JPH0720625A - 位相シフトマスクの作製方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】リム方式あるいは補助パターン方式の位相シフ
トマスクにおいて、帯電防止層を用いることなく且つ相
互近接効果補正をすることなく、所望の寸法のレジスト
パターンを容易に形成できる位相シフトマスクの作製方
法を提供する。 【構成】基板２０、並びに基板２０に形成された、光透
過領域１０、遮光領域１２、及び光透過領域を通過した
光の位相と異なる位相の光を通過させる領域１４から成
る位相シフトマスクの作製方法は、（イ）基板２０に、
光透過領域１０、及び導電性材料から成る遮光層２２を
有する遮光領域１２を形成する工程と、（ロ）光透過領
域１０に隣接しあるいは近接した遮光領域１２の部分
に、光透過領域を通過した光の位相と異なる位相の光を
通過させる領域１４を形成する工程から成る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、例えば、半導体装置製
造工程において各種パターン形成技術等に用いられる、
位相シフトマスクの作製方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体装置の製造におけるパターン転写
工程、所謂リソグラフィ工程で使用されるフォトマスク
は、フォトマスク上のパターン形状をウエハ上に形成さ
れたレジスト材料に転写するために用いられる。半導体
装置等におけるパターン加工の寸法は年々微細化してい
る。そして、遮光領域と光透過領域とから構成されたパ
ターン領域のみを備えた従来型のフォトマスクでは、リ
ソグラフィ工程で使用する露光装置の露光光の波長程度
の解像度を得ることができず、半導体装置等の製造にお
いて要求される解像度を得ることが困難になりつつあ
る。そこで、近年、このような従来型のフォトマスクに
替わって、光の位相を異ならせる位相シフト領域を具備
した、所謂位相シフトマスクが用いられるようになって
きている。位相シフトマスクを用いることによって、従
来型のフォトマスクでは形成不可能な微細パターンの形
成が可能である。

【０００３】ウエハ上に形成されたレジスト材料にコン
タクトホールに代表される孤立パターンを形成するため
に、リム方式位相シフトマスクあるいは補助パターン方
式位相シフトマスクと呼ばれる位相シフトマスクが検討
されている。

【０００４】リム方式位相シフトマスクは、図１８の
（Ｃ）に模式的な一部切断図にて示すように、基板２０
に形成された、凹部から成る光透過領域１０と、遮光領
域１２と、光透過領域と遮光領域との間に設けられた位
相シフト領域１４から構成されている。位相シフト領域
１４における基板２０の厚さと、光透過領域１０におけ
る基板２０の厚さが異なる。その結果、光透過領域１０
を通過する光の位相と、位相シフト領域１４を通過する
光の位相が、例えば１８０度、相違する。

【０００５】また、補助パターン方式位相シフトマスク
は、図２０の（Ｃ）に示すように、基板２０に形成され
た、凹部から成る光透過領域１０と、遮光領域１２と、
光透過領域１０に近接した遮光領域内に設けられた補助
パターン領域１６から構成される。光透過領域１０と補
助パターン１６の間には遮光領域１２Ａが存在する。補
助パターン領域１６における基板２０の厚さと、光透過
領域１０における基板２０の厚さが異なる。その結果、
光透過領域１０を通過する光の位相と、補助パターン領
域１６を通過する光の位相が、例えば１８０度、相違す
る。

【０００６】従来のリム方式位相シフトマスクの作製方
法を、図１７及び図１８を参照して、以下、説明する。

【０００７】先ず、ガラスから成る基板２０上に、例え
ばクロムから成る遮光層２２をスパッタリング法にて成
膜する。次に、電子線等に感光するレジストを遮光層２
２上に塗布して感光層３０を形成した後（図１７の
（Ａ）参照）、光透過領域１０を形成するために、描画
装置からの電子線等により所定の領域を描画し、感光層
３０を現像する（図１７の（Ｂ）参照）。

【０００８】その後、遮光層２２をエッチングし、感光
層３０を除去する（図１７の（Ｃ）参照）。光透過領域
１０を形成すべき領域及び位相シフト領域１４を形成す
べき領域から遮光層が除去される。

【０００９】次に、電子線等に感光するレジストを全面
に塗布してレジスト層３２を形成し、更にその上に電子
線によるチャージアップを防止するために帯電防止層３
４を塗布する。次に、光透過領域１０を形成するため
に、描画装置からの電子線等により所定の領域を描画し
た後（図１７の（Ｄ）参照）、帯電防止層３４及びレジ
スト層３２を現像し、光透過領域１０を形成すべき領域
から帯電防止層３４及びレジスト層３２を除去する（図
１８の（Ａ）参照）。

【００１０】その後、光透過領域を形成するために基板
２０をエッチングして凹部を形成する（図１８の（Ｂ）
参照）。次いで、帯電防止層３４及びレジスト層３２を
除去して、図１８の（Ｃ）に示すように、光透過領域１
０、遮光領域１２及び位相シフト領域１４を具備する構
造のリム方式位相シフトマスクが作製される。

【００１１】次に、従来の補助パターン方式位相シフト
マスクの作製方法を、図１９及び図２０を参照して、以
下、説明する。

【００１２】先ず、ガラスから成る基板２０上に、例え
ばクロムから成る遮光層２２をスパッタリング法にて成
膜する。次に、電子線等に感光するレジストを遮光層２
２に塗布して感光層３０を形成した後（図１９の（Ａ）
参照）、光透過領域１０及び補助パターン領域１６を形
成するために、描画装置からの電子線等により所定の領
域を描画し、感光層３０を現像する（図１９の（Ｂ）参
照）。

【００１３】次いで、遮光層２２をエッチングし、感光
層３０を除去して、図１９の（Ｃ）に示す構造を得る。
光透過領域１０を形成すべき領域及び補助パターン領域
１６を形成すべき領域から遮光層が除去される。

【００１４】その後、電子線等に感光するレジストを塗
布してレジスト層３２を形成し、その上に帯電防止層３
４を塗布し、光透過領域を形成するために、描画装置か
らの電子線等により所定の領域を描画した後（図１９の
（Ｄ）参照）、帯電防止層３４及びレジスト層３２を現
像し、光透過領域１０を形成すべき領域から帯電防止層
３４及びレジスト層３２を除去する（図２０の（Ａ）参
照）。

【００１５】次いで、光透過領域１０を形成するために
エッチングにより基板２０に凹部を形成した後（図２０
の（Ｂ）参照）、帯電防止層３４及びレジスト層３２を
除去して、図２０の（Ｃ）に示すような、光透過領域１
０、遮光領域１２、及び光透過領域１０に近接した遮光
領域内に設けられた補助パターン領域１６の構造を有す
る補助パターン方式位相シフトマスクが作製される。

【００１６】尚、図１８の（Ｃ）あるいは図２０の
（Ｃ）に示した位相シフトマスクの変形例が各種ある
が、いずれの位相シフトマスクにおいても、遮光層を加
工して、遮光領域及び位相シフト領域あるいは補助パタ
ーン領域を形成し、しかる後に光透過領域を形成する製
造工程には変わりがない。即ち、従来の位相シフトマス
クの作製方法の工程を纏めると、以下のとおりとなる。 （Ａ）基板上に、導電性材料から成る遮光層２２を有す
る遮光領域１２、及び位相シフト領域１４あるいは補助
パターン領域１６を形成し、併せて、該位相シフト領域
１４あるいは補助パターン領域１６に隣接あるいは近接
した領域に、遮光層が除去された光透過領域形成予定領
域を形成する。次いで、（Ｂ）光透過領域形成予定領域
に、光透過領域１０を形成する。

【００１７】

【発明が解決しようとする課題】ところが、電子線によ
る描画を用いて位相シフトマスクを作製する従来の位相
シフトマスクの製造方法には、以下に述べる欠点があ
る。リム方式位相シフトマスクにおいては、例えば図１
７の（Ｄ）に示すように、また、補助パターン方式位相
シフトマスクにおいては、図１９の（Ｄ）に示すよう
に、電子線による描画領域は、導電性のないガラス等か
ら成る基板２０上に設定される。その結果、電子線によ
る描画の際、電子線によってチャージアップが生じ、レ
ジストパターンが形成できない。

【００１８】チャージアップを防ぐために、図１７の
（Ｄ）あるいは図１９の（Ｄ）に示すようにレジスト層
３２上に帯電防止層３４を塗布したり、あるいは遮光層
２２と基板２０との間に帯電防止層を形成する。これに
よって、レジストパターンの形成は可能となる。しかし
ながら、レジスト層３２上に帯電防止層３４を塗布する
場合、帯電防止層３４の材質に起因してレジスト層３２
の材料選択に著しい制約が生じ、場合によっては所望の
微細パターンを形成するために適したレジストを選択で
きないという問題がある。また、遮光層２２と基板２０
との間に帯電防止層を形成する場合、紫外線による露光
において遮光領域の振幅透過率が著しく劣化するという
甚だしい欠点がある。また、いずれの場合においても、
帯電防止層を形成するので、位相シフトマスクの製造コ
ストが増大するという欠点がある。

【００１９】補助パターン方式位相シフトマスクにおい
て、補助パターン領域１６の寸法は１μｍ以下である。
従って、図１９の（Ａ）に示す工程において、電子線描
画における描画領域は極めて近接して設定される。その
結果、近接した描画領域間の入射電子線の相互の散乱
（所謂、電子線による相互近接効果）が発生する。具体
的には、感光層３０を透過した電子が遮光層２２によっ
て反射され、電子の後方散乱現象が生じる。この後方散
乱された電子によって感光層３０が感光してしまい、レ
ジストパターン寸法の所望の値からのずれ量が大きくな
り、甚だしい場合には、所望のレジストパターンが形成
できなくなる。

【００２０】従って、近接した描画領域間の電子の後方
散乱現象を考慮した補正（所謂、相互近接効果補正）
が、所望の寸法のレジストパターンを形成するために不
可欠である。即ち、例えば、先ず、光透過領域形成予定
領域を所定の電子線照射量にて描画した後、それより少
ない電子線照射量にて補助パターン領域形成予定領域を
描画する。このような電子線照射量の制御（補正）を相
互近接効果補正と呼ぶ。ところが、描画領域が極めて近
接しているために、補正を行ったとしても所望の寸法の
レジストパターンを制御良く形成することは甚だ困難で
ある。

【００２１】また、相互近接効果補正を行うと、コンピ
ュータによる描画データの準備、作成に多大な時間を要
し、位相シフトマスクの製造コストを著しく増加させる
という問題もある。

【００２２】いずれにおいても、従来の位相シフトマス
ク作製方法では所望のパターン寸法を具備する位相シフ
トマスクを、容易且つ低コストで作製することは困難で
あった。

【００２３】従って、本発明の目的は、リム方式あるい
は補助パターン方式の位相シフトマスクにおいて、帯電
防止層を用いることなく且つ相互近接効果補正をするこ
となく、所望の寸法のレジストパターンを容易に形成で
きる、位相シフトマスクの作製方法を提供することにあ
る。

【００２４】

【課題を解決するための手段】上記の目的は、基板、並
びに基板に形成された、光透過領域、遮光領域、及び光
透過領域を通過した光の位相と異なる位相の光を通過さ
せる領域から成る位相シフトマスクの作製方法であっ
て、（イ）基板に、光透過領域、及び導電性材料から成
る遮光層を有する遮光領域を形成する工程と、（ロ）光
透過領域に隣接しあるいは近接した遮光領域の部分に、
光透過領域を通過した光の位相と異なる位相の光を通過
させる領域を形成する工程、から成ることを特徴とする
本発明の第１の態様に係る位相シフトマスクの作製方法
によって達成することができる。

【００２５】この場合、前記（ロ）の工程は、光透過領
域及び遮光領域上に電子線に感光するレジスト層を形成
した後、光透過領域を通過した光の位相と異なる位相の
光を通過させる領域を形成するために１０ｋＶ以下の加
速電圧の電子線でレジスト層を描画する工程を含むこと
が望ましい。

【００２６】更に、上記の目的は、基板、並びに基板に
形成された、光透過領域、遮光領域、及び光透過領域を
通過した光の位相と異なる位相の光を通過させる領域か
ら成る位相シフトマスクの作製方法であって、（イ）基
板に、導電性材料から成る遮光層を有する遮光領域、及
び光透過領域を通過した光の位相と異なる位相の光を通
過させる領域を形成し、併せて、この領域に近接した領
域に導電性材料から成る遮光層を有する光透過領域形成
予定領域を形成する工程と、（ロ）この光透過領域形成
予定領域に、光透過領域を形成する工程、から成ること
を特徴とする本発明の第２の態様に係る位相シフトマス
クの作製方法によって達成することができる。

【００２７】この場合、前記（ロ）の工程は、遮光領
域、光透過領域を通過した光の位相と異なる位相の光を
通過させる領域、及び光透過領域形成予定領域上に電子
線に感光するレジスト層を形成した後、光透過領域を形
成するために１０ｋＶ以下の加速電圧の電子線でレジス
ト層を描画する工程を含むことが望ましい。

【００２８】

【作用】本発明の位相シフトマスクの作製方法において
は、光透過領域を通過した光の位相と異なる位相の光を
通過させる領域を、導電性材料から成る遮光層を有する
遮光領域の部分に形成する。あるいは又、導電性材料か
ら成る遮光層を有する光透過領域形成予定領域に光透過
領域を形成する。従って、この光透過領域を通過した光
の位相と異なる位相の光を通過させる領域、あるいは
又、光透過領域を電子線によるレジスト層の描画にて形
成する場合、導電性の無い基板がチャージアップするこ
とを防止でき、正確にレジスト層にレジストパターンを
形成することができる。更に、帯電防止層を塗布又は形
成する必要がないために、位相シフトマスクの作製が容
易になる。

【００２９】また、光透過領域を通過した光の位相と異
なる位相の光を通過させる領域と、光透過領域とを別の
電子線描画工程にて形成するので、電子線描画における
描画領域が近接することがなく、相互近接効果補正を行
うことなく正確な寸法のレジストパターンを形成するこ
とができる。

【００３０】遮光層が存在する領域と存在しない領域と
の境界においては、遮光層を通過するような加速電圧の
電子線を用いた場合、遮光層を通過した電子によって基
板の表面が帯電する。その結果、電界が生成し、電子線
ビームが曲げられ、所望のレジストパターンを形成でき
なくなるという現象が発生する。

【００３１】光透過領域を通過した光の位相と異なる位
相の光を通過させる領域を形成するために、あるいは光
透過領域を形成するために、１０ｋＶ以下の加速電圧の
電子線でレジスト層を描画すれば、電子線が遮光層を通
過して基板の表面に達することがなく、このような電子
線ビームが曲げられるという現象を抑制することがで
き、レジスト層に所望のレジストパターンを形成するこ
とができる。

【００３２】

【実施例】以下、図面を参照して、実施例に基づき本発
明を説明する。実施例−１〜実施例−４は、本発明の第
１の態様に係る位相シフトマスクの作製方法に関する。
尚、実施例−１及び実施例−２は、リム方式位相シフト
マスクの作製に適用した例であり、実施例−３及び実施
例−４は、補助パターン方式位相シフトマスクの作製に
適用した例である。また、実施例−５及び実施例−６
は、本発明の第２の態様に係る位相シフトマスクの作製
方法に関し、補助パターン方式位相シフトマスクの作製
に適用した例である。尚、図面において、同一参照番号
は同一要素を意味する。

【００３３】ウエハ上に形成されたレジスト材料に対し
て露光光により転写パターン形状等を形成するとき、縮
小投影に使用されるものをレティクル、一対一投影に使
用されるものをマスクと称したり、あるいは原盤に相当
するものをレティクル、それを複製したものをマスクと
称したりすることがあるが、本明細書においては、この
ような種々の意味におけるレティクルやマスクを総称し
てマスクと呼ぶ。

【００３４】（実施例−１）実施例−１は、本発明の第
１の態様に係る位相シフトマスクの作製方法をリム方式
位相シフトマスクの作製に適用した例である。

【００３５】実施例−１の位相シフトマスクの作製方法
によって作製された位相シフトマスクの模式的な一部切
断図を、図１に示す。この位相シフトマスクは、基板２
０、並びに基板２０に形成された、光透過領域１０、遮
光領域１２、及び光透過領域を通過した光の位相と異な
る位相の光を通過させる領域（実施例−１及び実施例−
２においては、位相シフト領域１４と呼ぶ）から成る。
位相シフト領域１４は、基板２０上に形成された例えば
ＳＯＧ（スピンオングラス）から成る位相シフト層２４
から構成されている。また、遮光領域１２は、基板２０
上に形成されたＳＯＧから成る位相シフト層２４、及び
その上に形成された遮光層２２から構成されている。遮
光層２２の厚さは、露光光を確実に遮光し得る厚さであ
り、通常１００ｎｍ程度である。

【００３６】光透過領域１０と通過する光の位相と、位
相シフト領域１４を通過する光の位相は、例えば１８０
度ずれている。位相シフト層２４の厚さｄは、露光光の
波長をλ、位相シフト層を構成する材料の屈折率をｎと
した場合、ｄ＝λ／（２（ｎ−１））を満足する値であ
る。

【００３７】以下、実施例−１における位相シフトマス
クの作製方法を、図２及び図３を参照して説明する。
尚、以下の各実施例においては、レジストとしてポジ型
レジストを用いる。この実施例−１においては、［工程
−１００］〜［工程−１２０］にて、基板２０に、光透
過領域１０、及び導電性材料から成る遮光層２２を有す
る遮光領域１２が形成される。また、［工程−１３０］
及び［工程−１４０］にて、光透過領域に隣接した遮光
領域の部分に、光透過領域を通過した光の位相と異なる
位相の光を通過させる領域（位相シフト領域１４）が形
成される。

【００３８】［工程−１００］例えば石英から成る基板
２０上に、例えばＳＯＧから成る位相シフト層２４を塗
布法にて形成した後、例えばクロム等の導電性材料から
成る遮光層２２をスパッタリング法にて位相シフト層２
４の上に成膜する。その後、遮光層２２上に電子線に感
光するレジストを塗布して感光層３０を形成し、図２の
（Ａ）に示す構造を得る。

【００３９】［工程−１１０］次に、描画装置からの電
子線による第１の描画工程において、図２の（Ａ）に示
す描画領域を設定し、加速電圧２０ｋＶの電子線による
描画を行い、感光層３０に所望のレジストパターンを形
成する。尚、この描画領域は光透過領域に相当する。そ
の後、感光層３０の現像工程を経て図２の（Ｂ）に示す
構造を得る。

【００４０】［工程−１２０］次いで、反応性イオンエ
ッチング法を用いて塩素及び酸素の混合ガスで導電性材
料から成る遮光層２２をエッチングし、更に、四フッ化
炭素及び酸素の混合ガスによるプラズマ中で位相シフト
層２４をエッチングした後、感光層３０を剥離する（図
２の（Ｃ）参照）。これによって、遮光層２２及び位相
シフト層２４を有する遮光領域１２が形成される。ま
た、位相シフト層２４及び遮光層２２が除去された光透
過領域１０が形成される。

【００４１】［工程−１３０］その後、電子線で感光す
るレジストを光透過領域１０及び遮光領域１２上の全面
に塗布してレジスト層３２を形成した後（図２の（Ｄ）
参照）、図２の（Ｄ）に示すような描画領域を設定す
る。この描画領域は、光透過領域１０に隣接した遮光領
域１２の部分であり、位相シフト領域を形成すべき領域
に相当する。そして、基板２０のチャージアップを防止
するために、入射電子が全てレジスト層３２中に吸収さ
れるような加速電圧、例えばレジスト層３２の厚さが
１．０μｍであれば９．０ｋＶ、また、例えばレジスト
層３２の厚さが０．５μｍであれば６．５ｋＶの加速電
圧の電子線にて第２の描画工程を実行する。これによっ
て、レジスト層３２に所望のレジストパターンを形成す
ることができる。

【００４２】［工程−１４０］次いで、レジスト層３２
の現像工程（図３の（Ａ）参照）、塩素ガス及び酸素の
混合ガスによるプラズマ中での遮光層２２のエッチング
工程（図３の（Ｂ）参照）、レジスト層３２の剥離工程
を経て、最終的に図１に示した構造の位相シフトマスク
を得ることができる。

【００４３】実施例−１において、［工程−１００］
（図２の（Ａ）参照）あるいは［工程−１３０］（図２
の（Ｄ）参照）における描画領域は、いずれもクロム等
の導電性材料から成る遮光層２２上に限定されている。
従って、電子線によるチャージアップの影響がなく、感
光層３０やレジスト層３２に良好なる所望の寸法のレジ
ストパターンを形成することができる。

【００４４】遮光層２２が存在する領域と存在しない領
域との境界においては、遮光層２２及び位相シフト層２
４を通過するような加速電圧の電子線を用いた場合、遮
光層２２及び位相シフト層２４を通過した電子によって
基板２０の表面が帯電する。その結果、電界が生成し、
電子線ビームが曲げられ、所望のレジストパターンを形
成できなくなるという現象が発生する。

【００４５】然るに、［工程−１３０］においては、電
子線ビームの加速電圧が低く設定されているために、電
子線が遮光層２２及び位相シフト層２４を通過して基板
２０の表面に達することがなく、このような電子線ビー
ムが曲げられるという現象を抑制することができ、レジ
スト層３２に所望のレジストパターンを形成することが
できる。

【００４６】尚、実施例−１において、［工程−１３
０］（図２の（Ｄ）参照）における描画領域は、例えば
２４８ｎｍの露光波長により、解像限界に近い０．３μ
ｍ寸法のコンタクトホールパターンをウエハ上に形成さ
れたレジスト材料に形成する場合においても、位相シフ
トマスクを５倍レティクルとすれば、位相シフトマスク
上で２．２μｍ離れており、相互近接効果補正を行う必
要はない。

【００４７】（実施例−２）実施例−２は、実施例−１
の変形である。図４に模式的な一部切断図を示す実施例
−２の位相シフトマスクは、実施例−１と異なり、光透
過領域１０が基板２０に形成された凹部から成る。凹部
の深さｄ’を、ｄ’＝λ／（２（ｎ’−１））とすれ
ば、位相シフト領域１４を通過した光の位相と、光透過
領域１０を通過した光の位相は、１８０度変化する。
尚、λは露光光の波長、ｎ’は基板を構成する材料の屈
折率である。遮光領域１２は、基板２０上に形成された
遮光層２２から構成されている。遮光層２２の厚さは、
露光光を確実に遮光し得る厚さである。

【００４８】以下、実施例−２の位相シフトマスクの作
製方法を、図５及び図６を参照して説明する。この実施
例−２においては、［工程−２００］〜［工程−２２
０］にて、基板２０に、光透過領域１０、及び導電性材
料から成る遮光層２２を有する遮光領域１２が形成され
る。また、［工程−２３０］及び［工程−２４０］に
て、光透過領域に隣接した遮光領域の部分に、光透過領
域を通過した光の位相と異なる位相の光を通過させる領
域（位相シフト領域１４）が形成される。

【００４９】［工程−２００］例えば石英から成る基板
２０上に、例えばクロム等の導電性材料から成る遮光層
２２をスパッタリング法にて成膜した後、遮光層２２上
にレジストを塗布して感光層３０を形成する（図５の
（Ａ）参照）。

【００５０】［工程−２１０］次に、描画装置からの電
子線による第１の描画工程において、図５の（Ａ）に示
すような描画領域を設定し、加速電圧２０ｋＶの電子線
による描画を行い、その後、感光層３０の現像工程を行
う（図５の（Ｂ）参照）。描画領域は、光透過領域に相
当する。

【００５１】［工程−２２０］次いで、反応性イオンエ
ッチングを用いて塩素及び酸素の混合ガスで遮光層２２
をエッチングし、更に、四フッ化炭素及び酸素の混合ガ
スによるプラズマ中で基板２０をエッチングして凹部を
形成する。その後、感光層３０を剥離する（図５の
（Ｃ）参照）。これによって、遮光層２２を有する遮光
領域１２が形成され、基板２０に設けられた凹部から成
る光透過領域１０が形成される。

【００５２】［工程−２３０］次に、光透過領域１０及
び遮光領域１２上の全面に電子線に感光するレジストを
塗布してレジスト層３２を形成する（図５の（Ｄ）参
照）。そして、図５の（Ｄ）に示すような描画領域を設
定する。この描画領域は、光透過領域１０に隣接した遮
光領域１２の部分であり、位相シフト領域を形成すべき
領域に相当する。チャージアップを防止するために、実
施例−１の［工程−１３０］にて説明した加速電圧の電
子線で第２の描画工程を実行する。これによって、レジ
スト層３２に所望のレジストパターンを形成することが
できる。

【００５３】［工程−２４０］その後、レジスト層３２
の現像（図６の（Ａ）参照）、塩素ガス及び酸素の混合
ガスによるプラズマ中での遮光層２２のエッチング工程
（図６の（Ｂ）参照）、レジスト層３２の剥離工程を経
て、最終的に図４に示した構造の位相シフトマスクを得
ることができる。

【００５４】実施例−２においても、［工程−２００］
（図５の（Ａ）参照）あるいは［工程−２３０］（図５
の（Ｄ）参照）における描画領域は、いずれもクロム等
の導電性材料から成る遮光層２２上に限定されている。
従って、電子線によるチャージアップの影響がなく、感
光層３０やレジスト層３２に良好なる所望の寸法のレジ
ストパターンを形成することができる。また、［工程−
２３０］における電子線の加速電圧を低電圧にすること
によって、実施例−１と同様に、レジスト層３２に正確
に描画されたレジストパターンを形成することができ
る。

【００５５】（実施例−３）実施例−３は、本発明の第
１の態様に係る位相シフトマスクの作製方法を補助パタ
ーン方式位相シフトマスクの作製に適用した例である。

【００５６】実施例−３の位相シフトマスクは、図７に
模式的な一部切断図を示すように、基板２０、並びに基
板２０に形成された、光透過領域１０、遮光領域１２、
及び光透過領域を通過した光の位相と異なる位相の光を
通過させる領域（実施例−３〜実施例−６においては、
補助パターン領域１６と呼ぶ）から成る。補助パターン
領域１６は、基板２０上に形成された例えばＳＯＧから
成る位相シフト層２４から構成されている。また、遮光
領域１２は、基板２０上に形成されたＳＯＧから成る位
相シフト層２４、及びその上に形成された遮光層２２か
ら構成されている。遮光層２２の厚さは、露光光を確実
に遮光し得る厚さである。補助パターン領域１６と光透
過領域１０との間には遮光領域１２Ａが存在する。

【００５７】光透過領域１０を通過した光の位相と、補
助パターン領域１６を通過した光の位相は、例えば１８
０度ずれている。位相シフト層２４の厚さｄは、ｄ＝λ
／（２（ｎ−１））を満足する値である。

【００５８】以下、実施例−３における位相シフトマス
クの作製方法を、図２及び図８を参照して説明する。こ
の実施例−３においては、［工程−３００］にて、基板
２０に、光透過領域１０、及び導電性材料から成る遮光
層２２を有する遮光領域１２が形成される。また、［工
程−３１０］及び［工程−３２０］にて、光透過領域に
近接した遮光領域の部分に、光透過領域を通過した光の
位相と異なる位相の光を通過させる領域（補助パターン
領域１６）が形成される。

【００５９】［工程−３００］実施例−１の［工程−１
００］〜［工程−１２０］と同様の工程を実施する。即
ち、基板２０上に位相シフト層２４を形成した後、その
上に遮光層２２を形成し、次いで、遮光層２２上にレジ
ストを塗布して感光層３０を形成する（図２の（Ａ）参
照）。次に、描画装置からの電子線による第１の描画工
程において加速電圧２０ｋＶの電子線による描画を行
い、所望のレジストパターンを形成する。その後、感光
層３０の現像工程を行う（図２の（Ｂ）参照）。更に、
反応性イオンエッチング法を用いて塩素及び酸素の混合
ガスで導電性材料から成る遮光層２２をエッチングし、
引き続き、四フッ化炭素及び酸素の混合ガスによるプラ
ズマ中で位相シフト層２４をエッチングした後、感光層
３０を剥離して、図２の（Ｃ）に示す構造を得ることが
できる。これによって、遮光領域１２が形成される。ま
た、位相シフト層２４及び遮光層２２が除去された光透
過領域１０が形成される。

【００６０】［工程−３１０］次いで、光透過領域１０
及び遮光領域１２上の全面に電子線に感光するレジスト
を塗布してレジスト層３２を形成した後（図８の（Ａ）
参照）、図８の（Ａ）に示すような描画領域を設定す
る。この描画領域は、光透過領域１０に近接した遮光領
域１２の部分であり、補助パターン領域を形成すべき領
域に相当する。そして、チャージアップを防止するため
に、実施例−１の［工程−１３０］と同様の加速電圧条
件で電子線にて第２の描画工程を実行する。これによっ
て、レジスト層３２に所望のレジストパターンを形成す
ることができる。

【００６１】［工程−３２０］次いで、レジスト層３２
の現像工程（図８の（Ｂ）参照）、塩素ガス及び酸素の
混合ガスによるプラズマ中での遮光層２２のエッチング
工程（図８の（Ｃ）参照）、レジスト層３２の剥離工程
を経て、最終的に図７に示した構造の位相シフトマスク
を得ることができる。

【００６２】実施例−３においても、［工程−３００］
（図２の（Ａ）参照）あるいは［工程−３１０］（図８
の（Ａ）参照）における描画領域は、いずれもクロム等
の導電性材料から成る遮光層２２上に限定されている。
従って、電子線によるチャージアップの影響がなく、感
光層３０やレジスト層３２に良好なる所望の寸法のレジ
ストパターンを形成することができる。また、［工程−
３１０］における電子線の加速電圧を低電圧にすること
によって、実施例−１と同様に、レジスト層３２に正確
に描画されたレジストパターンを形成することができ
る。また、［工程−３１０］（図８の（Ａ）参照）にお
ける描画領域は、例えば２４８ｎｍの露光波長により、
解像限界に近い０．３μｍ寸法のコンタクトホールパタ
ーンをウエハ上に形成されたレジスト材料に形成する場
合においても、位相シフトマスクを５倍レティクルとす
れば、位相シフトマスク上で３．５μｍ離れており、相
互近接効果補正を行う必要はない。

【００６３】（実施例−４）実施例−４は実施例−３の
変形であり、図９に模式的な一部切断図を示す。実施例
−４の位相シフトマスクは、実施例−３と異なり、光透
過領域１０が基板２０に形成された凹部から成る。光透
過領域１０の凹部の深さｄ’を、ｄ’＝λ／（２（ｎ’
−１））とすれば、補助パターン領域１６を通過した光
の位相と、光透過領域１０を通過した光の位相は、１８
０度変化する。遮光領域１２は、基板２０上に形成され
た遮光層２２から構成されている。遮光層２２の厚さ
は、露光光を確実に遮光し得る厚さである。補助パター
ン領域１６と光透過領域１０との間には、遮光領域１２
Ａが存在する。

【００６４】以下、実施例−４における位相シフトマス
クの作製方法を、図５及び図１０を参照して説明する。
この実施例−４においては、［工程−４００］にて、基
板２０に、光透過領域１０、及び導電性材料から成る遮
光層２２を有する遮光領域１２が形成される。また、
［工程−４１０］及び［工程−４２０］にて、光透過領
域に近接した遮光領域の部分に、光透過領域を通過した
光の位相と異なる位相の光を通過させる領域（補助パタ
ーン領域１６）が形成される。

【００６５】［工程−４００］先ず、実施例−２の［工
程−２００］〜［工程−２２０］を実施する。即ち、基
板２０上に遮光層２２を形成した後、遮光層２２上にレ
ジストを塗布して感光層３０を形成する（図５の（Ａ）
参照）。次に、描画装置からの電子線による第１の描画
工程において加速電圧２０ｋＶの電子線による描画を行
い、その後、感光層３０の現像工程を行う（図５の
（Ｂ）参照）。次いで、反応性イオンエッチングを用い
て塩素及び酸素の混合ガスで遮光層２２をエッチング
し、更に、四フッ化炭素及び酸素の混合ガスによるプラ
ズマ中で基板２０をエッチングして凹部を形成する。そ
の後、感光層３０を剥離する（図５の（Ｃ）参照）。こ
れによって、遮光領域１２が形成され、基板２０に設け
られた凹部から成る光透過領域１０が形成される。

【００６６】［工程−４１０］次いで、光透過領域１０
及び遮光領域１２上の全面に電子線に感光するレジスト
を塗布してレジスト層３２を形成した後（図１０の
（Ａ）参照）。図１０の（Ａ）に示すような描画領域を
設定する。この描画領域は、光透過領域１０に近接した
遮光領域１２の部分であり、補助パターン領域を形成す
べき領域に相当する。そして、チャージアップを防止す
るために、実施例−１の［工程−１３０］と同様の加速
電圧条件で電子線にて第２の描画工程を実行する。これ
によって、レジスト層３２に所望のレジストパターンを
形成することができる。

【００６７】［工程−４２０］その後、レジスト層３２
の現像（図１０の（Ｂ）参照）、塩素ガス及び酸素の混
合ガスによるプラズマ中での遮光層２２のエッチング工
程（図１０の（Ｃ）参照）、レジスト層３２の剥離工程
を経て、最終的に図９に示した構造の位相シフトマスク
を得ることができる。

【００６８】実施例−４においても、［工程−４００］
（図５の（Ａ）参照）あるいは［工程−４１０］（図１
０の（Ａ）参照）における描画領域は、いずれもクロム
等の導電性材料から成る遮光層２２上に限定されてい
る。従って、電子線によるチャージアップの影響がな
く、感光層３０やレジスト層３２に良好なる所望の寸法
のレジストパターンを形成することができる。また、
［工程−４１０］における電子線の加速電圧を低電圧に
することによって、実施例−１と同様に、レジスト層３
２に正確に描画されたレジストパターンを形成すること
ができる。

【００６９】（実施例−５）実施例−５は、本発明の第
２の態様に係る位相シフトマスクの作製方法を補助パタ
ーン方式位相シフトマスクの作製に適用した例である。

【００７０】実施例−５の位相シフトマスクの構造は、
実施例−３の変形である。図１１に模式的な一部切断図
を示すように、実施例−５の位相シフトマスクにおいて
は、光透過領域１０が基板上に形成された位相シフト層
２４から構成されており、光透過領域を通過した光の位
相と異なる位相の光を通過させる領域（補助パターン領
域１６）には位相シフト層が形成されていない。この点
が、実施例−３とは異なる。実施例−５の位相シフトマ
スクにおいても、光透過領域１０を通過した光の位相
と、補助パターン領域１６を通過した光の位相とは、例
えば１８０度ずれている。位相シフト層２４は例えばＳ
ＯＧからなり、その厚さｄは、ｄ＝λ／（２（ｎ−
１））を満足する値である。

【００７１】以下、実施例−５における位相シフトマス
クの作製方法を、図１２及び図１３を参照して説明す
る。この実施例−５においては、［工程−５００］〜
［工程−５２０］にて、基板２０に、導電性材料から成
る遮光層２２を有する遮光領域１２、及び光透過領域を
通過した光の位相と異なる位相の光を通過させる領域
（補助パターン領域１６）を形成し、併せて、補助パタ
ーン領域１６に近接した領域に導電性材料から成る遮光
層２２を有する光透過領域形成予定領域１０Ａを形成す
る。また、［工程−５３０］及び［工程−５４０］に
て、光透過領域形成予定領域１０Ａに、光透過領域１０
を形成する。

【００７２】［工程−５００］例えば石英から成る基板
２０上に、例えばＳＯＧから成る位相シフト層２４を塗
布法にて形成した後、例えばクロム等の導電性材料から
成る遮光層２２をスパッタリング法にて位相シフト層２
４の上に成膜する。その後、遮光層２２上にレジストを
塗布して感光層３０を形成し、図１２の（Ａ）に示す構
造を得る。

【００７３】［工程−５１０］次に、描画装置からの電
子線による第１の描画工程において、図１２の（Ａ）に
示す描画領域を設定し、加速電圧２０ｋＶの電子線によ
る描画を行い、感光層３０に所望のレジストパターンを
形成する。この描画領域は、補助パターン領域に相当す
る。その後、感光層３０の現像工程を経て図１２の
（Ｂ）に示す構造を得る。

【００７４】［工程−５２０］次いで、反応性イオンエ
ッチング法を用いて塩素及び酸素の混合ガスで導電性材
料から成る遮光層２２をエッチングし、更に、四フッ化
炭素及び酸素の混合ガスによるプラズマ中で位相シフト
層２４をエッチングした後、感光層３０を剥離する（図
１２の（Ｃ）参照）。これによって、遮光層２２を有す
る遮光領域１２が形成される。また、位相シフト層２４
及び遮光層２２が除去された補助パターン領域１６が形
成される。併せて、補助パターン領域１６に近接した領
域に導電性材料から成る遮光層２２を有する光透過領域
形成予定領域１０Ａが形成される。

【００７５】［工程−５３０］その後、電子線で感光す
るレジストを、遮光領域１２、光透過領域を通過した光
の位相と異なる位相の光を通過させる領域（補助パター
ン領域１６）、及び光透過領域形成予定領域１０Ａ上に
塗布してレジスト層３２を形成した後（図１２の（Ｄ）
参照）、図１２の（Ｄ）に示すような描画領域を設定す
る。この描画領域は、光透過領域形成予定領域１０Ａ内
にあり、光透過領域を形成すべき領域に相当する。そし
て、基板２０のチャージアップを防止するために、入射
電子が全てレジスト層３２中に吸収されるような加速電
圧、例えばレジスト層３２の厚さが１．０μｍであれば
９．０ｋＶ、また、例えばレジスト層３２の厚さが０．
５μｍであれば６．５ｋＶの加速電圧の電子線にて第２
の描画工程を実行する。これによって、レジスト層３２
に所望のレジストパターンを形成することができる。

【００７６】［工程−５４０］次いで、レジスト層３２
の現像工程（図１３の（Ａ）参照）、塩素ガス及び酸素
の混合ガスによるプラズマ中での遮光層２２のエッチン
グ工程（図１３の（Ｂ）参照）、レジスト層３２の剥離
工程を経て、最終的に図１１に示した構造の位相シフト
マスクを得ることができる。

【００７７】実施例−５においても、［工程−５００］
（図１２の（Ａ）参照）あるいは［工程−５３０］（図
１２の（Ｄ）参照）における描画領域は、いずれもクロ
ム等の導電性材料から成る遮光層２２上に限定されてい
る。従って、電子線によるチャージアップの影響がな
く、感光層３０やレジスト層３２に良好なる所望の寸法
のレジストパターンを形成することができる。また、
［工程−５３０］における電子線の加速電圧を低電圧に
することによって、実施例−１と同様に、レジスト層３
２に正確に描画されたレジストパターンを形成すること
ができる。

【００７８】尚、実施例−５において、［工程−５０
０］（図１２の（Ａ）参照）における描画領域は、例え
ば２４８ｎｍの露光波長により、解像限界に近い０．３
μｍ寸法のコンタクトホールパターンをウエハ上に形成
されたレジスト材料に形成する場合においても、位相シ
フトマスクを５倍レティクルとすれば、位相シフトマス
ク上で３．５μｍ離れており、相互近接効果補正を行う
必要はない。

【００７９】（実施例−６）実施例−６も、本発明の第
２の態様に係る位相シフトマスクの作製方法を補助パタ
ーン方式位相シフトマスクの作製に適用した例である。

【００８０】実施例−６は、実施例−４の変形である。
図１４に模式的な一部切断図を示す実施例−６の位相シ
フトマスクは、実施例−４と異なり、光透過領域を通過
した光の位相と異なる位相の光を通過させる領域（補助
パターン領域１６）が基板２０に形成された凹部から成
る。補助パターン領域１６の凹部の深さｄ’を、ｄ’＝
λ／（２（ｎ’−１））とすれば、補助パターン領域１
６を通過した光の位相と、光透過領域１０を通過した光
の位相は、１８０度変化する。遮光領域１２は、基板２
０上に形成された遮光層２２から構成されている。遮光
層２２の厚さは、露光光を確実に遮光し得る厚さであ
る。補助パターン領域１６と光透過領域１０との間に
は、遮光領域１２Ａが存在する。

【００８１】以下、実施例−６における位相シフトマス
クの作製方法を、図１５及び図１６を参照して説明す
る。この実施例−６においては、［工程−６００］〜
［工程−６２０］にて、基板２０に、導電性材料から成
る遮光層２２を有する遮光領域１２、及び光透過領域を
通過した光の位相と異なる位相の光を通過させる領域
（補助パターン領域１６）を形成し、併せて、補助パタ
ーン領域１６に近接した領域に導電性材料から成る遮光
層２２を有する光透過領域形成予定領域１０Ａを形成す
る。また、［工程−６３０］及び［工程−６４０］に
て、光透過領域形成予定領域１０Ａに、光透過領域１０
を形成する。

【００８２】［工程−６００］例えば石英から成る基板
２０上に、例えばクロム等の導電性材料から成る遮光層
２２をスパッタリング法にて成膜した後、遮光層２２上
にレジストを塗布して感光層３０を形成する（図１５の
（Ａ）参照）。

【００８３】［工程−６１０］次に、描画装置からの電
子線による第１の描画工程において、図１５の（Ａ）に
示すような描画領域を設定し、加速電圧２０ｋＶの電子
線による描画を行い、その後、感光層３０の現像工程を
行う（図１５の（Ｂ）参照）。

【００８４】［工程−６２０］次いで、反応性イオンエ
ッチングを用いて塩素及び酸素の混合ガスで遮光層２２
をエッチングし、更に、四フッ化炭素及び酸素の混合ガ
スによるプラズマ中で基板２０をエッチングして凹部を
形成する。その後、感光層３０を剥離する（図１５の
（Ｃ）参照）。これによって、遮光領域１２が形成さ
れ、基板２０に設けられた凹部から成る補助パターン領
域１６が形成される。併せて、補助パターン領域１６に
近接した領域に導電性材料から成る遮光層２２を有する
光透過領域形成予定領域１０Ａが形成される。

【００８５】［工程−６３０］その後、電子線で感光す
るレジストを、遮光領域１２、光透過領域を通過した光
の位相と異なる位相の光を通過させる領域（補助パター
ン領域１６）、及び光透過領域形成予定領域１０Ａ上に
塗布してレジスト層３２を形成した後（図１５の（Ｄ）
参照）、図１５の（Ｄ）に示すような描画領域を設定す
る。この描画領域は、光透過領域形成予定領域１０Ａ内
にあり、光透過領域を形成すべき領域に相当する。そし
て、基板２０のチャージアップを防止するために、入射
電子が全てレジスト層３２中に吸収されるような実施例
−５にて説明した加速電圧にて、第２の描画工程を実行
する。これによって、レジスト層３２に所望のレジスト
パターンを形成することができる。

【００８６】［工程−６４０］次いで、レジスト層３２
の現像工程（図１６の（Ａ）参照）、塩素ガス及び酸素
の混合ガスによるプラズマ中での遮光層２２のエッチン
グ工程（図１６の（Ｂ）参照）、レジスト層３２の剥離
工程を経て、最終的に図１４に示した構造の位相シフト
マスクを得ることができる。

【００８７】実施例−６においても、［工程−６００］
（図１５の（Ａ）参照）あるいは［工程−６３０］（図
１５の（Ｄ）参照）における描画領域は、いずれもクロ
ム等の導電性材料から成る遮光層２２上に限定されてい
る。従って、電子線によるチャージアップの影響がな
く、感光層３０やレジスト層３２に良好なる所望の寸法
のレジストパターンを形成することができる。また、
［工程−６３０］における電子線の加速電圧を低電圧に
することによって、実施例−１と同様に、レジスト層３
２に正確に描画されたレジストパターンを形成すること
ができる。

【００８８】尚、実施例−６において、［工程−６０
０］（図１５の（Ａ）参照）における描画領域は、例え
ば２４８ｎｍの露光波長により、解像限界に近い０．３
μｍ寸法のコンタクトホールパターンをウエハ上に形成
されたレジスト材料に形成する場合においても、位相シ
フトマスクを５倍レティクルとすれば、位相シフトマス
ク上で３．５μｍ離れており、相互近接効果補正を行う
必要はない。

【００８９】以上、本発明を好ましい実施例に基づき説
明したが、本発明はこれらの実施例に限定されるもので
はない。実施例にて説明した条件や数値は例示であり、
適宜変更することができる。例えば、各領域における光
の位相や描画領域間の距離は例示であり、適宜最適な値
あるいは所望の値に変更することができる。

【００９０】位相シフトマスクの作製工程で用いた各種
材料も適宜変更することができる。遮光層２２を構成す
る材料はクロムに限定されず、タングステン、タンタ
ル、アルミニウムやＭｏＳｉ₂等の光を適当量遮光する
ことができる材料を用いることができる。また、位相シ
フト層２４は、ＳＯＧから構成する代わりに、ポリメチ
ルメタクリレート、フッ化マグネシウム、二酸化チタ
ン、ポリイミド樹脂、二酸化珪素、酸化インジウム、Ｓ
ｉＯ₂、ＳｉＮ、各種レジスト等、透明な材料であれば
よい。感光層３０やレジスト層３２の形成の際、ポジ型
レジストの代わりにネガ型レジストを用いてもよい。こ
の場合、電子線描画領域はポジ型レジストの場合と逆に
なる点が異なる。

【００９１】

【発明の効果】本発明の位相シフトマスクの作製方法に
おいては、光透過領域を通過した光の位相と異なる位相
の光を通過させる領域の形成、あるいは光透過領域の形
成のために、電子線による感光層やレジスト層への描画
を行う際、導電材料から成る遮光層が存在するので、導
電性の無い基板がチャージアップすることを防止でき、
正確に感光層やレジスト層にレジストパターンを形成す
ることができる。

【００９２】また、帯電防止層を塗布又は形成する必要
がないために、位相シフトマスクの作製が容易になる。

【００９３】更には、光透過領域を通過した光の位相と
異なる位相の光を通過させる領域と、光透過領域とを、
別の電子線描画工程にて形成するので、電子線描画にお
ける描画領域が近接することがなく、相互近接効果によ
るレジストパターンの劣化がなく、相互近接効果補正を
行うことなく、正確な寸法のレジストパターンを形成す
ることができる。

【００９４】光透過領域を通過した光の位相と異なる位
相の光を通過させる領域を形成するために、あるいは光
透過領域を形成するために、１０ｋＶ以下の加速電圧の
電子線でレジスト層を描画すれば、電子線が遮光層を通
過して基板の表面に達することがなく、電子線ビームが
曲げられるという現象を抑制することができ、レジスト
層に所望のレジストパターンを形成することができる。

【００９５】本発明の位相シフトマスクの作製方法によ
れば、リム方式位相シフトマスクあるいは補助パターン
方式位相シフトマスクを、容易且つ低コストで作製でき
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】実施例−１の位相シフトマスクの模式的な一部
切断図である。

【図２】実施例−１の位相シフトマスクの作製方法を説
明するための各工程における一部切断図である。

【図３】図２に引き続き、実施例−１の位相シフトマス
クの作製方法を説明するための各工程における一部切断
図である。

【図４】実施例−２の位相シフトマスクの模式的な一部
切断図である。

【図５】実施例−２の位相シフトマスクの作製方法を説
明するための各工程における一部切断図である。

【図６】図５に引き続き、実施例−２の位相シフトマス
クの作製方法を説明するための各工程における一部切断
図である。

【図７】実施例−３の位相シフトマスクの模式的な一部
切断図である。

【図８】実施例−３の位相シフトマスクの作製方法を説
明するための各工程における一部切断図である。

【図９】実施例−４の位相シフトマスクの模式的な一部
切断図である。

【図１０】実施例−４の位相シフトマスクの作製方法を
説明するための各工程における一部切断図である。

【図１１】実施例−５の位相シフトマスクの模式的な一
部切断図である。

【図１２】実施例−５の位相シフトマスクの作製方法を
説明するための各工程における一部切断図である。

【図１３】図１２に引き続き、実施例−５の位相シフト
マスクの作製方法を説明するための各工程における一部
切断図である。

【図１４】実施例−６の位相シフトマスクの模式的な一
部切断図である。

【図１５】実施例−６の位相シフトマスクの作製方法を
説明するための各工程における一部切断図である。

【図１６】図１５に引き続き、実施例−５の位相シフト
マスクの作製方法を説明するための各工程における一部
切断図である。

【図１７】従来のリム方式位相シフトマスクの作製方法
を説明するための各工程における一部切断図である。

【図１８】図１７に引き続き、従来のリム方式位相シフ
トマスクの作製方法を説明するための各工程における一
部切断図である。

【図１９】従来の補助パターン方式位相シフトマスクの
作製方法を説明するための各工程における一部切断図で
ある。

【図２０】図２０に引き続き、従来の補助パターン方式
位相シフトマスクの作製方法を説明するための各工程に
おける一部切断図である。

【符号の説明】 １０ 光透過領域 １０Ａ 光透過領域形成予定領域 １２ 遮光領域 １４ 位相シフト領域 １６ 補助パターン領域 ２０ 基板 ２２ 遮光層 ２４ 位相シフト層 ３０ 感光層 ３２ レジスト層 ３４ 帯電防止層

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】基板、並びに該基板に形成された、光透過
   領域、遮光領域、及び光透過領域を通過した光の位相と
   異なる位相の光を通過させる領域から成る位相シフトマ
   スクの作製方法であって、 （イ）基板に、光透過領域、及び導電性材料から成る遮
   光層を有する遮光領域を形成する工程と、 （ロ）該光透過領域に隣接しあるいは近接した遮光領域
   の部分に、光透過領域を通過した光の位相と異なる位相
   の光を通過させる領域を形成する工程、から成ることを
   特徴とする位相シフトマスクの作製方法。
2. 【請求項２】前記（ロ）の工程は、光透過領域及び遮光
   領域上に電子線に感光するレジスト層を形成した後、光
   透過領域を通過した光の位相と異なる位相の光を通過さ
   せる領域を形成するために１０ｋＶ以下の加速電圧の電
   子線で該レジスト層を描画する工程を含むことを特徴と
   する請求項１に記載の位相シフトマスクの作製方法。
3. 【請求項３】基板、並びに該基板に形成された、光透過
   領域、遮光領域、及び光透過領域を通過した光の位相と
   異なる位相の光を通過させる領域から成る位相シフトマ
   スクの作製方法であって、 （イ）基板に、導電性材料から成る遮光層を有する遮光
   領域、及び光透過領域を通過した光の位相と異なる位相
   の光を通過させる領域を形成し、併せて、該領域に近接
   した領域に導電性材料から成る遮光層を有する光透過領
   域形成予定領域を形成する工程と、 （ロ）該光透過領域形成予定領域に、光透過領域を形成
   する工程、から成ることを特徴とする位相シフトマスク
   の作製方法。
4. 【請求項４】前記（ロ）の工程は、遮光領域、光透過領
   域を通過した光の位相と異なる位相の光を通過させる領
   域、及び光透過領域形成予定領域上に電子線に感光する
   レジスト層を形成した後、光透過領域を形成するために
   １０ｋＶ以下の加速電圧の電子線で該レジスト層を描画
   する工程を含むことを特徴とする請求項３に記載の位相
   シフトマスクの作製方法。