JPH05152199A - レジストパターン形成方法 - Google Patents
レジストパターン形成方法Info
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- JPH05152199A JPH05152199A JP3312211A JP31221191A JPH05152199A JP H05152199 A JPH05152199 A JP H05152199A JP 3312211 A JP3312211 A JP 3312211A JP 31221191 A JP31221191 A JP 31221191A JP H05152199 A JPH05152199 A JP H05152199A
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 レジストパターンを形成する方法において、
特にＥＢ露光方法を用いた場合について、基板の処理時
間を大幅に短縮することを目的とする。 【構成】 レジスト塗布済基板８図１a ）をディープＵ
Ｖ光４で露光・現像することにより、一部のパターニン
グを行い（図１b,c ）その後ＥＢ露光・現像にてパター
ニングを施す（図１d,e,f ）。 【効果】 本発明により、上記目的を達成することが出
来るとともに、塗布レジストを２層にすることにより、
レジスト断面形状を所望の形状にすることが出来る。ま
た、ディープＵＶ露光時にＥＢ重ね合わせマーク部のレ
ジストを除去することにより、レジストの変質も防止出
来る。
特にＥＢ露光方法を用いた場合について、基板の処理時
間を大幅に短縮することを目的とする。 【構成】 レジスト塗布済基板８図１a ）をディープＵ
Ｖ光４で露光・現像することにより、一部のパターニン
グを行い（図１b,c ）その後ＥＢ露光・現像にてパター
ニングを施す（図１d,e,f ）。 【効果】 本発明により、上記目的を達成することが出
来るとともに、塗布レジストを２層にすることにより、
レジスト断面形状を所望の形状にすることが出来る。ま
た、ディープＵＶ露光時にＥＢ重ね合わせマーク部のレ
ジストを除去することにより、レジストの変質も防止出
来る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は例えば、半導体製造に
おいてレジストパターンを形成する方法に関し、特にＥ
Ｂ露光方法を用いるパターン形成技術に関する。
おいてレジストパターンを形成する方法に関し、特にＥ
Ｂ露光方法を用いるパターン形成技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、半導体製造において、基板にレ
ジストパターンを形成するには、レジストを塗布して、
これを選択露光し現像する工程がある。特に微細なパタ
ーンを形成するために、選択露光にＥＢ露光方法を用い
ることがある。
ジストパターンを形成するには、レジストを塗布して、
これを選択露光し現像する工程がある。特に微細なパタ
ーンを形成するために、選択露光にＥＢ露光方法を用い
ることがある。
【０００３】すなわち、従来この種のパターン形成方法
は、図５に示すようにおこなわれていた。
は、図５に示すようにおこなわれていた。
【０００４】まずレジスト(2) を塗布した基板(1) を準
備し、（図５(a) ），電子線(5) にてレジスト(2) を選
択露光する（図５(b) 〜(e) ）。選択露光されたレジス
ト(2')は、現像にて選択除去され、レジスト(2) がパタ
ーンニングされる（図５(f)）。図ではポジレジストの
場合を示してあるが、ネガレジストの場合は選択露光さ
れた部分が選択的に残ることになる。
備し、（図５(a) ），電子線(5) にてレジスト(2) を選
択露光する（図５(b) 〜(e) ）。選択露光されたレジス
ト(2')は、現像にて選択除去され、レジスト(2) がパタ
ーンニングされる（図５(f)）。図ではポジレジストの
場合を示してあるが、ネガレジストの場合は選択露光さ
れた部分が選択的に残ることになる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記の従来
のパターン形成方法では、パターン領域全てに電子線
(5) を照射し描画しており、単位照射面積の小さいＥＢ
露光装置では、露光時間が長時間におよぶ［露光パター
ンによっては数十時間／基板かかることもある］という
欠点があった。
のパターン形成方法では、パターン領域全てに電子線
(5) を照射し描画しており、単位照射面積の小さいＥＢ
露光装置では、露光時間が長時間におよぶ［露光パター
ンによっては数十時間／基板かかることもある］という
欠点があった。
【０００６】この問題を解決するために、感度の高いレ
ジストが開発されつつあるが、ＥＢ露光装置の電子ビー
ムの位置決め時間［ビーム整定時間］が一定時間必要な
ため、根本対策に至っていない。
ジストが開発されつつあるが、ＥＢ露光装置の電子ビー
ムの位置決め時間［ビーム整定時間］が一定時間必要な
ため、根本対策に至っていない。
【０００７】また、微細パターンとそれ以外の比較的寸
法精度が低くてもよいパターンでは目的が異なる場合が
あり、レジストの断面形状を変えたい場合があるが、同
じようにＥＢ露光されるため、断面形状も同様になり、
不具合が発生することがあった。
法精度が低くてもよいパターンでは目的が異なる場合が
あり、レジストの断面形状を変えたい場合があるが、同
じようにＥＢ露光されるため、断面形状も同様になり、
不具合が発生することがあった。
【０００８】さらに、ＥＢ露光方法にて基板パターンに
重ね合わせ露光をする場合、位置合わせマークを数回〜
数十回電子線がスキャニングするため、スキャン部のレ
ジストが極端に変質し、後工程で除去出来なくなり、不
具合を発生するこいとがあった。
重ね合わせ露光をする場合、位置合わせマークを数回〜
数十回電子線がスキャニングするため、スキャン部のレ
ジストが極端に変質し、後工程で除去出来なくなり、不
具合を発生するこいとがあった。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明のパターン形成方
法は上記問題解決のためにレジスト塗布済基板をディー
プＵＶ光で露光・現像することにより一部のパターニン
グをおこない、その後、ＥＢ露光・現像にてパターニン
グをおこなう構成となっている。
法は上記問題解決のためにレジスト塗布済基板をディー
プＵＶ光で露光・現像することにより一部のパターニン
グをおこない、その後、ＥＢ露光・現像にてパターニン
グをおこなう構成となっている。
【００１０】また、パターン形成後に、蒸着・リフトオ
フプロセスにより電極形成をする場合については、レジ
スト断面をオーバーハング形成にする必要があるが、こ
のように、目的に応じたレジスト断面形状を得るために
は、レジストを２層塗布する手段を採用する。
フプロセスにより電極形成をする場合については、レジ
スト断面をオーバーハング形成にする必要があるが、こ
のように、目的に応じたレジスト断面形状を得るために
は、レジストを２層塗布する手段を採用する。
【００１１】
【作用】上記の構成によると、寸法精度が低くてもよい
ラフなパターンはディープＵＶ光で露光することがで
き、寸法精度が必要で、微細なパターンのみをＥＢ露光
でパターニングするので、ＥＢ露光時間を大幅に短縮す
ることができる。大きな面積のパターンでありながら
も、寸法精度が必要なパターンの場合は、ディープＵＶ
光でパターニングした後、ＥＢ露光でパターン周辺を露
光することにより、同様の効果を得ることが出来る。
ラフなパターンはディープＵＶ光で露光することがで
き、寸法精度が必要で、微細なパターンのみをＥＢ露光
でパターニングするので、ＥＢ露光時間を大幅に短縮す
ることができる。大きな面積のパターンでありながら
も、寸法精度が必要なパターンの場合は、ディープＵＶ
光でパターニングした後、ＥＢ露光でパターン周辺を露
光することにより、同様の効果を得ることが出来る。
【００１２】また、レジストを２層塗布することによ
り、ディープＵＶ露光後の現像液、ＥＢ露光後の現像液
に工夫をすることによりレジスト断面形状をオーバーハ
ング形状にしたり、順テーパー状にしたりすることが出
来、その後の工程で加工しやすい形状にすることも可能
である。
り、ディープＵＶ露光後の現像液、ＥＢ露光後の現像液
に工夫をすることによりレジスト断面形状をオーバーハ
ング形状にしたり、順テーパー状にしたりすることが出
来、その後の工程で加工しやすい形状にすることも可能
である。
【００１３】さらに、重ね合わせ露光の場合、ＥＢ露光
用の位置合わせマーク近傍を、ディープＵＶ露光にてレ
ジスト除去をしておけば、レジストの極端な変質も防ぐ
ことが出来る。
用の位置合わせマーク近傍を、ディープＵＶ露光にてレ
ジスト除去をしておけば、レジストの極端な変質も防ぐ
ことが出来る。
【００１４】
【実施例】以下、この発明について図面を参照して説明
する。図１はこの発明の一実施例を示す基板の一部断面
積斜視図および平面図である。図において１は基板，２
は未露光のレジスト，２’は露光済のレジスト，３はデ
ィープＵＶ露光用のマスクである。また、４は露光用の
ディープＵＶ光を、５は露光用の電子線をあらわす。以
下、パターン形成方法を説明する。
する。図１はこの発明の一実施例を示す基板の一部断面
積斜視図および平面図である。図において１は基板，２
は未露光のレジスト，２’は露光済のレジスト，３はデ
ィープＵＶ露光用のマスクである。また、４は露光用の
ディープＵＶ光を、５は露光用の電子線をあらわす。以
下、パターン形成方法を説明する。
【００１５】レジスト(2) を塗布した基板(1) を準備す
る（図１(a) ）。この基板にディープＵＶ露光用マスク
(3) を用い、ディープＵＶ光(4) で露光をおこなう（図
１(b) ）。この時露光するパターンは、ディープＵＶ光
で露光可能なパターン寸法精度までのパターンとし、Ｅ
Ｂ露光でないと解像しないような微細なパターンについ
えは露光を行わない。
る（図１(a) ）。この基板にディープＵＶ露光用マスク
(3) を用い、ディープＵＶ光(4) で露光をおこなう（図
１(b) ）。この時露光するパターンは、ディープＵＶ光
で露光可能なパターン寸法精度までのパターンとし、Ｅ
Ｂ露光でないと解像しないような微細なパターンについ
えは露光を行わない。
【００１６】露光後の基板は現像を行いパターニングす
る（図１(c) ）。一般的に、ディープＵＶ露光に対して
のレジスト感度は低いため、この場合の現像液は、ＥＢ
露光用の現像液よりも溶解力が強いものを使用するとよ
い。
る（図１(c) ）。一般的に、ディープＵＶ露光に対して
のレジスト感度は低いため、この場合の現像液は、ＥＢ
露光用の現像液よりも溶解力が強いものを使用するとよ
い。
【００１７】次に残った微細パターンを電子線(5) を用
いてＥＢ露光を施す（図１(d),(e)）。最後にＥＢ露光
パターンを現像すれば、所望のパターンが形成される。
いてＥＢ露光を施す（図１(d),(e)）。最後にＥＢ露光
パターンを現像すれば、所望のパターンが形成される。
【００１８】大面積パターンであってもディープＵＶ露
光ではパターン寸法精度が確保出来ない場合は、図２に
示すような露光方法を用いる。ディープＵＶ露光で所望
のパターンよりやや小さいパターンを形成し（図１(a),
(b) ）、その後ＥＢ露光で周辺部の露光をおこない（図
１(c) ）、寸法精度のよいパターンを形成する（図１
(d) ）。この実施例によれば、従来、ＥＢ露光時間の大
部分を占めていた大面積部の露光がディープＵＶでなさ
れるため、基板処理時間を大幅に短縮することが出来
る。ディープＵＶ露光は、マスクを用いた一括露光であ
るため、大面積部のパターンは、どのような形でも処理
時間は変わらず、パターンの制約もなくなる。また、重
ね合わせ露光においては、ディープＵＶ露光時にＥＢ露
光用位置合わせマーク近傍のレジストを除去しておけ
ば、マーク部をスキャニングする電子線によるレジスト
の極端な変質も防ぐことが出来る。
光ではパターン寸法精度が確保出来ない場合は、図２に
示すような露光方法を用いる。ディープＵＶ露光で所望
のパターンよりやや小さいパターンを形成し（図１(a),
(b) ）、その後ＥＢ露光で周辺部の露光をおこない（図
１(c) ）、寸法精度のよいパターンを形成する（図１
(d) ）。この実施例によれば、従来、ＥＢ露光時間の大
部分を占めていた大面積部の露光がディープＵＶでなさ
れるため、基板処理時間を大幅に短縮することが出来
る。ディープＵＶ露光は、マスクを用いた一括露光であ
るため、大面積部のパターンは、どのような形でも処理
時間は変わらず、パターンの制約もなくなる。また、重
ね合わせ露光においては、ディープＵＶ露光時にＥＢ露
光用位置合わせマーク近傍のレジストを除去しておけ
ば、マーク部をスキャニングする電子線によるレジスト
の極端な変質も防ぐことが出来る。
【００１９】なお、上記実施例ではディープＵＶ露光
を、マスクを用いたコンタクト露光方式で説明したが、
ミラープロジェクション露光法、エキシマレーザーステ
ッパー露光法を用いてもよい。
を、マスクを用いたコンタクト露光方式で説明したが、
ミラープロジェクション露光法、エキシマレーザーステ
ッパー露光法を用いてもよい。
【００２０】また、レジストをＵＶ光にも感度のあるも
の使用すれば、ＵＶ光ステッパー露光法も使用可能とな
る。
の使用すれば、ＵＶ光ステッパー露光法も使用可能とな
る。
【００２１】レジストについては、ポジ型レジストにつ
いて説明をしたが、ネガ型レジストを使用しても同様の
効果が得られる。但し、この場合は、図１の(c) にたる
ディープＵＶ露光後の現像は実施しない。従ってＥＢ露
光用の位置合わせマーク近傍のレジスト除去は出来ない
が、ネガレジストは本来ポジレジストよりも変質しにく
いため、影響は少ない。
いて説明をしたが、ネガ型レジストを使用しても同様の
効果が得られる。但し、この場合は、図１の(c) にたる
ディープＵＶ露光後の現像は実施しない。従ってＥＢ露
光用の位置合わせマーク近傍のレジスト除去は出来ない
が、ネガレジストは本来ポジレジストよりも変質しにく
いため、影響は少ない。
【００２２】
【実施例２】図３はこの発明の第２実施例を示す基板の
斜視図および平面図である。この実施例は前記第１の実
施例の塗布レジストを２層にした点を除いては第１の実
施例と同様であるため、同一部分には同一参照符号を付
してその説明を省略する。またＥＢ露光・現像過程の図
も省略する。
斜視図および平面図である。この実施例は前記第１の実
施例の塗布レジストを２層にした点を除いては第１の実
施例と同様であるため、同一部分には同一参照符号を付
してその説明を省略する。またＥＢ露光・現像過程の図
も省略する。
【００２３】この実施例では、塗布レジスト（2a,2b)が
２層となっており、そのレジストの感度，溶媒および現
像液を適当に選ぶことによりレジストの断面形状を変え
ることは出来る。
２層となっており、そのレジストの感度，溶媒および現
像液を適当に選ぶことによりレジストの断面形状を変え
ることは出来る。
【００２４】例えば、下層レジスト(2b)の溶媒としてモ
ノクロルベンゼンを用い、上層レジスト(2a)の溶媒とし
てＥＣＡ（エチルセロソルブアセテート）を用いるとす
る。ディープＵＶ露光後（図３(a) ）、ＭＩＢＫ（メチ
ルイソブルチケント）で現像すると、現像パターンは図
３(b) を経て図３(c2)に至る。図３(b) になった段階で
現像液をモノクロルベンゼンに切換えると、図３(c1)の
ようなパターンとなる。同様に、ＥＢ露光後の現像も現
像方法によりレジストの断面を変えることが出来、組み
合わせにより、図４に示す(a) 〜(d) のような４種類の
断面形状を得ることが出来る。レジストの断面形状は、
その後の基板の加工性に大きく影響を与えるが、一般的
に微細パターンと大面積パターンでは所望するレジスト
断面形状が異なる場合が少なくなく、本発明により、任
意のパターンの断面形状を変えることが出来るようにな
る。
ノクロルベンゼンを用い、上層レジスト(2a)の溶媒とし
てＥＣＡ（エチルセロソルブアセテート）を用いるとす
る。ディープＵＶ露光後（図３(a) ）、ＭＩＢＫ（メチ
ルイソブルチケント）で現像すると、現像パターンは図
３(b) を経て図３(c2)に至る。図３(b) になった段階で
現像液をモノクロルベンゼンに切換えると、図３(c1)の
ようなパターンとなる。同様に、ＥＢ露光後の現像も現
像方法によりレジストの断面を変えることが出来、組み
合わせにより、図４に示す(a) 〜(d) のような４種類の
断面形状を得ることが出来る。レジストの断面形状は、
その後の基板の加工性に大きく影響を与えるが、一般的
に微細パターンと大面積パターンでは所望するレジスト
断面形状が異なる場合が少なくなく、本発明により、任
意のパターンの断面形状を変えることが出来るようにな
る。
【００２５】ネガ型レジストの場合は、ディープＵＶ露
光後の現像が出来ないため、形状の選択は図４の(a),
(d) の２種類となる。
光後の現像が出来ないため、形状の選択は図４の(a),
(d) の２種類となる。
【００２６】
【発明の効果】以上説明したようにこの発明は、ＥＢ露
光工程におけるパターン形成領域の一部をディープＵＶ
露光にてパターン形成したことにより、以下のような効
果がある。
光工程におけるパターン形成領域の一部をディープＵＶ
露光にてパターン形成したことにより、以下のような効
果がある。
【００２７】まず、ＥＢ露光工程における基板の処理時
間が大幅に短縮出来る。また、レジストを２層塗布する
ことにより、パターンにより所望のレジストを形状を得
ることが出来る。
間が大幅に短縮出来る。また、レジストを２層塗布する
ことにより、パターンにより所望のレジストを形状を得
ることが出来る。
【００２８】さらに、重ね合わせ露光の場合、ＥＢ露光
用の位置合わせマークでのレジストの極端な変質も防止
することが出来る。
用の位置合わせマークでのレジストの極端な変質も防止
することが出来る。
【図１】 本発明のレジストパターン形成方法の一実施
例を示す基板の斜視図および平面図
例を示す基板の斜視図および平面図
【図２】 本発明において、ディープＵＶ露光部の周辺
をＥＢ露光でパターニングする実施例を示す平面図
をＥＢ露光でパターニングする実施例を示す平面図
【図３】 本発明のレジスト塗布を２層にした実施例を
示す斜視図
示す斜視図
【図４】 本発明の方法で得られるレジストパターンの
組み合わせを示す基板の断面図
組み合わせを示す基板の断面図
【図５】 従来の方法を示す基板の斜視図および平面図
１ 基板 ２ レジスト 2a ジスト 2b レジスト ４ ディープＵＶ光 ５ 電子線
フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 7352−4Ｍ ３６１ Ｓ
Claims (3)
- 【請求項１】基板上のレジストに電子線を照射して描画
し、露光するＥＢ露光工程において、パターン形成領域
の一部をティープＵＶ露光にてパターン形成することを
特徴とするレジストパターン形成方法。 - 【請求項２】前記露光工程において、ＥＢ露光用レジス
トが基板上に２層塗布されている請求項１記載のレジス
トパターン形成方法。 - 【請求項３】前記２層のＥＢ露光用レジストを、異なる
現像液を用いて現像することを特徴とする請求項２記載
のレジストパターン形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3312211A JPH05152199A (ja) | 1991-11-27 | 1991-11-27 | レジストパターン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3312211A JPH05152199A (ja) | 1991-11-27 | 1991-11-27 | レジストパターン形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05152199A true JPH05152199A (ja) | 1993-06-18 |
Family
ID=18026535
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3312211A Pending JPH05152199A (ja) | 1991-11-27 | 1991-11-27 | レジストパターン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05152199A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002305135A (ja) * | 2001-04-05 | 2002-10-18 | Fujitsu Ltd | レジストパターンの形成方法 |
| WO2006129374A1 (ja) * | 2005-06-03 | 2006-12-07 | Advantest Corporation | パターニング方法 |
| WO2012121138A1 (ja) * | 2011-03-09 | 2012-09-13 | シャープ株式会社 | レジストパターンの形成方法、配線パターンの形成方法、及びアクティブマトリクス基板の製造方法 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5558529A (en) * | 1978-10-26 | 1980-05-01 | Chiyou Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai | Electron beam exposure |
| JPS5763829A (en) * | 1980-10-06 | 1982-04-17 | Nec Corp | Pattern forming method |
| JPS5785234A (en) * | 1980-11-18 | 1982-05-27 | Nec Corp | Pattern formation |
| JPS59141230A (ja) * | 1983-02-02 | 1984-08-13 | Mitsubishi Electric Corp | パタ−ン形成方法 |
| JPS63197333A (ja) * | 1987-02-12 | 1988-08-16 | Hitachi Ltd | パタ−ン形成方法及び装置 |
-
1991
- 1991-11-27 JP JP3312211A patent/JPH05152199A/ja active Pending
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| JP4727837B2 (ja) * | 2001-04-05 | 2011-07-20 | 富士通株式会社 | レジストパターンの形成方法 |
| WO2006129374A1 (ja) * | 2005-06-03 | 2006-12-07 | Advantest Corporation | パターニング方法 |
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| JP4533931B2 (ja) * | 2005-06-03 | 2010-09-01 | 株式会社アドバンテスト | パターニング方法 |
| WO2012121138A1 (ja) * | 2011-03-09 | 2012-09-13 | シャープ株式会社 | レジストパターンの形成方法、配線パターンの形成方法、及びアクティブマトリクス基板の製造方法 |
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