JP2009086383A - グレートーンマスク、パターン転写方法、及びグレートーンマスクブランク - Google Patents
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Abstract
【解決手段】透明基板上に遮光部と、透光部と、マスク使用時に用いられる露光光の透過量を所定量低減する半透光部からなるマスクパターンを有し、被転写体に対する露光光の照射量を部位によって選択的に低減し、被転写体上に残膜値の異なる部分を含む所望の転写パターンを形成するためのグレートーンマスクである。透明基板上の全面に導電膜が形成され、その上にマスクパターンが形成されており、基板面内の少なくともマスクパターンが形成された領域内における各マスクパターンの前記遮光部又は半透光部が、導電膜を介して電気的に等電位となっている。
【選択図】図2
Description
一方、フォトマスクの少なくとも一方の面に、透明導電膜を形成し、該フォトマスクを電気的にアースする露光方法が知られている(特許文献2)。
ところで、被転写体上に、膜厚が段階的に異なるレジストパターンを形成する目的で、露光光の透過率をパターン上の特定の部位を選択的に低減し、露光光の透過を制御可能なフォトマスクであるグレートーンマスクが知られていることは上述のとおりであり、こうしたグレートーンマスクとしては、露光光の一部を透過する半透光部に半透光膜を用いたものが知られている。
また、グレートーンマスクの場合、液晶パネル製造コストが非常に有利となる利点があるが、安価な製造コストを希求するとき、多面取りを用いた大型マスク製造の需要が益々高まる。このようなグレートーンマスクにおいて、パターン間の電位差が発生しやすく、その上電位差が大きくなる傾向があるため、パターン膜の静電破壊が深刻である。また、TFT製造用のグレートーンマスクの場合、チャネル部パターンなど、パターンの微細化に応じて、静電破壊が生じやすくなる事情もある。
たとえば図8(b)中の矢印Dで示すように、隣接する遮光部21間の電位差による放電によって、遮光膜25の一部が静電破壊されてしまう。
したがって、グレートーンマスク使用時のハンドリング中に起こり得るパターンの静電破壊の発生を抑制することは極めて重要な課題である。
(構成1)透明基板上に遮光部と、透光部と、マスク使用時に用いられる露光光の透過量を所定量低減する半透光部からなるマスクパターンを有し、マスクを用いて被転写体に露光光を照射する際、被転写体に対する露光光の照射量を部位によって選択的に低減し、被転写体上のフォトレジストに、残膜値の異なる部分を含む所望の転写パターンを形成するためのグレートーンマスクであって、前記遮光部は、少なくとも遮光膜により形成され、前記半透光部は、露光光の一部を透過する半透光膜により形成され、基板面内の少なくともマスクパターンが形成された領域内における各マスクパターンの前記遮光部又は半透光部が、導電膜を介して電気的に等電位となっていることを特徴とするグレートーンマスク。
(構成3)透明基板上に前記マスクパターンが形成され、該マスクパターンを含む基板上のパターン形成エリア全面に前記導電膜が形成されていることを特徴とする構成1に記載のグレートーンマスク。
(構成5)前記導電膜は、アンチモン(Sb)、スズ(Sn)、インジウム(In)から選ばれる少なくとも1つの元素を含む化合物で形成されることを特徴とする構成1乃至4のいずれか一に記載のグレートーンマスク。
(構成7)前記マスクパターンの遮光部は、透明基板上に遮光膜及び半透光膜をこの順に有することを特徴とする構成1乃至5のいずれか一に記載のグレートーンマスク。
(構成8)前記グレートーンマスクは、表示装置製造用のフォトマスクであり、前記透明基板上に、複数の表示装置を製造するための独立したパターンエリアを有し、各パターンエリアが、前記透明導電膜により電気的に導通していることを特徴とする構成1乃至7のいずれか一に記載のグレートーンマスク。
(構成10)構成1乃至9のいずれかに記載のグレートーンマスクを用いて、被転写体に露光光を照射し、被転写体上に残膜値の異なる部分を含む所望の転写レジストパターンを形成することを特徴とするパターン転写方法。
(構成12)前記半透光膜が導電性であることを特徴とする構成11に記載のグレートーンマスクブランク。
図1は、本発明のグレートーンマスクを用いたパターン転写方法を説明するための断面図であるが、図1に示すグレートーンマスク20は、被転写体30上に、膜厚が段階的に異なるレジストパターン33を形成するためものである。なお、図1中において符号32A、32Bは、被転写体30において基板31上に積層された膜を示す。
図1に示すグレートーンマスク20は、透明基板24上の全面に導電膜29が形成され、その上に当該グレートーンマスク20の使用時に露光光を遮光(透過率が略0%)させる遮光部21と、透明基板24の表面が露出した露光光を透過させる透光部22と、透光部の露光光透過率を100%としたとき透過率を10〜80%程度に低減させる半透光部23からなるマスクパターンを有する。露光光透過率は、20〜60%であれば被転写体上のレジストパターン形成の条件に自由度が生じてより好ましい。図1に示す半透光部23は、透明基板24上に形成された光半透過性の半透光膜26で構成され、遮光部21は、上記半透光膜26と遮光膜25がこの順に形成されて構成されている。
そして、図1に示すレジストパターン33の膜のない部分で、被転写体30における例えば膜32A及び32Bに第1エッチングを実施し、レジストパターン33の膜厚の薄い部分をアッシング等によって除去しこの部分で、被転写体30における例えば膜32Bに第2エッチングを実施する。このようにして、1枚のグレートーンマスク20を用いて被転写体30上に膜厚の段階的に異なるレジストパターン33を形成することにより、従来のフォトマスク2枚分の工程が実施されることになり、マスク枚数が削減される。
10a〜10cのそれぞれのマスクパターンには、例えばTFT製造用のパターンが多数含まれ、それらの各々が、遮光部、透光部、半透光部を有している。例えば、当該グレートーンマスクの使用時に露光光を遮光(透過率が略0%)させる遮光部、透光部の露光光透過率を100%としたとき透過率を10〜80%、より好ましくは20〜60%程度に低減させる半透光部が、透明基板24上に形成されている。そして、透明基板24上のパターン形成エリア全面に導電膜29が形成され、その上に前記マスクパターンが形成されている。
例えば、液晶基板の大型化により、個々の液晶パネル製造用のマスクパターンが大型化している。このような大型で、かつ電気的に孤立したパターンは、非常に大きな電荷を溜めやすく、これらが比較的近接した位置にあるとき、放電による静電破壊が生じやすい。
同図(a)に示す実施の形態1においては、透明基板24上のパターン形成エリア全面に導電膜29が形成され、その上に当該グレートーンマスクの使用時に露光光を遮光(透過率が略0%)させる遮光部21と、透明基板24の表面が露出した露光光を透過させる透光部22と、透光部の露光光透過率を100%としたとき透過率を20〜60%程度に低減させる半透光部23からなるマスクパターンが形成されている。ここで、パターン形成エリアとは、ひとつの電子デバイス(例えば液晶表示装置)を製造するために透明基板に形成されるパターンを全てカバーする領域である。透明基板上には、例えば、複数の独立した表示装置を製造するために、それぞれに対するパターン形成エリアが形成されていることもある(多面取り)。半透光部23は、透明基板24上の、透明導電膜29上に形成された光半透過性の半透光膜26で構成され、遮光部21は、上記半透光膜26上に遮光膜25がこの順に形成されて構成されている。
このような実施の形態2の構成においても、基板面内の少なくともマスクパターンが形成された領域内における各マスクパターンの上記遮光部が、上記導電膜29を介して電気的に等電位となっているため、マスク使用時のハンドリング中に各マスクパターン間の電位差が発生しにくく、従来のマスク使用時のハンドリング中に起こり得たパターンの静電破壊の発生を効果的に抑制することが可能である。本態様においても、半透光膜が導電性であることが好ましい。
なお、上記導電膜29の詳細は後述する。
図3は、本発明の上記実施の形態1によるグレートーンマスクの製造工程を示す断面図である。
本実施の形態に使用するグレートーンマスクブランクは、透明基板24上の全面に、導電膜29が形成され、さらにその上に例えばモリブデンシリサイドを含む半透光膜26と、例えばクロムを主成分とする遮光膜25がこの順に形成され、その上にレジストを塗布してレジスト膜27が形成されている(図3(a)参照)。
半透光膜26は、透光部の露光光透過量に対し、10〜80%、好ましくは20〜60%の透過量を有するものである。上記半透光膜26としては、クロム化合物、Mo化合物、Si、W、Al等が挙げられる。このうち、クロム化合物には、酸化クロム(CrOx)、窒化クロム(CrNx)、酸窒化クロム(CrOxN)、フッ化クロム(CrFx)や、これらに炭素や水素を含むものがある。Mo化合物としては、MoSixのほか、MoSiの窒化物、酸化物、酸化窒化物、炭化物などが含まれる。また、形成されるマスク上の半透光部の透過率は、上記半透光膜26と導電膜29の膜材質と膜厚との選定によって設定される。
更に、半透光膜の材料は、導電性であることが好ましい。例えば導電性のMoSixを用いることができる。また、他の金属化合物を用いる場合には、金属含有量を高くし、充分な導電性をもたせることが有利である。たとえば、電気伝導度として700KΩ以下のものなどが挙げられる。
また、本実施の形態によれば、透明基板24上に上記導電膜29を有することにより、マスク作製工程中に起こり得るパターンの静電破壊の発生を効果的に抑制することが可能である。
なお、遮光部21、透光部22、及び半透光部23のパターン形状はあくまでも代表的な一例であって、本発明をこれに限定する趣旨ではないことは勿論である。
また、上記実施の形態1では、透明基板24上の全面に予め導電膜29を形成したマスクブランクを用いてマスクを作製しているが、透明基板24上に前記半透光膜26及び遮光膜25を形成し、さらにその上にレジスト膜27を形成してなるマスクブランクを用いて、上記と同様にマスクパターンを形成し、該マスクパターンを含む基板上の全面に導電膜29を形成することにより、図4に示すように、本発明の実施の形態2に係るグレートーンマスクが得られる。
図5は、本発明の上記実施の形態3によるグレートーンマスクの製造工程を示す断面図である。
本実施の形態に使用するグレートーンマスクブランクは、透明基板24上の全面に、導電膜29が形成され、その上に例えばクロムを主成分とする遮光膜25が形成され、さらにその上にレジストを塗布してレジスト膜27が形成されている(図5(a)参照)。上記導電膜29の材質や膜厚等に関する詳細は前述の実施の形態1の場合と同様である。
本実施の形態ではスパッタ成膜による酸化アンチモンすずを含む導電膜(露光光透過率92%)を採用した。
なお、本実施の形態においては、以下に説明するように、上記遮光膜25のパターンを形成した後に、該遮光膜パターンを含む基板全面に半透光膜を形成する。
残存するレジストパターンを除去した後(図5(c)参照)、基板24上の遮光膜パターンを含む全面に半透光膜26を成膜する(図5(d)参照)。
半透光膜26は、透明基板24の露光光の透過量に対し10〜80%、好ましくは20〜60%の透過量を有するものであり、上記半透光膜26の材質としては、前述の実施の形態1の場合と同様である。
本実施の形態ではスパッタ成膜によるモリブデンシリサイドを含む半透光膜(露光光透過率50%)を採用した。
さらに、このような本実施の形態のグレートーンマスクを用いて図1のように被転写体30へのパターン転写を行うことにより、被転写体上にはパターン欠陥のない、高精度の転写パターン(レジストパターン33)を形成することができる。
なお、本実施の形態によると、透明基板24上に上記導電膜29を有することにより、マスク作製工程中に起こり得るパターンの静電破壊の発生も効果的に抑制することが可能である。
また、上記実施の形態3のように、透明基板24上の全面に予め導電膜29を形成したマスクブランクを用いてマスクを作製するかわりに、透明基板24上に前記遮光膜25を形成し、さらにその上にレジスト膜27を形成してなるマスクブランクを用いて、上記と同様にマスクパターンを形成してから、該マスクパターンを含む基板上の全面に導電膜29を形成することにより、図6に示すような、本発明の実施の形態4に係るグレートーンマスクが得られる。
なお、上記の遮光膜は、好ましくは、金属クロム膜に、クロム化合物を積層し、反射防止機能を有することが好ましい。クロム化合物としては、酸化クロム、窒化クロム、炭化クロムなどを用いることができる。更に、本態様において、半透光膜の素材としてクロム化合物(酸化クロム、又は窒化クロム)を用いることができる。この場合、半透光部の露光光透過率、及び比較的高い導電性の観点から、組成を決定し、露光光透過率の観点から膜厚を決定することが望ましい。
21 遮光部
22 透光部
23 半透光部
24 透明基板
25 遮光膜
26 半透光膜
27,28 レジストパターン
29 導電膜
30 被転写体
33 被転写体上のレジストパターン
Claims (12)
- 透明基板上に遮光部と、透光部と、マスク使用時に用いられる露光光の透過量を所定量低減する半透光部からなるマスクパターンを有し、マスクを用いて被転写体に露光光を照射する際、被転写体に対する露光光の照射量を部位によって選択的に低減し、被転写体上のフォトレジストに、残膜値の異なる部分を含む所望の転写パターンを形成するためのグレートーンマスクであって、
前記遮光部は、少なくとも遮光膜により形成され、
前記半透光部は、露光光の一部を透過する半透光膜により形成され、
基板面内の少なくともマスクパターンが形成された領域内における各マスクパターンの前記遮光部又は半透光部が、導電膜を介して電気的に等電位となっていることを特徴とするグレートーンマスク。 - 透明基板上のパターン形成エリア全面に前記導電膜が形成され、その上に前記マスクパターンが形成されていることを特徴とする請求項1に記載のグレートーンマスク。
- 透明基板上に前記マスクパターンが形成され、該マスクパターンを含む基板上のパターン形成エリア全面に前記導電膜が形成されていることを特徴とする請求項1に記載のグレートーンマスク。
- 前記導電膜は、前記透光部の露光光透過率を100%としたときに、露光光透過率が80%以上であり、前記半透光部の透過率より高い透過率を有することを特徴とする請求項1乃至3のいずれか一に記載のグレートーンマスク。
- 前記導電膜は、アンチモン(Sb)、スズ(Sn)、インジウム(In)から選ばれる少なくとも1つの元素を含む化合物で形成されることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか一に記載のグレートーンマスク。
- 前記マスクパターンの遮光部は、透明基板上に半透光膜及び遮光膜をこの順に有し、前記遮光膜は、反射防止機能を有することを特徴とする請求項1乃至5のいずれか一に記載のグレートーンマスク。
- 前記マスクパターンの遮光部は、透明基板上に遮光膜及び半透光膜をこの順に有することを特徴とする請求項1乃至5のいずれか一に記載のグレートーンマスク。
- 前記グレートーンマスクは、表示装置製造用のフォトマスクであり、前記透明基板上に、複数の表示装置を製造するための独立したパターンエリアを有し、各パターンエリアが、前記透明導電膜により電気的に導通していることを特徴とする請求項1乃至7のいずれか一に記載のグレートーンマスク。
- 前記半透光膜が導電性であることを特徴とする請求項1乃至8のいずれか一に記載のグレートーンマスク。
- 請求項1乃至9のいずれかに記載のグレートーンマスクを用いて、被転写体に露光光を照射し、被転写体上に残膜値の異なる部分を含む所望の転写レジストパターンを形成することを特徴とするパターン転写方法。
- 透明基板上に、透明導電膜と、マスク露光時の露光光を所定量透過する半透光膜と、遮光膜とがこの順に形成されたことを特徴とするグレートーンマスクブランク。
- 前記半透光膜が導電性であることを特徴とする請求項 11に記載のグレートーンマスクブランク。
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