JP2009086384A - フォトマスク及びフォトマスクの製造方法、並びにパターン転写方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】被転写体上に所望の転写パターンを形成するためのマスクパターンを透明基板24上に有するフォトマスク(例えばグレートーンマスク)であって、マスクパターン10a,10b,10c間を連結する、被転写体に転写されないような細線状の導電性パターン11a,11b,12a,12bを有する。かかる細線状の導電性パターンは、半透光膜または透光膜により形成される。
【選択図】図2
Description
一方、半導体装置の製造に用いられるフォトマスクは、その遮光パターンに静電気が生じ、電気的に独立した個々のパターン間に電位差が生じ、放電による静電破壊が生じる問題のため、ダミーパターンで電気的に接続することが知られている(特許文献2)
図6(a)は、半透光部として露光光に対する所定の光透過率をもつ半透光膜を用いたグレートーンマスクを示す断面図である。すなわち、図6(a)に示すグレートーンマスクは、透明基板24上に、当該グレートーンマスクの使用時に露光光を遮光(透過率が略0%)させる遮光部21と、透明基板24の表面が露出した露光光を透過させる透光部22と、透光部の露光光透過率を100%としたとき透過率を20〜60%程度に低減させる半透光部23とを有する。図6(a)に示す遮光部21は、透明基板24上に形成された遮光膜25で構成されており、また半透光部23は、透明基板24上に形成された光半透過性の半透光膜26で構成されている。なお、図6(a)の遮光部21、透光部22及び半透光部23のパターン形状は一例を示したものである。
たとえば図6(b)中の矢印Dで示すように、隣接する遮光部21間の電位差による放電によって、遮光膜25の一部が静電破壊されてしまう。
したがって、グレートーンマスク使用時のハンドリング中に起こり得るパターンの静電破壊の発生を抑制することは極めて重要な課題である。
(構成1)被転写体上に所望の転写パターンを形成するためのマスクパターンを透明基板上に有するフォトマスクにおいて、電気的に孤立するマスクパターン間を互いに連結する、所定線幅の導電性パターンであって、露光光に対する透過率が所定値以下の透光膜又は半透光膜からなる導電性パターンを有することを特徴とするフォトマスク。
(構成2)透明基板上に遮光部と、透光部と、マスク使用時に用いられる露光光の透過量を所定量低減する半透光部とからなるマスクパターンを有し、マスクを用いて被転写体に露光光を照射する際、被転写体に対する露光光の照射量を部位によって選択的に低減し、被転写体上のフォトレジストに、残膜値の異なる部分を含む所望の転写パターンを形成するための多階調フォトマスクにおいて、前記遮光部は、少なくとも遮光膜により形成され、前記半透光部は、少なくとも露光光の一部を透過する半透光膜により形成され、電気的に孤立するマスクパターン間を互いに連結する、所定線幅の導電性パターンを有することを特徴とするフォトマスク。
(構成4)前記導電性パターンは、露光光を前記フォトマスクに照射し、マスクパターンを被転写体上に転写し、被転写体上のレジストを現像し、レジストパターンを形成したときに、該レジストパターン中に出現しないような線幅を有する透光性、又は半透光性であることを特徴とする構成1乃至3のいずれか一に記載のフォトマスク。
(構成6)マスクパターン間を連結する前記導電性パターンを複数とすることを特徴とする構成1乃至5のいずれか一に記載のフォトマスク。
(構成8)構成1乃至6のいずれかに記載のフォトマスク又は構成7に記載の製造方法によるフォトマスクを用いて、被転写体に露光光を照射し、被転写体上に所望の転写パターンを形成することを特徴とするパターン転写方法。
上記フォトマスクは、たとえば、透明基板上に遮光部と、透光部と、マスク使用時に用いられる露光光の透過量を所定量低減する半透光部とからなるマスクパターンを有し、マスクを用いて被転写体に露光光を照射する際、被転写体に対する露光光の照射量を部位によって選択的に低減し、被転写体上のフォトレジストに、残膜値の異なる部分を含む所望の転写パターンを形成するための多諧調(グレートーン)マスクである。また、上記フォトマスクは、たとえば、透明基板上に、遮光部と透光部とからなるマスクパターンを有するバイナリマスクである。
また、たとえばグレートーンマスクの場合、半透光部を導電性を有する半透光膜により形成することにより、半透光膜をパターニングする工程を利用して、上記半透光膜により形成される導電性パターンを同一工程で作製することが出来る。
図1は、本発明の一実施の形態であるグレートーンマスクを用いたパターン転写方法を説明するための断面図である。図1に示すグレートーンマスク20は、被転写体30上に、膜厚が段階的に異なるレジストパターン33を形成するためものである。なお、図1中において符号32A、32Bは、被転写体30において基板31上に積層された膜を示す。
10a〜10cのそれぞれのマスクパターンには、例えばTFT製造用のパターンが多数含まれ、それらの各々が、遮光部、透光部、半透光部を有している。例えば、当該グレートーンマスクの使用時に露光光を遮光(透過率が略0%)させる遮光部、透光部の露光光透過率を100%としたとき透過率を10〜80%、より好ましくは20〜60%程度に低減させる半透光部が、透明基板24上に形成されている。そして、各マスクパターン間は、ここでは例えば2本の細線状の導電性パターン11aと12a、11bと12bで連結されている。
例えば、液晶基板の大型化により、個々の液晶パネル製造用のマスクパターンが大型化している。このような大型で、かつ電気的に孤立したパターンは、非常に大きな電荷を溜めやすく、これらが比較的近接した位置にあるとき、放電による静電破壊が生じやすい。
更に、マスクパターン中には、マスクを使用して被転写体上にパターンを形成し、最終的に得られる電子デバイスのパターンにおいて、静電破壊を生じやすい位置に、予め、パターンの破壊を防止する目的のパターン(以下、ESDパターンと称する)を形成することがある。この主なものは、電気的に孤立したパターン同士を、比較的近接位置に配置し、むしろ放電を促し、大きな電荷の蓄積を防止する形状とする。このようなパターンは、フォトマスクにおいても、放電しやすく、フォトマスクにおいてはこのパターンが静電破壊をもたらすことがある。従って、ESDパターンを転写するマスクパターンにおいては、本発明の導電性パターンを適用することが好ましい。
また、電気的に孤立したパターン同士に、角部があり、これらが、該パターン同士の最も近接位置にあるときに、静電破壊が生じやすい。従って、これらのパターン同士を、本発明の導電性パターンによって連結しておくのが有利である。
図3(A)に示す実施の形態1は、各マスクパターン間を連結する上記導電性パターンを半透光膜により形成している。かかるグレートーンマスクは、透明基板24上に、当該グレートーンマスクの使用時に露光光を遮光(透過率が略0%)させる遮光部21と、透明基板24の表面が露出した露光光を透過させる透光部22と、透光部の露光光透過率を100%としたとき透過率を10〜80%に低減させる半透光部23からなるマスクパターンが形成されている。半透光部23は、透明基板24上に形成された光半透過性の導電性を有する半透光膜26で構成され、遮光部21は、上記半透光膜26と遮光膜25がこの順に形成されて構成されている。そして、図3(A)中に示す導電性パターン11(図2に示す細線状の導電性パターン11a,11bに対応)は、前記半透光部23を構成する半透光膜26で構成されている。本実施の形態では、上記導電性パターン11を半透光部23と同じ導電性を有する半透光膜26により形成することにより、半透光部を作製する工程を利用して、上記半透光膜により形成される導電性パターン11を共に作製することが可能である。該細線状の導電性パターンの線幅は、該パターンが被転写体に転写されない程度のものとする。
本実施の形態に使用するマスクブランクは、透明基板24上に例えば導電性を有するモリブデンシリサイドを含む半透光膜26と、例えばクロムを主成分とする遮光膜25がこの順に形成され、その上にレジストを塗布してレジスト膜27が形成されている(図4(a)参照)。
また、半透光膜26は、透明基板24の露光光の透過量に対し50〜20%程度の透過量を有するものである。上記半透光膜26としては、本実施の形態の場合においては、導電性を有するMo化合物、Cr、W、Al等が挙げられる。このうち、Mo化合物としては、MoSixのほか、MoSiの窒化物、酸化物、酸化窒化物、炭化物などが含まれる。これらの化合物の組成を決定するに際しては、金属含有量を調整することにより、静電破壊を防止しえる導電性をもつものとする。また、形成されるマスク上の半透光部の透過率は、上記半透光膜26の膜材質と膜厚との選定によって設定される。
本実施の形態ではスパッタ成膜によるモリブデンシリサイドを含む半透光膜(露光光透過率50%)、及び、クロムを主成分とする遮光膜をそれぞれ採用した。
まず、上記マスクブランクのレジスト膜27に対し、所定のデバイスパターン(遮光部及び半透光部並びに導電性パターン11に対応する領域にレジストパターンを形成するようなパターン)を描画する。描画には、通常電子線又は光(短波長光)が用いられることが多いが、本実施の形態ではレーザー光を用いる。従って、上記レジストとしてはポジ型フォトレジストを使用する。そして、描画後に現像を行うことにより、遮光部及び半透光部並びに導電性パターンの領域に対応するレジストパターン27を形成する(図4(b)参照)。
なお、遮光部21、透光部22、半透光部23、及び導電性パターン11のパターン形状はあくまでも代表的な一例であって、本発明をこれに限定する趣旨ではないことは勿論である。
このような観点から、上記透明導電膜29は、例えば、アンチモン(Sb)、スズ(Sn)、インジウム(In)から選ばれる少なくとも1つの元素を含む化合物で形成されることが好ましい。このような化合物は、本発明に好適な導電性を有し、また適当な膜厚を選定することにより、80%以上の高い露光光透過率が得られ、さらにマスク作製時のエッチング、洗浄等に対する良好な耐性を有する。具体的には、酸化アンチモンすず等が好ましく挙げられる。
また、本実施の形態では、上記導電性パターン11を遮光部21と同じCr等の導電性を有する遮光膜25により構成することにより、例えば最初に透明基板24上に遮光膜25を形成したマスクブランクを用いて遮光部を作製する工程を利用して、上記遮光膜により形成される導電性パターン11を作製することが可能である。
更にこのとき、半透光膜23の素材は、導電性であることが好ましい。導電性パターン11によって、互いに孤立した各パターンは連結され、等電位となるが、積層されたパターン全体(上下方向)が等電位になることがより好ましいからである。
なお、図3(C)においては、遮光膜上に半透光膜を積層して遮光部を形成しているが、積層は逆でも良い。
上記透明導電膜29は、前述の実施の形態2の場合(図3(B)参照)と同様、本発明による効果を奏するような導電性を有し、露光光透過率の高いものであれば特に材質は制約されない。具体的な材質としては、実施の形態2で挙げたものと同様である。透明導電膜29は、導電性の半透光性の膜であっても良く、遮光膜より露光光透過率の高いものであれば良い。このようなバイナリマスクは、一般の多階調マスク(グレートーンマスク)と同様のプロセスにより、作製することができる。
11 導電性パターン
11a,11b,12a,12b 細線状の導電性パターン
20 グレートーンマスク
21 遮光部
22 透光部
23 半透光部
24 透明基板
25 遮光膜
26 半透光膜
27,28 レジストパターン
29 透明導電膜
30 被転写体
33 被転写体上のレジストパターン
Claims (8)
- 被転写体上に所望の転写パターンを形成するためのマスクパターンを透明基板上に有するフォトマスクにおいて、電気的に孤立するマスクパターン間を互いに連結する、所定線幅の導電性パターンであって、露光光に対する透過率が所定値以下の透光膜又は半透光膜からなる導電性パターンを有することを特徴とするフォトマスク。
- 透明基板上に遮光部と、透光部と、マスク使用時に用いられる露光光の透過量を所定量低減する半透光部とからなるマスクパターンを有し、マスクを用いて被転写体に露光光を照射する際、被転写体に対する露光光の照射量を部位によって選択的に低減し、被転写体上のフォトレジストに、残膜値の異なる部分を含む所望の転写パターンを形成するための多階調フォトマスクにおいて、
前記遮光部は、少なくとも遮光膜により形成され、
前記半透光部は、少なくとも露光光の一部を透過する半透光膜により形成され、
電気的に孤立するマスクパターン間を互いに連結する、所定線幅の導電性パターンを有することを特徴とするフォトマスク。 - 前記導電性パターンは、該半透光部を形成する半透光膜と同一の材料からなることを特徴とする請求項2記載のフォトマスク。
- 前記導電性パターンは、露光光を前記フォトマスクに照射し、マスクパターンを被転写体上に転写し、被転写体上のレジストを現像し、レジストパターンを形成したときに、該レジストパターン中に出現しないような線幅を有する透光性、又は半透光性であることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか一に記載のフォトマスク。
- 前記導電性パターンの部分は、露光光透過率が、20%以上60%以下の半透光膜により形成されたことを特徴とする請求項1乃至4のいずれか一に記載のフォトマスク。
- マスクパターン間を連結する前記導電性パターンを複数とすることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか一に記載のフォトマスク。
- 透明基板上に順に半透光膜と遮光膜を形成したマスクブランクを用いて、フォトリソグラフィー法により前記半透光膜と遮光膜にそれぞれ所望のパターニングを行い、遮光部と、透光部と、マスク使用時に用いられる露光光の透過量を所定量低減する半透光部とからなるマスクパターンを形成する工程を有するフォトマスクの製造方法において、
前記半透光膜のパターニングの際に、電気的に孤立する半透光膜パターンを互いに連結する、所定線幅の導電性パターンを形成することを特徴とするフォトマスクの製造方法。 - 請求項1乃至6のいずれかに記載のフォトマスク又は請求項7に記載の製造方法によるフォトマスクを用いて、被転写体に露光光を照射し、被転写体上に所望の転写パターンを形成することを特徴とするパターン転写方法。
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