JP2006251611A - 自己整合型位相シフトマスク及びその製造方法 - Google Patents
自己整合型位相シフトマスク及びその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2006251611A JP2006251611A JP2005070571A JP2005070571A JP2006251611A JP 2006251611 A JP2006251611 A JP 2006251611A JP 2005070571 A JP2005070571 A JP 2005070571A JP 2005070571 A JP2005070571 A JP 2005070571A JP 2006251611 A JP2006251611 A JP 2006251611A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- phase shift
- light shielding
- layer
- pattern
- light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Abstract
【課題】ウェハー面と遮光パターン表面で多重反射による転写精度の劣化を防止し、位相シフトマスク特性に優れ、製造工程が短く、安定した自己整合型位相シフトマスク及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】透明基板11上に遮光パターン21と位相シフト層31が形成されており、透明基板11と位相シフト層31からなる光透過領域を第1透過部、遮光パターン21と位相シフト層31からなる光透過領域を遮光部、遮光パターン21a境界領域の膜厚の異なる位相シフト層31aの光透過領域を第2透過部としたとき、第1透過部と第2透過部とを透過する光の位相を180°反転するようにした自己整合型位相シフトマスクである。
【選択図】図1
【解決手段】透明基板11上に遮光パターン21と位相シフト層31が形成されており、透明基板11と位相シフト層31からなる光透過領域を第1透過部、遮光パターン21と位相シフト層31からなる光透過領域を遮光部、遮光パターン21a境界領域の膜厚の異なる位相シフト層31aの光透過領域を第2透過部としたとき、第1透過部と第2透過部とを透過する光の位相を180°反転するようにした自己整合型位相シフトマスクである。
【選択図】図1
Description
本発明は、LSI、超LSI等の半導体製造工程で用いられる位相シフトマスクに関するものであり、特に、遮光パターンと透明基板の境界領域に第2透過領域を設けた自己整合型位相シフトマスク及びその製造方法に関する。
近年、半導体集積回路技術においては、回路を構成する素子や配線の高速化並びに高集積化が進められている。それに伴い、パターンの微細化の必要性は益々高くなり、ウエハ上に転写可能な集積回路パターンの微細化、高精度化が要求されるようになっている。
上記要求を満たすために、露光光源に遠紫外光など短波長(波長248nmのKrFエキシマレーザー光、波長193nmのArFエキシマレーザー光)の露光光を用いたプロセスが開発されているが、微細パターンを再現するには、使用するレジストを含めてプロセスの改良が必要であり、実用化迄にはまだ時間を要する。
そこで最近、露光光源を変えずにパターンの微細化をする試みがなされている。その一つの手法として、露光用マスク基板の透過領域の一部に露光光の位相を180°変える位相変化領域を設けることで、光照射部と未照射部との光学的コントラストを向上させる位相シフトマスクが一部実用化されている。
そこで最近、露光光源を変えずにパターンの微細化をする試みがなされている。その一つの手法として、露光用マスク基板の透過領域の一部に露光光の位相を180°変える位相変化領域を設けることで、光照射部と未照射部との光学的コントラストを向上させる位相シフトマスクが一部実用化されている。
位相シフトマスクは、光透過領域と遮光領域とを備えたマスクにおいて、遮光領域をはさむ一対の透過領域の少なくとも一方に露光光の位相を変化させる材料を設け、一対の透過領域を通過した光が、ウェハー上にパターンを転写したときに本来未照射領域となる部分で干渉して強め合わないようにして、パターンエッジ部の解像度向上を図っている。
この様な構造のマスクをレベンソン型位相シフトマスクと呼んでおり、このレベンソン型位相シフトマスクは周期的に並ぶパターンの解像度を向上させるのには有効であるが、例えば一対の透過領域がある部分で接続している場合、位相変化材料と透過領域との境界部は遮光部となるため、適用することができない。
実際の半導体回路のパターン配置では非常に複雑なため、このレベンソン型位相シフトマスクを適用できる部分は限られてしまうという問題を有している。
実際の半導体回路のパターン配置では非常に複雑なため、このレベンソン型位相シフトマスクを適用できる部分は限られてしまうという問題を有している。
上記パターン上の制約を解決する位相シフトマスクの一つとして、自己整合型位相シフトマスクまたはセルフアライン位相シフトマスクと呼ばれるものが提案されている(例えば、特許文献1参照。)。
自己整合型位相シフトマスクには種々の構造のものが提案されているが、その中の一つとして、光透過性を有する第1透過部の外周に光透過性を有する第2透過部が存在し、第2透過部は位相シフト部であり、第1透過部を透過する光と第2透過部を透過する光は、その位相が実質的に180°反転しており、第2透過部の周囲は遮光部であるような構造をした位相シフトマスクがある。
自己整合型位相シフトマスクには種々の構造のものが提案されているが、その中の一つとして、光透過性を有する第1透過部の外周に光透過性を有する第2透過部が存在し、第2透過部は位相シフト部であり、第1透過部を透過する光と第2透過部を透過する光は、その位相が実質的に180°反転しており、第2透過部の周囲は遮光部であるような構造をした位相シフトマスクがある。
このときの位相差を与える透明膜の膜厚をd、露光波長をλ、その露光波長での屈折率をnとすると、
d=λ/(2(n−1))の関係を満たすときに最も効果がある。
d=λ/(2(n−1))の関係を満たすときに最も効果がある。
このような自己整合型位相シフトマスクとして、図4(a)及び(b)に示すような構造のマスクが提案されている。
自己整合型位相シフトマスクの構成は、透明基板51、遮光パターン61、位相シフト層
71及び71aからなっており、このマスクに光を照射した場合遮光パターン61領域には遮光部、透明基板51と位相シフト層71領域には第1透過部、透明基板51と位相シフト層71a領域には第2透過部がそれぞれ形成される。
このような自己整合型フォトマスクに露光光を入射すると、第1透過部と第2透過部を通過した光の間に180°の位相差が生じるように設計されており、この2つの光が結像面上の両者の境界に対応する位置で干渉して、実質的に光の強度がゼロになり、解像限界以下のパターンが転写できるようになっている。
自己整合型位相シフトマスクの構成は、透明基板51、遮光パターン61、位相シフト層
71及び71aからなっており、このマスクに光を照射した場合遮光パターン61領域には遮光部、透明基板51と位相シフト層71領域には第1透過部、透明基板51と位相シフト層71a領域には第2透過部がそれぞれ形成される。
このような自己整合型フォトマスクに露光光を入射すると、第1透過部と第2透過部を通過した光の間に180°の位相差が生じるように設計されており、この2つの光が結像面上の両者の境界に対応する位置で干渉して、実質的に光の強度がゼロになり、解像限界以下のパターンが転写できるようになっている。
上記自己整合型位相シフトマスクの作製方法について説明する。
図5(a)〜(e)は、g線露光用自己整合型位相シフトマスクの製造工程を示す模式構成断面図である。
まず、合成石英ガラスからなる透明基板51上に、例えばCr層の上にCrO層が積層されたCr遮光層61を形成し、例えば紫外光を用いてパターニングを行ない、所望形状の遮光パターン61aを得る(図5(a)参照)。
次に、透明基板51上の遮光パターン61aをマスクにして透明基板51をCF4ガスによるRIE(反応性イオンエッチング)を行ない、所望の深さd1の凹部51aを形成する(図5(b)参照)。
ここで、凹部の深さd1は、後に堆積させるSiO2膜からなる位相シフト層71の膜厚と図5(e)に示す高さd2との和の近傍になるように調整する。
図5(a)〜(e)は、g線露光用自己整合型位相シフトマスクの製造工程を示す模式構成断面図である。
まず、合成石英ガラスからなる透明基板51上に、例えばCr層の上にCrO層が積層されたCr遮光層61を形成し、例えば紫外光を用いてパターニングを行ない、所望形状の遮光パターン61aを得る(図5(a)参照)。
次に、透明基板51上の遮光パターン61aをマスクにして透明基板51をCF4ガスによるRIE(反応性イオンエッチング)を行ない、所望の深さd1の凹部51aを形成する(図5(b)参照)。
ここで、凹部の深さd1は、後に堆積させるSiO2膜からなる位相シフト層71の膜厚と図5(e)に示す高さd2との和の近傍になるように調整する。
次に、Si02を過飽和に含む珪弗化水素酸水溶液中に凹部51aと遮光パターン61aが形成された透明基板51を浸し、液の温度を25℃〜35℃に保ちながら、透明基板51に形成された凹部51aを覆うようにSi02膜からなる位相シフト層71を堆積させる。
この際、液相成長法の選択性により、遮光パターン61aの上面にはSiO2膜は堆積されないが、遮光パターン61aの側壁部から上端部にかけては、図5(c)に示す様なSi02膜が形成される。
これは、透明基板51上に成長したSi02の上にさらにSi02が成長することにより起こると推定され、遮光パターン61a上端部のSi02は除去する必要がある。
この際、液相成長法の選択性により、遮光パターン61aの上面にはSiO2膜は堆積されないが、遮光パターン61aの側壁部から上端部にかけては、図5(c)に示す様なSi02膜が形成される。
これは、透明基板51上に成長したSi02の上にさらにSi02が成長することにより起こると推定され、遮光パターン61a上端部のSi02は除去する必要がある。
次に、透明基板51表面を平坦化するために、例えばレジスト81を透明基板51表面に塗布し(図5(d)参照)、レジスト層81とSi02膜71のエッチング速度が同一となるような条件でエッチングを行なう。
この際、図5(e)に示す高さd1がd1=λ/{2(n−1)}x(2m+1)(λ:露光光の波長、n:Si02膜の露光波長における屈折率、m:整数)の式を満たすように、エッチングを調節する。
最後に、レジスト層81を除去し、図5(f)に示すようなA部とB部を透過する光の位相差が180°の奇数倍に相当する自己整合型位相シフトマスクを得る(図5(e)参照)。
この際、図5(e)に示す高さd1がd1=λ/{2(n−1)}x(2m+1)(λ:露光光の波長、n:Si02膜の露光波長における屈折率、m:整数)の式を満たすように、エッチングを調節する。
最後に、レジスト層81を除去し、図5(f)に示すようなA部とB部を透過する光の位相差が180°の奇数倍に相当する自己整合型位相シフトマスクを得る(図5(e)参照)。
上記自己整合型位相シフトマスクの製造工程において、透明基板51上の遮光パターン61aをマスクにして透明基板51をCF4ガスによるRIE(反応性イオンエッチング)を行ない、所望の深さd1の凹部51aを形成する際に、凹部51aの底部表面が荒れるため、露光光が乱反射して、露光光の透過性に悪影響を及ぼす恐れがある。そのことからも、透明基板51に凹部51aを形成するのは好ましくない。
また、フォトマスクを用いてウェハー上に投影露光する際、ウェハー面及びマスク面で反射した不必要な露光光がウェハー面と遮光パターン61aの表面で多重反射することにより、転写精度が劣化するという問題を有している。
さらにまた、上記自己整合型位相シフトマスクの製造工程では、エッチングの工程が2回必要であるために、工程が長くなってしまうという問題を有している。
特開平5−313344号公報
本発明は上記要求に鑑みなされたものであり、ウェハー面と遮光パターン表面で多重反射による転写精度の劣化を防止し、位相シフトマスク特性に優れ、製造工程が短く、安定した自己整合型位相シフトマスク及びその製造方法を提供することを目的とする。
本発明において上記課題を解決するために、まず請求項1においては、透明基板上に少なくとも遮光パターンと前記遮光パターン及び前記透明基板上に位相シフト層が形成されてなる自己整合型位相シフトマスクであって、前記透明基板と前記位相シフト層からなる光透過領域を第1透過部、前記遮光パターンと前記位相シフト層からなる光透過領域を遮光部、前記遮光パターン境界領域の膜厚の異なる位相シフト層の光透過領域を第2透過部としたとき、
前記第1透過部と第2透過部とを透過する光の位相が180°反転していることを特徴とする自己整合型位相シフトマスクとしたものである。
前記第1透過部と第2透過部とを透過する光の位相が180°反転していることを特徴とする自己整合型位相シフトマスクとしたものである。
また、請求項2においては、前記遮光パターンの膜厚をd1、前記位相シフト層の露光波長における屈折率をn2、露光波長をλ、整数をm1としたとき、
遮光パターンの膜厚d1は、d1=λ/(2(n2−1))×(2m1−1)の関係が満たされていることを特徴とする請求項1に記載の自己整合型位相シフトマスクとしたものである。
遮光パターンの膜厚d1は、d1=λ/(2(n2−1))×(2m1−1)の関係が満たされていることを特徴とする請求項1に記載の自己整合型位相シフトマスクとしたものである。
また、請求項3においては、前記位相シフト層の膜厚をd2、前記遮光パターンの露光波長における屈折率をn1、前記位相シフト層の露光波長における屈折率をn2、露光波長をλ、n1>n2、整数をm2としたとき、
位相シフト層の膜厚d2は、d2=λ/4n2×(2m2−1)の関係が満たされていることを特徴とする請求項1または2に記載の自己整合型位相シフトマスクとしたものである。
位相シフト層の膜厚d2は、d2=λ/4n2×(2m2−1)の関係が満たされていることを特徴とする請求項1または2に記載の自己整合型位相シフトマスクとしたものである。
また、請求項4においては、少なくとも以下の工程を具備することを特徴とする請求項1乃至3のいずれか一項に記載の自己整合型位相シフトマスクの製造方法としたものである。
(a)透明基板上に遮光層を形成する工程。
(b)前記遮光層上にレジストを塗布して感光層を形成し、パターン露光、現像等のパターニング処理を行って、レジストパターンを形成する工程。
(c)レジストパターンをマスクにして遮光層をエッチングし、レジストパターンを剥離して、透明基板上に遮光パターンを形成する工程。
(d)透明基板及び遮光パターン上に位相シフト層を形成する工程。
(a)透明基板上に遮光層を形成する工程。
(b)前記遮光層上にレジストを塗布して感光層を形成し、パターン露光、現像等のパターニング処理を行って、レジストパターンを形成する工程。
(c)レジストパターンをマスクにして遮光層をエッチングし、レジストパターンを剥離して、透明基板上に遮光パターンを形成する工程。
(d)透明基板及び遮光パターン上に位相シフト層を形成する工程。
さらにまた、請求項5においては、少なくとも以下の工程を具備することを特徴とする請求項1乃至3のいずれか一項に記載の自己整合型位相シフトマスクの製造方法。
(a)透明基板上に遮光層を形成する工程。
(b)前記遮光層上にレジストを塗布して感光層を形成し、パターン露光、現像等のパターニング処理を行って、レジストパターンを形成する工程。
(c)レジストパターンをマスクにして遮光層をエッチングし、レジストパターンを剥離して、透明基板上に遮光パターンを形成する工程。
(d)前記遮光パターン及び膜残り等の欠陥検査工程と、欠陥が存在する場合には、該欠陥を修正する工程。
(e)透明基板及び遮光パターン上に位相シフト層を形成する工程。
(a)透明基板上に遮光層を形成する工程。
(b)前記遮光層上にレジストを塗布して感光層を形成し、パターン露光、現像等のパターニング処理を行って、レジストパターンを形成する工程。
(c)レジストパターンをマスクにして遮光層をエッチングし、レジストパターンを剥離して、透明基板上に遮光パターンを形成する工程。
(d)前記遮光パターン及び膜残り等の欠陥検査工程と、欠陥が存在する場合には、該欠陥を修正する工程。
(e)透明基板及び遮光パターン上に位相シフト層を形成する工程。
請求項1または2に係る本発明の自己整合型位相シフトマスクによれば、第1透過部と遮光パターン境界領域の第2透過部とで透過する光の位相を実質的に180°反転するようにしているため、位相シフトマスクとしての特性が維持され、良好なパターン転写精度を確保することができる。
また、請求項3に係る本発明の自己整合型位相シフトマスクによれば、位相シフト層を透過して遮光パターンの表面で反射し再度位相シフト層を透過して外に出る光と、遮光パターン上の位相シフト層の表面で反射する光の位相が実質的に180°反転し、この2つの光が干渉して、実質的に反射光による影響が間題にならない程度に光の強度を減少させることができ、パターン露光の際の不必要な反射光に起因する転写精度の劣化を防止することができる。
また、請求項3に係る本発明の自己整合型位相シフトマスクによれば、位相シフト層を透過して遮光パターンの表面で反射し再度位相シフト層を透過して外に出る光と、遮光パターン上の位相シフト層の表面で反射する光の位相が実質的に180°反転し、この2つの光が干渉して、実質的に反射光による影響が間題にならない程度に光の強度を減少させることができ、パターン露光の際の不必要な反射光に起因する転写精度の劣化を防止することができる。
また、請求項4に係る本発明の白己整合型位相シフトマスクの製造方法によれば、透明基板をエッチングして彫り込みを形成することがないので、露光光が乱反射したりして、露光光の透過性に悪影響を及ぼすおそれがない。さらに、エッチング工程が1回で済むので、従来より工程を短縮することができる。
また、請求項5に係る本発明の自己整合型位相シフトマスクの製造方法によれば、透明基板上に遮光パターンを形成する際、遮光パターンを形成した後に遮光パターンの検査・修正を行うので、遮光パターンの欠陥に起因する位相シフト層欠陥の発生を0(ゼロ)にすることができる。
また、請求項5に係る本発明の自己整合型位相シフトマスクの製造方法によれば、透明基板上に遮光パターンを形成する際、遮光パターンを形成した後に遮光パターンの検査・修正を行うので、遮光パターンの欠陥に起因する位相シフト層欠陥の発生を0(ゼロ)にすることができる。
発明の実施の形態に付き説明する。
図1(a)は、本発明の自己整合型位相シフトマスクの一実施例を示す模式部分上面図であり、図1(b)は、(a)をA−A’線で切断した模式構成断面図である。
請求項1または2に係る本発明の自己整合型位相シフトマスクは、透明基板11上に遮光パターン21と位相シフト層31が形成されており、透明基板11と位相シフト層31からなる光透過領域を第1透過部、遮光パターン21と位相シフト層31からなる光透過領域を遮光部、遮光パターン21a境界領域の膜厚の異なる位相シフト層31aの光透過領域を第2透過部としたとき、第1透過部と第2透過部とを透過する光の位相を180°反転するようにして、位相シフトマスクとしての特性を維持し、良好なパターン転写精度を確保できるようにしたものである。
図1(a)は、本発明の自己整合型位相シフトマスクの一実施例を示す模式部分上面図であり、図1(b)は、(a)をA−A’線で切断した模式構成断面図である。
請求項1または2に係る本発明の自己整合型位相シフトマスクは、透明基板11上に遮光パターン21と位相シフト層31が形成されており、透明基板11と位相シフト層31からなる光透過領域を第1透過部、遮光パターン21と位相シフト層31からなる光透過領域を遮光部、遮光パターン21a境界領域の膜厚の異なる位相シフト層31aの光透過領域を第2透過部としたとき、第1透過部と第2透過部とを透過する光の位相を180°反転するようにして、位相シフトマスクとしての特性を維持し、良好なパターン転写精度を確保できるようにしたものである。
また、第1透過部と第2透過部とを透過する光の位相を180°反転させる条件として、遮光パターン21の膜厚をd1、位相シフト層31の露光波長における屈折率をn2、露光波長をλ、整数をm1としたとき、
d1=λ/(2(n2−1))×(2m1−1)の関係が満たされるように、遮光パターン21の膜厚d1を設定すれば良い。
さらに、位相シフト層31aの膜厚は、遮光パターン21の膜厚d1に後記する位相シフト層21の膜厚d2を加えた値になる。
d1=λ/(2(n2−1))×(2m1−1)の関係が満たされるように、遮光パターン21の膜厚d1を設定すれば良い。
さらに、位相シフト層31aの膜厚は、遮光パターン21の膜厚d1に後記する位相シフト層21の膜厚d2を加えた値になる。
請求項3に係る本発明の自己整合型位相シフトマスクは、本発明の自己整合型位相シフトマスクを用いてウェハー上のレジストにパターン露光する際の遮光パターン21表面の多重反射の影響を防止するようにしたものである。
位相シフト層21の膜厚をd2、遮光パターン31の露光波長における屈折率をn1、位相シフト層21の露光波長における屈折率をn2、露光波長をλ、n1>n2、整数をm2とし
たとき、
d2=λ/4n2×(2m2−1)の関係が満たされるように、位相シフト層21の膜厚d2を設定することにより、パターン露光の際の遮光パターン21表面からの多重反射光の影響を防止することができる。
位相シフト層21の膜厚をd2、遮光パターン31の露光波長における屈折率をn1、位相シフト層21の露光波長における屈折率をn2、露光波長をλ、n1>n2、整数をm2とし
たとき、
d2=λ/4n2×(2m2−1)の関係が満たされるように、位相シフト層21の膜厚d2を設定することにより、パターン露光の際の遮光パターン21表面からの多重反射光の影響を防止することができる。
以下、本発明の自己整合型位相シフトマスクの製造方法について説明する。
請求項4に係る自己整合型位相シフトマスクの製造方法の一実施例の製造工程を図2(a)〜(d)に示す。
まず、石英ガラス基板等からなる透明基板11上にスパッタリング法等によりクロム、酸化クロム膜からなる膜厚d1の遮光層21を形成する(図2(a)参照)。
ここで、遮光層21の膜厚d1は、請求項2に示すように、位相シフト層31の露光波長における屈折率をn2、露光波長をλ、整数をm1とし、
d1=λ/(2(n2−1))×(2m1−1)より求める。
請求項4に係る自己整合型位相シフトマスクの製造方法の一実施例の製造工程を図2(a)〜(d)に示す。
まず、石英ガラス基板等からなる透明基板11上にスパッタリング法等によりクロム、酸化クロム膜からなる膜厚d1の遮光層21を形成する(図2(a)参照)。
ここで、遮光層21の膜厚d1は、請求項2に示すように、位相シフト層31の露光波長における屈折率をn2、露光波長をλ、整数をm1とし、
d1=λ/(2(n2−1))×(2m1−1)より求める。
次に、遮光層21上にスピンナー等により電子線レジストを塗布し、電子線描画、現像等の一連のパターニング処理を行って、してレジストパターン22を形成する(図2(b)参照)。
次に、レジストパターン22をエッチングマスクにして遮光層21をエッチングし、レジストパターン22を専用の剥離液で剥膜、洗浄して、透明基板11上の所定位置に膜厚d1の遮光パターン21aを形成する(図2(c)参照)。
次に、レジストパターン22をエッチングマスクにして遮光層21をエッチングし、レジストパターン22を専用の剥離液で剥膜、洗浄して、透明基板11上の所定位置に膜厚d1の遮光パターン21aを形成する(図2(c)参照)。
次に、CVD(Chemical Vapor Deposition)法等により透明基板11及び遮光パターン21a上にシリコン酸化膜からなる膜厚d2の位相シフト層31と遮光パターン21a境界領域に膜厚(d1+d2)の位相シフト層31aを形成し、位相シフト層31からなる第1透過部と、位相シフト層31aからなる第2透過部とを透過する光の位相が180°反転してなる本発明の自己整合型位相シフトマスク100を得る(図2(d)〜(e)参照)。
ここで、位相シフト層31の膜厚d2は、請求項3に示すように、遮光パターン31の露光波長における屈折率をn1、位相シフト層31の露光波長における屈折率をn2、露光波長をλ、n1>n2、整数をm2としたとき、
d2=λ/4n2×(2m2−1)より求める。
ここで、位相シフト層31の膜厚d2は、請求項3に示すように、遮光パターン31の露光波長における屈折率をn1、位相シフト層31の露光波長における屈折率をn2、露光波長をλ、n1>n2、整数をm2としたとき、
d2=λ/4n2×(2m2−1)より求める。
請求項5に係る自己整合型位相シフトマスクの製造方法の一実施例の製造工程を図3(a)〜(e)に示す。
まず、石英ガラス基板等からなる透明基板11上にスパッタリング法等によりクロム、酸化クロム膜からなる膜厚d1の遮光層21を形成する(図3(a)参照)。
ここで、遮光層21の膜厚d1は、請求項2に示すように、位相シフト層31の露光波長における屈折率をn2、露光波長をλ、整数をm1としたとき、
d1=λ/(2(n2−1))×(2m1−1)より求める。
まず、石英ガラス基板等からなる透明基板11上にスパッタリング法等によりクロム、酸化クロム膜からなる膜厚d1の遮光層21を形成する(図3(a)参照)。
ここで、遮光層21の膜厚d1は、請求項2に示すように、位相シフト層31の露光波長における屈折率をn2、露光波長をλ、整数をm1としたとき、
d1=λ/(2(n2−1))×(2m1−1)より求める。
次に、遮光層21上にスピンナー等により電子線レジストを塗布し、電子線描画、現像等の一連のパターニング処理を行って、してレジストパターン22を形成する(図2(b)参照)。
次に、レジストパターン22をエッチングマスクにして遮光層21をエッチングし、レジストパターン22を専用の剥離液で剥膜、洗浄して、透明基板11上の所定位置に膜厚d1の遮光パターン21aを形成する(図3(c)参照)。
次に、レジストパターン22をエッチングマスクにして遮光層21をエッチングし、レジストパターン22を専用の剥離液で剥膜、洗浄して、透明基板11上の所定位置に膜厚d1の遮光パターン21aを形成する(図3(c)参照)。
次に、遮光パターン21aが形成された透明基板11の欠陥検査を行い、もしも、図3(c)に示すような異物欠陥21bが存在した場合、異物欠陥21bをイオンビーム、レーザー等により除去、修正する(図3(d)参照)。
次に、CVD(Chemical Vapor Deposition)法等により透明基板11及び遮光パターン21a上にシリコン酸化膜からなる膜厚d2の位相シフト層31と遮光パターン21a境界領域に膜厚の異なる位相シフト層31aを形成し、本発明の自己整合型位相シフトマスク100を得る(図3(e)参照)。
ここで、位相シフト層31の膜厚d2は、請求項3に示すように、遮光パターン31の露光波長における屈折率をn1、位相シフト層31の露光波長における屈折率をn2、露光波長をλ、n1>n2、整数をm2としたとき、
d2=λ/4n2×(2m2−1)より求める。
ここで、位相シフト層31の膜厚d2は、請求項3に示すように、遮光パターン31の露光波長における屈折率をn1、位相シフト層31の露光波長における屈折率をn2、露光波長をλ、n1>n2、整数をm2としたとき、
d2=λ/4n2×(2m2−1)より求める。
実施例1は露光波長としてArFエキシマレーザ光(193nm)を想定した自己整合型位相シフトマスクの事例である。
まず、石英ガラス基板等からなる透明基板11上にスパッタリング法等によりクロム、酸化クロム膜からなる膜厚d1が172nmの遮光層21を形成した(図2(a)参照)。
ここで、遮光層21の膜厚d1は、位相シフト層31の露光波長における屈折率n2を1.56、露光波長λを193nm、整数m1を1として、
d1=λ/(2(n2−1))×(2m1−1)より求めた。
まず、石英ガラス基板等からなる透明基板11上にスパッタリング法等によりクロム、酸化クロム膜からなる膜厚d1が172nmの遮光層21を形成した(図2(a)参照)。
ここで、遮光層21の膜厚d1は、位相シフト層31の露光波長における屈折率n2を1.56、露光波長λを193nm、整数m1を1として、
d1=λ/(2(n2−1))×(2m1−1)より求めた。
次に、遮光層21上にスピンナーにより電子線レジストFEP171を塗布し、電子線描画、現像等の一連のパターニング処理を行って、してレジストパターン22を形成した(図2(b)参照)。
次に、レジストパターン22をエッチングマスクにして遮光層21をエッチングし、レジストパターン22を専用の剥離液で剥膜、洗浄して、透明基板11上の所定位置に膜厚d1が172nmの遮光パターン21aを形成した(図2(c)参照)。
次に、レジストパターン22をエッチングマスクにして遮光層21をエッチングし、レジストパターン22を専用の剥離液で剥膜、洗浄して、透明基板11上の所定位置に膜厚d1が172nmの遮光パターン21aを形成した(図2(c)参照)。
次に、CVD(Chemical Vapor Deposition)法にて透明基板11及び遮光パターン21a上にシリコン酸化膜からなる膜厚d2が31nmの位相シフト層31を形成し、31nm厚の位相シフト層31からなる第1透過部と203nm厚の位相シフト層31aからなる第2透過部とを透過する光の位相が180°反転してなる本発明の自己整合型位相シフトマスク100を得た(図2(d)〜(e)参照)。
ここで、位相シフト層31の膜厚d2は、遮光パターン31上層の露光波長における屈折率n1を2.35、位相シフト層31の露光波長における屈折率n2を1.56、露光波長λを193nm、整数m2を1として、
d2=λ/4n2×(2m2−1)より求めた。
ここで、位相シフト層31の膜厚d2は、遮光パターン31上層の露光波長における屈折率n1を2.35、位相シフト層31の露光波長における屈折率n2を1.56、露光波長λを193nm、整数m2を1として、
d2=λ/4n2×(2m2−1)より求めた。
実施例2は露光波長としてKrFエキシマレーザ光(248nm)を想定した自己整合型位相シフトマスクの事例である。
まず、石英ガラス基板等からなる透明基板11上にスパッタリング法等により下層はクロム膜、上層は酸化クロム膜からなる膜厚d1が262nmの遮光層21を形成した(図2(a)参照)。
ここで、遮光層21の膜厚d1は、位相シフト層31の露光波長における屈折率n2を1.474、露光波長λを248nm、整数m1を1として、
d1=λ/(2(n2−1))×(2m1−1)より求めた。
まず、石英ガラス基板等からなる透明基板11上にスパッタリング法等により下層はクロム膜、上層は酸化クロム膜からなる膜厚d1が262nmの遮光層21を形成した(図2(a)参照)。
ここで、遮光層21の膜厚d1は、位相シフト層31の露光波長における屈折率n2を1.474、露光波長λを248nm、整数m1を1として、
d1=λ/(2(n2−1))×(2m1−1)より求めた。
次に、遮光層21上にスピンナーにより電子線レジストFEP171を塗布し、電子線描画、現像等の一連のパターニング処理を行って、レジストパターン22を形成した(図2(b)参照)。
次に、レジストパターン22をエッチングマスクにして遮光層21をエッチングし、レジ
ストパターン22を専用の剥離液で剥膜、洗浄して、透明基板11上の所定位置に膜厚d1が262nmの遮光パターン21aを形成した(図2(c)参照)。
次に、レジストパターン22をエッチングマスクにして遮光層21をエッチングし、レジ
ストパターン22を専用の剥離液で剥膜、洗浄して、透明基板11上の所定位置に膜厚d1が262nmの遮光パターン21aを形成した(図2(c)参照)。
次に、CVD(Chemical Vapor Deposition)法にて透明基板11及び遮光パターン21a上にシリコン酸化膜からなる膜厚d2が42nmの位相シフト層31を形成し、42nm厚の位相シフト層31からなる第1透過部と304nm厚の位相シフト層31aからなる第2透過部とを透過する光の位相が180°反転してなる本発明の自己整合型位相シフトマスク100を得た(図2(d)〜(e)参照)。
ここで、位相シフト層31の膜厚d2は、遮光パターン31の露光波長における屈折率n1を2.01、位相シフト層31の露光波長における屈折率n2を1.474、露光波長λを248nm、整数m2を1として、
d2=λ/4n2×(2m2−1)より求めた。
ここで、位相シフト層31の膜厚d2は、遮光パターン31の露光波長における屈折率n1を2.01、位相シフト層31の露光波長における屈折率n2を1.474、露光波長λを248nm、整数m2を1として、
d2=λ/4n2×(2m2−1)より求めた。
実施例3は露光波長としてi線(365nm)を想定した自己整合型位相シフトマスクの事例である。
まず、石英ガラス基板等からなる透明基板11上にスパッタリング法等により下層はクロム膜、上層は酸化クロム膜からなる膜厚d1が410nmの遮光層21を形成した(図2(a)参照)。
ここで、遮光層21の膜厚d1は、位相シフト層31の露光波長における屈折率n2を1.445、露光波長λを365nm、整数m1を1として、
d1=λ/(2(n2−1))×(2m1−1)より求めた。
まず、石英ガラス基板等からなる透明基板11上にスパッタリング法等により下層はクロム膜、上層は酸化クロム膜からなる膜厚d1が410nmの遮光層21を形成した(図2(a)参照)。
ここで、遮光層21の膜厚d1は、位相シフト層31の露光波長における屈折率n2を1.445、露光波長λを365nm、整数m1を1として、
d1=λ/(2(n2−1))×(2m1−1)より求めた。
次に、遮光層21上にスピンナーにより電子線レジストFEP171を塗布し、電子線描画、現像等の一連のパターニング処理を行って、してレジストパターン22を形成した(図2(b)参照)。
次に、レジストパターン22をエッチングマスクにして遮光層21をエッチングし、レジストパターン22を専用の剥離液で剥膜、洗浄して、透明基板11上の所定位置に膜厚d1が410nmの遮光パターン21aを形成した(図2(c)参照)。
次に、レジストパターン22をエッチングマスクにして遮光層21をエッチングし、レジストパターン22を専用の剥離液で剥膜、洗浄して、透明基板11上の所定位置に膜厚d1が410nmの遮光パターン21aを形成した(図2(c)参照)。
次に、CVD(Chemical Vapor Deposition)法にて透明基板11及び遮光パターン21a上にシリコン酸化膜からなる膜厚d2が63nmの位相シフト層31を形成し、63nm厚の位相シフト層31からなる第1透過部と473nm厚の位相シフト層31aからなる第2透過部とを透過する光の位相が180°反転してなる本発明の自己整合型位相シフトマスク100を得た(図2(d)〜(e)参照)。
ここで、位相シフト層31の膜厚d2は、遮光パターン31上層の露光波長における屈折率n1を1.68、位相シフト層31の露光波長における屈折率n2を1.445、露光波長λを365nm、整数m2を1として、
d2=λ/4n2×(2m2−1)より求めた。
ここで、位相シフト層31の膜厚d2は、遮光パターン31上層の露光波長における屈折率n1を1.68、位相シフト層31の露光波長における屈折率n2を1.445、露光波長λを365nm、整数m2を1として、
d2=λ/4n2×(2m2−1)より求めた。
上記実施例で得られた自己整合型位相シフトマスク100を用いて、レジストが形成されたシリコンウエハーにArFエキシマレーザ光(193nm)、KrFエキシマレーザ光(248nm)及びi線(365nm)等にてパターン露光、現像等の一連のパターニング処理した結果、位相シフトマスクとしての特性が維持され、転写精度に優れたレジストパターンを得ることができた。
11、51…透明基板
21、61…遮光層
21a、61a…遮光パターン
31…位相シフト層
31a、71a…膜厚が異なる位相シフト層
100…自己整合型位相シフトマスク
21、61…遮光層
21a、61a…遮光パターン
31…位相シフト層
31a、71a…膜厚が異なる位相シフト層
100…自己整合型位相シフトマスク
Claims (5)
- 透明基板上に少なくとも遮光パターンと前記遮光パターン及び前記透明基板上に位相シフト層が形成されてなる自己整合型位相シフトマスクであって、
前記透明基板と前記位相シフト層からなる光透過領域を第1透過部、前記遮光パターンと前記位相シフト層からなる光透過領域を遮光部、前記遮光パターン境界領域の膜厚の異なる位相シフト層の光透過領域を第2透過部としたとき、
前記第1透過部と第2透過部とを透過する光の位相が180°反転していることを特徴とする自己整合型位相シフトマスク。 - 前記遮光パターンの膜厚をd1、前記位相シフト層の露光波長における屈折率をn2、露光波長をλ、整数をm1としたとき、
遮光パターンの膜厚d1は、d1=λ/(2(n2−1))×(2m1−1)の関係が満たされていることを特徴とする請求項1に記載の自己整合型位相シフトマスク。 - 前記位相シフト層の膜厚をd2、前記遮光パターンの露光波長における屈折率をn1、前記位相シフト層の露光波長における屈折率をn2、露光波長をλ、n1>n2、整数をm2としたとき、
位相シフト層の膜厚d2は、d2=λ/4n2×(2m2−1)の関係が満たされていることを特徴とする請求項1または2に記載の自己整合型位相シフトマスク。 - 少なくとも以下の工程を具備することを特徴とする請求項1乃至3のいずれか一項に記載の自己整合型位相シフトマスクの製造方法。
(a)透明基板上に遮光層を形成する工程。
(b)前記遮光層上にレジストを塗布して感光層を形成し、パターン露光、現像等のパターニング処理を行って、レジストパターンを形成する工程。
(c)レジストパターンをマスクにして遮光層をエッチングし、レジストパターンを剥離して、透明基板上に遮光パターンを形成する工程。
(d)透明基板及び遮光パターン上に位相シフト層を形成する工程。 - 少なくとも以下の工程を具備することを特徴とする請求項1乃至3のいずれか一項に記載の自己整合型位相シフトマスクの製造方法。
(a)透明基板上に遮光層を形成する工程。
(b)前記遮光層上にレジストを塗布して感光層を形成し、パターン露光、現像等のパターニング処理を行って、レジストパターンを形成する工程。
(c)レジストパターンをマスクにして遮光層をエッチングし、レジストパターンを剥離して、透明基板上に遮光パターンを形成する工程。
(d)前記遮光パターン及び膜残り等の欠陥検査工程と、欠陥が存在する場合には、該欠陥を修正する工程。
(e)透明基板及び遮光パターン上に位相シフト層を形成する工程。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005070571A JP2006251611A (ja) | 2005-03-14 | 2005-03-14 | 自己整合型位相シフトマスク及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005070571A JP2006251611A (ja) | 2005-03-14 | 2005-03-14 | 自己整合型位相シフトマスク及びその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006251611A true JP2006251611A (ja) | 2006-09-21 |
Family
ID=37092144
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005070571A Pending JP2006251611A (ja) | 2005-03-14 | 2005-03-14 | 自己整合型位相シフトマスク及びその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2006251611A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102955354A (zh) * | 2012-11-01 | 2013-03-06 | 合肥京东方光电科技有限公司 | 一种掩膜板及其制备方法 |
CN104076599A (zh) * | 2013-03-26 | 2014-10-01 | 北京京东方光电科技有限公司 | 一种掩膜板及其制造方法 |
WO2014166155A1 (zh) * | 2013-04-11 | 2014-10-16 | 合肥京东方光电科技有限公司 | 一种用于封框胶固化遮挡的掩模板的制造方法 |
WO2014190718A1 (zh) * | 2013-05-29 | 2014-12-04 | 北京京东方光电科技有限公司 | 掩模板以及掩模板的制备方法 |
US9638845B2 (en) | 2013-03-25 | 2017-05-02 | Boe Technology Group Co., Ltd. | UV mask and fabrication method thereof |
-
2005
- 2005-03-14 JP JP2005070571A patent/JP2006251611A/ja active Pending
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102955354A (zh) * | 2012-11-01 | 2013-03-06 | 合肥京东方光电科技有限公司 | 一种掩膜板及其制备方法 |
US9223198B2 (en) | 2012-11-01 | 2015-12-29 | Hefei Boe Optoelectronics Technology Co., Ltd. | Mask plate and manufacturing method thereof |
US9638845B2 (en) | 2013-03-25 | 2017-05-02 | Boe Technology Group Co., Ltd. | UV mask and fabrication method thereof |
CN104076599A (zh) * | 2013-03-26 | 2014-10-01 | 北京京东方光电科技有限公司 | 一种掩膜板及其制造方法 |
WO2014153866A1 (zh) * | 2013-03-26 | 2014-10-02 | 北京京东方光电科技有限公司 | 一种掩膜板及其制造方法 |
WO2014166155A1 (zh) * | 2013-04-11 | 2014-10-16 | 合肥京东方光电科技有限公司 | 一种用于封框胶固化遮挡的掩模板的制造方法 |
WO2014190718A1 (zh) * | 2013-05-29 | 2014-12-04 | 北京京东方光电科技有限公司 | 掩模板以及掩模板的制备方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4393290B2 (ja) | グレートーンマスクの製造方法及び薄膜トランジスタ基板の製造方法 | |
JP4896671B2 (ja) | ハーフトーンマスク及びこれを用いたパターン基板の製造方法 | |
KR101581977B1 (ko) | 반사형 마스크 블랭크, 반사형 마스크 및 그 제조 방법 | |
US7674563B2 (en) | Pattern forming method and phase shift mask manufacturing method | |
KR100733480B1 (ko) | 그레이 톤 마스크의 제조 방법 | |
JPH06175347A (ja) | ホトマスクおよびそれを用いたパタン形成方法 | |
KR20050119202A (ko) | 포토 마스크의 제조방법 및 포토 마스크 블랭크 | |
JP2008282046A (ja) | グレートーンマスク及び薄膜トランジスタ基板の製造方法 | |
JP5196098B2 (ja) | 階調をもつフォトマスクおよびその製造方法 | |
JP3354305B2 (ja) | 位相シフトマスクおよび位相シフトマスクの欠陥修正方法 | |
JP2006251611A (ja) | 自己整合型位相シフトマスク及びその製造方法 | |
JP2002072442A (ja) | 位相シフトマスクの製造方法、レジストパターンの形成方法および半導体装置の製造方法 | |
JP3438426B2 (ja) | 位相シフト露光マスク | |
JPH08123008A (ja) | 位相シフトマスクおよびその製造方法 | |
JPH0943830A (ja) | ハーフトーン型位相シフトマスク及びハーフトーン型位相シフトマスクブランク並びにそれらの製造方法 | |
JP6379556B2 (ja) | マスクブランクス、ネガ型レジスト膜付きマスクブランクス、位相シフトマスク、およびそれを用いるパターン形成体の製造方法 | |
JP7166975B2 (ja) | フォトマスクブランク、フォトマスクの製造方法、及び表示装置の製造方法 | |
JP2000010255A (ja) | ハーフトーン型位相シフトマスク、ハーフトーン型位相シフトマスク用ブランク及びハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法 | |
JP4325192B2 (ja) | ハーフトーン型位相シフトマスク用ブランク及びハーフトーン型位相シフトマスク | |
KR100523646B1 (ko) | 보조 패턴을 갖는 위상 반전 마스크 및 그 제조 방법 | |
JPH04269749A (ja) | フォトマスクおよびその製造方法 | |
JP3173314B2 (ja) | 位相シフトマスクの製造方法 | |
JP2007033753A (ja) | 自己整合型位相シフトマスク及びその製造方法 | |
KR100594221B1 (ko) | 교호위상전이 마스크 제작용 블랭크 마스크 | |
JP5239799B2 (ja) | ハーフトーン型位相シフトマスク |