TW200933289A - Photomask, method of manufacturing the photomask, and method of transferring a pattern - Google Patents

Description

200933289 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於使用遮光罩在被轉印體上的光阻中形 成轉印圖案的圖案轉印方法，以及此圖案轉印方法中使用 的光罩及其製造方法。 【先前技術】 ❹ 現在’液晶顯示裝置（Liquid Crystal Display :以 下稱作LCD)的領域中’薄膜電晶體顯示裝置（Thill FUm

Transistor· Liquid Crystal. Display :以下稱作 TFT-LCD)，相較於CRT(陰極射線管），由於容易薄型化且 消耗電力低的優點’現在急速發展商品化。 TFT-LCD具有的概略構造，係矩陣狀排列的各書素中 排列TFT的構造的TFT基板，與對應各畫素排列紅、綠、 及藍的晝素圖案的彩色濾光器，在液晶層介於其間之下互 Φ 相重疊。1'FT—LCD的製造步驟數多，光是TFT基板就使用 5〜6枚的光罩來製造。 如此的狀況下，提供削減在Tj? τ基板製造中使用的遮 光罩牧數的方法（特開2〇〇5_37933號公報），係使用具有 遮光部、透光部、及半透光部的多I次的光罩（以下稱作 灰階光罩）。在此，所謂半透光部，係指使用遮光罩在被 2印體上轉印圖案之際，使透射的曝光光的透射量減低既 疋量，控制被轉印體上的光阻膜顯像後的殘膜量的部分。 灰階光罩具有透光部，露出透明基板·遮光部，在透 2130-10016-PF 5 200933289 明基板上形成遮住曝光光的遮光膜；半透光部，在透明基 板上形成遮光膜或半透光膜，相較於透明基板的光透射率 假設為100%時，降低透射光量，而透射既定量的光。以半 透光。P ’在冑光膜或半冑光膜上，S冑光條件下形成解析 界限以τ的微細圖帛或是形成具有％定的光透射率的半 透光膜，作為上述的灰階光罩。

另一方面，用於半導體裝置製造中的光罩，在遮光圖 案中產生靜電’電氣獨立的各個圖案間產生電位差，產生 放電引起的靜電破壞問題。因此，已知在各獨立圖案間電 氣連接虛設圖案（特開2003-248294號公報）。 用於上述LCD製造用等的光罩，通常在絕緣體的透明 玻璃基板上，形成鉻等的金屬所構成的遮光膜及半透光 膜並在這些遮光膜及半透光膜上分別施行既定的圖案钱 J而衣化由於遮光罩製造過程中的洗淨、遮光罩使用過 :中的洗淨、或是搬送過程中的處理或摩擦，遮光罩往往 帶電：帶電引起的靜電電位，有時在數十κν或數十_ j靜電氣在遮光罩互相電氣獨立的圖案間放電時，發生 靜電破壞’破壞圖案。破壞的圖案轉印至被轉印體(⑽ 面板等）的話’成為不良品。 、；疋’如上述已知有灰階光罩，在被轉印體上，以形 成膜厚階段性不同的光阻圖案為目的，在圖案上的特定部 位中選擇性降低曝光光的透射率，且可以控制曝光光透射 率的光罩。已知在透射—部分曝光光的半透光部中使用半 透光膜，使用作為上述的灰階光罩。 2130-10016-pf 6 200933289 第6(a)圖，顯示灰階光罩的 # 6^1 BiF ^ 圖，使用具有對曝光 先的既疋先透射率的半透光膜，作 ^ ^ _ ^ ^ μ 下為+透光部。即，第6(a) 使用：光罩，在透明基板24 i，具有遮光部21， 吏用光罩時，遮住(透射率約〇%)曝光光;透光部 :二透射露出透明基板24的表面的曝光光；以及半透光 9n透光部的曝光光透射率為1_時，降低透射率至 〜60%左右。第6(a)圖所示的遮光部21，以透明基板％ 上形成的遮光膜25構成’又半透光部23，以透明基板％ 上形成的先半透射性的半透光膜26構成。又，第6⑷圖 的_2卜透光部22、以及半透光部^的圖案形狀以 一範例顯示。 、於是，使用例如Cr(鉻)或以Cr為主成分的化合物， 作為構成上述遮光部21的遮光膜25的材質。如上述形成 圖案的光罩，由於洗淨、其他使用時的處理等，電氣獨立 的各圖案圖案中容易累積電荷。又，灰階的情況下，具有 _ 料液晶面板製造成本非常有利的優點，但期望低製造成 本時，使用取得多面（從i枚的基板製造複數枚遮光罩的 方法）的大型遮光罩製造的需要愈來愈提高。上述灰階光 罩中，由於電氣獨立的較大面積的圖案在複數個基板上形 成’容易產生圖案間的電位差。而且，因為有電位差變大 的傾向，圖案膜的靜電破壞嚴重❶又，TFT製造用灰階光 罩的情況下，通道部圖案等，隨著圖案的微細化，有容易 產生靜電破壞的狀況。 例如第6(b)圖的箭頭D所示。由於鄰接的遮光部訂 2130-10016-PF 7 200933289 間的電位差引起的放電，遮光媒25的一部分被靜電破壞。 使用上述灰階光罩時的處理中，非預期產生的圖案的 靜電破壞，係使用上述遮光罩形成的被轉印體良率下降j 液晶顯不裝置等的最終製品動作不良的有關重大問題。 因此，㈣使用灰階光罩時的處理中引起_案的靜電 破壞的產生是極重要的課題。 【發明内容】 ❹ 本發明係鑑於上述習知的情況而形成，本發明的第工 目的為提供灰階光罩等的光罩，可以抑制使用遮光罩時的 處理中引起圖案的靜電破壞產生。 本發明的第2目的，係提供圖案轉印方法，使用上述 光罩，在被轉印體上，可以形成無圖案缺陷、高.精度的轉 印圖案。 為了解決上述課題，本發明具有以下的結構。 〇 [結構1] 一種光罩，在透明基板上具有用以在被轉印體 上形成所要的轉印圖案的光罩圖案，其特徵在於：電氣獨 立的光罩圖案之互相連結，係既定線寬的導電性圖案，而 且具有對於曝光光的透射率在既定值以下的透光膜或半 透光膜所構成的導電性圖案。 [結構2] —種光罩，係在透明基板上具有遮光部、透光 部、以及降低使用遮光罩時所用的曝光光的透射量的既定 量的半透光部所構成的光罩圖案，使用遮光罩對被轉印體 照射曝光光之際，根據部位選擇展地降低對被轉印體的曝 2130-10016-PF 8 200933289 光光的照射量，赫鐘e棘 轉p體上的光阻中，用以形成包含 值不同的部分的裕φ & ±± / m . 刀的所要的轉印圖案的多層次光罩，其特徵在 '述遮光。卩至少由遮光膜形成，上述半透光部至少由 透射-部分曝光光的半透光膜形成，電氣獨立的光罩圖案 1互相連、、、„，具有既定線寬的導電性圖案。 構3]根據結構2所述的光罩，其特徵在於：上述導 電性圖案，由與形成卜冰生泳、丨，a 、 攻半透光°卩的半透光膜相同的材料 ❹ 所構成。 構4]根據結構丨〜3巾任—結構所述的光罩，其特徵 在於”、、射曝光光至上述光罩，轉印光罩圖案至被轉印 體，顯像被轉印體上的光阻，形成光阻圖案時，上述導電 陡圖案具有上述光阻圖案中不出現的線寬的透光性 透光性。 [結構5]根據結構卜4中任—結構所述的光罩，其特徵 在於’上述導電性圖案的部分，曝光光透射率由咖以上 60%以下的半透光膜所形成。 [結構6]根據結構卜5中任_結構所述的光罩，其特徵 在於.連結光罩圖案間的上述導電性圖案為複數。 [、‘構7] 一種光罩的製造方法，具有形成光罩圖案步驟， 使用透明基板上依序形成半透光膜與遮光膜的光罩，以微 〜成像術^別對上述半透光膜與遮光膜進行所要的圖案 ㈣’形成遮光部、透光部、以及降低使用遮光罩時所用 的曝光光的透射量的既定量的半透光部所構成的光罩圖 案八特徵在於.上述半透光膜的圖案姓刻之際，互相連

2130-10016-PF 9 200933289 結電氣獨立的半透光膜圖案，形成既定線寬的 案。 任圓 [結構8] -種圖案轉印方法，其特徵在於：使㈣ 〜6中任—結構所述的光罩或結構7中所述的製造方法 產生的光罩，照射曝光光至被轉印體，在被轉印體上= 所要的轉印圖案。 ；成 Ο 根據本發明的光罩，在透明基板上具有用以 轉印體上所要的轉印圖案的光罩圖案，至少-部分 圖案間以具有既定線寬的導電性圖案連結。 上述光罩，在例如透明基板上具有遮光部、透光部、 以及降低使用遮光軍時所用的曝光光的透射量的既 的半透光部所構成的光罩圖案，使用光罩照射曝光光至= 轉印體之際’根據部位選擇性地降低對被轉印體 的照射量，被轉印體上的光阻中，用以形成包含殘膜= 同的部分的所要的轉印圖案的多層次(灰階)光罩。又 述光罩係在例如透明基板上具有遮光部及 的光罩圖案的雙光罩。 尤丨所構成 如此的光罩中，基板面内的各光罩圖案 ::的例:遮光部，通過導電性圖案，成為電氣等電:積 光罩時IT易產生圖案間的電位差，可以有效抑制使用遮 時的處理中引起圖案的靜電破壞發生。 白利用透明基板上全面形成半透光膜與遮光膜的空 ==中胃_的_行圖案㈣，形成光軍的遮光罩 ’ i述半透光膜的圖案蝕刻之際，藉由形成本 2130-10016-pf 10 200933289 發明的導電性圖案，除 引起的圖案的靜電破壞 中引起圖案的靜電破壞 了抑制使用上述遮光罩時的處理中 ，還可以有效抑制遮光罩製作階段 ……性圖案，以具有對曝光光的透射性的 ==有對曝光光的半透射性的半透光膜形成時， 更低電阻化，可以確實抑制靜電破壞。又， 可以降低導電性圖案切斷的危險性。 又，^列如灰階光罩的情況下，藉由以具有導電性的半 透光膜形成半透光部，利 -步驟製作以上述半透光膜丰透光膜，可以在同 I干逍先膜形成的導電性圖案。 體^㈣上述本發明的光罩，進行㈣轉印至被轉印 體’藉此可以在被榦如牌於 圖案。 *破轉印體形成無圖案缺陷、高精度的轉印 【實施方式】 1 …根據圖面說明用以實施本發明的最佳實施例。 第1圖係用以說明传用女 ^ n ^ μ ^ 本發明的一實施例的灰階光罩 == 方法的剖面圖。第丨圖所示的灰階光罩2。，係 33。在被^冑3G上’形成膜厚階段性不同的光阻圖案 中堆^在」圖中的符號32A、32B係指示在被轉印體30 中堆疊在基板31上的膜。 光罩=圖Γ的灰階光罩2G，在透明基板24上，具有 先罩圖案，由以下所構成：遮光部21，使用上述灰階光罩

2130-100J5-PF 200933289 2〇時遮住曝光光（透射率約n);透光部22，透射露出透 明基板24表面的曝光光’·以及半透光部23，透光部的曝 光光透射率為簡時，降低透射率至1G〜m左右。曝光 光透射率如果是2〇〜⑽，由於被轉印體上的光阻圖案形 成的條件中產生自由度，會更理想。第所示的半透光 邛23，以透明基板24上形成的光半透射性的半透光膜μ 構成，遮光部21錢㈣成的上料透光膜^及遮光膜 在 2 5構成。 響 使用上述的灰階光罩2〇時，遮光部21中實質上不透 射曝光光，半透光部23中降低曝光光。因此，在被轉印 體30上塗佈的光阻膜(正型光阻膜），轉印後，經過顯像 時’對應遮光部21的部分膜厚變厚，對應半透光部23的 部分膜厚變帛，對應透光部22 #部分沒有膜（殘膜實質上 不產生），即，可以形成膜厚階段性不同（即，有段差）的 光阻圖案33。 © 於是，在第1圖所示的光阻圖t 33無膜的部分，對 被轉印體30中的例如膜32A及32B實施第j钱刻，以灰 化等除去薄的光阻圖案33的膜厚部分，此部分中，對被 轉印體30中的例如臈32B實施第2蝕刻。於是，使用工 枚的灰階光罩20’藉由在被轉印體3〇上形成膜厚階段性 不同的光阻圖案33 ’實施習知的2枚光罩的步驟，削減了 遮光罩枚數。 第2圖係本發明的一實施例的灰階光罩的平面圖。 l〇a、10b、10c分別為用以製造獨立的顯示裝置的光罩圖 2130-10016-PF 12 200933289 案，在此，一枚透明基板24上有3面，模式顯示設3面 的光罩。 1 1 〇c的各光罩圖案中，包含多數例如TFT製造用 的圖案。這些分別具有遮光部、透光部、半透光部。例如， =用上述灰階光罩時遮住曝光光（透射率約的遮光 :透光°卩的曝光光透射率為100%時透射率為〜 最好降低至20〜60%左右的半透光部，在透明基板24上形 〇成。於是，各光罩圖案間，在此例如以2條細線狀的導電 性圖案11a與12a、lib與12b連結。 如此的灰階光罩中，|板面内的各光罩圖案中例如容 易累積電荷的遮光部，通過上述導電性圖案，成為電氣等 電位。因此’由於各光罩圖案間變得難以產生電位差，可 以有效抑制例如使用光罩時的處理中引起圖案的靜電破 壞發生。 例如’由於液晶基板大型化，各液晶面板製造用的光

罩圖案大型化。如此的大型’且電氣獨立的圖案，容易累 積非常大的電荷’這些在較接近的位置時，容易產生放電 引起的靜電破壞。 使用光罩圖案，最終得到電子裝置。電子裝置的圖案 中’常常形成容易產生靜電破壞的位置，如此的位置中， 可能設置以防止靜電破壞為目的的圖案。以下，假設這種 圖案稱作ESD圖案。FSD m ,, 圖案中’例如電氣獨立的圖案間 配置在較接近的位置。藉由如此的配置，不是防止靜電放 電發生，而是促使發生，纟士 $ ,, 货玍結果，防止大電荷的累積，可以 2130-i〇〇]_g_pp 13 200933289 T止電子裝置的靜電破壞。不過，由於這種咖圖 光罩中也具有容易放電的性質’ESD圖案有可能成 =生靜電破壞的原因。因此，對於轉印⑽圖案的光罩 圖案，應用本發明的導電性圖案特別理想。 又，電氣獨立的圖案間，有角部，這些角 案間最接近的位置時，容易產生靜雷破# n 述圖 # *易產生靜電破壞。因此，這些圖 案之間，以本發明的導電性圖案連結著是有利的。 ❹ ^述導電性圖案lla與12a、爪與瓜可心例如 而導電性材料的細線圖案形成。在此，導電性圖案最好a :轉印至被轉印體上’即顯像後實質上不出現作為被轉^ 上的先阻圖案的圖案線寬。本發明的導電性圖案 光膜構成時，曝光條件下最好為解析界限以下（例如、 瓜（微米））以下）的線寬。本發明的導電性圖案，對 光，當半透光性至透光性時，難以轉印至被轉印體，露光 條件下不必一定要解析界限以下(例如約1…下)的線 ❹宽最好疋1/zm〜5Am左右。又，如果是透光性膜的話、、， 顯然線寬可以更大。根據本發明，即使是細線圖案，也可 以擴大寬度’可以成為更低電阻化’可以確實地抑制靜電 破壞。又’以半透光膜形成本發明的導電性圖案，如後述， 有製造上的優點。 於是，連結各光罩圖案間的上述導電性圖案，例如是 1處（1條）也可以’如第2圖所示’由於導電性圖案為複 數’具有以下的優點。即，與光罩圖案相同，根據使用微 影成像術的圖案勉刻製作細線狀的導電性圖案之際，假如

2130-10016-PF 14 200933289 哪裡斷線時’複數中的任何其他導電性圖案是有效的，可 以達到本發明的效果。 第3(A)、（B)、（〇都是顯示應用本發明於灰階光 的實施例的剖面圖。 第3(A)圖所不的第—實施例，連結各光罩圖案間的上 达導電性圖案以半透光臈形成。如此的灰階光罩，在透明 上形成的光罩圖案的構成為遮光部21，使用上 β述灰階光罩時，遮住（透射率約〇%)曝光光；透光部22， 透射露出透明基板24表面的曝光光；以及半透光部㈡， 透光Ρ的曝光光透射率為1〇⑽時降低透射率至〜 半透光部23 ’以半透光膜26構成，在透明基板μ 上形成且具有光半透射性的導電性，遮光部21由依序形 成的^述半透光膜26及遮光膜25所構成。於是，第3(α) 圖所π的導電性圖案j j (對應第2圖所示的細線狀的導 性圖案11a、Ub)，以構成上述半透光部23的半透光膜 ❹26所構成。本實施例中’由於上述導電性圖案U由呈有 與半透光部23相同導電性的半透光膜26所形成，利用製 作+透光部的步驟，可以與上述半透光膜形成的導電性圖 2 11共同製作。上述細線狀的導電性圖案的線寬成為不 轉印至被轉印體的程度。 第4圖顯不根據本發明第一實施例的灰階光罩的製造 步驟剖面圖。 …本實施例中使用的空白遮光罩，在透明基板24上， 以半透光膜26,包含例如具有導電性的碎化翻；以及遮光 2130-10026-pp 15 200933289 託，以例如鉻為主成分；依序形成，其上塗佈光阻 光阻膜27(參考第4(a)圖） ”了以上述Cr(鉻）為主成分的材料，例如（矽）、 :(鶴）、Aldg)等作為遮光膜25的材質。本實施例中，遮 先部的透射率由上述遮錢25與半透絲26的媒材質盘 臈厚的選定來設定。 、、 人

干還光膜26’對透明基板24的曝光光的透射量 具有ίο〜m’最好是2G〜6G%左右的透射量。本實施例 的情況中’例如具有導電性的μ。⑷化合物、Cr、w、A1 等:作為上述半透光膜26。其中，除了 MoSix，包含M〇Si 的虱化物、乳化物、氮氧化物、碳化物等，作| M〇化合 物。決定這些化合物的組合之際，藉由調整金屬含有量， 成為具有能夠防止靜電破壞的導電性。又，形成的遮光罩 上的半透光部的透光部的透射率，由上述半透光膜2 膜材質與膜厚的選定來設定。 本實施例中’分別採用包含藏錢成膜的石夕化銷的半 光膜(曝光光透射率50%)，以及以鉻為主成分的遮光膜。 使用此第4(a)圖所示的空白遮光罩，製作遮光部21、 透光部22以及半透光部23所構成的光罩圖案以及連結 各光罩圖案間的細線狀的導電性圖案丨工。 一育先，對於上述空白遮光罩的光阻膜27,描繪既定的 凡件圖案（對應遮光部及半透光部以及導電性圖案工丄的區 域中’形成光阻圖案的圖案）。描緣中，料，大多使用° 電子線或光（短波長光），本實施例中使用雷射光。因此，

2130-10016-PF 16 200933289 於描繪後進行顯 性圖案的區域的 使用正型光阻作為上述光阻。於是，由 像’形成對應遮光部及半透光部以及導電 光阻圖案27(參考第4(b)圖）。 其次，以上述光阻㈣27 A姓刻光罩，兹刻遮光膜 25,形成遮光膜㈣，接著以域遮光膜圖案為钱刻光 罩’钱刻下層的半透光膜26，露出透光部的區域的透明基 板24,形成透光部。乾蝕刻或是溼蝕刻都可以作為蝕刻^

段，但本實施中利用溼蝕刻。除去殘存的光阻圖案（參 第 4(c)圖）。 μ ' 其次，基板全面形成與上述相同的光阻膜，進行第$ 度描繪。第2度描緣中，描緣既定的圖案以在遮光部及透 光部上形成光阻圖案。描繪後，藉由進行顯像，在對應遮 光部及透光部的區域上形成光阻圖案28(參考第4(d)圖）。 其次，上述光阻圖案28作為蝕刻光罩，蝕刻露出半 透光部及導電性圖案區域上的遮光Μ 25，形成半透光膜 Ο 23及導電性圖案U(參考第4(e)圖）。本實施例中，利用 澄姓刻作為此時的㈣手段。妓，除去殘存的光阻圖 案，在透明基板24上，完成灰階光罩，具有遮光膜21， 由半透光膜26及遮光膜25依序堆疊所構成；透光部22， 露出透明基板24;半透光部23，由半透光膜26構成；以 及導電性圖案11，同樣由半透光膜26所構成（參考第4 圖）。 根據本實施例的上述灰階光罩中，各光罩圖案的上述 遮光部，通過半透光膜26形成的細線狀的導電性圖案 213〇-i〇〇16_pf 17 200933289 u’由於成為電氣等電位，使用遮光罩時的處理中，报難 發生各光罩圖案間的電位差，可以有效抑制使用習知的光 罩時的處理中引起圖案的靜電破壞產生。因此，利用上述 本實施例的灰階光罩，藉由如第^所示進行圖案轉印至 被轉㈣3〇’可以在被轉印體上形成圖案無缺陷、高精度 的轉印圖案（光阻圖案33)。 又’根據本實施例，遮光罩製作中使用的空白遮光 罩’由於在透明基板2“具有上述導電性的半透光膜 二可以有效抑制遮光罩製作步驟中引起圖案的靜電破壞 產生。 又，遮光部21、透光部22、半透光部Μ以及導電性 =二Γ案形狀始終是代表性的一範例，當然主旨並 非限疋本發明於此。 又，第3(B)圖所示的第二實施 的上述導電性圖案以透明導電膜29妒=各光罩圖案間 邮止g ^ 9形成。即，如此的灰 主.，' 明基板24上，形成遮光部2卜透光部22、 =光部23所構成的光罩圖案’第3⑻圖 llb 應第2圖所示的細線狀的導電性圖案Ua、 叫，經由@㈣刻上述透明基板⑽ 形成的透明導電膜29而形成。 尤膜26之間 上述透明導電膜29,具有達到本發 性，只要曝光光透射率高，不特別限制材質。的導電 根據上述觀點，上述透明導 含從録⑽、錫（Sn)、銦（In)選、、’列如，最好由包 J王夕丨兀素的化合物 2130-10016—PF 18 200933289 所形成。上述的化合物，具有適於本發明的導電性，還有 ^由選定適當的膜厚’得到繼以上的高曝光光透射= 對於遮先罩製作時的钕刻、洗淨等具有良好 體而言，例如最好是氧化録錫等。 ^ 、根據本實施例的上述灰階光罩中，由於各光罩圖案， 广上述透明導電臈29所形成的細線狀的導電性圖案 ’成為電氣等電位，使用遮光罩時的處理中，各光罩圖 φ 生電位差，可以有效抑制使用光罩時的處理中 引起圖案的靜電破壞發生。 又’第3(C)圖所示的第三實施例，連結各光罩圖案間 6:亡述導電性圖案以Cr等的遮光膜形成。即，如此的灰 阳光罩，在透明基板24上，形成遮光部21、透光部22、 半透光。卩23所構成的光罩圖案，半透光部23以透明基板 24上形成的半透光膜26構成，遮光部21以依序形成的遮 光膜25及上述半透光膜26構成。於是，第3(g)圖所示的 〇 導電！·生圖案11 (對應第2圖所示的細線狀導電性圖案 11a、lib)，以構成上述遮光部21的遮光膜託構成。 根據本實施例的上述灰階光罩，由於各光罩圖索通過 上述遮光膜25所形成的細線狀的導電性圖案丨丨，成為電 氣等電位，使用遮光罩時的處理中，很難發生各光罩圖案 間的電位差，可以有效抑制使用習知的光罩時的處理中引 起圖案的靜電破壞發生。 又，本實施例中，由於上述導電性圖案丨丨以具有與 遮光部21相同的Cr等的導電性的遮光膜25所構成，例 2130-10015-pf 19 200933289 如使用最初在透明基板24 罩，利用製作遮光部的步驟 導電性圖案U。 上形成遮光膜25的空白遮光 ，可以製作上述遮光骐形成的

❹ 更在此時，半透光膜23的素材最好是導電性的。因 :以導電性圖繼卩連結互相獨立的各圖案，成為等 電位’而堆疊的圖案全體(上下方向)成為等電位更理想。 又，第3⑹圖中，遮光膜上堆疊半透光膜形成遮光 部，也可以反堆叠。 又，第5圖顯示應用本發明於雙光罩時的實施例的剖 面圖。第5圖所示的第四實施例中的雙光罩，在透明基板 24上，形成遮光部21與透光部22所構成的光罩圖案，遮 光邛21由例如以Cr等為主成分的遮光膜25構成。於是， 第5圖所示的導電性圖帛u，以圖案㈣在上述透明基板 24與遮光膜25之間形成的透明導電膜29而形成。在此， 例如以電阻值未滿3ΜΩ (百萬歐姆）者，作為導電性圖案， 上述透明導電膜29,與上述第二實施例的情況（參考 第3(B)圖）相同，具有達到本發明的效果的導電性，只要 曝光光透射率高，並不特別限制材質。具體的材質，：第 二實施例中的舉例相同。透明導電膜29， 二 J从疋导電性的 半透光性的膜，也可以是曝光光透射率比遮光膜高的膜。 如此的雙光罩，可以以與一般的多層次光罩（灰階光罩）相 同的製程製作。 根據上述本實施例的雙光罩中，各光罩的遮光部Μ 通過上述透明導電模29形成的細線狀的導電性圖案u 2130-10016-pf 20 200933289 由於也成為電氣等 生各光罩圖案間的 時的處理中弓I起圖 電位’使用遮光罩冑的處心，很難發 電位差，可以有效抑制使用習知的光罩 案的靜電破壞。 【圖式簡單說明】 轉印1·=Γ明使用㈣本發明的灰靖光罩的*

[第2圖]本發明的一實施例的灰階光罩的平面圖。 [第3圖]顯示應用本發明於灰階光罩的實施例的剖面 圖，分別以（Α)顯示第-實施例，⑻顯示第二實施例，（c) 顯示第三實施例。 [第4圖](a)〜（f)顯示根據本發明第一實施例的灰階 光罩的製造步驟剖面圖。 [第5圖]應用本發明於雙光罩，顯示第四實施例的剖 面圖。

[第6圖](a)、（b)用以說明習知的灰階光罩中的課題 的遮光罩的剖面圖。 【主要元件符號說明】 l〇a、l〇b、l〇c〜連結光罩圖案； 11〜導電性圖案； 11a、lib、12a、12b〜導體性圖案； 20〜灰階光罩； 21〜遮光部； 2130-10016-PF 21 200933289 22〜 透 光部； 23〜 半 透光部 > 24〜 透 明基板 ， 25〜 遮 光膜； 2 6〜 半 透光膜 9 27〜 光 阻膜； 28〜 光 阻圖案 1 29〜 透 明導電 膜； 30〜 被 轉印體 31〜 基板； 32A 、32B〜膜 33〜 光 阻圖案 9 D〜箭頭。

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Claims (1)

1. 200933289 十、申請專利範圍： 以在被轉印體上形 .一種光罩，在透明基板上具有用 成所要的轉印圖案的光罩圖案， 其特徵在於： 陡圖宏帛&光罩圖案之互相連結，係既定線寬的導電 =圖案’而且具有對於曝光光的透射率在以值以下的透 一膜或半透光膜所構成的導電性圖案。

   么一種光罩，係在透明基板上具有遮光部、透光部、 以及降低使用遮光罩時所用的曝光光的透射量的既定量 的半透光部所構成的光罩圖案，使用遮光罩對被轉印體照 射曝光光之際’根據部位選擇性地降低對被轉印體的曝光 光的照射量，被轉印體上的光阻中，用以形成包含殘膜值 不同的部分的所要的轉印圖案的多層次光罩， 其特徵在於： 上述遮光部至少由遮光膜形成， 上述半透光部至少由透射一部分曝光光的半透光膜 形成， 電氣獨立的光罩圖案間互相連結，具有既定線寬的導 電性圖案。 3. 如申請專利範圍第2項所述的光罩，其中，上述導 電性圖案’由與形成上述半透光部的半透光膜相同的材料 所構成。 4. 如申請專利範圍第1至3項中任一項所述的光罩， 其中，照射曝光光至上述光罩，轉印光罩圖案至被轉印 2130-10016-PF 23 200933289 Λ 體，顯像被轉印體上的光阻，形成光阻圖案時，上述導電 性圖案具有上述光阻圖案中不出現的線寬的透光性 透光性。 —干 5. 如申請專利範圍第…項中任一項所述的光罩， 其中，上述導電性圖案的部分，曝光光透射率由2〇%以上 60%以下的半透光膜所形成。 6. 如申請㈣範圍第1至3項巾任-項所述的光罩， ❹其中，連結光罩圖案間的上述導電性圖案為複數。 ，7. —種光罩的製造方法，具有形成光罩圖案步驟，使 用透明基板上依序形成半透光膜與遮光膜的光罩，以微影 成像術刀W對上$半透光膜與遮光膜進行所要的圖案钱 刻，形成遮光部、透光部、以及降低使用遮光罩時所用的 曝光光的透射量的既定量的半透光部所構成的光罩圖案， 其特徵在於： 、…上述半透光膜的圖案㈣之際，互相連結電氣獨立的 ❹ 1透光膜圖案’形成既定線寬的導電性圖案。 8. 一種圖案轉印方法’其特徵在於：使用如申請專利 f圍第1至3項中任—項所述的光罩，或中請專利範圍第 7項中所述的製造方法所產生的光罩，照射曝光光至被轉 印體，在被轉印體上形成所要的轉印圖案。 2130-10016-PF 24