JP2008282046A - グレートーンマスク及び薄膜トランジスタ基板の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】透明基板上に形成された半透光膜及び遮光膜をパターニングすることによって形成された遮光部、透光部及び半透光部を含む薄膜トランジスタ基板用パターンを有する薄膜トランジスタ基板製造用グレートーンマスクであって、上記薄膜トランジスタ基板用パターンは、ソース及びドレインに対応するパターンが互いに離間した2つの遮光部からなり、この2つの遮光部に隣接して挟まれたチャネル部に対応するパターンが半透光部からなり、2つの遮光部とこれに挟まれた半透光部が一方向に配列した部分を含み、チャネル部とソース及びドレインとの隣接部において、チャネル部に対応する領域に所望のマージン領域を付加した半透光膜が形成されている。
【選択図】図8
Description
このような状況の下、TFT基板の製造を4枚のフォトマスクを用いて行う方法が提案された(例えば下記特許文献1、非特許文献1)。
この方法は、遮光部と透光部と半透光部(グレートーン部)を有するフォトマスク(以下、グレートーンマスクという)を用いることにより、使用するマスク枚数を低減するというものである。図10及び図11(図11は図10の製造工程の続き)に、グレートーンマスクを用いたTFT基板の製造工程の一例を示す。
そこで、ハーフトーン露光したい部分を半透過性のハーフトーン膜(半透光膜)とすることが従来提案されている。このハーフトーン膜を用いることでハーフトーン部分の露光量を少なくしてハーフトーン露光することが出来る。ハーフトーン膜に変更することで、設計においては全体の透過率がどのくらい必要かを検討するのみで済み、マスクにおいてもハーフトーン膜の膜種であるとか膜厚を選択するだけでマスクの生産が可能となる。従って、マスク製造ではハーフトーン膜の膜厚制御を行うだけで済み、比較的管理が容易である。また、TFTのチャネル部を半透光部で形成する場合、ハーフトーン膜であればフォトリソ工程により容易にパターニングできるので、チャネル部の形状も複雑な形状が可能となる。
まず、透明基板上に半透光膜及び遮光膜を順次形成したマスクブランクを準備し、このマスクブランク上にレジスト膜を形成する。次に、パターン描画を行って、現像することにより、上記パターン100の遮光部101及び半透光部103に対応する領域にレジストパターンを形成する。次いで、適当な方法でエッチングすることにより、上記レジストパターンが形成されていない透光部102に対応する領域の遮光膜とその下層の半透光膜が除去されて、図13(1)に示すようなパターンが形成される。すなわち、透光部202が形成され、同時に、前記パターン100の遮光部と半透光部に対応する領域の遮光パターン201が形成される。残存するレジストパターンを除去してから、再び、レジスト膜を基板上に形成し、パターン描画を行って、現像することにより、今度は前記パターン100の遮光部101に対応する領域にレジストパターンを形成する。次いで、適当なエッチングにより、レジストパターンの形成されていない半透光部の領域の遮光膜のみを除去する。これにより、図13(2)に示すように前記パターン100に対応するパターンが形成される。すなわち、半透光膜のパターン203による半透光部が形成され、同時に、遮光部のパターン201a、201bが形成される。
そこで本発明の目的は、従来の問題点を解消して、高品質のTFTを製造することが可能なハーフトーン膜タイプのグレートーンマスクを提供することである。
(構成1)遮光部、透光部、及び半透光部からなるパターンを有するグレートーンマスクの製造方法において、透明基板上に、少なくとも半透光膜及び遮光膜が順次形成されたマスクブランクを準備する工程と、前記マスクブランク上に前記遮光部に対応する領域のレジストパターンを形成し、該レジストパターンをマスクとして、露出した遮光膜をエッチングすることにより、半透光膜上に遮光部を形成する遮光部パターン形成工程と、次いで、少なくとも前記半透光部を含む領域にレジストパターンを形成し、該レジストパターンをマスクとして、露出した半透光膜をエッチングすることにより、半透光部及び透光部を形成する半透光部パターン形成工程と、を有することを特徴とするグレートーンマスクの製造方法。
(構成2)遮光部、透光部、及び半透光部からなるパターンを有するグレートーンマスクの製造方法において、透明基板上に、少なくとも、透過率の膜厚依存性を有する遮光膜が形成されたマスクブランクを準備する工程と、前記マスクブランク上に前記遮光部に対応する領域のレジストパターンを形成し、該レジストパターンをマスクとして、露出した遮光膜を所定の透過率が得られる膜厚となるようにハーフエッチングすることにより、基板上に遮光部を形成する遮光部パターン形成工程と、次いで、少なくとも前記半透光部及び遮光部を含む領域にレジストパターンを形成し、該レジストパターンをマスクとして、露出したハーフエッチングされている遮光膜を更にエッチングして除去することにより、半透光部及び透光部を形成する半透光部パターン形成工程と、を有することを特徴とするグレートーンマスクの製造方法。
(構成4)薄膜トランジスタ基板の製造工程で使用するグレートーンマスクであって、遮光部、透光部、及び半透光部からなるパターンを有し、前記薄膜トランジスタ基板におけるソース及びドレインに対応するパターンが前記遮光部から形成され、チャネル部に対応するパターンが前記半透光部から形成されるグレートーンマスクの製造方法において、透明基板上に、少なくとも半透光膜及び遮光膜が順次形成されたマスクブランクを準備する工程と、前記マスクブランク上に前記ソース及びドレインに対応するパターンのレジストパターンを形成し、該レジストパターンをマスクとして、露出した遮光膜をエッチングすることにより、半透光膜上に、ソース及びドレインに対応するパターンからなる遮光部を形成する遮光部パターン形成工程と、次いで、少なくとも前記チャネル部を含む領域にレジストパターンを形成し、該レジストパターンをマスクとして、露出した半透光膜をエッチングすることにより、チャネル部に対応する半透光部を形成する半透光部パターン形成工程と、を有することを特徴とするグレートーンマスクの製造方法。
(構成6)薄膜トランジスタ基板の製造工程で使用するグレートーンマスクであって、遮光部、透光部、及び半透光部を有し、前記薄膜トランジスタ基板におけるソース及びドレインに対応するパターンが前記遮光部から形成され、チャネル部に対応するパターンが前記半透光部から形成されるグレートーンマスクの製造方法において、透明基板上に、少なくとも遮光膜が形成されたマスクブランクを準備する工程と、前記マスクブランク上に前記ソース及びドレインに対応するパターンのレジストパターンを形成し、該レジストパターンをマスクとして、露出した遮光膜をエッチングすることにより、透明基板上に遮光部を形成する遮光部パターン形成工程と、次いで、前記遮光部が形成された透明基板上に半透光膜を形成する工程と、次いで、少なくとも前記チャネル部を含む領域にレジストパターンを形成し、該レジストパターンをマスクとして、露出した半透光膜をエッチングすることにより、半透光部及び透光部を形成する半透光部パターン形成工程と、を有することを特徴とするグレートーンマスクの製造方法。
(構成8)前記グレートーンマスクは、遮光部と半透光部との隣接部を有し、前記半透光部パターン形成工程において、前記遮光部と隣接する半透光部を形成するための半透光部形成用レジストパターンとして、遮光部側に少なくとも所望のマージン領域を付加した半透光部に対応する領域よりも大きい半透光部形成用レジストパターンを用いることを特徴とする構成1乃至7の何れか一項に記載のグレートーンマスクの製造方法。
(構成9)前記半透光部パターン形成工程において、チャネル部に対応する半透光部を形成するための半透光部形成用レジストパターンとして、チャネル部に対応する領域に少なくとも所望のマージン領域を付加したチャネル部に対応する領域よりも大きい半透光膜形成用レジストパターンを用いることを特徴とする構成3乃至6の何れか一項に記載のグレートーンマスクの製造方法。
(構成11)薄膜トランジスタ基板の製造工程で使用するグレートーンマスクであって、遮光部、透光部、及び半透光部を有し、前記薄膜トランジスタ基板におけるソース及びドレインに対応するパターンが前記遮光部から形成され、チャネル部に対応するパターンが前記半透光部から形成されるグレートーンマスクにおいて、前記チャネル部において、チャネル部に対応する領域に所望のマージン領域を付加したチャネル部に対応する領域よりも大きい半透光膜が形成されていることを特徴とするグレートーンマスク。
従って、フォトリソ工程は2回行うが、1回目のフォトリソ工程で遮光部となる部分のみをパターニングするので、この時点で遮光部とそれ以外の半透光部となる部分を含む領域とが形成される。結果として、遮光部と半透光部との位置関係や大きさ等は1回目のパターニングによって決定されるので、遮光部と半透光部との位置精度等は1回の描画の精度で保障できることになる。よって、従来のような2回目のフォトリソ工程における描画時のアライメントずれ等の影響による品質悪化を防ぐことが可能である。このように、構成1の方法によれば、マスクとしては十分な品質を確保することが出来るので、特に遮光部と半透光部との位置精度や大きさ、寸法など、高いパターン精度が要求されるグレートーンマスクの製造に好適である。例えば、TFT基板製造用のグレートーンマスクの製造には特に好適である。
本構成に用いるマスクブランクは、透明基板上に設けた遮光膜は、基本的には遮光性を有するが、その膜厚によって透過率特性が異なるような材質で出来ている。つまり、透明基板上に透過率が略0%となる膜厚で遮光膜を形成し、遮光部以外の領域はハーフエッチングにより遮光膜の膜厚を薄くすると半透光部に必要な略50%の透過率を得ることが出来る。本構成によれば、前述の構成1と同様、パターン精度の高いグレートーンマスクが得られる。それに加えて、使用するマスクブランクの層構成が簡単なため製造が容易であるという利点がある。
即ち、1回目のフォトリソ工程でソース/ドレインに対応する遮光部となる部分をパターニングすることにより、この遮光部が形成される。高品質のTFT特性を確保するためには、ソースとドレイン間のチャネル部のパターン精度が特に重要である。本構成の方法によれば、ソース及びドレインに対応する遮光部及びそのソースとドレイン間のチャネル部で重要なギャップは、1回目の描画により一度に作り込むことができ、その位置精度等は1回の描画の精度で保障できる。よって、2回目のフォトリソ工程における描画時のアライメントずれ等の影響による品質悪化を防ぐことが可能であり、高いパターン精度が要求されるTFT基板製造用のグレートーンマスクとして十分な品質を確保することが出来る。
即ち、構成3と同様に、前記遮光部パターン形成工程の後に、半透光部パターン形成工程を行うことから、構成3と同様に、2回目のフォトリソ工程における描画時のアライメントずれ等の影響による品質悪化を防ぐことが可能であり、高いパターン精度が要求されるTFT基板製造用のグレートーンマスクとして十分な品質を確保することが出来る。
即ち、構成3と同様に、前記遮光部パターン形成工程の後に、半透光部パターン形成工程を行うことから、構成3と同様に、2回目のフォトリソ工程における描画時のアライメントずれ等の影響による品質悪化を防ぐことが可能であり、高いパターン精度が要求されるTFT基板製造用のグレートーンマスクとして十分な品質を確保することが出来る。
即ち、半透光膜と遮光膜の積層構造のマスクブランクを用いるのではなく、まずは遮光膜のみ形成されたマスクブランクを用いてソース及びドレインに対応する遮光部パターンを形成するので、この時点でソース及びドレインの位置が決定される、次に半透光膜の成膜、エッチングを行うことにより、構成3と同様に、前記遮光部パターン形成工程の後に、半透光部パターン形成工程を行うことになることから、構成3と同様に、2回目のフォトリソ工程における描画時のアライメントずれ等の影響による品質悪化を防ぐことが可能であり、高いパターン精度が要求されるTFT基板製造用のグレートーンマスクとして十分な品質を確保することが出来る。
構成8によれば、前記グレートーンマスクは遮光部と半透光部との隣接部を有し、前記半透光部パターン形成工程は、前記遮光部と半透光部との隣接部において、遮光部側に少なくとも所望のマージン領域を付加した半透光部に対応する領域よりも大きい半透光膜形成用レジストパターンを用いてエッチング加工を施すようにした。
1回目の描画で形成された遮光部パターンの所望の開口部に半透光部パターンを形成する際に、位置ずれやアライメントずれを考慮して遮光部側にオーバーラップさせるような半透光部形成用レジストパターンを形成することによって、位置ずれやアライメントずれが多少生じた場合であっても、半透光部パターンの位置精度を損なうことを防止することができる。本方法によれば、例えばTFT特性上重要なパターンを高精度で形成できるので、高品質のグレートーンマスクを提供できる。このように高いパターン精度が要求されるTFT基板製造用のグレートーンマスクの製造に本発明は特に好適である。
構成10によれば、前記遮光部、透光部、及び半透光部からなるパターンとして、前記グレートーンマスクを用いて露光する被処理体における感光性材料層への露光量を、前記遮光部、透光部及び半透光部のそれぞれにおいて異ならしめることにより、異なる膜厚の感光性材料層からなる被処理体の処理を行うためのマスク層を被処理体上に得るためのパターンを有するグレートーンマスクに対し、構成1〜9の製造方法を好適に用いることができる。
即ち、位置ずれやアライメントずれが多少生じた場合であっても、チャネル部のギャップの半透光部パターンの位置精度を損なうことを防止することができ、高いパターン精度が要求されるTFT基板製造用のグレートーンマスクとして十分な品質を確保することが出来る。
図2は、本発明に係るグレートーンマスクの製造方法の第1の実施形態を示すもので、その製造工程を順に示す概略断面図である。
なお、本実施の形態では、前述の図1に示したTFT基板用のパターン100を形成する場合を例にとって説明する。
本実施の形態で使用するマスクブランクは、図2(a)に示すように、石英等の透明基板21上に、半透光膜22及び遮光膜23を順次形成したものである。ここで、遮光膜23の材質としては、薄膜で高い遮光性が得られるものが好ましく、例えばCr,Si,W,Al等が挙げられる。また、半透光膜22の材質としては、薄膜で、透光部の透過率を100%とした場合に透過率50%程度の半透過性が得られるものが好ましく、例えばCr化合物(Crの酸化物、窒化物、酸窒化物、フッ化物など)、MoSi、Si,W,Al等が挙げられる。Si,W,Al等は、その膜厚によって高い遮光性も得られ、或いは半透過性も得られる材質である。また、形成されるマスクの遮光部は半透光膜22と遮光膜23の積層となるため、遮光膜単独では遮光性が足りなくても半透光膜と合わせた場合に遮光性が得られれば良い。なお、ここで透過率とは、グレートーンマスクを使用する例えば大型LCD用露光機の露光光の波長に対する透過率のことである。また、半透光膜の透過率は50%程度に限定される必要は全くない。半透光部の透過性をどの程度に設定するかは設計上の問題である。
上記マスクブランクは、透明基板21上に半透光膜22及び遮光膜23を順次成膜することで得られるが、成膜方法は、蒸着法、スパッタ法、CVD(化学的気相成長)法など、膜種に適した方法を適宜選択すればよい。また、膜厚に関しては、特に制約はないが、要は良好な遮光性或いは半透光性が得られるように最適化された膜厚で形成すればよい。
まず、このマスクブランク上に例えば電子線或いはレーザ描画用のポジ型レジストを塗布し、ベーキングを行って、レジスト膜24を形成する。次に、電子線描画機或いはレーザ描画機などを用いて描画を行う。描画データは、図1に示すソース/ドレインのパターン101a、101bに対応する遮光部101のパターンデータである。描画後、これを現像して、マスクブランク上に遮光部に対応するレジストパターン24aを形成する(図2(b)参照)。
次に、形成されたレジストパターン24aをマスクとして、遮光膜23をドライエッチングして、遮光部に対応するパターン23a、23bを形成する(図2(c)参照)。遮光膜23がCr系材料からなる場合、塩素ガスを用いたドライエッチングを用いることが出来る。遮光部に対応する領域以外は、遮光膜23のエッチングにより下地の半透光膜22が露出した状態である。残存するレジストパターン24aは、酸素によるアッシング或いは濃硫酸などを用いて除去する。
次に、再び全面に前記レジストを塗布してレジスト膜を形成する。そして、2回目の描画を行う。この時の描画データは、図1に示すソースとドレイン間のチャネル部に対応する半透光部103を少なくとも含むパターンデータである。描画後、これを現像して、少なくとも半透光部に対応するレジストパターン24bを形成する(図2(d)参照)。
この場合、露出している半透光膜22のエッチングを行って、レジストパターン24bを除去すると、図4(2)に示すように、半透光膜のパターン22aは図示するX及びY方向に少しはみ出した状態で形成されるものの、遮光部は設計パターン通りで形成され、半透光部のチャネル部のギャップも設計通り形成されるため、このマスクを用いて製造されるTFTの特性上は全く問題がない。
本実施の形態で使用するマスクブランクは、同図(a)に示すように、透明基板21上に、半透光膜22、バッファー膜25及び遮光膜23を順次形成したものである。すなわち、半透光膜22と遮光膜23との間に、エッチングストッパーとしての機能を有するバッファー膜25を設けたので、1回目のフォトリソ工程において、レジストパターンの形成されていない領域の遮光膜をエッチングにより除去する際に、下層の半透光膜の膜減りなどのダメージを防止することができる。このようにバッファー膜を設けているので、遮光膜23及び半透光膜22は、エッチング特性が似かよった材質、例えば同一材料の膜や主成分が同じ材料の膜等で構成することが可能である。なお、バッファー膜の材質は、遮光膜23をエッチングする環境に耐性を有する材質から選択される。また、半透光部におけるバッファー膜を除去する必要がある場合には、ドライエッチング等の方法で下地の半透光膜22にダメージを与えずに除去できる材質であることも要求される。バッファー膜として例えばSiO2又はSOG(Spin On Glass)等を用いることが出来る。これらの材質は、遮光膜をCr系材料で構成する場合、遮光膜との間で高いエッチング選択比を取ることが出来る。また、これらの材質は透過性が良好であり、半透光部に介在してもその透過特性を損わないため除去しないでおくことも可能である。
すなわち、まずマスクブランク上にレジスト膜24を形成し、所定の描画、現像を行い、遮光部に対応する領域にレジストパターン24aを形成する(図5(a)、(b)参照)。
次に、このレジストパターン24aをマスクとして、露出している遮光膜23をドライエッチングして、遮光部に対応するパターン23a、23bを形成する。続いて、露出したバッファー膜25をドライエッチングして、パターン25a、25bを形成する(同図(c)参照)。なお、残存するレジストパターン24aを酸素アッシング等の方法で除去するが、上述の遮光膜23をエッチングした段階で除去してもよい。遮光膜23とバッファー膜25とはそのエッチング特性が異なるので、形成された遮光膜のパターン23a、23bをエッチングマスクとしてバッファー膜25のエッチングが可能である。
次いで、このレジストパターン24cをマスクとして、露出している半透光膜22をドライエッチングにより除去し、透明基板21が露出した透光部を形成する。残存するレジストパターン24cは酸素アッシング等により除去する。
このようにして、図5(e)に示すように、遮光膜パターン23a、23bからなる遮光部、半透光膜パターン22aからなる半透光部、及び透光部がそれぞれ高いパターン精度で形成された本実施の形態のグレートーンマスク20Aが得られる。
本実施の形態で使用するマスクブランクは、同図(a)に示すように、透明基板21上に遮光膜23を形成したものである。これにより、遮光膜の膜厚をエッチングを利用して部分的に異ならしめ、膜厚の厚い部分は遮光部、膜厚の薄い部分は半透光部とする。この場合の遮光膜23の材質は特に制約されないが、遮光性が高いために透過率略0%が得られる膜厚が薄くなる材質であると、これを部分的にハーフエッチングして半透光部を形成することは困難である。また遮光性があまり高くないために透過率略0%が得られる膜厚が厚くなる材質であると、ハーフエッチングすることは比較的容易でも、遮光部のパターン高さが厚いためにパターン形状やパターン精度が悪くなるおそれがある。従って、本実施の形態では、遮光膜23は、1000〜2000Å程度の膜厚の範囲内で良好な遮光性と半透過性が得られるような材質を選択することが好ましい。
すなわち、まずマスクブランク上にレジスト膜24を形成し、所定の描画、現像を行い、遮光部に対応する領域にレジストパターン24aを形成する(図6(a)、(b)参照)。
次に、このレジストパターン24aをマスクとして、露出している遮光膜23を半透光性が得られるような適当な厚さとなるまでハーフエッチングして、遮光部に対応するパターン23a、23bを形成する(同図(c)参照)。なお、残存するレジストパターン24aを酸素アッシング等の方法で除去する。
次いで、このレジストパターン24cをマスクとして、露出しているハーフエッチングされた遮光膜23dを更にドライエッチングにより除去し、透明基板21が露出した透光部を形成する。残存するレジストパターン24cは酸素アッシング等により除去する。
このようにして、図6(e)に示すように、遮光膜パターン23a、23bからなる遮光部、ハーフエッチングによる薄い遮光膜パターン23cからなる半透光部、及び透光部がそれぞれ高いパターン精度で形成された本実施の形態のグレートーンマスク20Bが得られる。
本実施の形態では、まず、図7(a)に示すように、透明基板21上に、遮光膜23を形成したものを用いる。
このマスクブランク上に、例えばレーザ又は電子線描画用のポジ型レジストを塗布し、ベーキングを行って、レジスト膜24を形成する。次に、電子線描画機或いはレーザ描画機などを用いて描画を行う。描画データは、図1に示すソース/ドレインのパターン101a、101bに対応する遮光部101のパターンデータである。描画後、これを現像して、マスクブランク上に遮光部に対応するレジストパターン24aを形成する(図7(b)参照)。
次に、形成されたレジストパターン24aをマスクとして、遮光膜23をウェット又はドライエッチングして、遮光部に対応するパターン23a、23bを形成する(図7(c)参照)。遮光膜23がCr系材料からなる場合、ウェットエッチングには、例えば硝酸第2セリウムアンモニウムと過酸素塩を混合させて希釈したエッチング液等を用いることが出来、ドライエッチングには、Cl2とO2の混合ガス等の塩素系ガスを含むドライエッチングガスを用いることができる。残存するレジストパターン24aは、酸素によるアッシング或いは濃硫酸などを用いて除去する。
次に、形成されたレジストパターン24bをマスクとして、透光部となる領域の半透光膜22をウェット又はドライエッチングにより除去する。本実施の形態では、遮光膜23と半透光膜22は互いにエッチング特性が異なる材質で形成されているため、半透光膜22をエッチングする環境では、遮光膜は殆どエッチングされない。これにより、半透光部は透光部と画され、半透光部及び透光部が形成される(図7(f)参照)。ここで、遮光膜のパターン23a、23b上にはレジストパターンを形成していないが、本実施の形態では、使用するマスクブランクの遮光膜23と半透光膜22は互いにエッチング特性が異なる材質で形成されているため、半透光膜22をエッチングする環境では遮光膜は殆どエッチングされない。なお、残存するレジストパターンは酸素アッシング等を用いて除去する。
また、レジストパターン24bを、図4と同様に、必要なサイズより少し大きめに描画領域を設定して描画を行うようにしてもよい。1回目の描画で精度良く位置出しされた半透光部を覆う領域にレジストパターン24bを形成する必要があるが、2回目の描画における位置ずれやアライメントずれがあっても、半透光部のパターン精度を確保するため、例えば、図8(1)の平面図および図8(2)(図8(2)は図8(1)のAA’線断面図)に示したように、チャネル部を形成する半透光部を図示するX及びY方向に描画精度及びアライメント精度を考慮して決定されたマージン領域26a及び26bを付加し、各々少し大きめ(幅広)に覆うレジストパターン24bが形成されるように描画領域を設定する。
以上詳細に説明したように、本発明のグレートーンマスクによれば、2回目のフォトリソ工程における描画時のアライメントずれ等があっても、それによる品質悪化を防ぐことが可能になった。従って、マスクとして十分な品質を確保することが出来るようになり、特に遮光部と半透光部との位置精度や大きさ、寸法など、高いパターン精度が要求されるグレートーンマスクの製造に好適である。
さらに本発明のグレートーンマスクによれば、高品質のTFT特性を確保するため特に重要なソースとドレイン間のチャネル部のパターンを精度良く形成できるので、高いパターン精度が要求されるTFT基板製造用のグレートーンマスクとして十分な品質を確保することが出来る。
さらに、本発明のグレートーンマスクによれば、高品質のTFT特性を確保するため特に重要なソースとドレイン間のチャネル部のパターン精度が良好で、高いパターン精度が要求されるTFT基板製造用のグレートーンマスクとして十分な品質を確保することが出来る。
20 グレートーンマスク
21 透明基板
22 半透光膜
23 遮光膜
24 レジスト膜
25 バッファー膜
100 TFT基板用パターン
101 遮光部
102 透光部
103 半透光部
Claims (6)
- 透明基板上に形成された、半透光膜及び遮光膜をパターニングすることによって形成された、遮光部、透光部、及び半透光部を含む薄膜トランジスタ基板用パターンを有する、薄膜トランジスタ基板製造用グレートーンマスクであって、
前記薄膜トランジスタ基板用パターンにおいては、前記薄膜トランジスタ基板におけるソース及びドレインに対応するパターンが互いに離間した2つの遮光部からなり、前記2つの遮光部に隣接して挟まれたチャネル部に対応するパターンが前記半透光部からなり、前記2つの遮光部と前記2つの遮光部に挟まれた半透光部が一方向に配列した部分を含むものであるグレートーンマスクにおいて、
前記チャネル部と、前記ソース及びドレインとの隣接部において、チャネル部に対応する領域に所望のマージン領域を付加した半透光膜が形成されていることを特徴とするグレートーンマスク。 - 一方向に配列した前記2つの遮光部と前記半透光部は、前記遮光部が、前記配列方向と垂直方向に一定幅を有し、前記半透光部は、前記配列方向と垂直方向において、前記遮光部より大きい幅を有することを特徴とする請求項1に記載のグレートーンマスク。
- 透明基板上に形成された、半透光膜及び遮光膜をパターニングすることによって形成された、遮光部、透光部、及び半透光部からなるパターンを有するグレートーンマスクであって、
前記パターンは、互いに離間した2つの遮光部と、前記2つの遮光部に隣接して挟まれた半透光部を有し、前記2つの遮光部と前記2つの遮光部に挟まれた半透光部が一方向に配列した部分を含むものであるグレートーンマスクにおいて、
前記半透光部は、前記透明基板上に半透光膜が形成されてなり、かつ、前記半透光膜は、前記半透光部と、前記2つの遮光部との隣接部において、遮光部側に所望のマージン領域を付加して形成されていることを特徴とするグレートーンマスク。 - 一方向に配列した前記2つの遮光部と前記半透光部は、前記遮光部が、前記配列方向と垂直方向に一定幅を有し、前記半透光部は、前記配列方向と垂直方向において、前記遮光部より大きい幅を有することを特徴とする請求項3に記載のグレートーンマスク。
- 前記グレートーンマスクは、透明基板上に半透光膜及び遮光膜が形成されたマスクブランクの、前記半透光膜と前記遮光膜をパターニングすることによって作製され、かつ、前記マージン領域は、前記遮光膜をパターニングする工程と、前記半透光膜をパターニングする工程のアライメント精度によって決定されたものであることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか一項に記載のグレートーンマスク。
- 請求項1乃至5のいずれか一項に記載のグレートーンマスクを用いて露光することにより、被処理体における感光性材料層への露光量を、前記遮光部、透光部及び半透光部のそれぞれにおいて異ならしめ、異なる膜厚の感光性材料層からなる被処理体の処理を行うためのマスク層を被処理体上に得る工程を含むことを特徴とする薄膜トランジスタ基板の製造方法。
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