JPS6394692A - ジヨセフソン接合素子の製造方法 - Google Patents
ジヨセフソン接合素子の製造方法Info
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- JPS6394692A JPS6394692A JP61239096A JP23909686A JPS6394692A JP S6394692 A JPS6394692 A JP S6394692A JP 61239096 A JP61239096 A JP 61239096A JP 23909686 A JP23909686 A JP 23909686A JP S6394692 A JPS6394692 A JP S6394692A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N60/00—Superconducting devices
- H10N60/10—Junction-based devices
- H10N60/12—Josephson-effect devices
Landscapes
- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（Ｊｌ要〕
本発明は対向電極りに設けられた絶縁膜を、複数の異な
るレジストパターンで複数回エツチング処理し、残った
絶縁膜パターンをマスクとして対向電極材料の超伝導金
属膜を陽極酸化して対向電極の寸法、すなわち接合領域
の寸法を決定することにより、極めて微細構造のジョセ
フソン接合素子を再現性よく、かつ容易に形成すること
をＭ ｒ克とするものである。
るレジストパターンで複数回エツチング処理し、残った
絶縁膜パターンをマスクとして対向電極材料の超伝導金
属膜を陽極酸化して対向電極の寸法、すなわち接合領域
の寸法を決定することにより、極めて微細構造のジョセ
フソン接合素子を再現性よく、かつ容易に形成すること
をＭ ｒ克とするものである。
本発明はジョセフソン接合素子の製造方法に関するもの
であり、更に詳しくＪえば微細構造のジョセフソン接合
素子の製造方法に関するものである。
であり、更に詳しくＪえば微細構造のジョセフソン接合
素子の製造方法に関するものである。
最近、ジョセフソン接合素子の′上極材料は、従来の鉛
合金から高融点金属であるＮｂやＮｂ化合物（例えば、
Ｎｂ Ｎ）に変わり、これにより素Ｔ−の安定性が飛躍
的に向丘している。特にＮｂ／Ａ又Ｏ！／Ｎｂ接合は電
気的特性も良好で ２積回路への応用が盛んに研究され
ている。しかし回路の集積度を上げるためには、１＃Ｌ
ｍ径程度の微細な接合を作成することが必要となる。
合金から高融点金属であるＮｂやＮｂ化合物（例えば、
Ｎｂ Ｎ）に変わり、これにより素Ｔ−の安定性が飛躍
的に向丘している。特にＮｂ／Ａ又Ｏ！／Ｎｂ接合は電
気的特性も良好で ２積回路への応用が盛んに研究され
ている。しかし回路の集積度を上げるためには、１＃Ｌ
ｍ径程度の微細な接合を作成することが必要となる。
従来よりＮｂ／Ｓｉ／Ｎｂのジョセフソン接合素子の製
造方法において、レジスト１模等をマスクとして対向電
極用のＮｂ膜を陽極酸化することにより、対向電極の寸
法、従って接合領域の寸法を決定する方法が提案されて
いる。（特開昭５７−１０９３８８）、なおこの方法は
Ｎｂ ／Ａ皇／Ｎｂのジョセフソン接合素子を製造する
場合にも適用可能である。
造方法において、レジスト１模等をマスクとして対向電
極用のＮｂ膜を陽極酸化することにより、対向電極の寸
法、従って接合領域の寸法を決定する方法が提案されて
いる。（特開昭５７−１０９３８８）、なおこの方法は
Ｎｂ ／Ａ皇／Ｎｂのジョセフソン接合素子を製造する
場合にも適用可能である。
第３図（ａ）〜（ｃ）はその陽極酸化工程を説明する断
面図である。まずＳ、基板ｌ上に基部電極用Ｎｂ膜２、
トンネルバリア膜用Ａｎ−ＡｎＯｘ膜３．対向電極用Ｎ
ｂ膜４を連続的に成膜し、レジスト膜５をマスクとして
Ｎｈ １ｌＱ４を陽極酸化してＮｂ２Ｏ５の酸化膜６を
形成する。これにより対向電極７の寸法、すなわち接合
領域の寸法が定まる。
面図である。まずＳ、基板ｌ上に基部電極用Ｎｂ膜２、
トンネルバリア膜用Ａｎ−ＡｎＯｘ膜３．対向電極用Ｎ
ｂ膜４を連続的に成膜し、レジスト膜５をマスクとして
Ｎｈ １ｌＱ４を陽極酸化してＮｂ２Ｏ５の酸化膜６を
形成する。これにより対向電極７の寸法、すなわち接合
領域の寸法が定まる。
ところでＮｂＷ２４が陽極酸化されと、Ｎｂ２Ｏ５又は
それに近い組成の酸化物になるので、Ｎｂ２Ｏ５膜の体
積は元のＮｂ１ｌＱの体積の約２．５倍になる。このた
め第４図（ａ）に示すように、陽極酸化時にレジスト膜
５の端が持ち上がってしまう、特に接合・を法が小さく
なり、例えば１４ｍ口程度になると、レジストパターン
の形成精度の悪化に加え、レジス［１９の持ち上がりに
よる次のような影！が顕著になる。
それに近い組成の酸化物になるので、Ｎｂ２Ｏ５膜の体
積は元のＮｂ１ｌＱの体積の約２．５倍になる。このた
め第４図（ａ）に示すように、陽極酸化時にレジスト膜
５の端が持ち上がってしまう、特に接合・を法が小さく
なり、例えば１４ｍ口程度になると、レジストパターン
の形成精度の悪化に加え、レジス［１９の持ち上がりに
よる次のような影！が顕著になる。
（１）レジスト膜の端が持ち上がるとき、接合領域９の
寸法Ｂはレジストパターン８の寸法Ａよりもかなり減少
する。この形容は寸法が小さいほど大きくなり、また特
に正方形パターンの角の部分で大きい。
寸法Ｂはレジストパターン８の寸法Ａよりもかなり減少
する。この形容は寸法が小さいほど大きくなり、また特
に正方形パターンの角の部分で大きい。
（２）対向電極７の陽Ｊ４ｉＮＩＩ化されていない部分
の寸法Ｃも小さくなる。この部分は後の工程で形成され
るＮｂｆ！Ｉ！、線とコンタクトする領域１０であるか
ら、極端に小さくなるとＮｂ配線と対向電極７との十分
な電気的接続は保証されないことになる。
の寸法Ｃも小さくなる。この部分は後の工程で形成され
るＮｂｆ！Ｉ！、線とコンタクトする領域１０であるか
ら、極端に小さくなるとＮｂ配線と対向電極７との十分
な電気的接続は保証されないことになる。
（３）またレジスト膜５の密着が悪い場合（パターンが
小さくなるほど密着性が悪くなる。）、レジスト膜が剥
離して対向電極７も陽極酸化され、ジョセフソン接合が
できなくなる。
小さくなるほど密着性が悪くなる。）、レジスト膜が剥
離して対向電極７も陽極酸化され、ジョセフソン接合が
できなくなる。
本発明はかかる従来の問題点に鑑みて創作されたもので
あり、極めて微細構造のジョセフソン接合素子・を再現
性良く、かつ容易に形成することを可使とする製造方法
の提供を目的とする。
あり、極めて微細構造のジョセフソン接合素子・を再現
性良く、かつ容易に形成することを可使とする製造方法
の提供を目的とする。
第１図は本発明の製造方法の原理を説明する図である。
第１図（ａ）は上面図で、Ｄ、Ｅはそれぞれ１回目、２
回目の絶縁膜加工用レジスト膜パターンを示し、第１図
（ｂ）は該レジスト膜り。
回目の絶縁膜加工用レジスト膜パターンを示し、第１図
（ｂ）は該レジスト膜り。
Ｅを用いて絶縁膜を加工した後のジョセフソン接合梁ｆ
の断面図を示している。なお１１はＳ＋、！Ｊｉ板、１
２はＮｂ膜（基部電極）、１３はＡ又−Ａ交Ｏｘ膜（ト
ンネルバリア１模）、１４はＮｂ膜（対向電極）、１５
は絶縁膜である。
の断面図を示している。なお１１はＳ＋、！Ｊｉ板、１
２はＮｂ膜（基部電極）、１３はＡ又−Ａ交Ｏｘ膜（ト
ンネルバリア１模）、１４はＮｂ膜（対向電極）、１５
は絶縁膜である。
本発明の製造方法は、複数個の異なるレジスト膜パター
ンをマスクとして対向電極上の絶縁膜をそれぞれ複数回
加工する。これによりこれらレジスト膜により共通に被
覆された絶縁膜のみがほぼ予定寸法通りに形成される。
ンをマスクとして対向電極上の絶縁膜をそれぞれ複数回
加工する。これによりこれらレジスト膜により共通に被
覆された絶縁膜のみがほぼ予定寸法通りに形成される。
その後、この絶縁膜、すなわち５１０２膜１５をマスク
としてＮｂ膜１４を陽極酸化すると、同様に予定寸法通
りの像細な対向電極が形成される。
としてＮｂ膜１４を陽極酸化すると、同様に予定寸法通
りの像細な対向電極が形成される。
次に図を参照しながら本発明の実施例について説１５１
する。第２図は本発明の実施例に係るジョセフソン接合
素子の製造工程を示す断面図（左方）と上面図（右方）
である。
する。第２図は本発明の実施例に係るジョセフソン接合
素子の製造工程を示す断面図（左方）と上面図（右方）
である。
（１）Ｓ＋基板１１上にＮｂ膜１２．Ａ交−Ａ見Ｏｘ１
浸１３およびＮｂｌ模１４を同一真空層内で順次、連続
成膜する９次いで絶縁膜としてｓ、ｏ２膜１５をスパッ
タ法により５０−１００ ｎ ｍ成膜する。このときＮ
ｂ１ｆｌはｄｃ又はｒｆマグネトロンスパッタで成膜し
、Ｎｂ１ｌＱ１２は２００〜３００ｎｍ、Ｎｂ膜１４は
３０ ” １００ ｎ ｍの膜厚である。またＡｎはｄ
Ｃ又はｒｆスパッタ法により３〜１０ｎｍで成膜し、そ
の後、酸素を導入してＡ文表面にＡ見Ｏｘを形成する。
浸１３およびＮｂｌ模１４を同一真空層内で順次、連続
成膜する９次いで絶縁膜としてｓ、ｏ２膜１５をスパッ
タ法により５０−１００ ｎ ｍ成膜する。このときＮ
ｂ１ｆｌはｄｃ又はｒｆマグネトロンスパッタで成膜し
、Ｎｂ１ｌＱ１２は２００〜３００ｎｍ、Ｎｂ膜１４は
３０ ” １００ ｎ ｍの膜厚である。またＡｎはｄ
Ｃ又はｒｆスパッタ法により３〜１０ｎｍで成膜し、そ
の後、酸素を導入してＡ文表面にＡ見Ｏｘを形成する。
なお８１基板１１とＮｂ膜１２との間に、熱酸化膜、超
伝導接地面膜、絶縁膜又は抵抗等が形成されていてもよ
い（同図（ａ））。
伝導接地面膜、絶縁膜又は抵抗等が形成されていてもよ
い（同図（ａ））。
（２）次にレジスト膜１６をマスクとして５ｉ０２ｙＡ
１５をＲＩＥ等で加工する（同図（ｂ））、レジストパ
ターンの形状は任意であるが、図で示すように、長方形
の場合に本発明の効果がＷＪｙｉである０例えば所望の
接合形状が正方形である場合、その正方形の辺の長さく
例えば１．５４ｍ）を−辺とし、他の一辺はレジストの
パターニングが容易な長さく例えばｉｏｏｍ）であるよ
うな長方形を用いる。加工はウェットエツチングでもよ
いが、ＲＩＥの方がより微細なパターンの形成が可ｆ敞
である０反応ガスにはＣＨＦ３を用いる。
１５をＲＩＥ等で加工する（同図（ｂ））、レジストパ
ターンの形状は任意であるが、図で示すように、長方形
の場合に本発明の効果がＷＪｙｉである０例えば所望の
接合形状が正方形である場合、その正方形の辺の長さく
例えば１．５４ｍ）を−辺とし、他の一辺はレジストの
パターニングが容易な長さく例えばｉｏｏｍ）であるよ
うな長方形を用いる。加工はウェットエツチングでもよ
いが、ＲＩＥの方がより微細なパターンの形成が可ｆ敞
である０反応ガスにはＣＨＦ３を用いる。
１５ｍＴｏｒｒのガス圧に対し”ＣＳｕ？、Ｎｂのエツ
チングレートはそれぞれ３０，５ｎｍ／分であり、選択
比は十分とれる。
チングレートはそれぞれ３０，５ｎｍ／分であり、選択
比は十分とれる。
（３）次いで別のレジストパターン１７をマスクとして
、再び５１０２膜１５をＲＩＥ等で加工する（同図（Ｃ
））、今回のマスクパターンとしては、例えば前回のパ
ターンを９０°回転させたもの（パターンＥ）を用いる
。これにより＃１回エツチングされなかった部分の５ｔ
ＯｚｔＮ ｌ ５の一部がエツチングされる。
、再び５１０２膜１５をＲＩＥ等で加工する（同図（Ｃ
））、今回のマスクパターンとしては、例えば前回のパ
ターンを９０°回転させたもの（パターンＥ）を用いる
。これにより＃１回エツチングされなかった部分の５ｔ
ＯｚｔＮ ｌ ５の一部がエツチングされる。
なお１回目の５１０？膜のエツチングによりＮｂ１ｌＱ
１４の一部は露出するから、２回目のエツチングにより
この露出しているＮｂ１ｌＱが多少エツチングされるが
、ＳｉＯ？／ Ｎ ｂの選択比が大きいので、エツチン
グされる厚みはわずかであるし、Ｎｂ膜コミ１４更に後
の工程で陽極酸化されて厚みが、戸２．ｓ倍になるので
、エツチングされることによ５．る影テは少ない。
１４の一部は露出するから、２回目のエツチングにより
この露出しているＮｂ１ｌＱが多少エツチングされるが
、ＳｉＯ？／ Ｎ ｂの選択比が大きいので、エツチン
グされる厚みはわずかであるし、Ｎｂ膜コミ１４更に後
の工程で陽極酸化されて厚みが、戸２．ｓ倍になるので
、エツチングされることによ５．る影テは少ない。
このようにして２回のＲＩＢ加工により正方形の部分の
みに５ｉ０２膜１５が残る。この５ｉ０２膜１５のパタ
ーンは、弔−のレジストをマスクとしてＲＩＥ加工した
場合に比べて正方形の角の部分に丸みがなく、従ってよ
り正確の正方形のパターンを形成することができる。特
に微細なパターン（例えば１．５ｇｍ口）の場合、弔−
レジストでは丸いパターンになってしまうのに対して、
本実施例方法によれば、はぼ正確に１．５ｇｍ０の５１
０２膜パターンを作成することができる。
みに５ｉ０２膜１５が残る。この５ｉ０２膜１５のパタ
ーンは、弔−のレジストをマスクとしてＲＩＥ加工した
場合に比べて正方形の角の部分に丸みがなく、従ってよ
り正確の正方形のパターンを形成することができる。特
に微細なパターン（例えば１．５ｇｍ口）の場合、弔−
レジストでは丸いパターンになってしまうのに対して、
本実施例方法によれば、はぼ正確に１．５ｇｍ０の５１
０２膜パターンを作成することができる。
（４）次に５ｉ（ｂ膜１５をマスクとしてＮｂ膜１４を
全膜厚にわたって陽極酸化を行ない、陽極酸化膜１８と
対向′心棒１９とを形成する（同図（ｄ））、 ｇＳ極
酸化はエチレングリコール＋ホウ酸アンモニウム混合液
中で行なう、酸化膜厚は印加電圧で決定される。ｌ■あ
たり０．９ｎｍの膜厚のＮｂが消費され、２．３ ｎ
ｍノＮｂ２Ｏ５ｒＩ！２が形成される。実施例ではＮｂ
膜の全膜厚にわたって酸化するので、印加電圧は３５〜
１２０Ｖである。
全膜厚にわたって陽極酸化を行ない、陽極酸化膜１８と
対向′心棒１９とを形成する（同図（ｄ））、 ｇＳ極
酸化はエチレングリコール＋ホウ酸アンモニウム混合液
中で行なう、酸化膜厚は印加電圧で決定される。ｌ■あ
たり０．９ｎｍの膜厚のＮｂが消費され、２．３ ｎ
ｍノＮｂ２Ｏ５ｒＩ！２が形成される。実施例ではＮｂ
膜の全膜厚にわたって酸化するので、印加電圧は３５〜
１２０Ｖである。
なおＮｂ膜１４だけでなくその下のＡｎ−ＡｎＯｘｌｌ
Ｑ１３やＮｂ膜１２の一部が酸化されてもよい。
Ｑ１３やＮｂ膜１２の一部が酸化されてもよい。
このように本９．用の実施例によれば、Ｓｉ０？１模１
５をマスクとして陽極酸化を行なうので、レジストを用
いる場合の変形やはがれ等の問題がなく、正確に接合寸
法を決定できる。
５をマスクとして陽極酸化を行なうので、レジストを用
いる場合の変形やはがれ等の問題がなく、正確に接合寸
法を決定できる。
（５）次いで不図示の別のレジスト膜をマスクとしてＲ
ＩＥ法により陽極酸化膜１８．Ａ交−ＡｎＯｘｎＯｘ膜
上３Ｎｂ膜１２をエツチングしてパターニングを行なう
（同図（ｅ））、このときの反応ガスは、それぞれＣＨ
Ｆ３ 、Ａｒ 。
ＩＥ法により陽極酸化膜１８．Ａ交−ＡｎＯｘｎＯｘ膜
上３Ｎｂ膜１２をエツチングしてパターニングを行なう
（同図（ｅ））、このときの反応ガスは、それぞれＣＨ
Ｆ３ 、Ａｒ 。
ＣＦ４ ＋５％０２を用いる。
（６）次に層間絶縁膜として膜厚４００〜５００ｎｍの
５１０２１１９２０をスパッタ法、ｃｖｎ法等で形成す
る（同図（ｆ））。
５１０２１１９２０をスパッタ法、ｃｖｎ法等で形成す
る（同図（ｆ））。
（７）次いで不図示のレジスト膜をマスクとしてＲＩＥ
加工よりコンタクトホール２１を形成する０反応ガスと
してはＣＨＦ３ を用いるが、ガス圧が１５ｍＴｏｒｒ
のとき、エツチングレートは、Ｓｌｚ 、 Ｍｂ２０５
． Ｎｂに対しそれぞれ３０，１５゜５ｎｍ／分である
。このため１４ｂ２０５ＰＡからなる陽極酸化１７９１
８はエッチングス）ｙパとして働くので、接合領域より
も広いコンタクトホールを形成することができる（同図
（ｇ））。
加工よりコンタクトホール２１を形成する０反応ガスと
してはＣＨＦ３ を用いるが、ガス圧が１５ｍＴｏｒｒ
のとき、エツチングレートは、Ｓｌｚ 、 Ｍｂ２０５
． Ｎｂに対しそれぞれ３０，１５゜５ｎｍ／分である
。このため１４ｂ２０５ＰＡからなる陽極酸化１７９１
８はエッチングス）ｙパとして働くので、接合領域より
も広いコンタクトホールを形成することができる（同図
（ｇ））。
（８）次にＡｒ中でスパッタクリーニングすることによ
り対向電極１９の表面の薄い酸化膜を除去した後に、膜
厚５００〜８００ ｎ ｍのＮｂＷ２からなる配線膜２
２を形成した後にパターン加工する（同図（ｈ））。
り対向電極１９の表面の薄い酸化膜を除去した後に、膜
厚５００〜８００ ｎ ｍのＮｂＷ２からなる配線膜２
２を形成した後にパターン加工する（同図（ｈ））。
このように本発明の実施例によれば２回のレジストのパ
ターニングにより５１０２膜１５の微細パターンを容易
に、かつ正確に形成することができ、また該Ｓ１０？膜
１５をマスクとして陽極酸化するので、従来のようなレ
ジスト膜のはがれや変形がなく、正確なす法の対向電極
１９を形成することができる。
ターニングにより５１０２膜１５の微細パターンを容易
に、かつ正確に形成することができ、また該Ｓ１０？膜
１５をマスクとして陽極酸化するので、従来のようなレ
ジスト膜のはがれや変形がなく、正確なす法の対向電極
１９を形成することができる。
以上説明したように、本発明によれば絶縁膜をマスクと
して陽極酸化を行なうので、レジストをマスクとして用
いる場合のようなレジストの変形やはがれがなく、正確
のす法の接合を形成することができる。また絶縁膜パタ
ーン自体も複数回のエツチング１程で加［ニするので、
微細な寸法でも正確に形成可能である。
して陽極酸化を行なうので、レジストをマスクとして用
いる場合のようなレジストの変形やはがれがなく、正確
のす法の接合を形成することができる。また絶縁膜パタ
ーン自体も複数回のエツチング１程で加［ニするので、
微細な寸法でも正確に形成可能である。
第１図は本発明のジョセフソン接合素子の製造方法の原
理を説明する図、 第２図は本発明の実施例に係るジョセフソン接合素子の
製造工程を説明する図、 第３図は従来例の製造方法を説明する図、第４図は従来
例の問題点を説明する図である。 （符号の説明） １．１１・・・５１基板、 ２．４，１２．１４・・・ＮｂｌｇＩ、３ 、１３−
Ａ ｌ −Ａ Ｉ Ｏｘ膜、５．１６．１７・・・レジ
スト膜、 ６．１８・・・陽極酸化膜、 ７．１９・・・対向電極、 ８・・・レジストパターン、 ９・・・接合領域、 ｌＯ・・・コンタクト領域、 ２０・・・５１０２膜、 ２１・・・コンタクトホール、 ２２・・・Ｎｂ配線膜。
理を説明する図、 第２図は本発明の実施例に係るジョセフソン接合素子の
製造工程を説明する図、 第３図は従来例の製造方法を説明する図、第４図は従来
例の問題点を説明する図である。 （符号の説明） １．１１・・・５１基板、 ２．４，１２．１４・・・ＮｂｌｇＩ、３ 、１３−
Ａ ｌ −Ａ Ｉ Ｏｘ膜、５．１６．１７・・・レジ
スト膜、 ６．１８・・・陽極酸化膜、 ７．１９・・・対向電極、 ８・・・レジストパターン、 ９・・・接合領域、 ｌＯ・・・コンタクト領域、 ２０・・・５１０２膜、 ２１・・・コンタクトホール、 ２２・・・Ｎｂ配線膜。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 第１の超伝導金属膜、トンネルバリア膜、 第２の超伝導金属膜および絶縁膜を順次、基板上に重ね
て成膜する工程と、 前記絶縁膜を複数の異なるパターンのマスクを用いて複
数回のエッチングを行ない、該パターンが部分的に重な
り合っている領域のみを残すことにより特定のパターン
の絶縁膜を形成する工程と、 該特定のパターンの絶縁膜をマスクとして陽極酸化する
ことにより、少なくとも前記第２の超伝導金属膜を酸化
膜に代える工程とを有することを特徴とするジョセフソ
ン接合素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61239096A JPS6394692A (ja) | 1986-10-09 | 1986-10-09 | ジヨセフソン接合素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61239096A JPS6394692A (ja) | 1986-10-09 | 1986-10-09 | ジヨセフソン接合素子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6394692A true JPS6394692A (ja) | 1988-04-25 |
Family
ID=17039751
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61239096A Pending JPS6394692A (ja) | 1986-10-09 | 1986-10-09 | ジヨセフソン接合素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6394692A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4904619A (en) * | 1987-03-24 | 1990-02-27 | Hitachi Ltd. | Method of forming Josephson junction devices |
| JPH05145132A (ja) * | 1990-09-21 | 1993-06-11 | Trw Inc | 接合領域を正確に制御するジヨセフソン・トンネル接合の製作方法 |
| JPH0715052A (ja) * | 1993-06-23 | 1995-01-17 | Nec Corp | 超伝導素子の製造方法 |
| JP2008191823A (ja) * | 2007-02-02 | 2008-08-21 | Omron Corp | 安全管理方法、安全管理システムおよび安全制御機器 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58175830A (ja) * | 1982-04-08 | 1983-10-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | パタ−ン形成方法 |
| JPS61144084A (ja) * | 1984-12-18 | 1986-07-01 | Agency Of Ind Science & Technol | ジョセフソン接合素子の形成方法 |
-
1986
- 1986-10-09 JP JP61239096A patent/JPS6394692A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58175830A (ja) * | 1982-04-08 | 1983-10-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | パタ−ン形成方法 |
| JPS61144084A (ja) * | 1984-12-18 | 1986-07-01 | Agency Of Ind Science & Technol | ジョセフソン接合素子の形成方法 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4904619A (en) * | 1987-03-24 | 1990-02-27 | Hitachi Ltd. | Method of forming Josephson junction devices |
| JPH05145132A (ja) * | 1990-09-21 | 1993-06-11 | Trw Inc | 接合領域を正確に制御するジヨセフソン・トンネル接合の製作方法 |
| JPH0715052A (ja) * | 1993-06-23 | 1995-01-17 | Nec Corp | 超伝導素子の製造方法 |
| JP2008191823A (ja) * | 2007-02-02 | 2008-08-21 | Omron Corp | 安全管理方法、安全管理システムおよび安全制御機器 |
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