JP2009244488A - フォトマスクの欠陥修正方法及びフォトマスクとその製造方法、並びにパターン転写方法 - Google Patents

Abstract

【課題】巨大黒欠陥であっても効率的に修正することができ、特にグレートーンマスクの半透光部に発生した黒欠陥を欠陥部分の半透光膜にダメージを与えることなく好適に修正できるフォトマスクの欠陥修正方法を提供する。
【解決手段】透明基板上に遮光部と透光部と半透光部とからなるマスクパターンを有するフォトマスクの欠陥修正方法であって、半透光部が所定の波長の露光光に対して所定の光透過率を有する半透光膜により形成され、半透光部において余剰物による黒欠陥が生じたときに該欠陥部分を特定する工程と、特定した欠陥部分の位置と形状に基づいた描画パターンデータを作製する工程と、フォトマスク上にレジスト膜を形成する工程と、上記欠陥部分を含む所定領域に上記描画パターンデータに基づくパターン描画を行い、描画後、現像してレジストパターンを形成する工程と、レジストパターンをマスクとしてエッチングを施して欠陥部分の余剰物を除去する工程とを有する。
【選択図】図３

Description

本発明は、液晶表示装置（Liquid CrystalDisplay：以下、ＬＣＤと呼ぶ）製造等に用いられるグレートーンマスク等のフォトマスクの欠陥修正方法及びフォトマスクの製造方法、並びにパターン転写方法に関するものである。

現在、ＬＣＤの分野において、薄膜トランジスタ液晶表示装置（Thin FilmTransistor Liquid Crystal Display：以下、ＴＦＴ−ＬＣＤと呼ぶ）は、ＣＲＴ（陰極線管）に比較して、薄型にしやすく消費電力が低いという利点から、現在商品化が急速に進んでいる。ＴＦＴ−ＬＣＤは、マトリックス状に配列された各画素にＴＦＴが配列された構造のＴＦＴ基板と、各画素に対応して、レッド、グリーン、及びブルーの画素パターンが配列されたカラーフィルターが液晶相の介在の下に重ね合わされた概略構造を有する。ＴＦＴ−ＬＣＤでは、製造工程数が多く、ＴＦＴ基板だけでも５〜６枚のフォトマスクを用いて製造されていた。このような状況の下、ＴＦＴ基板の製造を４枚のフォトマスクを用いて行う方法が提案されている。

この方法は、遮光部と透光部と半透光部を有するフォトマスク（一般に多階調マスク又はグレートーンマスクと呼ばれている）を用いることにより、使用するマスク枚数を低減するというものである。ここで、半透光部とは、マスクを使用してパターンを被転写体に転写する際、透過する露光光の透過量を所定量低減させ、被転写体上のフォトレジスト膜の現像後の残膜量を制御する部分をいい、そのような半透光部を、遮光部、透光部とともに備えているフォトマスクをグレートーンマスクという。

ここで用いられるグレートーンマスクとしては、例えば半透光部がグレートーンマスクを使用するＬＣＤ用露光機の解像限界以下の微細パターンで形成されている構造のものが知られている。グレートーンマスクを使用するＬＣＤ用露光機の解像限界は、多くの場合、ステッパ方式の露光機で約３μｍ、ミラープロジェクション方式の露光機で約４μｍである。このため、例えば、ラインアンドスペースの微細パターンの場合、ライン幅とスペース幅をそれぞれ露光機の解像限界以下の３μｍ未満とする。

上述の微細パターンタイプの半透光部は、半透光部の設計、具体的には遮光部と透光部の中間的なハーフトーン効果を持たせるための微細パターンをラインアンドスペースタイプにするのかドット（網点）タイプにするのか、或いはその他のパターンにするのかの選択があり、さらにラインアンドスペースタイプの場合、線幅をどのくらいにするのか、光が透過する部分と遮光される部分の比率をどうするか、全体の透過率をどの程度に設計するかなど、非常に多くのことを考慮して設計がなされなければならない。また、グレートーンマスクの製造においても、線幅の中心値の管理、マスク内の線幅のばらつき管理など、非常に難しい生産技術が要求されていた。

そこで、半透光部を半透過性の半透光膜とすることが従来提案されている（例えば下記特許文献１）。この半透光膜を用いることで半透光部での露光量を低減した露光を行うことが出来る。半透光膜を用いる場合、設計においては全体の透過率がどのくらい必要かを検討し、マスクにおいては半透光膜の膜種（素材）であるとか膜厚を選択することでマスクの生産が可能となる。従って、グレートーンマスクの製造では半透光膜の膜厚制御を行うだけで足り、比較的管理が容易である。また、ＴＦＴチャネル部をグレートーンマスクの半透光部で形成する場合、半透光膜であればフォトリソグラフィー工程により容易にパターニングできるので、ＴＦＴチャネル部の形状が複雑なパターン形状であっても可能であるという利点がある。

特開２００５−３７９３３号公報

ところで、上述のような特許文献１に記載のグレートーンマスクにおいて、その製造過程で、半透光膜からなる半透光部に欠陥が生じることが避けられない。なお、ここでは、膜パターンの余剰や遮光膜成分の付着、又は異物によって、透過率が所定より低くなる欠陥を黒欠陥、膜パターンの不足によって透過率が所定より高くなる欠陥を白欠陥と称する。

半透光膜を用いたグレートーンマスクの半透光部に、白欠陥、黒欠陥が生じた場合には、通常は、例えばレーザーＣＶＤ法、又は収束イオンビーム（ＦＩＢ）法を用いて、局所的な膜修正を行うことが考えられる。すなわち、白欠陥の部分に、局所的に修正膜を形成し、又は、白欠陥部分、黒欠陥部分を含む領域を予め所定の面積分剥離し、改めて局所的に修正膜を形成することが可能である。

一方、半透光部の黒欠陥の修正方法としては、ＦＩＢやレーザーで例えば遮光膜成分を飛ばして除去する方法が一般的である。しかし、欠陥部分の半透光膜がダメージを受けたり、飛ばした異物が正常な半透光膜上に乗ると再度修正が必要となる。また、微小な欠陥領域は上記一般の黒欠陥修正方法で修正できたとしても、巨大な欠陥領域の場合、一般の黒欠陥修正方法で修正するのは時間がかかり不効率である。そうかといって、たとえば大型液晶パネル製造に用いる大型フォトマスクの場合、特に巨大欠陥が存在するときに欠陥を修正しないで最初から作製し直すのは、高価な基板であるため資材や労力等の損失が非常に大きい。また、黒欠陥の修正方法として、黒欠陥を含む部分を除去し、その部分に例えばレーザーＣＶＤ法で修正膜を形成する方法もあるが、このようにあとから局所的につけた修正膜は、当初の半透光膜と同一の素材とすることが困難なため、膜質が異なり、特に露光光に対する透過率波長依存性が正常な半透光膜部分とは異なってしまうことが多いという不具合が生じる。
また、以上のようなグレートーンマスクに限らず、半導体装置製造等に用いられる透明基板上に遮光膜パターンを有するフォトマスクの場合においても、黒欠陥が生じた場合、従来の一般的な黒欠陥修正方法では、飛ばした異物が欠陥の周囲の正常部（透光部）に付着し易く、再度修正が必要となる。

本発明は、上記従来の事情に鑑みてなされたものであり、巨大黒欠陥であっても効率的に修正することができ、特にグレートーンマスクの半透光部に発生した黒欠陥を欠陥部分の半透光膜にダメージを与えることなく好適に修正できるフォトマスクの欠陥修正方法を提供することを第１の目的とする。また、本発明は、このような欠陥修正方法を適用した欠陥修正工程を有するフォトマスクの製造方法を提供することを第２の目的とする。さらには、欠陥が好適に修正された上記フォトマスクを用いたパターン転写方法を提供することを第３の目的とする。

上記課題を解決するため、本発明は以下の構成を有する。
（構成１）透明基板上に半透光膜と遮光膜を成膜し、それぞれの膜に所定のパターニングを施すことにより形成された、遮光部と、透光部と、マスク使用時に用いられる露光光の透過量を所定量低減する半透光部とからなるマスクパターンを有し、被転写体上に膜厚が段階的または連続的に異なるレジストパターンを形成するためのフォトマスクの欠陥修正方法であって、前記半透光部が、所定の波長の露光光に対して所定の光透過率を有する半透光膜により形成され、前記半透光部において余剰物による黒欠陥が生じたときに該欠陥部分を特定する工程と、前記特定した欠陥部分の位置と形状に基づいた描画パターンデータを作製する工程と、前記フォトマスク上にレジスト膜を形成する工程と、前記欠陥部分を含む所定領域に、前記描画パターンデータに基づくパターン描画を行い、描画後、現像してレジストパターンを形成する工程と、前記レジストパターンをマスクとしてエッチングを施して、前記欠陥部分の余剰物を除去する工程と、を有することを特徴とするフォトマスクの欠陥修正方法。

（構成２）前記レジストパターンの形成によって前記欠陥部分を含む所定領域内の半透光膜が露出している領域における欠陥修正後の光透過率が所定の許容範囲内であるかどうかを検査する検査工程を有することを特徴とする構成１に記載のフォトマスクの欠陥修正方法。
（構成３）透明基板上に遮光膜を成膜し、所定のパターニングを施すことにより形成された遮光部と透光部とからなるマスクパターンを有するフォトマスクの欠陥修正方法であって、前記透光部において余剰物による黒欠陥が生じたときに該欠陥部分を特定する工程と、前記特定した欠陥部分の位置と形状に、基づいた描画パターンデータを作製する工程と、前記フォトマスク上にレジスト膜を形成する工程と、前記欠陥部分を含む所定領域に、前記描画パターンデータに基づくパターン描画を行い、描画後、現像してレジストパターンを形成する工程と、前記レジストパターンをマスクとしてエッチングを施して、前記欠陥部分の余剰物を除去する工程と、を有することを特徴とするフォトマスクの欠陥修正方法。

（構成４）前記フォトマスクは、描画時の位置合わせ用のアライメントマークを有し、該アライメントマークを用いて前記欠陥部分を含む所定領域のパターン描画を行うことを特徴とする構成１乃至３のいずれかに記載のフォトマスクの欠陥修正方法。
（構成５）透明基板上に半透光膜と遮光膜を成膜し、それぞれの膜に所定のパターニングを施すことにより形成された、遮光部と、透光部と、マスク使用時に用いられる露光光の透過量を所定量低減する半透光部とからなるマスクパターンを有し、被転写体上に膜厚が段階的または連続的に異なるレジストパターンを形成するためのフォトマスクの欠陥修正方法であって、前記半透光部が、所定の波長の露光光に対して所定の光透過率を有する半透光膜により形成され、前記半透光部において余剰物による黒欠陥が生じたときに該欠陥部分を特定する工程と、前記フォトマスク上にレジスト膜を形成する工程と、前記欠陥部分の領域を露光し、現像してレジストパターンを形成する工程と、前記レジストパターンをマスクとしてエッチングを施して、前記欠陥部分の余剰物を除去する工程と、を有することを特徴とするフォトマスクの欠陥修正方法。

（構成６）透明基板上に遮光膜を成膜し、所定のパターニングを施すことにより形成された遮光部と透光部とからなるマスクパターンを有するフォトマスクの欠陥修正方法であって、前記透光部において余剰物による黒欠陥が生じたときに該欠陥部分を特定する工程と、前記フォトマスク上にレジスト膜を形成する工程と、前記欠陥部分の領域を露光し、露光後、現像してレジストパターンを形成する工程と、前記レジストパターンをマスクとしてエッチングを施して、前記欠陥部分の余剰物を除去する工程と、を有することを特徴とするフォトマスクの欠陥修正方法。
（構成７）透明基板上に半透光膜と遮光膜を成膜し、それぞれの膜に所定のパターニングを施すことにより形成された、遮光部と、透光部と、マスク使用時に用いられる露光光の透過量を所定量低減する半透光部とからなるマスクパターンを有し、被転写体上に膜厚が段階的または連続的に異なるレジストパターンを形成するためのフォトマスクの欠陥修正方法であって、前記半透光部が、所定の波長の露光光に対して所定の光透過率を有する半透光膜により形成され、前記半透光部において余剰物による黒欠陥が生じたときに該欠陥部分を特定する工程と、前記フォトマスク上にレジスト膜を形成する工程と、前記欠陥部分の領域上のレジスト膜をエネルギー照射により除去してレジストパターンを形成する工程と、前記レジストパターンをマスクとしてエッチングを施して、前記欠陥部分の余剰物を除去する工程と、を有することを特徴とするフォトマスクの欠陥修正方法。

（構成８）透明基板上に遮光膜を成膜し、所定のパターニングを施すことにより形成された遮光部と透光部とからなるマスクパターンを有するフォトマスクの欠陥修正方法であって、前記透光部において余剰物による黒欠陥が生じたときに該欠陥部分を特定する工程と、前記フォトマスク上にレジスト膜を形成する工程と、前記欠陥部分の領域上のレジスト膜を除去してレジストパターンを形成する工程と、前記レジストパターンをマスクとしてエッチングを施して、前記欠陥部分の余剰物を除去する工程と、を有することを特徴とするフォトマスクの欠陥修正方法。
（構成９）前記欠陥部分領域上のレジスト膜の除去はレーザー照射により行うことを特徴とする構成７又は８に記載のフォトマスクの欠陥修正方法。

（構成１０）前記欠陥部分は、正常な半透光部に対して、半透光膜以外の成分が付着したために、露光光の透過量が正常な半透光部より小さい部分からなる黒欠陥であることを特徴とする構成１、５又は７に記載のフォトマスクの欠陥修正方法。
（構成１１）構成１乃至１０のいずれかに記載のフォトマスクの欠陥修正方法による欠陥修正工程を含むことを特徴とするフォトマスクの製造方法。

(構成１２)透明基板上に半透光膜と遮光膜を成膜し、それぞれの膜に所定のパターニングを施すことにより形成された、遮光部と、透光部と、マスク使用時に用いられる露光光の透過量を所定量低減する半透光部とからなるマスクパターンを有し、被転写体上に膜厚が段階的または連続的に異なるレジストパターンを形成するためのフォトマスクにおいて、前記半透光部が、所定の波長の露光光に対して所定の光透過率を有する半透光膜により形成され、前記半透光部において生じた余剰物による黒欠陥を除去する欠陥修正が行われ、前記欠陥修正に起因して、前記半透光膜表面に所定面積の凸部と、該凸部の外周部に凹部を有することを特徴とするフォトマスク。
（構成１３）構成１１に記載の製造方法によるフォトマスク又は構成１２に記載のフォトマスクを用いて所定の波長の露光光を被転写体に露光し、被転写体上に膜厚が段階的または連続的に異なるレジストパターンを形成することを特徴とするパターン転写方法。

本発明のフォトマスクの欠陥修正方法によれば、巨大黒欠陥であっても効率的に修正することができ、特にグレートーンマスクの半透光部に発生した黒欠陥を欠陥部分の半透光膜にダメージを与えることなく好適に修正することができる。
また、本発明のフォトマスクの製造方法によれば、このような本発明の欠陥修正方法を適用した欠陥修正工程を有することにより、特にグレートーンマスクの半透光部に発生した黒欠陥が好適に修正されたフォトマスクを得ることができる。

さらに、上記のように例えばグレートーンマスクにおける半透光部に発生した黒欠陥が好適に修正されたフォトマスクを用いて、被転写体へのパターン転写を行うことにより、パターン欠陥のない良好な転写パターンを転写することができる。

以下、本発明を実施するための最良の形態を図面に基づき説明する。
［第１の実施の形態］
本実施の形態では、以下のグレートーンマスク（フォトマスク）の欠陥修正方法を説明する。図１は、本発明による欠陥修正を施したグレートーンマスクを用いたパターン転写方法を説明するための断面図である。
図１に示すグレートーンマスク２０（ここでは修正された欠陥領域は示していない）は、例えば液晶表示装置（ＬＣＤ）の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）やカラーフィルター、またはプラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）などを製造するために用いられるものであり、図１に示す被転写体３０上に、膜厚が段階的または連続的に異なるレジストパターン３３を形成するものである。なお、図１中において符号３２Ａ、３２Ｂは、被転写体３０において基板３１上に積層された膜を示す。

上記グレートーンマスク２０は、具体的には、当該グレートーンマスク２０の使用時に露光光を遮光（透過率が略０％）させる遮光部２１と、透明基板２４の表面が露出した露光光を透過させる透光部２２と、透光部の露光光透過率を１００％としたとき透過率を１０〜８０％、好ましくは、２０〜７０％程度に低減させる半透光部２３とを有して構成される。半透光部２３は、ガラス基板等の透明基板２４上に光半透過性の半透光膜２６が形成されて構成される。また、遮光部２１は、透明基板２４上に、上記半透光膜２６と遮光性の遮光膜２５が設けられて構成される。なお、図１に示す遮光部２１、透光部２２、及び半透光部２３のパターン形状はあくまでも一例であって、本発明をこれに限定する趣旨ではないことは勿論である。

上記半透光膜２６としては、クロム化合物、モリブデンシリサイド化合物、Ｓｉ、Ｗ、Ａｌ等が挙げられる。このうち、クロム化合物には、酸化クロム(ＣｒＯｘ)、窒化クロム(ＣｒＮｘ)、酸窒化クロム(ＣｒＯｘＮ)、フッ化クロム(ＣｒＦｘ)や、これらに炭素や水素を含むものがある。また、モリブデンシリサイド化合物としては、ＭｏＳｉｘのほか、ＭｏＳｉの窒化物、酸化物、酸化窒化物、炭化物などが含まれる。また、上記遮光膜２５としては、Ｃｒ、Ｓｉ、Ｗ、Ａｌなどが挙げられる。上記遮光部２１の透過率は、主に遮光膜２５の膜材質と膜厚との選定によって設定される。また、上記半透光部２３の透過率は、半透光膜２６の膜材質と膜厚との選定によって設定される。

上述のようなグレートーンマスク２０を使用したときに、遮光部２１では露光光が実質的に透過せず、透光部２２では露光光が透過し、半透光部２３では露光光が低減されるため、被転写体３０上に形成したレジスト膜（ポジ型フォトレジスト膜）は、転写後、現像を経たとき遮光部２１に対応する部分で膜厚が厚くなり、半透光部２３に対応する部分で膜厚が薄くなり、透光部２２に対応する部分では残膜が実質的に生じないレジストパターン３３を形成する（図１を参照）。このレジストパターン３３において、半透光部２３に対応する部分で膜厚が所定量薄くなる効果をグレートーン効果という。

そして、図１に示すレジストパターン３３の膜のない部分で、被転写体３０における例えば膜３２Ａ及び３２Ｂに第１エッチングを実施し、レジストパターン３３の膜の薄い部分をアッシング等によって除去しこの部分で、被転写体３０における例えば膜３２Ｂに第２エッチングを実施する。このようにして、１枚のグレートーンマスク２０を用いて従来のフォトマスク２枚分の工程が実施されることになり、マスク枚数が削減される。

上記グレートーンマスク２０は、たとえば以下のような製造方法によって得ることができる。図２はその製造方法の一実施例を工程順に示す断面図である。
透明基板２４上に半透光膜２６、及び遮光膜２５がこの順に積層されたフォトマスクブランクを準備する。上記半透光膜２６及び遮光膜２５の膜材料は上述したとおりである。まず、該フォトマスクブランクの遮光膜２５上にレジストを塗布してレジスト膜２７を形成する（図２（ａ）参照）。上記レジストとしてポジ型フォトレジストを使用する。そしてレジスト膜２７に対し、所定のデバイスパターンを描画し、描画後に現像を行うことにより、製造されるマスクの遮光部２１及び半透光部２３に対応する領域にレジストパターン２７を形成する（図２（ｂ）参照）。描画には例えばレーザー光を用いる。

次に、上記レジストパターン２７をマスクとして、露出した透光部２２領域の遮光膜２５をエッチングして遮光膜パターンを形成し、続いて該遮光膜パターンをマスクとして半透光膜２６をエッチングすることにより、透光部２２を形成する（図２（ｃ）参照）。この場合のエッチング手段としては、ドライエッチングもしくはウェットエッチングのいずれかを用いる。

次に、上記レジストパターン２７を除去した後、基板の全面に再び上記と同じレジスト膜を形成し、２度目の描画を行う。描画後に現像を行うことにより、製造されるマスクの遮光部２１及び透光部２３に対応する領域にレジストパターン２８を形成する（図２（ｄ）参照）。

次いで、上記レジストパターン２８をマスクとして、露出した半透光部２３領域の遮光膜２５をエッチングすることにより、遮光部２１及び半透光部２３を形成する（図２（ｅ）参照）。こうして、残存するレジストパターン２８を除去し、透明基板２４上に、半透光膜２６によりなる半透光部２３、半透光膜２６と遮光膜２５の積層膜によりなる遮光部２１、及び透明基板２４が露出した透光部２２を形成したグレートーンマスクを得ることができる（図２（ｆ）参照）。
本発明は、以上の製造過程で半透光部２３の領域に生じた黒欠陥の修正に用いられる。

次に、図３を参照して、本実施の形態によるグレートーンマスクの欠陥修正方法について説明する。図３は、本発明による欠陥修正方法の第１の実施の形態を工程順に示す平面図である。
本実施の形態では、透明基板２４上に、モリブデンシリサイドを含む半透光膜２６（露光光透過率５０％）、クロムを主成分とする遮光膜２５をこの順に成膜したフォトマスクブランクを用意し、上述の製造方法にしたがって所定のパターニングを施すことによって、遮光部２１、透光部２２、及び半透光部２３を有するマスクパターンを備えた、図３（ａ）に示すようなＴＦＴ基板製造用のグレートーンマスクを用いる。そして、上記グレートーンマスクの半透光部２３に発生した黒欠陥の修正方法を以下に説明する。

（１）製造されたグレートーンマスクについて、欠陥検査装置を用いて、マスクパターンの欠陥検査を行う。そして、半透光部において欠陥が存在するときは、該欠陥領域の位置情報と形状情報を特定する。この場合の欠陥は、正常な半透光部に対して、遮光膜成分の付着等による、露光光の透過量が正常な半透光部より小さい部分であるような所謂黒欠陥である。
欠陥検査の結果、マスク上の半透光膜２６からなる複数の半透光部２３のうちの一部に、図３（ａ）に示すように、小さな領域の黒欠陥Ａと、比較的巨大な領域の黒欠陥Ｂとが存在した。ここで、巨大な領域とは、例えば一辺が200μｍの正方形を越える程度の大きさのことであり、従来の黒欠陥修正方法で修正しようとすると修正に膨大な時間と手間を要するような大きさである。

（２）次に、特定した欠陥部分に応じた描画パターンデータを作製する。すなわち、欠陥検査により特定された上記黒欠陥ＡとＢを含む所定領域内の正常な描画パターンデータを作製する。
（３）次に、上記グレートーンマスク上の例えば全面にポジ型レジストを塗布してレジスト膜２９を形成する（図３（ｂ）参照）。ポジ型レジストとしては、グレートーンマスクの製造に用いたものと同様のレジストを使用することができる。
なお、次の描画工程での位置合わせに好適なように、グレートーンマスクのコーナー等に設けられているアライメントマーク１０上のレジスト膜を必要に応じて除去しておく（図３（ｃ）参照）。

（４）次に、上記で作製した描画パターンデータを含む必要な情報を描画機に入力し、上記黒欠陥ＡとＢをそれぞれ含む所定領域に、上記描画パターンデータに基づくパターン描画を行う。この場合、欠陥部分を含む所定領域内の描画を行うので、描画領域が少なくて済み描画時間を減らせる。そして描画後、現像してレジストパターンを形成する。これによって黒欠陥領域上のレジスト膜が除去されて遮光膜２５が露出する（図３（ｄ）参照）。

（５）次に、上記レジストパターンをマスクとしてエッチングを行う。エッチング方法としては、たとえばドライエッチングもしくはウェットエッチングのいずれを用いてもよいが、特に局所的なエッチングを行えるウェットエッチングが本発明には好適である。
上記エッチングによって、黒欠陥を形成していた不要な遮光膜２５が除去され、下層の半透光膜２６が露出する（図３（ｅ）参照）。

そして、残存するレジスト膜を除去することにより、上記黒欠陥ＡとＢの修正が施されたグレートーンマスクが得られる（図３（ｆ）参照）。なお、本来透光部であるべき領域上に発生した黒欠陥についても上記の修正により遮光膜は除去されるが、下層の半透光膜２６は残るため、必要に応じて（例えば透光部の光透過率に影響を与えるような場合）、後からレーザー照射等によって不要な半透光膜２６を除去してもよい。また、上述の図３（ｂ）のレジスト膜形成工程において、レジスト膜を基板の全面に形成する場合を説明したが、例えば大型基板において欠陥箇所が全体的に存在するのではなくて、複数箇所に集中して存在しているような場合には、必要な部分にレジスト膜を形成し、上述の欠陥修正を局所的に行えばよい。

次に、図４を参照して、本実施の形態の欠陥修正方法をさらに具体的なパターンを用いて説明する。図４は、本発明による欠陥修正方法の第１の実施の形態をさらに詳細に説明するための工程順に示す平面図である。なお、図４の（ａ），（ｂ）、及び（ｄ）〜（ｆ）の各工程は、それぞれ図３の工程と対応している。
製造されたグレートーンマスクについて、欠陥検査装置を用いた欠陥検査の結果、マスク上の半透光膜２６からなる半透光部２３領域上に、図４（ａ）に示すような黒欠陥が存在した。この領域の正常なパターン形状は、同じく図４の（Ａ）に示すような半透光膜２６上の一部に矩形状の遮光膜２５を有するパターンであるため、この正常な遮光膜のパターンを含む広い領域に不要な遮光膜が存在し、さらに透明基板２４上の透光部領域にも一部不要な遮光膜が存在している。

次に、特定した欠陥部分に応じた描画パターンデータを作製する。ここでは、図４の（Ｂ）に示すような、欠陥検査により特定された上記黒欠陥を含む所定領域１内の描画パターンデータを作製した。なお、この所定領域１（描画領域）は、実際の欠陥位置とのずれなどを考慮してマージンを設け、範囲を適宜設定するのが好ましい。
次に、上記グレートーンマスク上の少なくとも上記所定領域１を含む領域に前記と同じポジ型レジスト膜２９を形成する（図４（ｂ）参照）。

次に、上記で作製した描画パターンデータを含む必要な情報を描画機に入力し、上記黒欠陥を含む所定領域１に、上記描画パターンデータに基づくパターン描画を行う。そして描画後、現像してレジストパターンを形成する。これによって黒欠陥を含む所定領域１内のレジスト膜が除去されて黒欠陥となっている遮光膜２５と、この領域内の半透光膜２６等が露出する（図４（ｄ）参照）。

次に、上記レジストパターンをマスクとして例えばクロムエッチング液を用いた局所的なウェットエッチングを行うことにより、黒欠陥領域上の不要な遮光膜２５が除去され、下層の半透光膜２６が露出する（図４（ｅ）参照）。

そして、残存するレジスト膜を除去することにより、上記黒欠陥の修正が施されたグレートーンマスクが得られた（図４（ｆ）参照）。なお、本来透光部であるべき領域上に発生した黒欠陥についても上記の修正により遮光膜は除去されたが、この部分の下層の半透光膜２６（図４（ｆ）中に符号２で示す部分）は残るため、必要に応じて（例えば透光部の光透過率に影響を与えるような場合）、後からレーザー照射等によって不要な半透光膜２６を除去してもよい。

なお、上述の欠陥修正の結果、図４（ｆ）にも示すように、半透光部領域に関しては、黒欠陥となっていた遮光膜２５が除去されて露出した半透光膜２６ａと、欠陥修正過程でレジスト液、現像液、クロムエッチング液、洗浄液等に曝された領域の半透光膜２６ｂと、欠陥修正過程ではレジスト膜によって保護され、現像液、クロムエッチング液、洗浄液等に曝されていない領域の半透光膜２６ｃとが存在する。通常、モリブデンシリサイドからなる半透光膜は、クロムエッチング液に対して耐性を有するが、とくに上記クロムエッチング液等に曝されていた半透光膜２６ｂ及びエッチング終了段階ではエッチング液に曝された半透光膜２６ａは、エッチング液等に曝されていない半透光膜２６ｃに対して、透過率変動の恐れが懸念される場合には、追加の工程として、これらの部分の光透過率が所定の許容範囲内であるかどうかを検査する品質確認工程を設けてもよい。
なお、上記の欠陥修正後のグレートーンマスクにおいては、半透光膜２６の表面に、マスク製造工程、修正工程の履歴により、わずかな凹凸が生じることがある。黒欠陥のＣｒが載っていた２６ａの部分に比べ、前工程の洗浄液やクロムエッチング液に晒された２６ｂの部分は表面が凹部を形成しており、前工程の洗浄液に晒された２６ｃの部分は、２６ａと２６ｂの中間となる高さである。但し、２６aと２６ｃの段差は１０〜５０Å程度であり、グレートーンマスクとしての使用には影響がない。

そして、以上のような本実施の形態による欠陥修正を施したグレートーンマスクを用いて被転写体３０（図１参照）へのパターン転写を行うと、被転写体３０上には、欠陥のない転写パターンが精度良く転写される。

以上説明した本実施の形態による欠陥修正方法によれば、以下のような効果が得られる。
（１）巨大な黒欠陥があっても、効率的な修正が可能であり、作製したマスク基板を無駄にすることがない。
（２）欠陥の位置、形状等を特定して修正を行うので、精度の高い欠陥修正が行える。
（３）欠陥部分を含む所定領域内だけを描画するので、描画時間は少なくて澄む。
（４）黒欠陥修正箇所の半透光膜がその他の正常な部分の半透光膜と同じであるため、品質が高い。従来のＦＩＢやレーザーで遮光膜成分を飛ばして除去する方法や、黒欠陥を含む部分を除去し、その部分に例えばレーザーＣＶＤ法で修正膜を形成する方法のように、欠陥部分の半透光膜がダメージを受けたり、飛ばした異物が正常な半透光膜上に付着して再度修正が必要となったり、あるいは後から局所的につけた修正膜の透過率波長依存性が正常な半透光膜部分と異なったりする不具合が生じない。

以上は、グレートーンマスクにおける欠陥修正方法を説明したが、本発明はこれには限定されず、たとえば透明基板上に遮光部と透光部からなるマスクパターンを有するフォトマスクの黒欠陥についても本実施の形態の欠陥修正方法を用いて修正することができる。
図５は、本発明による欠陥修正方法の第１の実施の形態を、遮光部と透光部からなるマスクパターンを有するフォトマスクの欠陥修正に適用した場合の工程順に示す平面図である。

製造された上記フォトマスクについて、欠陥検査装置を用いた欠陥検査の結果、マスク上の透光部２２のうちの一部に、図５（ａ）に示すように、小さな領域の黒欠陥Ａと、比較的巨大な領域の黒欠陥Ｂとが存在した。
次に、欠陥検査により特定された上記黒欠陥ＡとＢを含む所定領域内の正常な描画パターンデータを作製する。

次に、上記フォトマスク上の例えば全面に前記と同じポジ型レジスト膜２９を形成する（図５（ｂ）参照）。
なお、次の描画工程での位置合わせに好適なように、フォトマスクのコーナー等に予め設けたアライメントマーク１０上のレジスト膜を必要に応じて除去しておく（図５（ｃ）参照）。

次に、上記で作製した描画パターンデータを含む必要な情報を描画機に入力し、上記黒欠陥ＡとＢをそれぞれ含む所定領域に、上記描画パターンデータに基づくパターン描画を行う。そして描画後、現像してレジストパターンを形成する。これによって黒欠陥領域上のレジスト膜が除去されて遮光膜２５が露出する（図５（ｄ）参照）。

次に、上記レジストパターンをマスクとしてエッチングを行う。エッチング方法としては、クロム遮光膜の場合、たとえばドライエッチングもしくはウェットエッチングのいずれを用いてもよいが、特に局所的なエッチングを行えるウェットエッチングが本発明には好適である。
上記エッチングによって、黒欠陥領域上の不要な遮光膜２５が除去され、透明基板２４が露出する（図５（ｅ）参照）。

そして、残存するレジスト膜を除去することにより、上記黒欠陥ＡとＢの修正が施されたフォトマスクが得られる（図５（ｆ）参照）。
基板上に遮光部と透光部とを有するフォトマスクにおいても、本実施の形態の欠陥修正方法によれば、巨大な黒欠陥があっても、効率的な修正が可能である。そして、従来のＦＩＢやレーザーで遮光膜成分を飛ばして除去する方法のように、飛ばした異物が正常部（透光部）に付着して再度修正が必要となったりする不具合が生じない。

［第２の実施の形態］
次に、図６を参照して、本発明の欠陥修正方法の第２の実施の形態を説明する。本実施の形態においても前述の第１の実施の形態と同様の具体的なパターンを用いて説明する。図６は、本発明による欠陥修正方法の第２の実施の形態を説明するための工程順に示す平面図である。
（１）製造されたグレートーンマスクについて、欠陥検査装置を用いた欠陥検査の結果、マスク上の半透光膜２６からなる半透光部２３領域上に、図６（ａ）に示すような黒欠陥が存在した。この領域の正常なパターン形状は、前述の図４の（Ａ）に示すような半透光膜２６上の一部に矩形状の遮光膜２５を有するパターンであるため、この正常な遮光膜のパターンを含む広い領域に不要な遮光膜が存在し、さらに透明基板２４上の透光部領域にも一部不要な遮光膜が存在している。

（２）次に、上記グレートーンマスク上の少なくとも上記黒欠陥を含む所定の領域に前記と同じポジ型レジスト膜２９を形成する（図６（ｂ）参照）。

（３）次に、例えばレーザー露光部を備えた欠陥修正機を用いて、上記欠陥検査のデータ（欠陥位置、形状等）を元に欠陥を観察しながら、上記黒欠陥を含む所定領域３（黒欠陥の形状に沿って若干のマージンを設けた黒欠陥より少し大きめの領域が好ましい）内のレジスト膜を直接露光する。そして露光後、現像してレジストパターンを形成する。これによって黒欠陥を含む所定領域３内のレジスト膜が除去されて黒欠陥となっている遮光膜２５等が露出する（図６（ｃ）参照）。

（４）次に、上記レジストパターンをマスクとして例えばクロムエッチング液を用いた局所的なウェットエッチングを行うことにより、黒欠陥領域上の不要な遮光膜２５が除去され、下層の半透光膜２６が露出する（図６（ｄ）参照）。

そして、残存するレジスト膜を除去することにより、上記黒欠陥の修正が施されたグレートーンマスクが得られる（図６（ｅ）参照）。なお、本来透光部であるべき領域上に発生した黒欠陥についても上記の修正により遮光膜は除去されるが、この部分の下層の半透光膜２６（図６（ｅ）中に符号２で示す部分）は残るため、必要に応じて（例えば透光部の光透過率に影響を与えるような場合）、後からレーザー照射等によって不要な半透光膜２６を除去してもよい。

なお、上述の欠陥修正の結果、図６（ｅ）にも示すように、半透光部領域に関しては、黒欠陥となっていた遮光膜２５が除去されて露出した半透光膜２６ａと、欠陥修正過程でレジスト液、現像液、クロムエッチング液、洗浄液等に曝された領域の半透光膜２６ｂと、欠陥修正過程ではレジスト膜によって保護され、現像液、クロムエッチング液、洗浄液等に曝されていない領域の半透光膜２６ｃとが存在する。本実施の形態の場合、上述の図６（ｃ）工程において、レジスト膜を露光、現像してレジスト膜が除去される黒欠陥を含む所定領域３は、黒欠陥の形状に沿って若干のマージンを設けた黒欠陥より少し大きめの領域であるため、とくにクロムエッチング液等に曝される上記半透光膜２６ｂの領域は非常に小さくて済むため、仮にこの領域の透過率変動があったとしても半透光部の透過率に影響を及ぼす恐れは少ない。

そして、以上のような本実施の形態による欠陥修正を施したグレートーンマスクを用いて被転写体３０（図１参照）へのパターン転写を行うと、被転写体３０上には、欠陥のない転写パターンが精度良く転写される。

以上説明した本実施の形態による欠陥修正方法によれば、以下のような効果が得られる。
（１）巨大な黒欠陥があっても、効率的な修正が可能であり、作製したマスク基板を無駄にすることがない。
（２）第１の実施の形態の場合のように予め描画パターンデータを作成する必要はない。また実際の欠陥の位置、形状等を観察しながら修正を行うので、実際の欠陥との位置ずれが少なく、欠陥形状に対する露光マージンも小さくできるので、結果的に精度の高い欠陥修正が行える。
（３）修正に高価な描画機を使用しなくても済む。また、アライメントマークが設けられていないフォトマスクにも適用できる。
（４）黒欠陥修正箇所の半透光膜がその他の正常な部分の半透光膜と同じであるため、品質が高い。従来のＦＩＢやレーザーで遮光膜成分を飛ばして除去する方法や、黒欠陥を含む部分を除去し、その部分に例えばレーザーＣＶＤ法で修正膜を形成する方法のように、欠陥部分の半透光膜がダメージを受けたり、飛ばした異物が正常な半透光膜上に付着して再度修正が必要となったり、あるいは後から局所的につけた修正膜の透過率波長依存性が正常な半透光膜部分と異なったりする不具合が生じない。

以上は、グレートーンマスクにおける本実施の形態による欠陥修正方法を説明したが、前述の第１の実施の形態の場合と同様、たとえば透明基板上に遮光部と透光部からなるマスクパターンを有するフォトマスクの黒欠陥についても本実施の形態の欠陥修正方法を用いて修正することができる。

［第３の実施の形態］
次に、図７を参照して、本発明の欠陥修正方法の第３の実施の形態を説明する。本実施の形態においても前述の第１の実施の形態と同様の具体的なパターンを用いて説明する。図７は、本発明による欠陥修正方法の第３の実施の形態を説明するための工程順に示す平面図である。
（１）製造されたグレートーンマスクについて、欠陥検査装置を用いた欠陥検査の結果、マスク上の半透光膜２６からなる半透光部２３領域上に、図７（ａ）に示すような黒欠陥が存在した。この領域の正常なパターン形状は、前述の図４の（Ａ）に示すような半透光膜２６上の一部に矩形状の遮光膜２５を有するパターンであるため、この正常な遮光膜のパターンを含む広い領域に不要な遮光膜が存在し、さらに透明基板２４上の透光部領域にも一部不要な遮光膜が存在している。

（２）次に、上記グレートーンマスク上の少なくとも上記黒欠陥を含む所定の領域に前記と同じポジ型レジスト膜２９を形成する（図７（ｂ）参照）。

（３）次に、例えばレーザー照射装置を備えた欠陥修正機を用いて、上記欠陥検査のデータ（欠陥位置、形状等）を元に欠陥を観察しながら、上記黒欠陥を含む所定領域４（黒欠陥の形状に沿って若干のマージンを設けた黒欠陥より少し大きめの領域が好ましい）内のレジスト膜に直接レーザーを照射して、この領域のレジスト膜を除去する。この場合の照射条件は、欠陥の大きさ、形状等によっても異なり一概には言えないが、例えば波長５２７ｎｍの固体レーザーを用い、出力を０．１〜０．２ｍＪ程度に調整する。低出力のレーザーを用いればレジストを選択的に除去することが可能である。なお、欠陥領域にレーザーを照射する場合、欠陥形状が複雑な場合は複数回の照射領域が重複しても構わない。これによって黒欠陥を含む所定領域４内のレジスト膜が除去されて黒欠陥となっている遮光膜２５等が露出する（図７（ｃ）参照）。

（４）次に、上記レジストをマスクとして例えばクロムエッチング液を用いた局所的なウェットエッチングを行うことにより、黒欠陥領域上の不要な遮光膜２５が除去され、下層の半透光膜２６が露出する（図７（ｄ）参照）。

そして、残存するレジスト膜を除去することにより、上記黒欠陥の修正が施されたグレートーンマスクが得られる（図７（ｅ）参照）。なお、本来透光部であるべき領域上に発生した黒欠陥についても上記の修正により遮光膜は除去されるが、この部分の下層の半透光膜２６（図７（ｅ）中に符号２で示す部分）は残るため、必要に応じて（例えば透光部の光透過率に影響を与えるような場合）、後からレーザー照射等によって不要な半透光膜２６を除去してもよい。

なお、上述の欠陥修正の結果、図７（ｅ）にも示すように、半透光部領域に関しては、黒欠陥となっていた遮光膜２５が除去されて露出した半透光膜２６ａと、欠陥修正過程でレジスト液、クロムエッチング液、洗浄液等に曝された領域の半透光膜２６ｂと、欠陥修正過程ではレジスト膜によって保護され、クロムエッチング液、洗浄液等に曝されていない領域の半透光膜２６ｃとが存在する。本実施の形態の場合、上述の図７（ｃ）工程において、レジスト膜が除去される黒欠陥を含む所定領域４は、黒欠陥の形状に沿って若干のマージンを設けた黒欠陥より少し大きめの領域であるため、とくにクロムエッチング液等に曝される上記半透光膜２６ｂの領域は非常に小さくて済むため、仮にこの領域の透過率変動があったとしても半透光部の透過率に影響を及ぼす恐れは少ない。

そして、以上のような本実施の形態による欠陥修正を施したグレートーンマスクを用いて被転写体３０（図１参照）へのパターン転写を行うと、被転写体３０上には、欠陥のない転写パターンが精度良く転写される。

以上説明した本実施の形態による欠陥修正方法によれば、以下のような効果が得られる。
（１）巨大な黒欠陥があっても、効率的な修正が可能であり、作製したマスク基板を無駄にすることがない。
（２）第１の実施の形態の場合のように予め描画パターンデータを作成する必要はない。また実際の欠陥の位置、形状等を観察しながら修正を行うので、実際の欠陥との位置ずれが少なく、欠陥形状に対するレジスト除去マージンも小さくできるので、結果的に精度の高い欠陥修正が行える。
（３）修正に高価な描画機を使用しなくても済む。また、アライメントマークが設けられていないフォトマスクにも適用できる。
（４）黒欠陥修正箇所の半透光膜がその他の正常な部分の半透光膜と同じであるため、品質が高い。従来のＦＩＢやレーザーで遮光膜成分を飛ばして除去する方法や、黒欠陥を含む部分を除去し、その部分に例えばレーザーＣＶＤ法で修正膜を形成する方法のように、欠陥部分の半透光膜がダメージを受けたり、飛ばした異物が正常な半透光膜上に付着して再度修正が必要となったり、あるいは後から局所的につけた修正膜の透過率波長依存性が正常な半透光膜部分と異なったりする不具合が生じない。

以上は、グレートーンマスクにおける本実施の形態による欠陥修正方法を説明したが、前述の第１の実施の形態の場合と同様、たとえば透明基板上に遮光部と透光部からなるマスクパターンを有するフォトマスクの黒欠陥についても本実施の形態の欠陥修正方法を用いて修正することができる。

グレートーンマスクを用いたパターン転写方法を説明するための断面図である。 上記グレートーンマスクの製造方法の一例を工程順に示す断面図である。 本発明による欠陥修正方法の第１の実施の形態を工程順に示す平面図である。 本発明による欠陥修正方法の第１の実施の形態をさらに詳細に説明するための工程順に示す平面図である。 本発明による欠陥修正方法の第１の実施の形態を、遮光部と透光部からなるマスクパターンを有するフォトマスクの欠陥修正に適用した場合の工程順に示す平面図である。 本発明による欠陥修正方法の第２の実施の形態を詳細に説明するための工程順に示す平面図である。 本発明による欠陥修正方法の第３の実施の形態を詳細に説明するための工程順に示す平面図である。

符号の説明

１０ アライメントマーク
２０ グレートーンマスク
２１ 遮光部
２２ 透光部
２３ 半透光部
２４ 透明基板
２５ 遮光膜
２６ 半透光膜
２７，２９ レジスト膜
３０ 被転写体
３３ レジストパターン

Claims (13)

1. 透明基板上に半透光膜と遮光膜を成膜し、それぞれの膜に所定のパターニングを施すことにより形成された、遮光部と、透光部と、マスク使用時に用いられる露光光の透過量を所定量低減する半透光部とからなるマスクパターンを有し、被転写体上に膜厚が段階的または連続的に異なるレジストパターンを形成するためのフォトマスクの欠陥修正方法であって、
   前記半透光部が、所定の波長の露光光に対して所定の光透過率を有する半透光膜により形成され、
   前記半透光部において余剰物による黒欠陥が生じたときに該欠陥部分を特定する工程と、
   前記特定した欠陥部分の位置と形状に基づいた描画パターンデータを作製する工程と、
   前記フォトマスク上にレジスト膜を形成する工程と、
   前記欠陥部分を含む所定領域に、前記描画パターンデータに基づくパターン描画を行い、描画後、現像してレジストパターンを形成する工程と、
   前記レジストパターンをマスクとしてエッチングを施して、前記欠陥部分の余剰物を除去する工程と、
   を有することを特徴とするフォトマスクの欠陥修正方法。
2. 前記レジストパターンの形成によって前記欠陥部分を含む所定領域内の半透光膜が露出している領域における欠陥修正後の光透過率が所定の許容範囲内であるかどうかを検査する検査工程を有することを特徴とする請求項１に記載のフォトマスクの欠陥修正方法。
3. 透明基板上に遮光膜を成膜し、所定のパターニングを施すことにより形成された遮光部と透光部とからなるマスクパターンを有するフォトマスクの欠陥修正方法であって、
   前記透光部において余剰物による黒欠陥が生じたときに該欠陥部分を特定する工程と、
   前記特定した欠陥部分の位置と形状に、基づいた描画パターンデータを作製する工程と、
   前記フォトマスク上にレジスト膜を形成する工程と、
   前記欠陥部分を含む所定領域に、前記描画パターンデータに基づくパターン描画を行い、描画後、現像してレジストパターンを形成する工程と、
   前記レジストパターンをマスクとしてエッチングを施して、前記欠陥部分の余剰物を除去する工程と、
   を有することを特徴とするフォトマスクの欠陥修正方法。
4. 前記フォトマスクは、描画時の位置合わせ用のアライメントマークを有し、該アライメントマークを用いて前記欠陥部分を含む所定領域のパターン描画を行うことを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載のフォトマスクの欠陥修正方法。
5. 透明基板上に半透光膜と遮光膜を成膜し、それぞれの膜に所定のパターニングを施すことにより形成された、遮光部と、透光部と、マスク使用時に用いられる露光光の透過量を所定量低減する半透光部とからなるマスクパターンを有し、被転写体上に膜厚が段階的または連続的に異なるレジストパターンを形成するためのフォトマスクの欠陥修正方法であって、
   前記半透光部が、所定の波長の露光光に対して所定の光透過率を有する半透光膜により形成され、
   前記半透光部において余剰物による黒欠陥が生じたときに該欠陥部分を特定する工程と、
   前記フォトマスク上にレジスト膜を形成する工程と、
   前記欠陥部分の領域を露光し、現像してレジストパターンを形成する工程と、
   前記レジストパターンをマスクとしてエッチングを施して、前記欠陥部分の余剰物を除去する工程と、
   を有することを特徴とするフォトマスクの欠陥修正方法。
6. 透明基板上に遮光膜を成膜し、所定のパターニングを施すことにより形成された遮光部と透光部とからなるマスクパターンを有するフォトマスクの欠陥修正方法であって、
   前記透光部において余剰物による黒欠陥が生じたときに該欠陥部分を特定する工程と、
   前記フォトマスク上にレジスト膜を形成する工程と、
   前記欠陥部分の領域を露光し、露光後、現像してレジストパターンを形成する工程と、
   前記レジストパターンをマスクとしてエッチングを施して、前記欠陥部分の余剰物を除去する工程と、
   を有することを特徴とするフォトマスクの欠陥修正方法。
7. 透明基板上に半透光膜と遮光膜を成膜し、それぞれの膜に所定のパターニングを施すことにより形成された、遮光部と、透光部と、マスク使用時に用いられる露光光の透過量を所定量低減する半透光部とからなるマスクパターンを有し、被転写体上に膜厚が段階的または連続的に異なるレジストパターンを形成するためのフォトマスクの欠陥修正方法であって、
   前記半透光部が、所定の波長の露光光に対して所定の光透過率を有する半透光膜により形成され、
   前記半透光部において余剰物による黒欠陥が生じたときに該欠陥部分を特定する工程と、
   前記フォトマスク上にレジスト膜を形成する工程と、
   前記欠陥部分の領域上のレジスト膜をエネルギー照射により除去してレジストパターンを形成する工程と、
   前記レジストパターンをマスクとしてエッチングを施して、前記欠陥部分の余剰物を除去する工程と、
   を有することを特徴とするフォトマスクの欠陥修正方法。
8. 透明基板上に遮光膜を成膜し、所定のパターニングを施すことにより形成された遮光部と透光部とからなるマスクパターンを有するフォトマスクの欠陥修正方法であって、
   前記透光部において余剰物による黒欠陥が生じたときに該欠陥部分を特定する工程と、
   前記フォトマスク上にレジスト膜を形成する工程と、
   前記欠陥部分の領域上のレジスト膜を除去してレジストパターンを形成する工程と、
   前記レジストパターンをマスクとしてエッチングを施して、前記欠陥部分の余剰物を除去する工程と、
   を有することを特徴とするフォトマスクの欠陥修正方法。
9. 前記欠陥部分領域上のレジスト膜の除去はレーザー照射により行うことを特徴とする請求項７又は８に記載のフォトマスクの欠陥修正方法。
10. 前記欠陥部分は、正常な半透光部に対して、半透光膜以外の成分が付着したために、露光光の透過量が正常な半透光部より小さい部分からなる黒欠陥であることを特徴とする請求項１、５又は７に記載のフォトマスクの欠陥修正方法。
11. 請求項１乃至１０のいずれかに記載のフォトマスクの欠陥修正方法による欠陥修正工程を含むことを特徴とするフォトマスクの製造方法。
12. 透明基板上に半透光膜と遮光膜を成膜し、それぞれの膜に所定のパターニングを施すことにより形成された、遮光部と、透光部と、マスク使用時に用いられる露光光の透過量を所定量低減する半透光部とからなるマスクパターンを有し、被転写体上に膜厚が段階的または連続的に異なるレジストパターンを形成するためのフォトマスクにおいて、
    前記半透光部が、所定の波長の露光光に対して所定の光透過率を有する半透光膜により形成され、
    前記半透光部において生じた余剰物による黒欠陥を除去する欠陥修正が行われ、前記欠陥修正に起因して、前記半透光膜表面に所定面積の凸部と、該凸部の外周部に凹部を有することを特徴とするフォトマスク。
13. 請求項１１に記載の製造方法によるフォトマスク又は請求項１２に記載のフォトマスクを用いて所定の波長の露光光を被転写体に露光し、被転写体上に膜厚が段階的または連続的に異なるレジストパターンを形成することを特徴とするパターン転写方法。
    

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