JPH0634417B2 - ジヨセフソン接合素子の製造方法 - Google Patents
ジヨセフソン接合素子の製造方法Info
- Publication number
- JPH0634417B2 JPH0634417B2 JP61222405A JP22240586A JPH0634417B2 JP H0634417 B2 JPH0634417 B2 JP H0634417B2 JP 61222405 A JP61222405 A JP 61222405A JP 22240586 A JP22240586 A JP 22240586A JP H0634417 B2 JPH0634417 B2 JP H0634417B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- josephson junction
- manufacturing
- counter electrode
- contact hole
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 17
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 14
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 12
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 9
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 7
- 238000007743 anodising Methods 0.000 claims description 3
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 claims description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims 1
- 229910017107 AlOx Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000010407 anodic oxide Substances 0.000 description 8
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 8
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 7
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 4
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 4
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- 229910018173 Al—Al Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000978 Pb alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000008151 electrolyte solution Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 238000001552 radio frequency sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 1
- 239000003870 refractory metal Substances 0.000 description 1
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 1
- WYXIGTJNYDDFFH-UHFFFAOYSA-Q triazanium;borate Chemical compound [NH4+].[NH4+].[NH4+].[O-]B([O-])[O-] WYXIGTJNYDDFFH-UHFFFAOYSA-Q 0.000 description 1
Landscapes
- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔概要〕 本発明は対向電極/トンネルバリア膜/基部電極からな
るジョセフソン接合素子の製造方法において、ジョセフ
ソン接合領域を除いて対向電極形成用の超伝導金属膜を
陽極酸化して酸化膜を形成することによりジョセフソン
接合素子領域の面積を画定し、該対向電極にコンタクト
するため、ドライエッチングにより層間絶縁膜に開口部
を設けるときには、該陽極酸化膜をエッチングのストッ
パとして用いることによりジョセフソン接合領域の面積
よりも広い面積の窓開けを可能とする。これにより微細
構造のジョセフソン接合素子を再現性よく、容易に製造
することが可能となる。
るジョセフソン接合素子の製造方法において、ジョセフ
ソン接合領域を除いて対向電極形成用の超伝導金属膜を
陽極酸化して酸化膜を形成することによりジョセフソン
接合素子領域の面積を画定し、該対向電極にコンタクト
するため、ドライエッチングにより層間絶縁膜に開口部
を設けるときには、該陽極酸化膜をエッチングのストッ
パとして用いることによりジョセフソン接合領域の面積
よりも広い面積の窓開けを可能とする。これにより微細
構造のジョセフソン接合素子を再現性よく、容易に製造
することが可能となる。
本発明はジョセフソン接合素子の製造方法に関するもの
であり、更に詳しく言えば微細構造のジョセフソン接合
素子の製造方法に関するものである。
であり、更に詳しく言えば微細構造のジョセフソン接合
素子の製造方法に関するものである。
最近、ジョセフソン接合素子の電極材料は、従来の鉛合
金から高融点金属であるNb やNb 化合物(例えば、N
b N)に変わり、これにより素子の安定性が飛躍的に向
上している。特にNb /AlOx /Nb 接合は電気的特
性も良好で、集積回路への応用が盛んに研究されてい
る。しかし回路の集積度を上げるためには、1μm径程
度の微細な接合を作成することが必要となる。
金から高融点金属であるNb やNb 化合物(例えば、N
b N)に変わり、これにより素子の安定性が飛躍的に向
上している。特にNb /AlOx /Nb 接合は電気的特
性も良好で、集積回路への応用が盛んに研究されてい
る。しかし回路の集積度を上げるためには、1μm径程
度の微細な接合を作成することが必要となる。
第3図は従来例に係るジョセフソン接合素子の構造を示
す断面図である。この接合素子の製造方法を説明する
と、まずSi基板1上に、膜厚200〜300nmの基部
電極2用の第1の超伝導金属膜(Nb 膜),極めて薄い
トンネルバリア膜(Al−AlOx 膜)3,膜厚200
nmの対向電極4用の第2の超伝導金属膜(Nb 膜)4
が同一真空層内で連続成膜された後に、それぞれの電極
パターンがRIE加工等により形成される。次いで層間
絶縁膜としてのSiO2膜やSiO 膜を成膜した後に、コンタ
クトホール6をRIE加工等により形成する。最後に配
線層7としてのNb 膜を成膜した後にパターン形成す
る。
す断面図である。この接合素子の製造方法を説明する
と、まずSi基板1上に、膜厚200〜300nmの基部
電極2用の第1の超伝導金属膜(Nb 膜),極めて薄い
トンネルバリア膜(Al−AlOx 膜)3,膜厚200
nmの対向電極4用の第2の超伝導金属膜(Nb 膜)4
が同一真空層内で連続成膜された後に、それぞれの電極
パターンがRIE加工等により形成される。次いで層間
絶縁膜としてのSiO2膜やSiO 膜を成膜した後に、コンタ
クトホール6をRIE加工等により形成する。最後に配
線層7としてのNb 膜を成膜した後にパターン形成す
る。
ところでこの製造方法によれば、コンタクトホール6は
対向電極のパターン内に設ける必要がある。もしコンタ
クトホールの形成位置が対向電極パターンより外側には
みだすと、配線7と基部電極2とが電気的に短絡して正
常な接合素子特性が得られなくなる。このため露光時の
位置合せ余裕を含め、コンタクトホール6の大きさは接
合領域(すなわち対向電極の領域)よりもある程度小さ
くする必要がある。ところがコンタクトホール6を再現
性よく適正に形成するためには一定の大きさ(例えば1
μm)以上の寸法が要求されるので、寸法が1μm程度
の接合素子を形成することは極めて困難である。
対向電極のパターン内に設ける必要がある。もしコンタ
クトホールの形成位置が対向電極パターンより外側には
みだすと、配線7と基部電極2とが電気的に短絡して正
常な接合素子特性が得られなくなる。このため露光時の
位置合せ余裕を含め、コンタクトホール6の大きさは接
合領域(すなわち対向電極の領域)よりもある程度小さ
くする必要がある。ところがコンタクトホール6を再現
性よく適正に形成するためには一定の大きさ(例えば1
μm)以上の寸法が要求されるので、寸法が1μm程度
の接合素子を形成することは極めて困難である。
そこで第4図(a)〜(c)に示すような接合構造のジ
ョセフソン接合素子が提案されている(Morohashi et a
l,Appl.Phys.Lett.Vol.48,No.3,P254 〜 P256,1986)。
以下、この接合素子の製造方法を説明する。
ョセフソン接合素子が提案されている(Morohashi et a
l,Appl.Phys.Lett.Vol.48,No.3,P254 〜 P256,1986)。
以下、この接合素子の製造方法を説明する。
(a)まず基板8上に基部電極9用のNb 膜,トンネル
バリア膜10用のAl−AlOx 膜,対向電極11用の
Nb 膜を同一真空層内で連続成膜した後、レジスト膜1
2をマスクとしてRIE加工により対向電極11をパタ
ーン形成し、更にAr スパッタリングによりAl−Al
Ox を除去する。次いで露出したNb 膜(基部電極9)
を陽極酸化する。このときの印加電圧は10〜20V
で、形成される陽極酸化膜は20〜40nmである。
バリア膜10用のAl−AlOx 膜,対向電極11用の
Nb 膜を同一真空層内で連続成膜した後、レジスト膜1
2をマスクとしてRIE加工により対向電極11をパタ
ーン形成し、更にAr スパッタリングによりAl−Al
Ox を除去する。次いで露出したNb 膜(基部電極9)
を陽極酸化する。このときの印加電圧は10〜20V
で、形成される陽極酸化膜は20〜40nmである。
(b)次にエッチングストッパ14として膜厚20〜4
0nmのAl膜を蒸着により形成し、アセトンによって
レジスト膜12を除去することによりパターン形成す
る。
0nmのAl膜を蒸着により形成し、アセトンによって
レジスト膜12を除去することによりパターン形成す
る。
(c)次いでスパッタ又はCVD法等により層間絶縁膜
15としてのSiO2膜を形成し、CHF3反応ガスを用いてR
IE加工によりコンタクトホール16を形成する。この
ときAl膜はエッチングストッパとして働くので、コン
タクトホール径が接合領域より大きくても、陽極酸化膜
13が露出することはない。次に配線層17としてNb
をスパッタ法で成膜した後、パターン形成する。
15としてのSiO2膜を形成し、CHF3反応ガスを用いてR
IE加工によりコンタクトホール16を形成する。この
ときAl膜はエッチングストッパとして働くので、コン
タクトホール径が接合領域より大きくても、陽極酸化膜
13が露出することはない。次に配線層17としてNb
をスパッタ法で成膜した後、パターン形成する。
このように、この製造方法によればジョセフソン接合の
寸法を、コンタクトホールの大きさに制限されることの
なく、極めて小さくすることができる。
寸法を、コンタクトホールの大きさに制限されることの
なく、極めて小さくすることができる。
しかし、その方法には次のような問題点がある。
(1) 第4図(a)に示す対向電極11をRIE加工によ
り形成するとき、サイドエッチングにより側面が削られ
て実質的に接合面積が減少する。特に接合寸法が1μm
程度になると、サイドエッチング量のバラツキや再現性
が接合面積に大きく影響する。
り形成するとき、サイドエッチングにより側面が削られ
て実質的に接合面積が減少する。特に接合寸法が1μm
程度になると、サイドエッチング量のバラツキや再現性
が接合面積に大きく影響する。
(2) エッチングストッパ14としてのAl膜は20〜4
0nmの膜厚で蒸着により形成されるが、ウェハー内に
多数個の接合をつくる場合、リフトオフによりレジスト
膜12上のAl膜をすべて完全に除去することが困難で
ある。それはレジスト膜12をマスクとしてRIE法に
より対向電極やトンネルバリア膜をエッチングするとき
のプラズマにより該レジスト膜12がダメージを受けた
り、あるいはレジスト膜自体もエッチングされて膜減り
が生じているからである。Al膜がリフトオフで完全に
除去されない場合や、Al膜のバリが生ずる場合には、
他の配線膜の断線や配線間のショートを招く原因とな
る。
0nmの膜厚で蒸着により形成されるが、ウェハー内に
多数個の接合をつくる場合、リフトオフによりレジスト
膜12上のAl膜をすべて完全に除去することが困難で
ある。それはレジスト膜12をマスクとしてRIE法に
より対向電極やトンネルバリア膜をエッチングするとき
のプラズマにより該レジスト膜12がダメージを受けた
り、あるいはレジスト膜自体もエッチングされて膜減り
が生じているからである。Al膜がリフトオフで完全に
除去されない場合や、Al膜のバリが生ずる場合には、
他の配線膜の断線や配線間のショートを招く原因とな
る。
本発明はかかる従来の問題点に鑑みて創作されたもので
あり、微細構造のジョセフソン接合素子を再現性良く、
かつ容易に形成することを可能とする製造方法の提供を
目的とする。
あり、微細構造のジョセフソン接合素子を再現性良く、
かつ容易に形成することを可能とする製造方法の提供を
目的とする。
第1図は本発明の製造方法によって形成されるジョセフ
ソン接合素子の構造断面図である。図において18はSi
基板であり、その上に基部電極24,トンネルバリア膜
25および対向電極27からなるジョセフソン接合が形
成されている。また26は陽極酸化膜,28は層間絶縁
膜であり、配線膜30は該層間絶縁膜28に形成された
コンタクトホール29を介して対向電極27にコンタク
トしている。
ソン接合素子の構造断面図である。図において18はSi
基板であり、その上に基部電極24,トンネルバリア膜
25および対向電極27からなるジョセフソン接合が形
成されている。また26は陽極酸化膜,28は層間絶縁
膜であり、配線膜30は該層間絶縁膜28に形成された
コンタクトホール29を介して対向電極27にコンタク
トしている。
対向電極27の寸法は、該対向電極材料の超伝導金属を
陽極酸化する工程により一義的に決定される。
陽極酸化する工程により一義的に決定される。
また陽極酸化工程で形成された陽極酸化膜26は層間絶
縁膜28のコンタクトホール29を形成する際のエッチ
ングストッパとしての役割を果たす。これによりコンタ
クトホール29の寸法の大きさに依存しない極めて微細
な構造のジョセフソン接合素子を形成することができ
る。
縁膜28のコンタクトホール29を形成する際のエッチ
ングストッパとしての役割を果たす。これによりコンタ
クトホール29の寸法の大きさに依存しない極めて微細
な構造のジョセフソン接合素子を形成することができ
る。
〔実施例〕 次に図を参照しながら本発明の実施例について説明す
る。第2図は本発明の実施例に係るジョセフソン接合素
子の製造方法を説明する断面図である。
る。第2図は本発明の実施例に係るジョセフソン接合素
子の製造方法を説明する断面図である。
(1) まずSi基板18上にNb 膜19,Al−AlOx 膜
20およびNb 膜21を同一真空層内で順次、連続成膜
する。このときNb 膜はdc又はrfマグネトロンスパ
ッタで成膜し、Nb 膜19は200〜300nm,Nb
膜21は30〜100nmの膜厚である。またAlはd
c又はrfスパッタ法により3〜10nmで成膜し、そ
の後、酸素を導入してAl表面にAlOx を形成する。
20およびNb 膜21を同一真空層内で順次、連続成膜
する。このときNb 膜はdc又はrfマグネトロンスパ
ッタで成膜し、Nb 膜19は200〜300nm,Nb
膜21は30〜100nmの膜厚である。またAlはd
c又はrfスパッタ法により3〜10nmで成膜し、そ
の後、酸素を導入してAl表面にAlOx を形成する。
なおSi基板18とNb 膜19との間に、熱酸化膜,超伝
導接地面積,絶縁膜又は抵抗等が形成されていてもよい
(第2図(a))。
導接地面積,絶縁膜又は抵抗等が形成されていてもよい
(第2図(a))。
(2) 次いでレジスト膜22をパターニングした後、該レ
ジスト膜22をマスクとしてNb 膜21の陽極酸化を行
いNb2O5膜23を形成する(第2図(b))。このとき
の電界液としてエチレングリコールとホウ酸アンモニウ
ムの混合液を用いる。陽極酸化されるNb 膜の膜厚は印
加電圧によって決定される。すなわち1vでは0.9n
mのNb 膜が消費される(但し、このとき2.3nmの
Nb2O5膜が形成される。)ので、30〜100nmのN
b 膜21をすべて陽極酸化するためめには印加電圧は3
5〜120V必要である。なおNb 膜21だけではな
く、その下のAl−AlOx 膜20やNb 膜19の一部
が陽極酸化されてもよい。
ジスト膜22をマスクとしてNb 膜21の陽極酸化を行
いNb2O5膜23を形成する(第2図(b))。このとき
の電界液としてエチレングリコールとホウ酸アンモニウ
ムの混合液を用いる。陽極酸化されるNb 膜の膜厚は印
加電圧によって決定される。すなわち1vでは0.9n
mのNb 膜が消費される(但し、このとき2.3nmの
Nb2O5膜が形成される。)ので、30〜100nmのN
b 膜21をすべて陽極酸化するためめには印加電圧は3
5〜120V必要である。なおNb 膜21だけではな
く、その下のAl−AlOx 膜20やNb 膜19の一部
が陽極酸化されてもよい。
(3) 次いで不図示の別のレジスト膜をマスクとしてRI
E加工によりNb2O5膜23,Al−AlOx 膜20,お
よびNb 膜19をエッチングして、基部電極24,トン
ネルバリア膜25,陽極酸化膜26,対向電極27を形
成する(第2図(c))。このときの反応ガスは、それ
ぞれNb2O5膜にはCHF3,Al−AlOx 膜にはAr,
Nb 膜にはCF4+5%O2を用いる。
E加工によりNb2O5膜23,Al−AlOx 膜20,お
よびNb 膜19をエッチングして、基部電極24,トン
ネルバリア膜25,陽極酸化膜26,対向電極27を形
成する(第2図(c))。このときの反応ガスは、それ
ぞれNb2O5膜にはCHF3,Al−AlOx 膜にはAr,
Nb 膜にはCF4+5%O2を用いる。
(4) 次に層間絶縁膜28として膜厚400〜500nm
のSiO2膜をスパッタ法,CVD法等で形成する(第2図
(d))。
のSiO2膜をスパッタ法,CVD法等で形成する(第2図
(d))。
(5) 次いで不図示のレジスト膜をマスクとしてRIE加
工よりコンタクトホール29を形成する。反応ガスとし
てはCHF3を用いるが、ガス圧が15mTorrのとき、エッ
チングレートは、SiO2膜,Nb2O5膜,Nb 膜に対しそ
れぞれ30,15,5nm/分である。このためNb2O5
膜からなる陽極酸化膜26はエッチングストッパとして
働くので、接合領域よりも広いコンタクトホールを形成
することができる(第2図(e))。
工よりコンタクトホール29を形成する。反応ガスとし
てはCHF3を用いるが、ガス圧が15mTorrのとき、エッ
チングレートは、SiO2膜,Nb2O5膜,Nb 膜に対しそ
れぞれ30,15,5nm/分である。このためNb2O5
膜からなる陽極酸化膜26はエッチングストッパとして
働くので、接合領域よりも広いコンタクトホールを形成
することができる(第2図(e))。
(6) 次にAr中でスパッタクリーニングすることにより
対向電極27の表面の薄い酸化膜を除去した後に、膜厚
500〜800nmのNb 膜からなる配線膜30を形成
した後にパターン加工する(第2図(f))。
対向電極27の表面の薄い酸化膜を除去した後に、膜厚
500〜800nmのNb 膜からなる配線膜30を形成
した後にパターン加工する(第2図(f))。
このように本発明の実施例によればNb 膜21を陽極酸
化することにより一義的に接合領域を決定できるので、
接合寸法の精度が向上する。また陽極酸化により形成さ
れたNb2O5膜23をコンタクトホール29を形成すると
きのエッチングストッパとして利用できるので、コンタ
クトホール径に依存しない極めて微細構造のジョセフソ
ン接合素子を、ウエハ上に均一に、かつ再現性良く形成
することができる。
化することにより一義的に接合領域を決定できるので、
接合寸法の精度が向上する。また陽極酸化により形成さ
れたNb2O5膜23をコンタクトホール29を形成すると
きのエッチングストッパとして利用できるので、コンタ
クトホール径に依存しない極めて微細構造のジョセフソ
ン接合素子を、ウエハ上に均一に、かつ再現性良く形成
することができる。
以上説明したように、本発明によればRIE加工するこ
となく、陽極酸化工程のみで対向電極の領域、すなわち
接合領域を決定することができるので、接合領域の寸法
の精度は向上する。また該陽極酸化膜をコンタクトホー
ル形成時のエッチングストッパとして利用することがで
きるので、コンタクトホール径に依存しない極めて微細
構造のジョセフソン接合素子を、再現性良く容易に形成
することができる。
となく、陽極酸化工程のみで対向電極の領域、すなわち
接合領域を決定することができるので、接合領域の寸法
の精度は向上する。また該陽極酸化膜をコンタクトホー
ル形成時のエッチングストッパとして利用することがで
きるので、コンタクトホール径に依存しない極めて微細
構造のジョセフソン接合素子を、再現性良く容易に形成
することができる。
第1図は本発明の製造方法によって作成されるジョセフ
ソン接合素子の断面図、 第2図は本発明の実施例に係るジョセフソン接合素子の
製造方法を説明する断面図、 第3図は従来例の製造方法を説明する断面図、第4図は
別の従来例の製造方法を説明する断面図である。 (符号の説明) 1,8,18……Si基板、 2,9,24……基部電極、 3,10,25……トンネルバリア膜、 4,11,27……対向電極、 5,15,28……層間絶縁膜、 6,16,29……コンタクトホール、 7,17,30……配線膜、 12,22……レジスト膜、 13,26……陽極酸化膜、 14……エッチングストッパ、 19,21……Nb 膜、 20……Al−AlOx 膜、 23……Nb2O5膜。
ソン接合素子の断面図、 第2図は本発明の実施例に係るジョセフソン接合素子の
製造方法を説明する断面図、 第3図は従来例の製造方法を説明する断面図、第4図は
別の従来例の製造方法を説明する断面図である。 (符号の説明) 1,8,18……Si基板、 2,9,24……基部電極、 3,10,25……トンネルバリア膜、 4,11,27……対向電極、 5,15,28……層間絶縁膜、 6,16,29……コンタクトホール、 7,17,30……配線膜、 12,22……レジスト膜、 13,26……陽極酸化膜、 14……エッチングストッパ、 19,21……Nb 膜、 20……Al−AlOx 膜、 23……Nb2O5膜。
Claims (1)
- 【請求項1】第1の超伝導金属膜,トンネルバリア膜お
よび第2の超伝導金属膜を順次、基板上に重ねて成膜す
る工程と、 形成すべきジョセフソン接合領域を除き、少なくとも前
記第2の超伝導金属膜を陽極酸化して酸化膜にする工程
と、 全面に絶縁膜を形成する工程と、 前記絶縁膜をドライエッチングし、前記酸化膜をエッチ
ングストッパとして前記ジョセフソン接合領域上に開口
部を形成する工程と、 前記開口部を介して第3の超伝導金属膜にコンタクトす
る第3の超伝導金属膜を形成する工程とを有することを
特徴とするジョセフソン接合素子の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61222405A JPH0634417B2 (ja) | 1986-09-19 | 1986-09-19 | ジヨセフソン接合素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61222405A JPH0634417B2 (ja) | 1986-09-19 | 1986-09-19 | ジヨセフソン接合素子の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6377175A JPS6377175A (ja) | 1988-04-07 |
JPH0634417B2 true JPH0634417B2 (ja) | 1994-05-02 |
Family
ID=16781861
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61222405A Expired - Lifetime JPH0634417B2 (ja) | 1986-09-19 | 1986-09-19 | ジヨセフソン接合素子の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0634417B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5055158A (en) * | 1990-09-25 | 1991-10-08 | International Business Machines Corporation | Planarization of Josephson integrated circuit |
-
1986
- 1986-09-19 JP JP61222405A patent/JPH0634417B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS6377175A (ja) | 1988-04-07 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US10109673B2 (en) | Double-masking technique for increasing fabrication yield in superconducting electronics | |
JPH02278820A (ja) | エアブリッジ金属相互接続の製造方法 | |
US4299679A (en) | Method of producing Josephson elements of the tunneling junction type | |
JPH0634417B2 (ja) | ジヨセフソン接合素子の製造方法 | |
JP2738682B2 (ja) | 配線形成方法 | |
JP2646440B2 (ja) | ジョセフソン接合素子の製造方法 | |
JP2682136B2 (ja) | ジョセフソン素子の製造方法 | |
JPH0766462A (ja) | 超伝導回路 | |
JPS6394692A (ja) | ジヨセフソン接合素子の製造方法 | |
JPS6396973A (ja) | ジヨセフソン接合素子の製造方法 | |
JPS60208873A (ja) | ジヨセフソン接合素子の製造方法 | |
JPH07176694A (ja) | キャパシタの製造方法 | |
JPH03190289A (ja) | ジョセフソン接合素子及びその製造方法 | |
JPS61263179A (ja) | ジヨセフソン接合素子の製造方法 | |
JPS63224273A (ja) | ジヨセフソン接合素子とその作製方法 | |
JPS61144892A (ja) | シヨセフソン集積回路の製造方法 | |
JPH0513393B2 (ja) | ||
JPS61229377A (ja) | ジヨセフソン集積回路の製造方法 | |
JPS6386582A (ja) | ジヨセフソン接合素子の製造方法 | |
JPS61208879A (ja) | ジヨセフソン集積回路の製造方法 | |
JPS63299120A (ja) | 半導体装置の電極形成方法 | |
JPH10163540A (ja) | 超電導集積回路用抵抗素子 | |
JPH0360184B2 (ja) | ||
JPS61241989A (ja) | 超伝導線路の作製方法 | |
JPH05109721A (ja) | 半導体集積回路 |