TWI679489B - 用於防止靜電破壞的空白遮罩和光遮罩 - Google Patents

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Abstract

本發明涉及一種用於防止靜電破壞的空白遮罩及光遮罩。空白遮罩在透明基板上具有至少一層金屬化合物膜以形成光遮罩圖案。金屬化合物膜包含：金屬膜，形成於透明基板上；以及非電氣化膜，形成於金屬膜上，非電氣化膜防止因圖案之間的在表面上積聚的電荷的差所引起的靜電放電所導致的對圖案的破壞。有可能通過在沒有額外薄膜製造製程的情況下改進形成空白遮罩的金屬化合物膜中的電阻成分來使光遮罩的金屬化合物膜圖案之間的由光蝕刻製程期間的反覆接觸或處理所產生的靜電最小化來防止對轉移圖案的破壞，且還可避免修正和重新製造光遮罩的成本。

Description

用於防止靜電破壞的空白遮罩和光遮罩
本發明是有關於一種用於防止靜電破壞的空白遮罩和光遮罩，且特別是有關於一種用於防止靜電破壞的空白遮罩和光遮罩，所述空白遮罩和光遮罩可在光蝕刻和光遮罩處理期間防止由形成光遮罩的金屬化合物圖案所產生的靜電所導致的對圖案的破壞。
通過光蝕刻（一種用以使用光遮罩來轉移圖案的製程）來製造半導體積體電路（大規模集成（large-scale integration；LSI））裝置或平板顯示器（flat-panel display；FPD）裝置。
空白遮罩通常是由複合矽石玻璃製成的透明基板，其中形成含有金屬材料和光蝕刻膠膜的金屬膜或金屬化合物膜。光遮罩具有通過使空白遮罩的薄膜圖案化所形成的金屬或金屬化合物圖案。取決於所要求的光學特性，薄膜包含光遮罩膜、抗反射膜、相移膜、半透射膜、反射膜等。空白遮罩包含以上薄膜中的至少一個，且通過使這些膜圖案化成所需形狀來製造具有轉移圖案的光遮罩。
光遮罩用以通過接觸或非接觸光蝕刻將圖案轉移到目標基板上來形成裝置結構。在這種情況下，歸因於在光蝕刻製程期間光遮罩的反覆使用，靜電電荷在光遮罩上積聚，且如果圖案之間的電荷差超過擊穿電壓，那麼圖案之間產生的靜電損壞光遮罩上的圖案。具體地說，圖案越獨立，鄰近圖案的電位差越高，導致靜電放電的損壞越大。這導致必須修正具有已損壞圖案的光遮罩或丟棄光遮罩的問題。
在常規空白遮罩和光遮罩中，在含金屬薄膜的頂部或底部上形成用於方便電荷移動的透明導電膜，以便減少靜電積聚。然而，導電膜的使用導致，由於在整個透明基板上形成導電膜，所以用於曝光的光的透射降低，進而不可避免地降低曝光效率。此外，這種方法要求用於形成透明導電膜的額外製程，這導致因額外的設備和製程時間所致的不可避免的製造成本上升。
本發明提供一種用於防止靜電破壞的空白遮罩和光遮罩，所述空白遮罩和光遮罩可通過防止電荷在空白遮罩的金屬化合物圖案的表面上積聚來防止由光蝕刻中的靜電所導致的圖案損壞。
本發明還提供一種用於防止靜電破壞的空白遮罩和光遮罩，所述空白遮罩和光遮罩可因不降低光遮罩的透射而保持曝光效率，且避免由靜電所導致的圖案破壞所引發的修正和重新製造光遮罩的不必要品質成本。
根據本發明的用於防止靜電破壞的空白遮罩在透明基板上具有至少一層金屬化合物膜以形成光遮罩圖案，金屬化合物膜包含：金屬膜，形成於透明基板上；以及非電氣化膜，形成於金屬膜上，所述非電氣化膜防止因圖案之間的在表面上積聚的電荷的差所引起的靜電放電所導致的對圖案的破壞。
金屬化合物膜通過在金屬膜上方和下方形成非電氣化膜來製成，或由非電氣化膜構成。
金屬化合物膜具有1,000歐姆或大於1,000歐姆的表面電阻。
金屬化合物膜相對於具有包含i射線、h射線以及g射線的組合波長的曝光光而具有2.5到5.0的光學密度。
金屬化合物膜由以下鉻（chromium；Cr）化合物中的一種構成：CrO、CrN、CrC、CrON、CrCO、CrCN以及CrCON。
非電氣化膜必定含有氧（oxygen；O），且金屬化合物膜的含氧（O）部分佔據整個膜厚度的50%。
非電氣化膜具有氧（O）為1原子%到90原子%、氮（nitrogen；N）為0原子%到90原子%以及碳（carbon；C）為0原子%到50原子%的組成。
金屬膜是至少一層膜，包含以下中的一個或多個：光遮罩膜、抗反射膜、相移膜、半透射膜、硬遮罩膜、反射膜以及導電膜。
為讓本發明的上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。
根據本發明的實施例的用於防止靜電破壞的空白遮罩和光遮罩是用於製造平板顯示器（FPD）裝置和半導體裝置的空白遮罩和光遮罩，所述平板顯示器裝置包含液晶顯示器（liquid-crystal displays；LCD）、電漿顯示板（plasma display panels；PDP）以及有機發光二極體（organic light-emitting diodes；OLED），以及半導體裝置。用於使用空白遮罩在光遮罩上形成轉移圖案的曝光製程指代常用曝光製程。
圖1是根據本發明的第一示例性實施例的用於防止靜電破壞的空白遮罩的橫截面圖。圖2是通過使用圖1的空白遮罩來製造的用於防止靜電破壞的光遮罩的橫截面圖。
參考圖1，根據本發明的空白遮罩100包含透明基板102和堆疊在透明基板102上的至少一層金屬化合物膜108。
透明基板102是（例如）其一側為300毫米或大於300毫米的矩形透明基板，且可以是複合矽石玻璃基板、鈉鈣（soda-lime）玻璃基板、無鹼玻璃基板、低膨脹玻璃基板等。
取決於所要求的光學特性，金屬化合物膜108是以下中的至少一個：光遮罩膜、抗反射膜、相移膜、半透射膜、硬遮罩膜、反射膜、導電膜以及非電氣化膜。通過使具有這種結構的空白遮罩100圖案化來製造圖2的光遮罩200。
同時，在用於製造FPD裝置和半導體裝置的曝光製程中，通過以下機制在由光遮罩200的透明基板102上的金屬化合物製成的轉移圖案110與轉移圖案120之間產生靜電。
材料通常具有形成材料的粒子、在粒子之間自由移動的自由電子以及由粒子（原子和分子）之間的電力束縛的束縛電子。促進靜電產生的自由電子通過光能、熱能、動能等從粒子釋放。在這裡，釋放自由電子所需的最小能量稱為功函數。如果兩個不同材料（A和B）彼此移動靠近，那麼由於兩個材料之間的功函數差而在接觸表面處存在接觸電位差。也就是說，如果兩個材料A和B彼此移動靠近，那麼電子可從一個表面移動到另一個表面。因此，具有更高功函數的表面具有負電荷（-），且具有更低功函數的表面具有正電荷（+）—例如，表面A具有正電荷（+），且表面B具有負電荷（-）。
不同的材料具有不同的功函數值，且取決於材料與之碰觸或與之分離的材料的類型來產生正電荷或負電荷。這些材料在稱為摩擦電序（triboelectric series）的表中列出。由於功函數隨著吸附到材料表面上的水分、雜質存在與否等等而變化，所以這些材料在摩擦電序中的位置不總是相同的。由摩擦或摩擦力所引起的起電受摩擦電序中的材料的相對位置影響。如果兩個物體在一起碰觸或摩擦，那麼接近序列上的（+）側的材料將獲得較多正電荷且接近序列上的（-）側的材料將獲得較多負電荷。兩個材料在摩擦電序上彼此相距越遠，就越容易產生靜電且電荷量越大。
存在若干類型的靜態起電：摩擦起電、剝離起電（detachment electrification）、流動起電、滲出起電（effusion electrification）、碰撞起電、破壞性起電等。摩擦起電是一種由於電荷分離且通過兩個物體的摩擦或由摩擦所導致的所述物體的接觸位置位移來重新佈置而產生靜電的現象。剝離起電是一種現象，其中由於拉開粘合在一起的物體時電荷分離而產生靜電。在剝離起電中，靜電的量隨著接觸面積、接觸表面之間的粘合力、剝離速度等而變化，分離起電通常比通過摩擦產生更多靜電。流動起電是一種當在管道或類似物中運送流體時產生靜電現象。在這種情況下，流體的移動速度顯著影響靜電產生。滲出起電是一種當粉末、流體以及氣體從具有小的橫截面積的開口滲出時通過摩擦來產生靜電的現象。碰撞起電是一種當粒子（例如粉末）之間或粒子與固體之間發生快速接觸或分離時產生靜電的現象。破壞性起電是一種由於當物體（例如固體或粉末）毀壞時電荷分離或正電荷與負電荷的不平衡而產生靜電的現象。
通常，可通過例如接觸表面減小、介電係數調整、表面電阻減小、分離速度調整、空氣濕度調節以及接地的多種方法來減少靜電電荷。接觸表面減小是考慮到靜態起電是表面現象而通過減小所分離固體的接觸表面來減少起電電荷的量的方法。介電係數調整是由於靜態起電取決於功函數所以謹慎地選擇在材料之間不具有功函數差的材料的方法。具有低介電係數的材料通常帶負電荷，且具有高介電係數的材料通常帶正電荷。表面電阻減小是取決於物體的表面電阻通過減小電阻來耗散由分離非導電物體所產生的電荷的方法。空氣濕度調節是使用隨空氣中的濕度而變化的表面電阻的方法。空氣中相對低的濕度通常導致高表面電阻。接地是使得存儲在物體上的靜電流動到地面的方法，在這種情況下當物體是具有106歐姆·米或低於106歐姆·米的電阻率的導體時靜電通常接地。
參考圖2，光遮罩200具有表面積不同的各種形狀的圖案110和圖案120，且靜電放電由於圖案110與圖案120之間的在表面上積聚的電荷的差而發生，因此引起對圖案110和圖案120的破壞。
在本發明中，作為調整介電係數的方式，通過增加形成空白遮罩的金屬化合物膜120中的電阻成分來減少起電電荷的量。此外，通過減小不同大小的光遮罩圖案110和光遮罩圖案120的表面之間的電荷的差來增大擊穿電壓，進而解決由靜電所導致的圖案破壞的問題。
參考圖1，金屬化合物膜108包含金屬膜104和非電氣化膜106。
在這裡，取決於所要求的光學特性，金屬膜104可以是至少一層膜，包含以下中的一個或多個：光遮罩膜、抗反射膜、相移膜、半透射膜、硬遮罩膜、反射膜以及導電膜。根據本發明的實例金屬膜可以是用於遮罩在光蝕刻中所使用的曝光光的光遮罩膜。
非電氣化膜106用以通過改進電阻成分來使光遮罩的轉移圖案110與轉移圖案120之間的由光蝕刻製程期間的反覆接觸或處理所產生的靜電最小化來防止對轉移圖案110和轉移圖案120的破壞。
通過使用由金屬或金屬化合物製成的靶材的濺射製程形成包含金屬膜104和非電氣化膜106的金屬化合物膜108。通過在濺射製程中引入的例如氧（O）、氮（N）以及碳（C）的非反應氣體和反應氣體的類型和數量來控制金屬化合物膜108的光學、物理以及化學屬性。
根據本發明的金屬膜104和非電氣化膜106可由一種化合物構成，所述化合物含有以下金屬中的一種或多種：鋁（aluminum；Al）、鈷（cobalt；Co）、鎢（tungsten；W）、鉬（molybdenum；Mo）、釩（vanadium；V）、鈀（palladium；Pd）、鈦（titanium；Ti）、鉑（platinum；Pt）、錳（manganese；Mn）、鐵（iron；Fe）、鎳（nickel；Ni）、鎘（cadmium；Cd）、鋯（zirconium；Zr）、鎂（magnesium；Mg）、鋰（lithium；Li）、硒（selenium；Se）、銅（copper；Cu）、釔（yttrium；Y）、硫（sulfur；S）、銦（indium；In）、錫（tin；Sn）、硼（boron；B）、鈹（beryllium；Be）、鈉（sodium；Na）、鉭（tantalum；Ta）、鉿（hafnium；Hf）以及鈮（niobium；Nb），且進一步含有以下輕元素中的一種或多種：氮（N）、氧（O）、碳（C）、硼（B）以及氫（hydrogen；H），或所述金屬膜和所述非電氣化膜可由除了以上金屬中的一種或多種以外還含有矽的金屬矽化物構成，或可由除了金屬矽化物以外還含有以上輕元素的金屬矽化物化合物構成。舉例來說，根據本發明的金屬膜104和非電氣化膜106由以下鉻（Cr）化合物中的一種構成：CrO、CrN、CrC、CrON、CrCO、CrCN以及CrCON。
對金屬膜104和非電氣化膜106來說，取決於氮（N）含量和氧含量，電阻特性與光遮罩屬性彼此成反比。因此，需要使用不同氣體或相同氣體的不同組成物來形成金屬膜104（即，光遮罩膜）和非電氣化膜106。
如上文所描述，金屬膜104由除了金屬以外還進一步含有以下輕元素中的一種或多種的化合物構成：氮（N）、氧（O）、碳（C）、硼（B）以及氫（H）。如果金屬膜104是光遮罩膜，那麼所述金屬膜104的組成可以是0原子%到50原子%的氧（O）、0原子%到50原子%的氮（N）以及0原子%到50原子%的碳（C）。
優選地，非電氣化膜106由必定含有氧（O）以使起電最小化且進一步含有以下輕元素中的一種或多種的化合物構成：氮（N）、碳（C）、硼（B）以及氫（H）。在這種情況下，非電氣化膜106可具有氧（O）為1原子%到90原子%、氮（N）為0原子%到90原子%以及碳（C）為0原子%到50原子%的組成。
金屬膜104和非電氣化膜106可具有以下結構中的一個：具有均勻組成物的單層膜、組成物或組成物比率不同的連續單層膜、具有相同組成物的多層膜以及具有兩個或大於兩個層的多層膜或具有不同組成物的連續膜。在這裡，可通過在電漿體存在時的濺射製程期間改變例如反應氣體、功率以及壓力的製程變數來形成連續膜。
取決於所要求的薄膜類型，金屬膜104具有50埃到1,000埃的厚度，且非電氣化膜106具有500埃到2,500埃的厚度。舉例來說，如果將金屬膜104用作遮罩曝光光的光遮罩膜，那麼金屬膜104或金屬膜104和非電氣化膜106的堆疊結構相對於具有包含i射線、h射線以及g射線的組合波長的曝光光而具有2.5到5.0的光學密度，且具有符合這一光學密度的厚度。
圖1中所繪示的金屬膜104和非電氣化膜106的堆疊結構或圖2中所繪示的所述金屬膜和所述非電氣化膜的圖案化堆疊結構104a和圖案化堆疊結構106a具有1,000歐姆或高於1,000歐姆的表面電阻。因此，可使由起電所導致的圖案損壞最小化。
圖3是根據本發明的第二示例性實施例的用於防止靜電破壞的空白遮罩的橫截面圖。
根據這一示例性實施例的空白遮罩300可包含透明基板102、在透明基板102上形成的金屬膜104以及在金屬膜的104上方和下方形成的非電氣化膜106。
如在圖1的前述示例性實施例中，金屬膜104由除了金屬以外還進一步含有以下輕元素中的一種或多種的化合物構成：氮（N）、氧（O）、碳（C）、硼（B）以及氫（H）。如果金屬膜104是光遮罩膜，那麼所述金屬膜104的組成可以是0原子%到50原子%的氧（O）、0原子%到50原子%的氮（N）以及0原子%到50原子%的碳（C）。優選地，非電氣化膜106由必定含有氧（O）以使起電最小化且進一步含有以下輕元素中的一種或多種的化合物構成：氮（N）、碳（C）、硼（B）以及氫（H）。在這種情況下，非電氣化膜106可具有氧（O）為1原子%到90原子%、氮（N）為0原子%到90原子%以及碳（C）為0原子%到50原子%的組成。
取決於所要求的薄膜類型，金屬膜104具有50埃到2,000埃的厚度，且非電氣化膜106具有500埃到3,000埃的厚度。圖1中所繪示的金屬膜104和非電氣化膜106的堆疊結構或所述金屬膜和所述非電氣化膜的圖案化堆疊結構具有1,000歐姆或高於1,000歐姆的表面電阻。因此，可使由起電所導致的圖案損壞最小化。
圖4是根據本發明的第三示例性實施例的用於防止靜電破壞的空白遮罩的橫截面圖。
參考圖4，根據本發明的用於防止靜電破壞的空白遮罩400可包含在透明基板102上方形成的非電氣化膜106。
優選地，非電氣化膜106由必定含有氧（O）以使起電最小化且除了金屬以外還進一步含有以下輕元素中的一種或多種的化合物構成：氮（N）、碳（C）、硼（B）以及氫（H）。在這種情況下，非電氣化膜106可具有氧（O）為1原子%到90原子%、氮（N）為0原子%到90原子%以及碳（C）為0原子%到50原子%的組成。
金屬膜104和非電氣化膜106可具有以下結構中的一個：具有均勻組成物的單層膜、組成物或組成物比率不同的連續單層膜、具有相同組成物的多層膜以及具有兩個或大於兩個層的多層膜或具有不同組成物的連續膜。
取決於所要求的薄膜類型，非電氣化膜106具有50埃到4,000埃的厚度。舉例來說，如果將非電氣化膜106用作遮罩曝光光的光遮罩膜圖案，那麼非電氣化膜106相對於具有包含i射線、h射線以及g射線的組合波長的曝光光而具有2.5到5.0的光學密度，且具有符合這一光學密度的厚度。非電氣化膜106具有1,000歐姆或高於1,000歐姆的表面電阻。因此，可使由起電所導致的圖案損壞最小化。
在本發明的前述示例性實施例中，非電氣化膜106必定含有氧（O）。在這種情況下，包含金屬膜104和非電氣化膜106中的任一個或兩個的金屬化合物膜108的含氧（O）部分佔據金屬化合物膜108的整個厚度的50%。
包含金屬膜104和非電氣化膜106中的任一個或兩個的金屬化合物膜108具有防止起電的足夠電阻、針對在光蝕刻中所使用光源的足夠光遮罩屬性、對透明基板102和光蝕刻膠的足夠粘合性以及對清洗製程中所使用的酸/鹼的高化學抗性。
根據本發明，有可能通過在沒有額外薄膜製造製程的情況下改進形成空白遮罩的金屬化合物膜中的電阻成分來使光遮罩的金屬化合物膜圖案之間的由光蝕刻製程期間的反覆接觸或處理所產生的靜電最小化來防止對轉移圖案的破壞，且還可避免修正和重新製造光遮罩的成本。
雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明的精神和範圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本發明的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。
100、300、400‧‧‧空白遮罩
102‧‧‧透明基板
104‧‧‧金屬膜
104a、106a‧‧‧圖案化堆疊結構
106‧‧‧非電氣化膜
108‧‧‧金屬化合物膜
110、120‧‧‧圖案/光遮罩圖案/轉移圖案
200‧‧‧光遮罩
圖1是根據本發明的第一示例性實施例的用於防止靜電破壞的空白遮罩的橫截面圖。 圖2是通過使用圖1的空白遮罩來製造的用於防止靜電破壞的光遮罩的橫截面圖。 圖3是根據本發明的第二示例性實施例的用於防止靜電破壞的空白遮罩的橫截面圖。 圖4是根據本發明的第三示例性實施例的用於防止靜電破壞的空白遮罩的橫截面圖。

Claims (18)

  1. 一種在透明基板上具有至少一層金屬化合物膜以形成光遮罩圖案的用於防止靜電破壞的空白遮罩，所述金屬化合物膜包括：金屬膜，形成於所述透明基板上；以及非電氣化膜，形成於所述金屬膜上，所述非電氣化膜防止因所述圖案之間的在表面上積聚的電荷的差所引起的靜電放電所導致的對所述圖案的破壞。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的用於防止靜電破壞的空白遮罩，其中所述金屬膜具有50埃到2,000埃的厚度，以及所述非電氣化膜具有500埃到3,000埃的厚度。
  3. 一種在透明基板上具有至少一層金屬化合物膜以形成光遮罩圖案的用於防止靜電破壞的空白遮罩，所述金屬化合物膜包括：金屬膜，形成於所述透明基板上；以及非電氣化膜，形成於所述金屬膜的上方以及下方，所述非電氣化膜防止因所述圖案之間的在表面上積聚的電荷的差所引起的靜電放電所導致的對所述圖案的破壞。
  4. 如申請專利範圍第3項所述的用於防止靜電破壞的空白遮罩，其中所述金屬膜具有50埃到1,000埃的厚度，以及所述非電氣化膜具有500埃到2,500埃的厚度。
  5. 如申請專利範圍第1或3項所述的用於防止靜電破壞的空白遮罩，其中形成所述金屬化合物膜的所述金屬膜具有以下結構中的一個：具有均勻組成物的單層膜、組成物或組成物比率不同的連續單層膜、具有相同組成物的多層膜以及具有兩個或大於兩個層的多層膜或具有不同組成物的連續膜。
  6. 如申請專利範圍第1或3項所述的用於防止靜電破壞的空白遮罩，其中所述金屬膜由除了金屬以外還進一步含有以下輕元素中的一種或多種的化合物構成：氮(N)、碳(C)、硼(B)以及氫(H)，以及具有氧(O)為0原子%到50原子%、氮(N)為0原子%到50原子%以及碳(C)為0原子%到50原子%的組成。
  7. 如申請專利範圍第1或3項所述的用於防止靜電破壞的空白遮罩，其中所述金屬膜是至少一層膜，包括以下中的一個或多個：光遮罩膜、抗反射膜、相移膜、半透射膜、硬遮罩膜以及導電膜。
  8. 一種在透明基板上具有至少一層金屬化合物膜以形成光遮罩圖案的用於防止靜電破壞的空白遮罩，所述金屬化合物膜包括在所述透明基板上形成的非電氣化膜，所述非電氣化膜防止因所述圖案之間的在表面上積聚的電荷的差所引起的靜電放電所導致的對所述圖案的破壞。
  9. 如申請專利範圍第8項所述的用於防止靜電破壞的空白遮罩，其中所述非電氣化膜具有50埃到4,000埃的厚度。
  10. 如申請專利範圍第1、3、8項中任一項所述的用於防止靜電破壞的空白遮罩，其中形成所述金屬化合物膜的所述非電氣化膜具有以下結構中的一個：具有均勻組成物的單層膜、組成物或組成物比率不同的連續單層膜、具有相同組成物的多層膜以及具有兩個或大於兩個層的多層膜或具有不同組成物的連續膜。
  11. 如申請專利範圍第1、3、8項中任一項所述的用於防止靜電破壞的空白遮罩，其中所述金屬化合物膜具有1,000歐姆或大於1,000歐姆的表面電阻。
  12. 如申請專利範圍第1、3、8項中任一項所述的用於防止靜電破壞的空白遮罩，其中所述金屬化合物膜相對於具有包括i射線、h射線以及g射線的組合波長的曝光光而具有2.5到5.0的光學密度。
  13. 如申請專利範圍第1、3、8項中任一項所述的用於防止靜電破壞的空白遮罩，其中所述金屬化合物膜由含有以下金屬中的一種或多種的化合物構成，所述化合物包括：鋁(Al)、鈷(Co)、鎢(W)、鉬(Mo)、釩(V)、鈀(Pd)、鈦(Ti)、鉑(Pt)、錳(Mn)、鐵(Fe)、鎳(Ni)、鎘(Cd)、鋯(Zr)、鎂(Mg)、鋰(Li)、硒(Se)、銅(Cu)、釔(Y)、硫(S)、銦(In)、錫(Sn)、硼(B)、鈹(Be)、鈉(Na)、鉭(Ta)、鉿(Hf)以及鈮(Nb)，以及進一步含有以下輕元素中的一種或多種：氮(N)、氧(O)、碳(C)、硼(B)以及氫(H)，或所述金屬化合物膜由除了所述以上金屬中的一種或多種以外還含有矽的金屬矽化物構成，或由除了所述金屬矽化物以外還含有所述以上輕元素的金屬矽化物化合物構成。
  14. 如申請專利範圍第1、3、8項中任一項所述的用於防止靜電破壞的空白遮罩，其中所述金屬化合物膜由以下鉻(Cr)化合物中的一種構成：氧化鉻(CrO)、氮化鉻(CrN)、碳化鉻(CrC)、氮氧化鉻(CrON)、碳氧化鉻(CrCO)、碳氮化鉻(CrCN)以及氮氧碳化鉻(CrCON)。
  15. 如申請專利範圍第1、3、8項中任一項所述的用於防止靜電破壞的空白遮罩，其中所述非電氣化膜含有氧(O)。
  16. 如申請專利範圍第15項所述的用於防止靜電破壞的空白遮罩，其中所述金屬化合物膜的含氧(O)部分佔據整個膜厚度的50%。
  17. 如申請專利範圍第15項所述的用於防止靜電破壞的空白遮罩，其中所述非電氣化膜由除了金屬以外還進一步含有以下輕元素中的一種或多種的化合物構成：氮(N)、碳(C)、硼(B)以及氫(H)，以及具有氧(O)為1原子%到90原子%、氮(N)為0原子%到90原子%以及碳(C)為0原子%到50原子%的組成。
  18. 一種用於防止靜電破壞的光遮罩，包括通過使如申請專利範圍第1、3、8項中任一項所述的用於防止靜電破壞的空白遮罩圖案化所形成的圖案。
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