JPH11202471A - フォトマスク及びこれを用いた半導体装置の製造方法 - Google Patents
フォトマスク及びこれを用いた半導体装置の製造方法Info
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- JPH11202471A JPH11202471A JP2262498A JP2262498A JPH11202471A JP H11202471 A JPH11202471 A JP H11202471A JP 2262498 A JP2262498 A JP 2262498A JP 2262498 A JP2262498 A JP 2262498A JP H11202471 A JPH11202471 A JP H11202471A
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- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 段差を有する半導体基板上に所望の形状のレ
ジストパターンを形成することのできるフォトマスク及
びこれを用いた半導体装置の製造方法を提供する。 【解決手段】 遮光部５ａと微細パターン５ｂを有する
フォトマスク５を用い、多結晶シリコン膜３の表面の段
差部３ａに相当する位置にフォトマスク５の微細パター
ン５ｂを配置して露光を施すことにより、段差部３ａに
は露光光線６の強度が低下した露光光線６’が到達す
る。これにより、段差部３ａでハレーションが生じたと
しても、レジスト４の未露光部４ｂ側面の感光を抑止す
ることができる。従って、所望の形状を有するレジスト
パターン７を形成することが可能となる。
ジストパターンを形成することのできるフォトマスク及
びこれを用いた半導体装置の製造方法を提供する。 【解決手段】 遮光部５ａと微細パターン５ｂを有する
フォトマスク５を用い、多結晶シリコン膜３の表面の段
差部３ａに相当する位置にフォトマスク５の微細パター
ン５ｂを配置して露光を施すことにより、段差部３ａに
は露光光線６の強度が低下した露光光線６’が到達す
る。これにより、段差部３ａでハレーションが生じたと
しても、レジスト４の未露光部４ｂ側面の感光を抑止す
ることができる。従って、所望の形状を有するレジスト
パターン７を形成することが可能となる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体装置の製造方
法に関し、特にフォトリソグラフィー工程におけるハレ
ーションの発生を防止したフォトマスク及びこのフォト
マスクを用いたレジストパターン形成方法に関する。
法に関し、特にフォトリソグラフィー工程におけるハレ
ーションの発生を防止したフォトマスク及びこのフォト
マスクを用いたレジストパターン形成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】段差を有する半導体基板上に所定形状の
レジストパターンを形成しようとした場合、フォトリソ
グラフィー工程の露光が段差部で反射して、パターンと
して残すレジストの側面に集光してしまうという問題が
発生する。これにより、形成したレジストパターンの側
面にパターン欠損が生じてしまう。
レジストパターンを形成しようとした場合、フォトリソ
グラフィー工程の露光が段差部で反射して、パターンと
して残すレジストの側面に集光してしまうという問題が
発生する。これにより、形成したレジストパターンの側
面にパターン欠損が生じてしまう。
【０００３】例えば、図２（ａ）に示すように、シリコ
ン半導体基板１１上に形成されたゲート電極１２を覆う
ように多結晶シリコン膜１３を形成した場合、多結晶シ
リコン膜１３はゲート電極１２の表面の形状に倣って均
一な厚みに形成されるため、多結晶シリコン膜１３の表
面には段差部１３ａが形成される。
ン半導体基板１１上に形成されたゲート電極１２を覆う
ように多結晶シリコン膜１３を形成した場合、多結晶シ
リコン膜１３はゲート電極１２の表面の形状に倣って均
一な厚みに形成されるため、多結晶シリコン膜１３の表
面には段差部１３ａが形成される。
【０００４】そして、この多結晶シリコン膜１３をパタ
ーニングするために、レジスト膜１４を塗布して、フォ
トマスク１５を用いてステッパーにより露光光線１６を
照射する。この際、フォトマスク１５の遮光部１５ａの
範囲のレジスト１４を残すように、レジスト１４の露光
部１４ａに光が照射されるが、同時に段差部１３ａに照
射されて反射した露光光線１６が矢印Ｂの方向に反射す
ることになる。
ーニングするために、レジスト膜１４を塗布して、フォ
トマスク１５を用いてステッパーにより露光光線１６を
照射する。この際、フォトマスク１５の遮光部１５ａの
範囲のレジスト１４を残すように、レジスト１４の露光
部１４ａに光が照射されるが、同時に段差部１３ａに照
射されて反射した露光光線１６が矢印Ｂの方向に反射す
ることになる。
【０００５】そして、この反射光は残存させるレジスト
の未露光部１４ｂの側面を照射してしまう。すなわち、
本来は遮光部１５ａの範囲の未露光部１４ｂには露光光
線１６が到達してはならないが、矢印Ｂ方向に反射した
露光光線１６の反射光によって、未露光部１４ｂの側面
が露光されてしまうことになる。
の未露光部１４ｂの側面を照射してしまう。すなわち、
本来は遮光部１５ａの範囲の未露光部１４ｂには露光光
線１６が到達してはならないが、矢印Ｂ方向に反射した
露光光線１６の反射光によって、未露光部１４ｂの側面
が露光されてしまうことになる。
【０００６】従って、図２（ｂ）に示すように、露光後
の現像によって残存するレジストパターン１７の側面が
抉られて、欠損部１７ａが形成されてしまう。そして、
このような欠損部１７ａを有するレジストパターン１７
をマスクとして、下層の多結晶シリコン膜１３をパター
ニングすると所望の形状が得られないことになる。
の現像によって残存するレジストパターン１７の側面が
抉られて、欠損部１７ａが形成されてしまう。そして、
このような欠損部１７ａを有するレジストパターン１７
をマスクとして、下層の多結晶シリコン膜１３をパター
ニングすると所望の形状が得られないことになる。
【０００７】この問題を防止するため、図３に示す方法
が知られている。図３（ａ）及び図３（ｂ）に示すよう
に、この方法ではフォトリソグラフィー工程で使用する
フォトマスク１５に遮光部１５ａ以外に段差部１３ａ上
に位置するように遮光部１５ｂが設けられている。
が知られている。図３（ａ）及び図３（ｂ）に示すよう
に、この方法ではフォトリソグラフィー工程で使用する
フォトマスク１５に遮光部１５ａ以外に段差部１３ａ上
に位置するように遮光部１５ｂが設けられている。
【０００８】従って、フォトリソグラフィー工程の露光
の際、遮光部１５ｂにより露光光線１６が遮られて段差
部１３ａには光が到達しないことになる。これにより、
段差部１３ａによるハレーションを防止することがで
き、図３（ｃ）に示すように、露光後の現像によって所
望の形状を有するレジストパターン１７を形成すること
が可能である。
の際、遮光部１５ｂにより露光光線１６が遮られて段差
部１３ａには光が到達しないことになる。これにより、
段差部１３ａによるハレーションを防止することがで
き、図３（ｃ）に示すように、露光後の現像によって所
望の形状を有するレジストパターン１７を形成すること
が可能である。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図３に
示す方法では、段差部１３に露光光線１６が到達しない
ようにフォトマスク１５に別の遮光部１５ｂを設ける必
要がある。これにより、図３（ａ）に示すように、レジ
スト１４には未露光部１４ｂとともに未露光部１４ｃが
形成されることになる。
示す方法では、段差部１３に露光光線１６が到達しない
ようにフォトマスク１５に別の遮光部１５ｂを設ける必
要がある。これにより、図３（ａ）に示すように、レジ
スト１４には未露光部１４ｂとともに未露光部１４ｃが
形成されることになる。
【００１０】従って、図３（ｃ）に示すように、現像後
に多結晶シリコン膜１３のパターニングには必要のない
カバーパターン１８が段差部１３ａ上に形成されてしま
う。
に多結晶シリコン膜１３のパターニングには必要のない
カバーパターン１８が段差部１３ａ上に形成されてしま
う。
【００１１】そして、この不必要なカバーパターン１８
を後工程で除去するために工程が煩雑化したり、カバー
パターン１８によって形成する素子の性能が劣化する等
の問題が生じていた。
を後工程で除去するために工程が煩雑化したり、カバー
パターン１８によって形成する素子の性能が劣化する等
の問題が生じていた。
【００１２】また、特開平５−１２７３６３号公報に
は、フォトマスク上にクロム（Ｃｒ）で形成された正規
パターンとは別に、段差部上の位置に酸化珪素あるいは
スピンオングラスにより形成された補助パターンを形成
する方法が記載されている。
は、フォトマスク上にクロム（Ｃｒ）で形成された正規
パターンとは別に、段差部上の位置に酸化珪素あるいは
スピンオングラスにより形成された補助パターンを形成
する方法が記載されている。
【００１３】しかし、特開平５−１２７３６３号公報に
記載された方法では、１枚のガラス基板上に正規パター
ンと補助パターンを別の材質を用いて形成する必要があ
り、フォトマスク形成が非常に困難になるという問題が
あった。
記載された方法では、１枚のガラス基板上に正規パター
ンと補助パターンを別の材質を用いて形成する必要があ
り、フォトマスク形成が非常に困難になるという問題が
あった。
【００１４】本発明はこのような問題を解決するために
成されたものであり、フォトリソグラフィーの際に半導
体基板上の段差に起因するハレーションの発生を最小限
に抑え所望の形状を有するレジストパターンを形成する
ことを可能とするフォトマスクと、これを用いた半導体
装置の製造方法を提供することにある。
成されたものであり、フォトリソグラフィーの際に半導
体基板上の段差に起因するハレーションの発生を最小限
に抑え所望の形状を有するレジストパターンを形成する
ことを可能とするフォトマスクと、これを用いた半導体
装置の製造方法を提供することにある。
【００１５】
【課題を解決するための手段】本発明のフォトマスク
は、段差が形成された半導体基板上にレジストパターン
を形成するためのフォトマスクであって、所定パターン
の遮光領域と、前記遮光領域と同一材質からなる微細パ
ターンとを備え、フォトリソグラフィー工程において、
レジストに照射する光線を前記遮光領域により遮光する
とともに、前記段差上に形成されたレジストに照射する
光線の強度を前記微細パターンにより低下させて、前記
遮光領域に対応した位置に前記レジストパターンを形成
するようにしている。
は、段差が形成された半導体基板上にレジストパターン
を形成するためのフォトマスクであって、所定パターン
の遮光領域と、前記遮光領域と同一材質からなる微細パ
ターンとを備え、フォトリソグラフィー工程において、
レジストに照射する光線を前記遮光領域により遮光する
とともに、前記段差上に形成されたレジストに照射する
光線の強度を前記微細パターンにより低下させて、前記
遮光領域に対応した位置に前記レジストパターンを形成
するようにしている。
【００１６】本発明のフォトマスクの一態様例におい
て、前記微細パターンは遮光部が点状のパターンからな
る。
て、前記微細パターンは遮光部が点状のパターンからな
る。
【００１７】本発明のフォトマスクの一態様例におい
て、前記微細パターンは遮光部及び透過部が線状のパタ
ーンからなる。
て、前記微細パターンは遮光部及び透過部が線状のパタ
ーンからなる。
【００１８】本発明のフォトマスクの一態様例におい
て、前記微細パターンの遮光部と透過部はともに０．２
μｍに縮小光学系の縮小率の逆数を掛けた値以下の幅か
らなる。
て、前記微細パターンの遮光部と透過部はともに０．２
μｍに縮小光学系の縮小率の逆数を掛けた値以下の幅か
らなる。
【００１９】本発明の半導体装置の製造方法は、段差を
有する半導体基板上にレジストパターンを形成する方法
であって、前記段差を覆うようにレジストを形成する工
程と、前記レジストに照射される露光光線を遮光する遮
光領域と、前記遮光領域と同一材料により形成され前記
露光光線では解像不可能な微細パターンが形成されたマ
スクを用いて露光を行い、前記段差部に相当する位置に
は前記微細パターンを透過した光線を照射する工程とを
有する。
有する半導体基板上にレジストパターンを形成する方法
であって、前記段差を覆うようにレジストを形成する工
程と、前記レジストに照射される露光光線を遮光する遮
光領域と、前記遮光領域と同一材料により形成され前記
露光光線では解像不可能な微細パターンが形成されたマ
スクを用いて露光を行い、前記段差部に相当する位置に
は前記微細パターンを透過した光線を照射する工程とを
有する。
【００２０】本発明における半導体装置の製造方法の一
態様例において、前記微細パターンは遮光部が点状のパ
ターンからなる。
態様例において、前記微細パターンは遮光部が点状のパ
ターンからなる。
【００２１】本発明における半導体装置の製造方法の一
態様例において、前記微細パターンは遮光部及び透過部
が線状のパターンからなる。
態様例において、前記微細パターンは遮光部及び透過部
が線状のパターンからなる。
【００２２】本発明における半導体装置の製造方法の一
態様例において、前記微細パターンの遮光部と透過部は
ともに０．２μｍに縮小光学系の縮小率の逆数を掛けた
値以下の幅からなる。
態様例において、前記微細パターンの遮光部と透過部は
ともに０．２μｍに縮小光学系の縮小率の逆数を掛けた
値以下の幅からなる。
【００２３】
【作用】本発明においては、段差部に解像不可能なレベ
ルの微細なマスクパターンを透過させて露光光線を照射
する。これにより、段差部に照射される露光光線の強度
を低下させることができる。従って、露光光線が段差部
で反射したとしても、反射光線によるレジストの感光を
抑止することが可能である。
ルの微細なマスクパターンを透過させて露光光線を照射
する。これにより、段差部に照射される露光光線の強度
を低下させることができる。従って、露光光線が段差部
で反射したとしても、反射光線によるレジストの感光を
抑止することが可能である。
【００２４】より具体的には、微細なマスクパターンの
遮光部と透過部は、ともに０．２μｍに縮小光学系の縮
小率の逆数を掛けた値以下の幅とするのが好適である。
このように遮光部と透過部の幅を構成することにより、
確実に露光光線の強度を低下させることができる。
遮光部と透過部は、ともに０．２μｍに縮小光学系の縮
小率の逆数を掛けた値以下の幅とするのが好適である。
このように遮光部と透過部の幅を構成することにより、
確実に露光光線の強度を低下させることができる。
【００２５】
【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施形態を図面
に基づいて説明する。
に基づいて説明する。
【００２６】図１は本発明の一実施形態を示している。
図１（ａ）に示すように、シリコン半導体基板１上に表
面から突出してゲート電極２が形成されている。そし
て、ゲート電極２を覆うように間に絶縁膜を介在させて
多結晶シリコン膜３が均一な膜厚で形成されている。従
って、多結晶シリコン膜３の表面には段差部３ａが形成
されている。
図１（ａ）に示すように、シリコン半導体基板１上に表
面から突出してゲート電極２が形成されている。そし
て、ゲート電極２を覆うように間に絶縁膜を介在させて
多結晶シリコン膜３が均一な膜厚で形成されている。従
って、多結晶シリコン膜３の表面には段差部３ａが形成
されている。
【００２７】多結晶シリコン膜３を所定形状にパターニ
ングするために、多結晶シリコン膜３上にはレジスト４
が塗布される。本実施形態においては、レジスト４とし
てポジレジストを用いた例を示している。すなわち、レ
ジスト４の所定範囲に光を照射した場合には、その範囲
において光分解がなされ、現像液に対して溶解するよう
になる。
ングするために、多結晶シリコン膜３上にはレジスト４
が塗布される。本実施形態においては、レジスト４とし
てポジレジストを用いた例を示している。すなわち、レ
ジスト４の所定範囲に光を照射した場合には、その範囲
において光分解がなされ、現像液に対して溶解するよう
になる。
【００２８】レジスト４の上にはステッパーのフォトマ
スク５が設置される。フォトマスク５にはレジスト４に
所定パターンを形成するための遮光部５ａが形成されて
いる。遮光部５ａはクロム（Ｃｒ）から形成されてお
り、フォトマスク５において遮光部５ａ以外の領域は光
を透過させることができる。ステッパーにより露光光線
６を照射した場合、この遮光部５ａによって露光光線６
が所定の範囲に渡って遮光されるため、露光後に現像を
行うことにより遮光された範囲以外のレジスト４を除去
することが可能である。
スク５が設置される。フォトマスク５にはレジスト４に
所定パターンを形成するための遮光部５ａが形成されて
いる。遮光部５ａはクロム（Ｃｒ）から形成されてお
り、フォトマスク５において遮光部５ａ以外の領域は光
を透過させることができる。ステッパーにより露光光線
６を照射した場合、この遮光部５ａによって露光光線６
が所定の範囲に渡って遮光されるため、露光後に現像を
行うことにより遮光された範囲以外のレジスト４を除去
することが可能である。
【００２９】すなわち、レジスト４を塗布後に露光光線
６をフォトマスク５に向かって照射させることにより、
レジスト４において、遮光部５ａが形成された範囲は未
露光部４ｂとなり遮光部５ａが形成されていない範囲は
露光部４ａとなる。露光部４ａは現像によって除去され
る領域となる。
６をフォトマスク５に向かって照射させることにより、
レジスト４において、遮光部５ａが形成された範囲は未
露光部４ｂとなり遮光部５ａが形成されていない範囲は
露光部４ａとなる。露光部４ａは現像によって除去され
る領域となる。
【００３０】図１（ｂ）はフォトマスク５の全体を示す
平面図である。このように、多結晶シリコン膜３に形成
された段差部３ａに相当する位置においては、フォトマ
スク５に微細パターン５ｂが形成されている。この微細
パターン５ｂは遮光部５ａと同じ材質であるクロム（Ｃ
ｒ）によって形成されているため、フォトマスク５に形
成する際には両者を同一の工程で形成することが可能で
ある。
平面図である。このように、多結晶シリコン膜３に形成
された段差部３ａに相当する位置においては、フォトマ
スク５に微細パターン５ｂが形成されている。この微細
パターン５ｂは遮光部５ａと同じ材質であるクロム（Ｃ
ｒ）によって形成されているため、フォトマスク５に形
成する際には両者を同一の工程で形成することが可能で
ある。
【００３１】微細パターン５ｂは、本実施形態において
は０．１μｍから０．２μｍの範囲の幅で形成された複
数のドットパターンにより構成されている。すなわち、
この場合ドットの部分が遮光部となり隣接するドットの
間が透過部となる。ドットの幅をこのように設定するこ
とにより、ステッパーの露光光線６によっては微細パタ
ーン５ｂは解像不可能となり、レジスト４への露光量を
低下させることができる。
は０．１μｍから０．２μｍの範囲の幅で形成された複
数のドットパターンにより構成されている。すなわち、
この場合ドットの部分が遮光部となり隣接するドットの
間が透過部となる。ドットの幅をこのように設定するこ
とにより、ステッパーの露光光線６によっては微細パタ
ーン５ｂは解像不可能となり、レジスト４への露光量を
低下させることができる。
【００３２】より具体的には、微細パターン５ｂの遮光
部と透過部は、ともに０．２μｍに露光装置の縮小光学
系の縮小率の逆数を掛けた（乗じた）値以下の幅とする
のが好適である。すなわち、実際にレジスト４に転写さ
れるパターンが０．２μｍ以下となるように微細パター
ン５ｂを構成すれば、同様の効果を得ることができる。
部と透過部は、ともに０．２μｍに露光装置の縮小光学
系の縮小率の逆数を掛けた（乗じた）値以下の幅とする
のが好適である。すなわち、実際にレジスト４に転写さ
れるパターンが０．２μｍ以下となるように微細パター
ン５ｂを構成すれば、同様の効果を得ることができる。
【００３３】微細パターン５ｂはドット以外にも、例え
ばライン状のパターンによって構成してもよい。この場
合にはラインの部分が遮光部となり、隣接するラインの
間が遮光部となる。この場合もラインの幅とライン間の
スペースはドットパターンの場合と同様に構成するのが
効果的である。
ばライン状のパターンによって構成してもよい。この場
合にはラインの部分が遮光部となり、隣接するラインの
間が遮光部となる。この場合もラインの幅とライン間の
スペースはドットパターンの場合と同様に構成するのが
効果的である。
【００３４】微細パターン５ｂを透過した露光光線６’
は段差部３ａによって反射され、図１（ａ）で矢印Ａの
方向へ反射される。従って、この反射光はレジスト４の
未露光部４ｂを照射することとなるが、微細パターン５
ｂによって露光光線６’の強度が低下しているため、未
露光部４ｂの側面を感光させることはない。
は段差部３ａによって反射され、図１（ａ）で矢印Ａの
方向へ反射される。従って、この反射光はレジスト４の
未露光部４ｂを照射することとなるが、微細パターン５
ｂによって露光光線６’の強度が低下しているため、未
露光部４ｂの側面を感光させることはない。
【００３５】従って、微細パターン５ｂを段差部３ａ上
に位置させることにより、段差部３ａにより生ずるハレ
ーションを最小限に抑えることが可能である。これによ
りレジストパターンの欠損の発生を抑止することができ
る。
に位置させることにより、段差部３ａにより生ずるハレ
ーションを最小限に抑えることが可能である。これによ
りレジストパターンの欠損の発生を抑止することができ
る。
【００３６】露光後、図１（ｃ）に示すように現像を行
う。これにより、レジスト４の露光部４ａが除去され、
未露光部４ｂが残存することにより所定形状のレジスト
パターン７が形成される。前述したように、段差部３ａ
において反射する露光光線６’は強度が低下しているた
め遮光部５ａの形状に倣った所望のレジストパターン７
を形成することができる。
う。これにより、レジスト４の露光部４ａが除去され、
未露光部４ｂが残存することにより所定形状のレジスト
パターン７が形成される。前述したように、段差部３ａ
において反射する露光光線６’は強度が低下しているた
め遮光部５ａの形状に倣った所望のレジストパターン７
を形成することができる。
【００３７】以上説明したように本実施形態において
は、多結晶シリコン膜３の表面に形成された段差部３ａ
に相当する位置にフォトマスク５の微細パターン５ｂを
配置する。そしてステッパーにより露光を行うことによ
り、微細パターン５ｂを透過した露光光線６’の強度を
低下させることができる。
は、多結晶シリコン膜３の表面に形成された段差部３ａ
に相当する位置にフォトマスク５の微細パターン５ｂを
配置する。そしてステッパーにより露光を行うことによ
り、微細パターン５ｂを透過した露光光線６’の強度を
低下させることができる。
【００３８】従って、段差部３ａには強度の低下された
露光光線６’が照射されることとなり、段差部３ａによ
って反射されたとしてもレジスト４の未露光部４ｂを感
光させることはない。
露光光線６’が照射されることとなり、段差部３ａによ
って反射されたとしてもレジスト４の未露光部４ｂを感
光させることはない。
【００３９】これにより、現像後に形成されるレジスト
パターン７を所定の形状に精度良く形成することが可能
となる。そして、この高精度に形成されたレジストパタ
ーン７をマスクとして、下層の多結晶シリコン膜３を所
望の形状にパターニングすることができる。
パターン７を所定の形状に精度良く形成することが可能
となる。そして、この高精度に形成されたレジストパタ
ーン７をマスクとして、下層の多結晶シリコン膜３を所
望の形状にパターニングすることができる。
【００４０】
【発明の効果】本発明によれば、半導体基板上に段差が
形成されている場合でも段差に照射される露光光線の強
度を効果的に低下させることができる。従って、所望の
形状にレジストパターンを形成することが可能なフォト
マスクと、これを用いた半導体装置の製造方法を提供す
ることができる。
形成されている場合でも段差に照射される露光光線の強
度を効果的に低下させることができる。従って、所望の
形状にレジストパターンを形成することが可能なフォト
マスクと、これを用いた半導体装置の製造方法を提供す
ることができる。
【図１】本発明の一実施形態に係る半導体装置の製造方
法を示す模式図である。
法を示す模式図である。
【図２】従来の半導体装置の製造方法の問題点を示す模
式図である。
式図である。
【図３】従来の半導体装置の製造方法の問題点を示す模
式図である。
式図である。
１ シリコン半導体基板 ２ ゲート電極 ３ 多結晶シリコン膜 ３ａ 段差部 ４ レジスト ４ａ 露光部 ４ｂ 未露光部 ５ フォトマスク ５ａ 遮光部 ５ｂ 微細パターン ６，６’ 露光光線 ７ レジストパターン
Claims (8)
- 【請求項１】 段差が形成された半導体基板上にレジス
トパターンを形成するためのフォトマスクであって、 所定パターンの遮光領域と、 前記遮光領域と同一材質からなる微細パターンとを備
え、 フォトリソグラフィー工程において、レジストに照射す
る光線を前記遮光領域により遮光するとともに、前記段
差上に形成されたレジストに照射する光線の強度を前記
微細パターンにより低下させて、前記遮光領域に対応し
た位置に前記レジストパターンを形成するようにしたこ
とを特徴とするフォトマスク。 - 【請求項２】 前記微細パターンは遮光部が点状のパタ
ーンからなることを特徴とする請求項１に記載のフォト
マスク。 - 【請求項３】 前記微細パターンは遮光部及び透過部が
線状のパターンからなることを特徴とする請求項１に記
載のフォトマスク。 - 【請求項４】 前記微細パターンの遮光部と透過部はと
もに０．２μｍに縮小光学系の縮小率の逆数を掛けた値
以下の幅からなることを特徴とする請求項１〜３のいず
れか１項に記載のフォトマスク。 - 【請求項５】 段差を有する半導体基板上にレジストパ
ターンを形成する方法であって、 前記段差を覆うようにレジストを形成する工程と、 前記レジストに照射される露光光線を遮光する遮光領域
と、前記遮光領域と同一材料により形成され前記露光光
線では解像不可能な微細パターンが形成されたマスクを
用いて露光を行い、前記段差部に相当する位置には前記
微細パターンを透過した光線を照射する工程とを有する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項６】 前記微細パターンは遮光部が点状のパタ
ーンからなることを特徴とする請求項５に記載の半導体
装置の製造方法。 - 【請求項７】 前記微細パターンは遮光部及び透過部が
線状のパターンからなることを特徴とする請求項５に記
載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項８】 前記微細パターンの遮光部と透過部はと
もに０．２μｍに縮小光学系の縮小率の逆数を掛けた値
以下の幅からなることを特徴とする請求項５〜７のいず
れか１項に記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2262498A JPH11202471A (ja) | 1998-01-20 | 1998-01-20 | フォトマスク及びこれを用いた半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2262498A JPH11202471A (ja) | 1998-01-20 | 1998-01-20 | フォトマスク及びこれを用いた半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11202471A true JPH11202471A (ja) | 1999-07-30 |
Family
ID=12087992
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2262498A Pending JPH11202471A (ja) | 1998-01-20 | 1998-01-20 | フォトマスク及びこれを用いた半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11202471A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010079063A (ja) * | 2008-09-26 | 2010-04-08 | Toshiba Corp | パターン形成不良領域算出方法およびパターンレイアウト評価方法 |
| JP2011215627A (ja) * | 2011-06-07 | 2011-10-27 | Toshiba Corp | パターンレイアウト評価方法および半導体デバイス製造方法 |
-
1998
- 1998-01-20 JP JP2262498A patent/JPH11202471A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010079063A (ja) * | 2008-09-26 | 2010-04-08 | Toshiba Corp | パターン形成不良領域算出方法およびパターンレイアウト評価方法 |
| US8171433B2 (en) | 2008-09-26 | 2012-05-01 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of calculating pattern-failure-occurrence-region, computer program product, pattern-layout evaluating method, and semiconductor-device manufacturing method |
| JP2011215627A (ja) * | 2011-06-07 | 2011-10-27 | Toshiba Corp | パターンレイアウト評価方法および半導体デバイス製造方法 |
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