JPH10115907A - 位相反転マスクの製造方法 - Google Patents
位相反転マスクの製造方法Info
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- JPH10115907A JPH10115907A JP27295597A JP27295597A JPH10115907A JP H10115907 A JPH10115907 A JP H10115907A JP 27295597 A JP27295597 A JP 27295597A JP 27295597 A JP27295597 A JP 27295597A JP H10115907 A JPH10115907 A JP H10115907A
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/26—Phase shift masks [PSM]; PSM blanks; Preparation thereof
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 リソグラフィ工程に使用される位相反転マス
クの製造方法を提供する。 【解決手段】 この製造方法は、第１の領域に位置した
フォトレジストの部分と第２の領域に位置したフォトレ
ジストの部分とを電子ビームを使用して選択的に露光す
るとともに、第２の領域よりも第１の領域に対して相対
的に大量のエネルギーからなる電子ビームを照射する工
程を含むことで、正規投光部の現像速度が相対的に遅れ
るように構成されている。
クの製造方法を提供する。 【解決手段】 この製造方法は、第１の領域に位置した
フォトレジストの部分と第２の領域に位置したフォトレ
ジストの部分とを電子ビームを使用して選択的に露光す
るとともに、第２の領域よりも第１の領域に対して相対
的に大量のエネルギーからなる電子ビームを照射する工
程を含むことで、正規投光部の現像速度が相対的に遅れ
るように構成されている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体製造分野に
関する。特に、リソグラフィ工程で使用される位相反転
マスクの製造方法に関する。
関する。特に、リソグラフィ工程で使用される位相反転
マスクの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】図５は、反復型位相反転マスクの平面図
である。この図に示すように、反復型位相反転マスク
は、同一平面上に平行して設けられた位相反転投光部１
０と正規投光部２０とがクロム・パターン（クロム層）
２とともに反復して配置された構成を有する。図６は、
図５に示す反復型位相位相反転マスクの１−１′線に沿
う断面図である。この図では、透明基板１をトレンチ蝕
刻して形成された位相反転投光部１０、正規投光部２
０、およびクロム・パターン（クロム層）２が示されて
いる。
である。この図に示すように、反復型位相反転マスク
は、同一平面上に平行して設けられた位相反転投光部１
０と正規投光部２０とがクロム・パターン（クロム層）
２とともに反復して配置された構成を有する。図６は、
図５に示す反復型位相位相反転マスクの１−１′線に沿
う断面図である。この図では、透明基板１をトレンチ蝕
刻して形成された位相反転投光部１０、正規投光部２
０、およびクロム・パターン（クロム層）２が示されて
いる。
【０００３】つぎに、図５および図６に示す反復型位相
反転マスクを製造するための従来の方法を、図７ないし
図１０を参照しながら説明する。
反転マスクを製造するための従来の方法を、図７ないし
図１０を参照しながら説明する。
【０００４】（１）まず、図７に示すように、透明基板
１（例えば、水晶）上に遮光物質であるクロム層２を形
成し、その上部にフォトレジストを塗布する。つぎに、
フォトレジストを選択的に露光および現像することで、
所定のフォトレジスト・パターン３Ａを形成する。
１（例えば、水晶）上に遮光物質であるクロム層２を形
成し、その上部にフォトレジストを塗布する。つぎに、
フォトレジストを選択的に露光および現像することで、
所定のフォトレジスト・パターン３Ａを形成する。
【０００５】（２）さらに、図８のようにフォトレジス
ト・パターン３Ａを蝕刻マスクとして使用してクロム層
を蝕刻し、フォトレジスト・パターン３Ａを除去する。
ト・パターン３Ａを蝕刻マスクとして使用してクロム層
を蝕刻し、フォトレジスト・パターン３Ａを除去する。
【０００６】（３）図９に示すように、再びフォトレジ
スト・パターン３Ｂを塗布した後、選択的に露光および
現像を行って位相反転投光部を形成するために、すなわ
ちトレンチ蝕刻のためのフォトレジスト・パターン３Ｂ
を形成する。
スト・パターン３Ｂを塗布した後、選択的に露光および
現像を行って位相反転投光部を形成するために、すなわ
ちトレンチ蝕刻のためのフォトレジスト・パターン３Ｂ
を形成する。
【０００７】（４）図１０に示すように、フォトレジス
ト３Ｂを蝕刻マスクとして使用し、透明基板１をトレン
チ蝕刻することにより位相反転投光部１０を形成してか
ら、上記フォトレジスト・パターン３Ｂを除去する。
ト３Ｂを蝕刻マスクとして使用し、透明基板１をトレン
チ蝕刻することにより位相反転投光部１０を形成してか
ら、上記フォトレジスト・パターン３Ｂを除去する。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかし、すでに説明し
たように、従来の反復型位相反転マスクの製造方法は、
２回のフォトレジスト塗布工程、露光工程、および現像
工程が行われることから、所要時間が長い。汎用のマス
ク基板の場合、フォトレジストまで塗布されたかたちで
市販される場合がある。このような場合、位相反転マス
ク製造の際に、追加のフォトレジスト塗布装置が必要と
なる。また、上記のように露光工程が２回実施される従
来の反復型位相反転マスクの製造方法では、クロム層と
位相反転部との間が重なってしまうという解決すべき問
題が生ずる。
たように、従来の反復型位相反転マスクの製造方法は、
２回のフォトレジスト塗布工程、露光工程、および現像
工程が行われることから、所要時間が長い。汎用のマス
ク基板の場合、フォトレジストまで塗布されたかたちで
市販される場合がある。このような場合、位相反転マス
ク製造の際に、追加のフォトレジスト塗布装置が必要と
なる。また、上記のように露光工程が２回実施される従
来の反復型位相反転マスクの製造方法では、クロム層と
位相反転部との間が重なってしまうという解決すべき問
題が生ずる。
【０００９】したがって、本発明は上記課題を解決し、
フォトレジスト塗布工程および露光工程の回数を１回に
することで製造工程の単純化、製造に要する時間の短縮
化、およびコストの削減を可能とする新規の位相反転マ
スク製造方法を提供することを目的とする。
フォトレジスト塗布工程および露光工程の回数を１回に
することで製造工程の単純化、製造に要する時間の短縮
化、およびコストの削減を可能とする新規の位相反転マ
スク製造方法を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決しようと
するために、本発明にもとづく位相反転マスクの製造方
法は、透明基板上に遮光性物質層を形成する工程と、該
遮光性物質層に第１の領域と第２の領域とを定めるとと
もに、遮光性物質層の上部にフォトレジストを塗布する
工程と、第１の領域に位置したフォトレジストの部分と
第２の領域に位置したフォトレジストの部分とを電子ビ
ームを使用して選択的に露光するとともに、第２の領域
よりも第１の領域に対して相対的に大量のエネルギーか
らなる電子ビームを照射する工程と、フォトレジストを
現像することにより、遮光性物質層の第１の領域のみが
露出される第１のフォトレジスト・パターンを形成する
工程と、第１のフォトレジスト・パターンを蝕刻障壁に
して露出された遮光性物質層の第１の領域と該第１の領
域に対応する透明基板の部分とを選択的に蝕刻する工程
と、フォトレジストを再現像することにより、遮光性物
質層の第２の領域に対応する第１のフォトレジスト・パ
ターンの部分が選択的に除去された第２のフォトレジス
ト・パターンを形成する工程と、第２のフォトレジスト
・パターンを蝕刻障壁にして遮光性物質層の第２の領域
を選択的に蝕刻する工程と、第２のフォトレジスト・パ
ターンの除去する工程とを有することを特徴とする。
するために、本発明にもとづく位相反転マスクの製造方
法は、透明基板上に遮光性物質層を形成する工程と、該
遮光性物質層に第１の領域と第２の領域とを定めるとと
もに、遮光性物質層の上部にフォトレジストを塗布する
工程と、第１の領域に位置したフォトレジストの部分と
第２の領域に位置したフォトレジストの部分とを電子ビ
ームを使用して選択的に露光するとともに、第２の領域
よりも第１の領域に対して相対的に大量のエネルギーか
らなる電子ビームを照射する工程と、フォトレジストを
現像することにより、遮光性物質層の第１の領域のみが
露出される第１のフォトレジスト・パターンを形成する
工程と、第１のフォトレジスト・パターンを蝕刻障壁に
して露出された遮光性物質層の第１の領域と該第１の領
域に対応する透明基板の部分とを選択的に蝕刻する工程
と、フォトレジストを再現像することにより、遮光性物
質層の第２の領域に対応する第１のフォトレジスト・パ
ターンの部分が選択的に除去された第２のフォトレジス
ト・パターンを形成する工程と、第２のフォトレジスト
・パターンを蝕刻障壁にして遮光性物質層の第２の領域
を選択的に蝕刻する工程と、第２のフォトレジスト・パ
ターンの除去する工程とを有することを特徴とする。
【００１１】好ましくは、第１の領域が位相反転投光部
である。
である。
【００１２】好ましくは、第２の領域が正規投光部であ
る。
る。
【００１３】好ましくは、露光は、任意のエネルギーの
電子ビームを照射する露光装置を用いて行う。
電子ビームを照射する露光装置を用いて行う。
【００１４】好ましくは、第２の領域に対応する第１の
フォトレジスト・パターンは、遮光性物質層が露光され
ないようにして、フォトレジストの一部を除去したもの
である。
フォトレジスト・パターンは、遮光性物質層が露光され
ないようにして、フォトレジストの一部を除去したもの
である。
【００１５】好ましくは、遮光性物質層がクロム層であ
る。
る。
【００１６】
【発明の実施の形態】以下、図１ないし図４を参照しな
がら本発明にもとづく位相反転マスクの製造方法の一例
を説明する。なお、各図面において共通する構成要素に
は同一符号を添えるとともに、説明の重複を省くように
した。
がら本発明にもとづく位相反転マスクの製造方法の一例
を説明する。なお、各図面において共通する構成要素に
は同一符号を添えるとともに、説明の重複を省くように
した。
【００１７】位相反転マスクの製造方法は、以下の工程
からなる。
からなる。
【００１８】透明基板１上にクロム層２を形成し、その
上部にフォトレジストを塗布する。つぎに、クロム・パ
ターンを形成するためのマスクを利用して、該フォトレ
ジストに対する選択的露光を実施し、所定の時間にわた
って現像を行う。ここで、露光は電子ビームを使用して
行う。したがって、局部的に露光エネルギー量が異なる
ようにして露光を行うことができる。本実施例では、位
相反転投光部１０に対して正規投光部２０よりも相対的
に照射エネルギー量が多くなるようにして電子ビームを
照射する。これによって、位相反転投光部１０のフォト
レジストが完全に現像されてクロム層２が露出されるよ
うにする。この時、正規投光部２０には相対的に少ない
エネルギーの電子ビームが照射される結果、現像速度が
相対的に遅れることになる。このため、現像後にも正規
投光部２０のフォトレジストが所定の厚さほど残ること
になる。図中符号５Ａはこのような現像により形成され
たフォトレジスト・パターンを示す。
上部にフォトレジストを塗布する。つぎに、クロム・パ
ターンを形成するためのマスクを利用して、該フォトレ
ジストに対する選択的露光を実施し、所定の時間にわた
って現像を行う。ここで、露光は電子ビームを使用して
行う。したがって、局部的に露光エネルギー量が異なる
ようにして露光を行うことができる。本実施例では、位
相反転投光部１０に対して正規投光部２０よりも相対的
に照射エネルギー量が多くなるようにして電子ビームを
照射する。これによって、位相反転投光部１０のフォト
レジストが完全に現像されてクロム層２が露出されるよ
うにする。この時、正規投光部２０には相対的に少ない
エネルギーの電子ビームが照射される結果、現像速度が
相対的に遅れることになる。このため、現像後にも正規
投光部２０のフォトレジストが所定の厚さほど残ること
になる。図中符号５Ａはこのような現像により形成され
たフォトレジスト・パターンを示す。
【００１９】つぎに、図２に示すように、フォトレジス
ト・パターン５Ａを蝕刻マスクとして位相反転投光部１
０に露出されたクロム層２を選択的に蝕刻し、続けて透
明基板１の一部をトレンチ蝕刻する。
ト・パターン５Ａを蝕刻マスクとして位相反転投光部１
０に露出されたクロム層２を選択的に蝕刻し、続けて透
明基板１の一部をトレンチ蝕刻する。
【００２０】つづいて、図３に示すように、再び現像を
実施して正規投光部２０のフォトレジストを除去するこ
とにより、別のフォトレジスト・パターン５Ｂを形成す
る。さらに、フォトレジスト・パターン５Ｂを蝕刻マス
クとして使用し、正規投光部２０の露出されたクロム層
２を除去する。最後に、図４に示すように、フォトレジ
スト・パターン５Ｂを除去することにより、反復型位相
反転マスクの製造を完了する。
実施して正規投光部２０のフォトレジストを除去するこ
とにより、別のフォトレジスト・パターン５Ｂを形成す
る。さらに、フォトレジスト・パターン５Ｂを蝕刻マス
クとして使用し、正規投光部２０の露出されたクロム層
２を除去する。最後に、図４に示すように、フォトレジ
スト・パターン５Ｂを除去することにより、反復型位相
反転マスクの製造を完了する。
【００２１】なお、本発明は上記実施形態例および添付
した図面に限定されるものではなく、特許請求の範囲に
もとづいて本発明の技術的思想を逸脱しない範囲内で、
種々の置換、変更、修飾が可能であることは言うまでも
ない。
した図面に限定されるものではなく、特許請求の範囲に
もとづいて本発明の技術的思想を逸脱しない範囲内で、
種々の置換、変更、修飾が可能であることは言うまでも
ない。
【００２２】
【発明の効果】本発明にもとづく位相反転マスクの製造
方法は、上記のように構成されるので、従来の２回のフ
ォトレジスト塗布工程および露光工程を１回に減らすこ
とが可能となり、その結果、工程時間が短縮され、クロ
ム・パターンと位相反転部との間に生ずる重畳問題を解
決するという効果を奏する。また、製造工程が従来のも
のに比べて簡便なことから、マスクの原価を安くするこ
とができ、マスクの製造工程の簡略化により、マスク上
の欠陥の発生回数も減少させることが可能となる。その
ため、歩留まりの向上を達成することができる。
方法は、上記のように構成されるので、従来の２回のフ
ォトレジスト塗布工程および露光工程を１回に減らすこ
とが可能となり、その結果、工程時間が短縮され、クロ
ム・パターンと位相反転部との間に生ずる重畳問題を解
決するという効果を奏する。また、製造工程が従来のも
のに比べて簡便なことから、マスクの原価を安くするこ
とができ、マスクの製造工程の簡略化により、マスク上
の欠陥の発生回数も減少させることが可能となる。その
ため、歩留まりの向上を達成することができる。
【図１】本発明にもとづく位相反転マスクの製造方法の
一工程を説明するためのもので、製造途中にある位相反
転マスクの断面図である。
一工程を説明するためのもので、製造途中にある位相反
転マスクの断面図である。
【図２】本発明にもとづく位相反転マスクの製造方法の
一工程を説明するためのもので、製造途中にある位相反
転マスクの断面図である。
一工程を説明するためのもので、製造途中にある位相反
転マスクの断面図である。
【図３】本発明にもとづく位相反転マスクの製造方法の
一工程を説明するためのもので、製造途中にある位相反
転マスクの断面図である。
一工程を説明するためのもので、製造途中にある位相反
転マスクの断面図である。
【図４】本発明にもとづく位相反転マスクの製造方法の
一工程を説明するためのもので、製造途中にある位相反
転マスクの断面図である。
一工程を説明するためのもので、製造途中にある位相反
転マスクの断面図である。
【図５】反復型位相反転マスクの一例を示す平面図であ
る。
る。
【図６】図５に示す反復型位相反転マスクの断面図であ
る。
る。
【図７】従来の位相反転マスクの製造方法の一工程を説
明するためのもので、製造途中にある位相反転マスクの
断面図である。
明するためのもので、製造途中にある位相反転マスクの
断面図である。
【図８】従来の位相反転マスクの製造方法の一工程を説
明するためのもので、製造途中にある位相反転マスクの
断面図である。
明するためのもので、製造途中にある位相反転マスクの
断面図である。
【図９】従来の位相反転マスクの製造方法の一工程を説
明するためのもので、製造途中にある位相反転マスクの
断面図である。
明するためのもので、製造途中にある位相反転マスクの
断面図である。
【図１０】従来の位相反転マスクの製造方法の一工程を
説明するためのもので、製造途中にある位相反転マスク
の断面図である。
説明するためのもので、製造途中にある位相反転マスク
の断面図である。
１ 基板 ２ クロム層（クロム・パターン） ５Ａ フォトレジスト・パターン ５Ｂ フォトレジスト・パターン １０ 位相反転投光部 ２０ 正規投光部
Claims (6)
- 【請求項１】 透明基板上に遮光性物質層を形成する工
程と、 該遮光性物質層に第１の領域と第２の領域とを定めると
ともに、前記遮光性物質層の上部にフォトレジストを塗
布する工程と、 前記第１の領域に位置した前記フォトレジストの部分と
前記第２の領域に位置した前記フォトレジストの部分と
を電子ビームを使用して選択的に露光するとともに、前
記第２の領域よりも前記第１の領域に対して相対的に大
量のエネルギーからなる電子ビームを照射する工程と、 前記フォトレジストを現像することにより、前記遮光性
物質層の第１の領域のみが露出される第１のフォトレジ
スト・パターンを形成する工程と、 前記第１のフォトレジスト・パターンを蝕刻障壁にして
露出された前記遮光性物質層の第１の領域と該第１の領
域に対応する前記透明基板の部分とを選択的に蝕刻する
工程と、 前記フォトレジストを再現像することにより、前記遮光
性物質層の第２の領域に対応する前記第１のフォトレジ
スト・パターンの部分が選択的に除去された第２のフォ
トレジスト・パターンを形成する工程と、 前記第２のフォトレジスト・パターンを蝕刻障壁にして
前記遮光性物質層の前記第２の領域を選択的に蝕刻する
工程と、 前記第２のフォトレジスト・パターンの除去する工程
と、 を有することを特徴とする位相反転マスクの製造方法。 - 【請求項２】 前記第１の領域が位相反転投光部である
ことを特徴とする請求項１に記載の位相反転マスクの製
造方法。 - 【請求項３】 前記第２の領域が正規投光部であること
を特徴とする請求項１または２に記載の位相反転マスク
の製造方法。 - 【請求項４】 前記露光は、任意のエネルギーの電子ビ
ームを照射する露光装置を用いて行うことを特徴とする
請求項１ないし３のいずれか一項に記載の位相反転マス
クの製造方法。 - 【請求項５】 前記第２の領域に対応する前記第１のフ
ォトレジスト・パターンは、前記遮光性物質層が露光さ
れないようにして、前記フォトレジストの一部を除去し
たものであることを特徴とする請求項１ないし４のいず
れか一項に記載の位相反転マスクの製造方法。 - 【請求項６】 前記遮光性物質層がクロム層であること
を特徴とする請求項１ないし５のいずれか一項に記載の
位相反転マスクの製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1996-44141 | 1996-10-05 | ||
| KR1019960044141A KR100214063B1 (ko) | 1996-10-05 | 1996-10-05 | 위상반전마스크 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10115907A true JPH10115907A (ja) | 1998-05-06 |
Family
ID=19476345
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27295597A Pending JPH10115907A (ja) | 1996-10-05 | 1997-10-06 | 位相反転マスクの製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10115907A (ja) |
| KR (1) | KR100214063B1 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100519540B1 (ko) * | 1998-07-09 | 2005-12-05 | 삼성전자주식회사 | 반도체장치의 제조방법 |
| KR100468735B1 (ko) * | 2002-06-12 | 2005-01-29 | 삼성전자주식회사 | 얼터네이팅 위상 반전 마스크의 제조방법 |
-
1996
- 1996-10-05 KR KR1019960044141A patent/KR100214063B1/ko not_active IP Right Cessation
-
1997
- 1997-10-06 JP JP27295597A patent/JPH10115907A/ja active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR19980025850A (ko) | 1998-07-15 |
| KR100214063B1 (ko) | 1999-08-02 |
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