JPS6377175A - ジヨセフソン接合素子の製造方法 - Google Patents
ジヨセフソン接合素子の製造方法Info
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- JPS6377175A JPS6377175A JP61222405A JP22240586A JPS6377175A JP S6377175 A JPS6377175 A JP S6377175A JP 61222405 A JP61222405 A JP 61222405A JP 22240586 A JP22240586 A JP 22240586A JP S6377175 A JPS6377175 A JP S6377175A
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 17
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 15
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 10
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims abstract description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 7
- 238000007743 anodising Methods 0.000 claims description 4
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 claims description 2
- 239000010407 anodic oxide Substances 0.000 abstract description 8
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 abstract description 8
- ZKATWMILCYLAPD-UHFFFAOYSA-N niobium pentoxide Chemical compound O=[Nb](=O)O[Nb](=O)=O ZKATWMILCYLAPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 8
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 abstract description 5
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 abstract description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 abstract 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 abstract 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 8
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 5
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 4
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XPDWGBQVDMORPB-UHFFFAOYSA-N Fluoroform Chemical compound FC(F)F XPDWGBQVDMORPB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- 229910017107 AlOx Inorganic materials 0.000 description 1
- PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N Glycerine Chemical compound OCC(O)CO PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- -1 N bN) Chemical class 0.000 description 1
- 229910000978 Pb alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N cyclohexanone Chemical compound O=C1CCCCC1 JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 238000001552 radio frequency sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 1
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 1
- WYXIGTJNYDDFFH-UHFFFAOYSA-Q triazanium;borate Chemical compound [NH4+].[NH4+].[NH4+].[O-]B([O-])[O-] WYXIGTJNYDDFFH-UHFFFAOYSA-Q 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
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- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
（Ｊ！２ｉ’）
本発明は対向電極／トンネルバリア膜／基部電極からな
るジョセフソン接合素子の製造方法において、ジョセフ
ソン接合領域を除いて対向電極形成用の超伝導金属膜を
陽極酸化して酸化膜を形成することによりジョセフソン
接合素子領域の面積を画定し、該対向ｊｔｉ極にコンタ
クトするため、ドライエツチングにより層間絶縁膜に開
口部を設けるときには、該陽極酸化膜をエツチングのス
トッパとして用いることによりジョセフソン接合領域の
面積よりも広い面積の窓開けを可ｆ針とする。これによ
り微細構造のジョセフソン接合素子を再現性よく、容易
に製造することが可能となる。
るジョセフソン接合素子の製造方法において、ジョセフ
ソン接合領域を除いて対向電極形成用の超伝導金属膜を
陽極酸化して酸化膜を形成することによりジョセフソン
接合素子領域の面積を画定し、該対向ｊｔｉ極にコンタ
クトするため、ドライエツチングにより層間絶縁膜に開
口部を設けるときには、該陽極酸化膜をエツチングのス
トッパとして用いることによりジョセフソン接合領域の
面積よりも広い面積の窓開けを可ｆ針とする。これによ
り微細構造のジョセフソン接合素子を再現性よく、容易
に製造することが可能となる。
本発明はジョセフソン接合素子の製造方法に関するもの
であり、更に詳しく言えば微細構造のジョセフソン接合
素子の製造方法に関するものである。
であり、更に詳しく言えば微細構造のジョセフソン接合
素子の製造方法に関するものである。
最近、ジョセフソン接合素子の電極材料は、従来の鉛合
金から高融点金属であるＮｂやＮｂ化合物（例えば、Ｎ
ｂ Ｎ）に変わり、これにより素子の安定性が飛躍的に
向上している。特にＮｂ／Ａｎｏｎ／Ｎｂ接合は電気的
特性も良好で、集積回路への応用が盛んに研究されてい
る。しかし回路の集植度を上げるためには、１ｇｍ径程
度の微細な接合を作成することが必要となる。
金から高融点金属であるＮｂやＮｂ化合物（例えば、Ｎ
ｂ Ｎ）に変わり、これにより素子の安定性が飛躍的に
向上している。特にＮｂ／Ａｎｏｎ／Ｎｂ接合は電気的
特性も良好で、集積回路への応用が盛んに研究されてい
る。しかし回路の集植度を上げるためには、１ｇｍ径程
度の微細な接合を作成することが必要となる。
（従来の技術〕
第３図は従来例に係るジョセフソン接合素子の構造を示
す断面図である。この接合素子の製造方法を説明すると
、まずＳ１基板ｌ上に、膜厚２００〜３００ｎｍの基部
電極２用の第１の超伝導金属１ｇ！（Ｎｂ１ｇり、極め
て薄いトンネルバリア膜（Ａｌｌ−ＡＩＯｚ ｌ１ｌ）
３ 、膜厚’２００ｎｍの対向電極４用の第２の超伝
導金ｆ！ｌ１ｆＪ（Ｎｂ膜）４が同一真空層内で連続成
膜された後に、それぞれの電極パターンがＨＩＥ加工等
により形成される。
す断面図である。この接合素子の製造方法を説明すると
、まずＳ１基板ｌ上に、膜厚２００〜３００ｎｍの基部
電極２用の第１の超伝導金属１ｇ！（Ｎｂ１ｇり、極め
て薄いトンネルバリア膜（Ａｌｌ−ＡＩＯｚ ｌ１ｌ）
３ 、膜厚’２００ｎｍの対向電極４用の第２の超伝
導金ｆ！ｌ１ｆＪ（Ｎｂ膜）４が同一真空層内で連続成
膜された後に、それぞれの電極パターンがＨＩＥ加工等
により形成される。
次いで層間絶縁膜としての５ｉ０２膜やｓ、ｏ６を成膜
した後に、コンタクトホール６をＲＩＥ加工等により形
成する。最後にｆ１！、線層７としてのＮｂ膜を成膜し
た後にパターン形成する。
した後に、コンタクトホール６をＲＩＥ加工等により形
成する。最後にｆ１！、線層７としてのＮｂ膜を成膜し
た後にパターン形成する。
ところでこの製造方法によれば、コンタクトホール６は
対向電極のパターン内に設ける必要がある。もしコンタ
クトホールの形成位置が対向電極パターンより外側には
みだすと、配線７と基部電極２とが電気的に短絡して正
常な接合素子特性が得られなくなる。このため露光時の
位置合せ余裕を含め、コンタクトホール６の大きさは接
合領域（すなわち対向電極の領域）よりもある程度小さ
くする必要がある。ところがコンタクトホール６を再現
性よく適正に形成するためには一定の大きさく例えばＩ
ｕＬｍ）以上の寸法が要求されるので、寸法がＩＪＬｍ
程度の接合よ子を形成することは極めて困難である。
対向電極のパターン内に設ける必要がある。もしコンタ
クトホールの形成位置が対向電極パターンより外側には
みだすと、配線７と基部電極２とが電気的に短絡して正
常な接合素子特性が得られなくなる。このため露光時の
位置合せ余裕を含め、コンタクトホール６の大きさは接
合領域（すなわち対向電極の領域）よりもある程度小さ
くする必要がある。ところがコンタクトホール６を再現
性よく適正に形成するためには一定の大きさく例えばＩ
ｕＬｍ）以上の寸法が要求されるので、寸法がＩＪＬｍ
程度の接合よ子を形成することは極めて困難である。
そこで第４図（ａ）〜（Ｃ）に示すような接合構造のジ
ョセフソン接合素子が提案されている（Ｍｏｒｏｈａｓ
ｈｉ ｅｔ ａｌ、Ａｐｐｌ、Ｐｈｙｇ、Ｌｅｔｔ−Ｖ
ｏｌ、４８．Ｎｏ、３、Ｐ２５４〜Ｐ２５８，１９８８
） 、以下、この接合素子の製造方法を説明する。
ョセフソン接合素子が提案されている（Ｍｏｒｏｈａｓ
ｈｉ ｅｔ ａｌ、Ａｐｐｌ、Ｐｈｙｇ、Ｌｅｔｔ−Ｖ
ｏｌ、４８．Ｎｏ、３、Ｐ２５４〜Ｐ２５８，１９８８
） 、以下、この接合素子の製造方法を説明する。
（ａ）まず基板８上に基部電極９用のＮｂ膜、トンネル
バリア膜ｌＯ用のＡＭ−ＡＪＬＯｘＭ、対向電極ｌｌ用
のＮｂ膜を同一真空層内で連続成膜した後、レジスト膜
１２をマスクとしてＲＩＥ加工により対向電極１１をパ
ターン形成し、更にＡｒスパッタリングによりＡｎ−Ａ
ＩＯｘを除去する０次いで露出したＮｂ１ｌ！２（基部
電極９）を陽極酸化する。このときの印加電圧は１０〜
２０Ｖで、形成される陽極酸化膜は２０〜４０ｎｍであ
る。
バリア膜ｌＯ用のＡＭ−ＡＪＬＯｘＭ、対向電極ｌｌ用
のＮｂ膜を同一真空層内で連続成膜した後、レジスト膜
１２をマスクとしてＲＩＥ加工により対向電極１１をパ
ターン形成し、更にＡｒスパッタリングによりＡｎ−Ａ
ＩＯｘを除去する０次いで露出したＮｂ１ｌ！２（基部
電極９）を陽極酸化する。このときの印加電圧は１０〜
２０Ｖで、形成される陽極酸化膜は２０〜４０ｎｍであ
る。
（ｂ）次にエツチングストッパ１４として膜厚２０〜４
０ｎｍのＡ文膜を蒸着により形成し、アセトンによって
レジスト膜１２を除去することによりパターン形成する
。
０ｎｍのＡ文膜を蒸着により形成し、アセトンによって
レジスト膜１２を除去することによりパターン形成する
。
（Ｃ）次いでスパッタ又はＣＶＤ法等により居間絶縁Ｐ
ｔＪｉｓとしての８１０？膜を形成し、ＣＨＦ３反応ガ
スを用いてＲＩＥ加工によりコンタクトホール１６を形
成する。このときＡｎ膜はエツチングストッパとして南
くので、コンタクトホール径が接合領域より大きくても
、陽極酸化膜１３が露出することはない、次に配線層１
７としてＮｂをスパッタ法で成膜した後、パターン形成
する。
ｔＪｉｓとしての８１０？膜を形成し、ＣＨＦ３反応ガ
スを用いてＲＩＥ加工によりコンタクトホール１６を形
成する。このときＡｎ膜はエツチングストッパとして南
くので、コンタクトホール径が接合領域より大きくても
、陽極酸化膜１３が露出することはない、次に配線層１
７としてＮｂをスパッタ法で成膜した後、パターン形成
する。
このように、この製造方法によればジョセフソン接合の
寸法を、コンタクトホールの大Ｊさに制限されることな
く、極めて小さくすることができる。
寸法を、コンタクトホールの大Ｊさに制限されることな
く、極めて小さくすることができる。
しかし、その方法には次のような問題点がある。
（１）第４図（ａ）に示す対向電極１１をＲＩＥ加工に
より形成するとき、サイドエツチングにより側面が削ら
れて実質的に接合面積が減少する。
より形成するとき、サイドエツチングにより側面が削ら
れて実質的に接合面積が減少する。
特に接合寸法がＩｇｍ程度になると、サイドエツチング
琶のバラツキや再現性が接合面積に大きく影響する。
琶のバラツキや再現性が接合面積に大きく影響する。
（２）エツチングストッパ１４としてのＡ Ｉ ＩＩは
２０〜４０ｎｍの膜厚で蒸着により形成されるが、ウェ
ハー内に多数個の接合をつくる場合、すフトオフにより
レジスト１１１２上のＡｕ１ｌをすべて完全に除去する
ことが困難である。それはレジスト膜１２をマスクとし
てＲＩＥ法により対向電極やトンネルバリア膜をエツチ
ングするときのプラズマにより該レジスト膜１２がダメ
ージを受けたり、あるいはレジスト膜自体もエツチング
されて膜減りが生じているからである。Ａｌ！ｇがリフ
トオフで完全に除去されない場合や、Ａ１１Ｊのパリが
生ずる場合には、他の配線膜の断線や配線間のショート
を招く原因となる。
２０〜４０ｎｍの膜厚で蒸着により形成されるが、ウェ
ハー内に多数個の接合をつくる場合、すフトオフにより
レジスト１１１２上のＡｕ１ｌをすべて完全に除去する
ことが困難である。それはレジスト膜１２をマスクとし
てＲＩＥ法により対向電極やトンネルバリア膜をエツチ
ングするときのプラズマにより該レジスト膜１２がダメ
ージを受けたり、あるいはレジスト膜自体もエツチング
されて膜減りが生じているからである。Ａｌ！ｇがリフ
トオフで完全に除去されない場合や、Ａ１１Ｊのパリが
生ずる場合には、他の配線膜の断線や配線間のショート
を招く原因となる。
本発明はかかる従来の間層点に鑑みて創作されたもので
あり、微細構造のジョセフソン接合素子を再現性良く、
かつ容易に形成することを可能とする製造方法の提供を
目的とする。
あり、微細構造のジョセフソン接合素子を再現性良く、
かつ容易に形成することを可能とする製造方法の提供を
目的とする。
第１図は本発明の製造方法によって形成されるジョセフ
ソン接合素子の構造断面図である０図において１８は５
１基板であり、その上に基部電極２４、トンネルバリア
！ｌ１２５および対向電極２７からなるジョセフソン接
合が形成されている。また２６は陽極酸化膜、２８は層
間絶縁膜であり、配線Ｗ２３０は該層間絶縁［２８に形
成されたコンタクトホール２９を介して対向電極２７に
コンタクトしている。
ソン接合素子の構造断面図である０図において１８は５
１基板であり、その上に基部電極２４、トンネルバリア
！ｌ１２５および対向電極２７からなるジョセフソン接
合が形成されている。また２６は陽極酸化膜、２８は層
間絶縁膜であり、配線Ｗ２３０は該層間絶縁［２８に形
成されたコンタクトホール２９を介して対向電極２７に
コンタクトしている。
対向電極２７の寸法は、該対向電極材料の超伝導金属を
陽極酸化する工程により一義的に決定される。
陽極酸化する工程により一義的に決定される。
また陽極酸化工程で形成された陽極酸化膜２６は層間絶
縁膜２８のコンタクトホール２９を形成する際のエツチ
ングスト７パとしての役割を果たす、これによりコンタ
クトホール２９の寸法の大きさに依存しない極めて微細
な構造のジョセフソン接合素子を形成することができる
。
縁膜２８のコンタクトホール２９を形成する際のエツチ
ングスト７パとしての役割を果たす、これによりコンタ
クトホール２９の寸法の大きさに依存しない極めて微細
な構造のジョセフソン接合素子を形成することができる
。
次に図を参照しながら本発明の実施例について説明する
。第２図は本発明の実施例に係るジョセフソン接合素子
の製造方法を説明する断面図である。
。第２図は本発明の実施例に係るジョセフソン接合素子
の製造方法を説明する断面図である。
（１）まずＳｉ基板１８上にＮｂ［１９，Ａ又−Ａ見Ｏ
！膜２０およびＮｂ ［２１を同一真空層内で順次、連
続成膜する。このときＮｂ膜はｄｃ又はｒｆマグネトロ
ンスパッタで成膜し、Ｎｂ１ｌＱ１９は２００〜３００
ｎ ｍ 、 Ｎ ｂ膜２１は３０〜１１００ｎの膜厚
である。またＡｎはｄｃ又はｒｆスパッタ法により３〜
１０ｎｍで成膜し、その後、酸素を導入してＡ１表面に
Ａ交０！を形成する。
！膜２０およびＮｂ ［２１を同一真空層内で順次、連
続成膜する。このときＮｂ膜はｄｃ又はｒｆマグネトロ
ンスパッタで成膜し、Ｎｂ１ｌＱ１９は２００〜３００
ｎ ｍ 、 Ｎ ｂ膜２１は３０〜１１００ｎの膜厚
である。またＡｎはｄｃ又はｒｆスパッタ法により３〜
１０ｎｍで成膜し、その後、酸素を導入してＡ１表面に
Ａ交０！を形成する。
なおＳ、基板１８とＮｂ膜１９との間に、熱酸化膜、超
伝導接地面膜、絶！ｆ膜又は抵抗等が形成されていても
よい（第２図（ａ））。
伝導接地面膜、絶！ｆ膜又は抵抗等が形成されていても
よい（第２図（ａ））。
（２）次いでレジス）ｖ２２をパターニングした後、該
レジスト［２２をマスクとしてＮｂｖ２１の陽極酸化を
行いＮｂ２Ｏ５膜２３を形成する（！１８２図（ｂ））
、このときの電界液としてエチレングリコールとホウ酸
アンモニウムの混合液を用いる。陽極酸化されるＮｂ１
ｌＱの膜厚は印加電圧によって決定される。すなわちｌ
ｖでは０゜９ｎｍのＮｂ膜が消費される（但し、このと
き２ 、３ ｎ ｍ）１２０５ Ｍが形成される。）ノ
テ、３０−１００ ｎ ｍのＮｂ １ｌＱ２１をすべて
陽極酸化するためめ゛には印加電圧は３５〜１２０ｖ必
要である。なおＮｂ １１２１だけではなく、その下の
Ａｉ−Ａ立Ｏ！膜２０やＮｂ膜１９の一部が陽極酸化さ
れてもよい。
レジスト［２２をマスクとしてＮｂｖ２１の陽極酸化を
行いＮｂ２Ｏ５膜２３を形成する（！１８２図（ｂ））
、このときの電界液としてエチレングリコールとホウ酸
アンモニウムの混合液を用いる。陽極酸化されるＮｂ１
ｌＱの膜厚は印加電圧によって決定される。すなわちｌ
ｖでは０゜９ｎｍのＮｂ膜が消費される（但し、このと
き２ 、３ ｎ ｍ）１２０５ Ｍが形成される。）ノ
テ、３０−１００ ｎ ｍのＮｂ １ｌＱ２１をすべて
陽極酸化するためめ゛には印加電圧は３５〜１２０ｖ必
要である。なおＮｂ １１２１だけではなく、その下の
Ａｉ−Ａ立Ｏ！膜２０やＮｂ膜１９の一部が陽極酸化さ
れてもよい。
（３）次いで不図示の別のレジスト膜をマスクとしてＲ
ＩＥ加工によりＮｂ＋Ｏｓ膜２３．Ａ交−Ａ交０ｘＷ２
’２０．およびＮｂ膜１９をエツチングして、基部電極
２４．トンネルバリア膜２５．陽極酸化膜２６．対向電
極２７を形成する（第２図（Ｃ））、このときの反応ガ
スは、それぞれＮｂ２Ｏ５’ ｍにはＣＨＦ３．Ａ ｌ
−Ａ Ｉ Ｏ！”膜にはＡｒ。
ＩＥ加工によりＮｂ＋Ｏｓ膜２３．Ａ交−Ａ交０ｘＷ２
’２０．およびＮｂ膜１９をエツチングして、基部電極
２４．トンネルバリア膜２５．陽極酸化膜２６．対向電
極２７を形成する（第２図（Ｃ））、このときの反応ガ
スは、それぞれＮｂ２Ｏ５’ ｍにはＣＨＦ３．Ａ ｌ
−Ａ Ｉ Ｏ！”膜にはＡｒ。
Ｎｂ膜にはＣＦａ＋５％０２を用いる。
（４）次に居間絶縁膜２８として膜厚４００〜５００ｎ
ｍのＳ皇Ｏ２膜をスパッタ法、ＣＶＤ法等で形成する（
第２図（ｄ））。
ｍのＳ皇Ｏ２膜をスパッタ法、ＣＶＤ法等で形成する（
第２図（ｄ））。
（５）次いで不図示のレジス）１１９をマスクとじてＲ
ＩＥ加工よりコンタクトホール２９を形成する０反応ガ
スとしてはＣＨＦ３を用いるが、ガス圧が１５ ｍＴｏ
ｒｒｃ７）とき、ｍ−／チングレートは、Ｓｉ ０２膜
、 ＮｂｚＯｓ 膜、 Ｎ ｂ ＷＪ ニ対しソＪｌ”
し３０ 、１５ 。
ＩＥ加工よりコンタクトホール２９を形成する０反応ガ
スとしてはＣＨＦ３を用いるが、ガス圧が１５ ｍＴｏ
ｒｒｃ７）とき、ｍ−／チングレートは、Ｓｉ ０２膜
、 ＮｂｚＯｓ 膜、 Ｎ ｂ ＷＪ ニ対しソＪｌ”
し３０ 、１５ 。
５ｎｍ／分である。このためＮｂｚＯｓ Ｍからなる陽
極酸化膜２６はエツチングストッパとして働くので、接
合領域よりも広いコンタクトホールを形成することがで
きる（第２図（ｅ） ）。
極酸化膜２６はエツチングストッパとして働くので、接
合領域よりも広いコンタクトホールを形成することがで
きる（第２図（ｅ） ）。
（８）次にＡｒ中でスパッタクリーニングすることによ
り対向電極２７の表面の薄い酸化膜を除去した後に、膜
厚５００〜８００ ｎｍノＮｂ ！！！からなる配線膜
３０を形成した後にパターン加工する（第２図（ｆ）
） 。
り対向電極２７の表面の薄い酸化膜を除去した後に、膜
厚５００〜８００ ｎｍノＮｂ ！！！からなる配線膜
３０を形成した後にパターン加工する（第２図（ｆ）
） 。
このように本発明の実施例によればＮｂ膜２１を陽極酸
化することにより一義的に接合領域を決定できるので、
接合寸法の精度が向上する。
化することにより一義的に接合領域を決定できるので、
接合寸法の精度が向上する。
また陽極酸化により形成されたＮｂ２Ｏ５膜２３をコン
タクトホール２９を形成するときのエツチングストッパ
として利用できるので、コンタクトホール径に依存しな
い極めて微細構造のジョセフソン接合素子を、ウェハ上
に均一に、かつ再現性良く形成することができる。
タクトホール２９を形成するときのエツチングストッパ
として利用できるので、コンタクトホール径に依存しな
い極めて微細構造のジョセフソン接合素子を、ウェハ上
に均一に、かつ再現性良く形成することができる。
以上説ＩＪＩ したように、本発明によればＲＩＥ加工
することなく、陽極酸化工程のみで対向電極の領域、す
なわち接合領域を決定することができるので、接合領域
の寸法の精度は向上する。また該陽極酸化膜をコンタク
トホール形成時のエツチングストッパとして利用するこ
とができるので、コンタクトホール径に依存しない極め
て微細構造のジョセフソン接合素子を、再現性良く容易
に形成することができる。
することなく、陽極酸化工程のみで対向電極の領域、す
なわち接合領域を決定することができるので、接合領域
の寸法の精度は向上する。また該陽極酸化膜をコンタク
トホール形成時のエツチングストッパとして利用するこ
とができるので、コンタクトホール径に依存しない極め
て微細構造のジョセフソン接合素子を、再現性良く容易
に形成することができる。
第１図は本発明の製造方法によって作成されるジョセフ
ソン接合素子の断面図、 第２図は本発明の実施例に係るジョセフソン接合素子の
製造方法を説ＩＪ１する断面図。 第３図は従来例の製造方法を説明する断面図、第４図は
別の従来例の製造方法を説明する断面図である。 （符号の説明） １．８．１８・・・５１基板、 ２．９．２４・・−基部電極、 ３．１０．２５・・・トンネルバリア膜、４．１１．２
７・・・対向電極、 ５．１５．２８・・・層間絶縁膜。 ６．１６．２９・・・コンタクトホール、７．１７．３
０・・・配ｍ膜、 １２．２２・・・レジスト膜。 １３．２６・・・陽極酸化膜、 １４・・・エツチングストッパ、 １９．２１・・・Ｎｂ膜、 ２Ｏ−ＡｆＬ−ＡｌＯｘ膜、 ２３・・・Ｎｂ２Ｏ５膜。 木・≧ｓ％ １て、′釈 しご自丁嬶り コ第１図 に足朶薫ｌ自Ｊ塚ｉ口 第３図 （ユン （り） （Ｃ） 、ＶＳ Ｌ月のＮ（さ寿ビイ万］］毛か月Ｓ目第２図（
ｉの１） （ｄ、） （Ｉ） （、ｆ） 木殴叩を曾覚伊を克肯て 第２図（Ｉ２）
ソン接合素子の断面図、 第２図は本発明の実施例に係るジョセフソン接合素子の
製造方法を説ＩＪ１する断面図。 第３図は従来例の製造方法を説明する断面図、第４図は
別の従来例の製造方法を説明する断面図である。 （符号の説明） １．８．１８・・・５１基板、 ２．９．２４・・−基部電極、 ３．１０．２５・・・トンネルバリア膜、４．１１．２
７・・・対向電極、 ５．１５．２８・・・層間絶縁膜。 ６．１６．２９・・・コンタクトホール、７．１７．３
０・・・配ｍ膜、 １２．２２・・・レジスト膜。 １３．２６・・・陽極酸化膜、 １４・・・エツチングストッパ、 １９．２１・・・Ｎｂ膜、 ２Ｏ−ＡｆＬ−ＡｌＯｘ膜、 ２３・・・Ｎｂ２Ｏ５膜。 木・≧ｓ％ １て、′釈 しご自丁嬶り コ第１図 に足朶薫ｌ自Ｊ塚ｉ口 第３図 （ユン （り） （Ｃ） 、ＶＳ Ｌ月のＮ（さ寿ビイ万］］毛か月Ｓ目第２図（
ｉの１） （ｄ、） （Ｉ） （、ｆ） 木殴叩を曾覚伊を克肯て 第２図（Ｉ２）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 第１の超伝導金属膜、トンネルバリア膜および第２の超
伝導金属膜を順次、基板上に重ねて成膜する工程と、 形成すべきジョセフソン接合領域を除き、少なくとも前
記第２の超伝導金属膜を陽極酸化して酸化膜にする工程
と、 全面に絶縁膜を形成する工程と、 前記絶縁膜をドライエッチングし、前記酸化膜をエッチ
ングストッパとして前記ジョセフソン接合領域上に開口
部を形成する工程と、 前記開口部を介して第３の超伝導金属膜にコンタクトす
る第３の超伝導金属膜を形成する工程とを有することを
特徴とするジョセフソン接合素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61222405A JPH0634417B2 (ja) | 1986-09-19 | 1986-09-19 | ジヨセフソン接合素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61222405A JPH0634417B2 (ja) | 1986-09-19 | 1986-09-19 | ジヨセフソン接合素子の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6377175A true JPS6377175A (ja) | 1988-04-07 |
| JPH0634417B2 JPH0634417B2 (ja) | 1994-05-02 |
Family
ID=16781861
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61222405A Expired - Lifetime JPH0634417B2 (ja) | 1986-09-19 | 1986-09-19 | ジヨセフソン接合素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0634417B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04246871A (ja) * | 1990-09-25 | 1992-09-02 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | ジョセフソン集積回路の製造方法 |
-
1986
- 1986-09-19 JP JP61222405A patent/JPH0634417B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04246871A (ja) * | 1990-09-25 | 1992-09-02 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | ジョセフソン集積回路の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0634417B2 (ja) | 1994-05-02 |
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