라서, 상기 두 수치만을 비교하더라도 본 발명에 따른 정렬 마크 신호는 종래의 정렬 마크 신호(h)의 2.5 ~ 5배(2.5h ~ 5h)가 됨을 알 수 있다.
이때, 상기 반사율은 노광용 광원을 기준으로 한 것이며, LCD 노광기에 사용되는 수은 램프(Lamp)의 복합파장(i선, h선, g선)을 사용하여 차광층에 입사되는 빛의 세기에 대한 반사율을 뜻한다. 또한, 노광용 광원은 수은 램프이며, 마스크 정렬용 광원은 크립톤(Kr)레이저(파장413nm)를 사용할 수 있다.
따라서, 본 발명에 따른 MTM 마스크 제조를 위한 노광 공정 적용 시, 정렬 공정을 정확하게 수행할 수 있어 마스크 제조 공정을 단순화 할 수 있다. 따라서, MTM 마스크 제조 수율을 향상시키고, 비용 절감 및 제조 기간을 단축시킬 수 있다.
아울러, 상기와 같은 MTM 마스크 제조의 효율 및 이점은 후속의 디스플레이 패널 제조에도 영향을 미치므로, 디스플레이 패널 제조를 위한 시간 및 비용을 절감시킬 수 있고, 디스플레이 패널의 품질 향상 또한 기대할 수 있게 된다.
이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 설명하였으나, 본 발명은 상기 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.
도 1은 종래기술에 따른 MTM 마스크를 도시한 단면도.
도 2는 종래기술에 따른 MIM 마스크의 정렬 마크 신호를 나타낸 개략도.
도 3은 본 발명의 제1 실시예에 따른 MTM 마스크 및 이를 제조하는 방법을 나타낸 단면도.
도 4는 본 발명의 제2 실시예에 따른 MTM 마스크 및 이를 제조하는 방법을 나타낸 단면도.
도 5는 본 발명의 제3 실시예에 따른 MTM 마스크 및 이를 제조하는 방법을 나타낸 단면도.
도 6은 본 발명에 따른 MIM 마스크의 정렬 마크 신호를 나타낸 개략도.

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  11. 마스크 패턴이 형성될 패턴 영역과 정렬 마크 패턴이 형성될 정렬 마크 영역을 포함하는 투명기판 상에 차광층을 형성하는 단계;
    상기 차광층을 패터닝하여, 상기 패턴 영역에는 마스크 패턴을, 상기 정렬 마크 영역에는 정렬 마크 패턴을 각각 형성하는 단계;
    상기 마스크 패턴 및 정렬 마크 패턴이 형성된 투명기판 상에, 상기 정렬 마크 영역을 마스킹하는 마스크층을 형성하는 단계; 및
    상기 패턴 영역에 반투광층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 MTM 마스크 제조 방법.
  12. 마스크 패턴이 형성될 패턴 영역과 정렬 마크 패턴이 형성될 정렬 마크 영역을 포함하는 투명기판 상에 차광층을 형성하는 단계;
    상기 차광층을 패터닝하여, 상기 패턴 영역에는 마스크 패턴을, 상기 정렬 마크 영역에는 정렬 마크 패턴을 각각 형성하는 단계;
    상기 마스크 패턴 및 정렬 마크 패턴이 형성된 투명기판 상에, 상기 정렬 마크 영역을 마스킹하는 마스크층을 형성하는 단계;
    상기 패턴 영역의 상기 마스크 패턴 상부에 반사방지층을 형성하는 단계; 및
    상기 패턴 영역에 반투광층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 MTM 마스크 제조 방법.
  13. 마스크 패턴이 형성될 패턴 영역과 정렬 마크 패턴이 형성될 정렬 마크 영역을 포함하는 투명기판 상에 반투과층을 형성하는 단계;
    상기 반투과층 상에 차광층을 형성하는 단계;
    상기 차광층을 패터닝하여, 상기 패턴 영역에는 마스크 패턴을, 상기 정렬 마크 영역에는 정렬 마크 패턴을 각각 형성하는 단계;
    상기 마스크 패턴 및 정렬 마크 패턴이 형성된 투명기판 상에, 상기 정렬 마크 영역을 마스킹하는 마스크층을 형성하는 단계; 및
    상기 패턴 영역의 상기 마스크 패턴 상부에 반사방지층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 MTM 마스크 제조방법.
  14. 제 11 항 내지 제 13 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 정렬 마크 영역을 마스킹하는 마스크층을 형성하는 단계는, 감광막 또는 절연층을 이용하여 수행하는 것을 특징으로 하는 MTM 마스크 제조 방법.
  15. 제 11 항 내지 제 13 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 정렬 마크 패턴을 형성하는 단계 후에,
    상기 정렬 마크 패턴 상부에 반사물질층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 MTM 마스크 제조 방법.
  16. 제 15 항에 있어서,
    상기 반사물질층은 은(Ag) 또는 글라스 비드(Glass Beads) 분말을 포함하는 것을 특징으로 하는 MTM 마스크 제조 방법.
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