JP5196098B2 - 階調をもつフォトマスクおよびその製造方法 - Google Patents
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Description
(階調をもつフォトマスク)
図1に示すように、本発明の階調をもつフォトマスク100の構成は、透明基板101上に所望のパターンを有し、パターンを形成する膜が、実質的に露光光を透過しない遮光膜パターン114と、露光光を所望の透過率で透過する半透明膜パターン113とからなり、透明基板101上に、遮光膜パターン114と半透明膜パターン113とがこの順に積層されて存在する遮光領域、半透明膜パターン113のみが存在する半透明領域、および、遮光膜パターン114と記半透明膜パターン113のいずれも存在しない透過領域、とが混在しているものである。
(階調をもつフォトマスクの製造方法)
次に、本発明の階調をもつフォトマスクの製造方法の実施形態について説明する。
(第1の実施形態)
図2は、図1に示す本発明の階調をもつフォトマスク100の製造工程を示す断面模式図であり、図3は、図2に続く本発明の階調をもつフォトマスク100の製造工程を示す断面模式図である。
(第2の実施形態)
次に第2の実施形態について説明する。第2の実施形態は、遮光膜上に低反射層が予め設けられている汎用されているフォトマスクブランクを用いた場合の製造方法である。
〔実施例〕
(実施例1)
光学研磨された330×450mmの合成石英基板上にクロムよりなる遮光膜が約100nm成膜されている常用のフォトマスクブランク上に、市販のフォトレジスト(東京応化工業社製ip−3500)を約380nm塗布し、120度に加熱されたホットプレートで15分ベークした後、フォトマスク用レーザ描画装置マイクロニック社製LRS11000−TFT3で、所望の遮光膜パターンを描画した。ここで描画したパターンは、最終的に完全に遮光するためのパターンである。
(実施例2)
光学研磨された330×450mmの合成石英基板上に、遮光膜として窒化クロム膜が形成され、その上に低反射膜として酸化クロム膜が設けられた2層構成の市販のフォトマスクブランクを準備した。窒化クロム膜の膜厚は70nm、酸化クロム膜の膜厚はおよそ20nmであった。
101、201…透明基板
102、202…遮光膜
103、220…フォトマスクブランク
104、204…遮光膜用レジスト膜
105、111、205、211…エネルギー線
106、206…遮光膜用レジストパターン
107、207…遮光膜パターン
108、208…遮光膜パターン付き基板
109、209…半透明膜
110、210…半透明膜用レジスト膜
112、212…半透明膜用レジストパターン
113、213…半透明膜パターン
114、214…遮光膜パターン
600…フォトマスクブランク
601…透明基板
602…遮光膜
603…低反射膜
604…遮光膜パターン
605…遮光膜パターンのエッジ部
606…低反射膜パターン
607…半透明膜
Claims (10)
- 透明基板上に所望のパターンを有し、前記パターンを形成する膜が、実質的に露光光を透過しない単層膜からなる遮光膜と、前記露光光を所望の透過率で透過する半透明膜とからなり、前記透明基板上に、前記遮光膜と前記半透明膜とがこの順に積層されて存在する遮光領域、前記半透明膜のみが存在する半透明領域、および前記遮光膜と前記半透明膜のいずれも存在しない透過領域、とが混在する階調をもつフォトマスクにおいて、
前記半透明膜が、前記露光光に対して前記遮光膜の反射防止機能を有することを特徴とする階調をもつフォトマスク。 - 前記半透明膜のみが存在する半透明領域の前記露光光に対する透過率が、15%〜85%の範囲であることを特徴とする請求項1に記載の階調をもつフォトマスク。
- 前記遮光膜と前記半透明膜とがこの順に積層されて存在する遮光領域の前記露光光に対する反射率が、30%未満であることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の階調をもつフォトマスク。
- 前記半透明膜が、g線、h線、i線、KrFエキシマレーザ、ArFエキシマレーザのうちの少なくともいずれか1つが有する波長に対して反射防止機能を有することを特徴とする請求項1〜請求項3のいずれか1項に記載の階調をもつフォトマスク。
- 前記遮光膜と前記半透明膜とが、いずれもクロムを主成分とすることを特徴とする請求項1〜請求項4のいずれか1項に記載の階調をもつフォトマスク。
- 前記遮光膜がクロムまたは窒化クロムからなり、前記半透明膜が酸化クロムまたは酸化窒化クロムからなることを特徴とする請求項5に記載の階調をもつフォトマスク。
- 透明基板上に所望のパターンを有し、前記パターンを形成する膜が、実質的に露光光を透過しない単層膜からなる遮光膜と、前記露光光を所望の透過率で透過する半透明膜とからなる階調をもつフォトマスクの製造方法において、順に、
前記透明基板上に前記遮光膜を成膜したマスクブランクを準備する工程と、
前記遮光膜をパターニングする工程と、
前記パターニングした遮光膜を設けた前記透明基板上に、前記露光光に対して前記遮光膜の反射防止機能を有する半透明膜を全面に成膜する工程と、
前記反射防止機能を有する半透明膜をパターニングする工程と、
を含むことを特徴とする階調をもつフォトマスクの製造方法。 - 透明基板上に所望のパターンを有し、前記パターンを形成する膜が、実質的に露光光を透過しない単層膜からなる遮光膜と、前記露光光を所望の透過率で透過する半透明膜とからなる階調をもつフォトマスクの製造方法において、順に、
前記透明基板上に単層膜からなる遮光膜と低反射膜の2層膜を有するマスクブランクを準備する工程と、
前記低反射膜をエッチングにより除去して前記遮光膜を露出する工程と、
前記遮光膜をパターニングする工程と、
前記パターニングした遮光膜を設けた前記透明基板上に、前記露光光に対して前記遮光膜の反射防止機能を有する半透明膜を全面に成膜する工程と、
前記反射防止機能を有する半透明膜をパターニングする工程と、
を含むことを特徴とする階調をもつフォトマスクの製造方法。 - 前記反射防止機能を有する半透明膜をパターニングする工程の後に、露出した前記遮光膜を再びパターニングする工程と、
を含むことを特徴とする請求項7または請求項8に記載の階調をもつフォトマスクの製造方法。 - 前記遮光膜をパターニングする工程の後に、前記遮光膜のマスクパターン検査工程、および必要に応じて修正工程とを行なうことを特徴とする請求項7〜請求項9のいずれか1項に記載の階調をもつフォトマスクの製造方法。
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