JPH04239782A - ジョセフソンデバイスの製造方法 - Google Patents
ジョセフソンデバイスの製造方法Info
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- JPH04239782A JPH04239782A JP3021486A JP2148691A JPH04239782A JP H04239782 A JPH04239782 A JP H04239782A JP 3021486 A JP3021486 A JP 3021486A JP 2148691 A JP2148691 A JP 2148691A JP H04239782 A JPH04239782 A JP H04239782A
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Landscapes
- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ジョセフソンデバイス
の製造方法の改良に関する。
の製造方法の改良に関する。
【０００２】
【従来の技術】ジョセフソンデバイスとは、ジョセフソ
ン効果を利用したスイッチング素子を云い、トンネル形
・ポイントコンタクト形・ブリッジ形等に大別される。 いづれの型式においても共通なことは、電流値が素子の
形状によって決定される臨界電流以下の場合は、電圧が
零になることである。
ン効果を利用したスイッチング素子を云い、トンネル形
・ポイントコンタクト形・ブリッジ形等に大別される。 いづれの型式においても共通なことは、電流値が素子の
形状によって決定される臨界電流以下の場合は、電圧が
零になることである。
【０００３】本発明はトンネル形ジョセフソンデバイス
の製造方法の改良であり、トンネル形ジョセフソンデバ
イスの基本的構成は、図１５に示すように、二つの超伝
導体膜が、例えば５ｎｍ程度の二酸化シリコン、酸化ア
ルミニウム等の薄い絶縁物の膜を介して接触させられて
いる構造である。図において、１１と１３とは例えばニ
オブよりなる超伝導体膜であり、１２は例えば酸化アル
ミニウムよりなる絶縁物膜である。
の製造方法の改良であり、トンネル形ジョセフソンデバ
イスの基本的構成は、図１５に示すように、二つの超伝
導体膜が、例えば５ｎｍ程度の二酸化シリコン、酸化ア
ルミニウム等の薄い絶縁物の膜を介して接触させられて
いる構造である。図において、１１と１３とは例えばニ
オブよりなる超伝導体膜であり、１２は例えば酸化アル
ミニウムよりなる絶縁物膜である。
【０００４】このようなジョセフソンデバイスを製造す
る方法の代表的な例として、ＳＮＥＰ（ｓｅｌｅｃｔｉ
ｖｅ ｎｉｏｂｉｕｍ ｅｔｃｈｉｎｇ ｐｒｏｃｅｓ
ｓ）とＳＮＡＰ（ｓｅｌｅｃｔｉｖｅ ｎｉｏｂｉｕｍ
ａｎｏｄｉｚａｔｉｏｎ ｐｒｏｃｅｓｓ）とが知ら
れている。
る方法の代表的な例として、ＳＮＥＰ（ｓｅｌｅｃｔｉ
ｖｅ ｎｉｏｂｉｕｍ ｅｔｃｈｉｎｇ ｐｒｏｃｅｓ
ｓ）とＳＮＡＰ（ｓｅｌｅｃｔｉｖｅ ｎｉｏｂｉｕｍ
ａｎｏｄｉｚａｔｉｏｎ ｐｒｏｃｅｓｓ）とが知ら
れている。
【０００５】それぞれの例について、図を参照して、略
述する。 イ．ＳＮＥＰの工程 図２参照 シリコン基板２１上に、ニオブ膜よりなる下部電極２２
とアルミニウム膜２３と酸化アルミニウム膜よりなる絶
縁膜２４とニオブ膜よりなる上部電極２５とを形成する
。ニオブ膜２２・２５とアルミニウム膜２３とは、ＤＣ
マグネトロンスパッタ法を使用して形成しうる。その成
膜条件の１例を示す。ニオブ膜２２・２５を成膜する場
合は、成長室内の雰囲気をアルゴン１．３Ｐａとし、印
加電圧を３００Ｖとし、印加電流を２．０Ａとすること
であり、その場合は、２００ｎｍ／ｍｉｎ の堆積速度
が得られる。また、アルミニウム膜２３を成膜する場合
は、成長室内の雰囲気をアルゴン１．３Ｐａとし、印加
電圧を２１０Ｖとし、印加電流を０．１Ａとすることで
あり、その場合は、６ｎｍ／ｍｉｎ の堆積速度が得ら
れる。酸化アルミニウム膜２４は、アルミニウム膜２３
を酸化することにより容易に形成しうる。
述する。 イ．ＳＮＥＰの工程 図２参照 シリコン基板２１上に、ニオブ膜よりなる下部電極２２
とアルミニウム膜２３と酸化アルミニウム膜よりなる絶
縁膜２４とニオブ膜よりなる上部電極２５とを形成する
。ニオブ膜２２・２５とアルミニウム膜２３とは、ＤＣ
マグネトロンスパッタ法を使用して形成しうる。その成
膜条件の１例を示す。ニオブ膜２２・２５を成膜する場
合は、成長室内の雰囲気をアルゴン１．３Ｐａとし、印
加電圧を３００Ｖとし、印加電流を２．０Ａとすること
であり、その場合は、２００ｎｍ／ｍｉｎ の堆積速度
が得られる。また、アルミニウム膜２３を成膜する場合
は、成長室内の雰囲気をアルゴン１．３Ｐａとし、印加
電圧を２１０Ｖとし、印加電流を０．１Ａとすることで
あり、その場合は、６ｎｍ／ｍｉｎ の堆積速度が得ら
れる。酸化アルミニウム膜２４は、アルミニウム膜２３
を酸化することにより容易に形成しうる。
【０００６】図８参照
四フッ化炭素と酸素との混合ガスを使用してなす反応性
エッチング法を使用してなすリソグラフィー法を使用し
て、上部電極２５をジョセフソン接合の形状に成形する
。 このジョセフソン接合の形状は、例えば、１辺が１．５
μｍの正方形である。
エッチング法を使用してなすリソグラフィー法を使用し
て、上部電極２５をジョセフソン接合の形状に成形する
。 このジョセフソン接合の形状は、例えば、１辺が１．５
μｍの正方形である。
【０００７】つゞいて、アルゴンガスを使用してなすエ
ッチング法を使用して、絶縁膜２４とアルミニウム膜２
３とをジョセフソン接合の形状に成形する。
ッチング法を使用して、絶縁膜２４とアルミニウム膜２
３とをジョセフソン接合の形状に成形する。
【０００８】図９参照
再び四フッ化炭素と酸素との混合ガスを使用してなす反
応性エッチング法を使用してなすリソグラフィー法を使
用して、下部電極２２を成形して素子分離をなして、各
ジョセフソン素子相互間を絶縁する。
応性エッチング法を使用してなすリソグラフィー法を使
用して、下部電極２２を成形して素子分離をなして、各
ジョセフソン素子相互間を絶縁する。
【０００９】図１０参照
二酸化シリコン膜等の絶縁物膜２６を全面に形成した後
、リソグラフィー法を使用して上部電極コンタクト穴２
７と下部電極コンタクト穴２８とを形成する。上部電極
コンタクト穴２７の形状は、ジョセフソン接合の大きさ
よりやゝ小さく、１辺が１〜１．２μｍ程度の正方形で
あり、下部電極コンタクト穴２８の形状は自由である。
、リソグラフィー法を使用して上部電極コンタクト穴２
７と下部電極コンタクト穴２８とを形成する。上部電極
コンタクト穴２７の形状は、ジョセフソン接合の大きさ
よりやゝ小さく、１辺が１〜１．２μｍ程度の正方形で
あり、下部電極コンタクト穴２８の形状は自由である。
【００１０】このエッチングには、三フッ化メタンと酸
素とを使用してなす反応性エッチング法を使用すればよ
い。
素とを使用してなす反応性エッチング法を使用すればよ
い。
【００１１】図１１参照
最後に、ニオブ膜を形成の上パターニングして、配線層
２９を形成する。
２９を形成する。
【００１２】このＳＮＥＰにおいては、上記のとうり、
上部電極コンタクト穴２７の大きさは、上部電極２５（
ジョセフソン接合）の大きさよりいくらか小さくならざ
るを得ない。
上部電極コンタクト穴２７の大きさは、上部電極２５（
ジョセフソン接合）の大きさよりいくらか小さくならざ
るを得ない。
【００１３】ロ．ＳＮＡＰの工程
図２再参照
シリコン基板２１上に、ニオブ膜よりなる下部電極２２
とアルミニウム膜２３と酸化アルミニウム膜よりなる絶
縁膜２４とニオブ膜よりなる上部電極２５とを形成する
。ニオブ膜２２・２５とアルミニウム膜２３とは、ＤＣ
マグネトロンスパッタ法を使用して形成しうる。その成
膜条件の１例を示す。ニオブ膜２２・２５を成膜する場
合は、成長室内の雰囲気をアルゴン１．３Ｐａとし、印
加電圧を３００Ｖとし、印加電流を２．０Ａとすること
であり、その場合は、２００ｎｍ／ｍｉｎ の堆積速度
が得られる。また、アルミニウム膜２３を成膜する場合
は、成長室内の雰囲気をアルゴン１．３Ｐａとし、印加
電圧を２１０Ｖとし、印加電流を０．１Ａとすることで
あり、その場合は、６ｎｍ／ｍｉｎ の堆積速度が得ら
れる。酸化アルミニウム膜２４は、アルミニウム膜２３
を酸化することにより容易に形成しうる。
とアルミニウム膜２３と酸化アルミニウム膜よりなる絶
縁膜２４とニオブ膜よりなる上部電極２５とを形成する
。ニオブ膜２２・２５とアルミニウム膜２３とは、ＤＣ
マグネトロンスパッタ法を使用して形成しうる。その成
膜条件の１例を示す。ニオブ膜２２・２５を成膜する場
合は、成長室内の雰囲気をアルゴン１．３Ｐａとし、印
加電圧を３００Ｖとし、印加電流を２．０Ａとすること
であり、その場合は、２００ｎｍ／ｍｉｎ の堆積速度
が得られる。また、アルミニウム膜２３を成膜する場合
は、成長室内の雰囲気をアルゴン１．３Ｐａとし、印加
電圧を２１０Ｖとし、印加電流を０．１Ａとすることで
あり、その場合は、６ｎｍ／ｍｉｎ の堆積速度が得ら
れる。酸化アルミニウム膜２４は、アルミニウム膜２３
を酸化することにより容易に形成しうる。
【００１４】図１２参照
ジョセフソン接合形成予定領域上のみにレジスト膜３１
を形成し、これをマスクとして陽極酸化をなして、マス
クされていない領域の上部電極２５を酸化ニオブ膜２５
ａに転換する。なお、本例においては、図において左右
に並置される２個の接合が直列に使用される。そして、
図において左のジョセフソン接合は単なる電流通路であ
り、臨界電流は、図において右に示すジョセフソン接合
によって決定される。
を形成し、これをマスクとして陽極酸化をなして、マス
クされていない領域の上部電極２５を酸化ニオブ膜２５
ａに転換する。なお、本例においては、図において左右
に並置される２個の接合が直列に使用される。そして、
図において左のジョセフソン接合は単なる電流通路であ
り、臨界電流は、図において右に示すジョセフソン接合
によって決定される。
【００１５】図１３参照
使用済みのレジスト膜３１を溶解除去し、素子分離をな
し、二酸化シリコン膜等の絶縁物膜３２を全面に形成し
た後、リソグラフィー法を使用して上部電極コンタクト
穴３３・３４を形成する。上部電極コンタクト穴３３の
形状は、ジョセフソン接合の大きさよりやゝ小さく、１
辺が１〜１．２μｍ程度の正方形であり、他の上部電極
コンタクト穴３４の形状は自由である。
し、二酸化シリコン膜等の絶縁物膜３２を全面に形成し
た後、リソグラフィー法を使用して上部電極コンタクト
穴３３・３４を形成する。上部電極コンタクト穴３３の
形状は、ジョセフソン接合の大きさよりやゝ小さく、１
辺が１〜１．２μｍ程度の正方形であり、他の上部電極
コンタクト穴３４の形状は自由である。
【００１６】このエッチングには、三フッ化メタンと酸
素とを使用してなす反応性エッチング法を使用すればよ
い。
素とを使用してなす反応性エッチング法を使用すればよ
い。
【００１７】図１４参照
最後に、ニオブ膜３５を形成の上パターニングして、配
線層２９を形成する。
線層２９を形成する。
【００１８】このＳＮＡＰにおいても、臨界電流を決定
する上部電極コンタクト穴３３の大きさは、上部電極２
５（ジョセフソン接合）の大きさよりいくらか小さくな
らざるを得ない。
する上部電極コンタクト穴３３の大きさは、上部電極２
５（ジョセフソン接合）の大きさよりいくらか小さくな
らざるを得ない。
【００１９】
【発明が解決しようとする課題】上記いづれの製造方法
においても、臨界電流を決定する上部電極コンタクト穴
２７・３３の大きさは、上部電極２５（ジョセフソン接
合）の大きさよりいくらか小さくなる。そして、接合面
積を小さくする微細加工においては、コンタクト穴はよ
り微細加工精度が要求されてくる。
においても、臨界電流を決定する上部電極コンタクト穴
２７・３３の大きさは、上部電極２５（ジョセフソン接
合）の大きさよりいくらか小さくなる。そして、接合面
積を小さくする微細加工においては、コンタクト穴はよ
り微細加工精度が要求されてくる。
【００２０】本発明の目的は、この欠点を解消すること
にあり、上部電極コンタクト穴の大きさを、ジョセフソ
ン接合の大きさより小さくする必要がなくなり、容易な
微細加工によるジョセフソンデバイスの製造方法を提供
することにある。
にあり、上部電極コンタクト穴の大きさを、ジョセフソ
ン接合の大きさより小さくする必要がなくなり、容易な
微細加工によるジョセフソンデバイスの製造方法を提供
することにある。
【００２１】
【課題を解決するための手段】上記の目的は、下記の工
程を有するジョセフソンデバイスの製造方法によって達
成される。 第１工程 基板（２１）上に、超伝導体膜よりなる下部電極（２２
）と絶縁膜（２４）と超伝導体膜よりなる上部電極（２
５）とを形成する 第２工程 ジョセフソン接合形成予定領域以外の上部電極（２５）
を第２の絶縁膜（２５ａ）に転換する 第３工程 超伝導体膜よりなるコンタクト層（４１）を形成するコ
ンタクト層（４１）と第２の絶縁膜（２５ａ）と絶縁膜
（２４）とを、ジョセフソン接合形成予定領域を十分カ
バーする領域から除去する 第４工程 第３の絶縁膜（４３）を形成する 第５工程 コンタクト層（４１）に達するジョセフソン接合領域コ
ンタクト穴（４４）と下部電極（２２）に達する下部電
極コンタクト穴（４５）とを形成する 第６工程 ジョセフソン接合領域と接触する第１の配線（４６）と
下部電極（２２）と接触する第２の配線（４７）とを形
成する。
程を有するジョセフソンデバイスの製造方法によって達
成される。 第１工程 基板（２１）上に、超伝導体膜よりなる下部電極（２２
）と絶縁膜（２４）と超伝導体膜よりなる上部電極（２
５）とを形成する 第２工程 ジョセフソン接合形成予定領域以外の上部電極（２５）
を第２の絶縁膜（２５ａ）に転換する 第３工程 超伝導体膜よりなるコンタクト層（４１）を形成するコ
ンタクト層（４１）と第２の絶縁膜（２５ａ）と絶縁膜
（２４）とを、ジョセフソン接合形成予定領域を十分カ
バーする領域から除去する 第４工程 第３の絶縁膜（４３）を形成する 第５工程 コンタクト層（４１）に達するジョセフソン接合領域コ
ンタクト穴（４４）と下部電極（２２）に達する下部電
極コンタクト穴（４５）とを形成する 第６工程 ジョセフソン接合領域と接触する第１の配線（４６）と
下部電極（２２）と接触する第２の配線（４７）とを形
成する。
【００２２】
【作用】本発明に係るジョセフソンデバイスの製造方法
を実施して製造したジョセフソンデバイスにおいては、
ジョセフソン接合とその周囲若干の領域に存在する絶縁
膜２５ａとをカバーしてコンタクト層４１が設けられて
おり、ジョセフソン接合用コンタクト穴４４は、このコ
ンタクト層４１を露出するように形成されているので、
ジョセフソン接合の実効面積がジョセフソン接合用コン
タクト穴４４によって規制されないため、加工での最小
寸法が接合面積で決まる（従来の加工法では、加工の最
小寸法は接合面積より小さなコンタクト穴になる。）。 ジョセフソン接合によって規定される最大の臨界電流を
利用することができる。
を実施して製造したジョセフソンデバイスにおいては、
ジョセフソン接合とその周囲若干の領域に存在する絶縁
膜２５ａとをカバーしてコンタクト層４１が設けられて
おり、ジョセフソン接合用コンタクト穴４４は、このコ
ンタクト層４１を露出するように形成されているので、
ジョセフソン接合の実効面積がジョセフソン接合用コン
タクト穴４４によって規制されないため、加工での最小
寸法が接合面積で決まる（従来の加工法では、加工の最
小寸法は接合面積より小さなコンタクト穴になる。）。 ジョセフソン接合によって規定される最大の臨界電流を
利用することができる。
【００２３】
【実施例】以下に、図面を参照して、本発明の一実施例
に係るジョセフソンデバイスの製造方法の各工程につい
て、さらに説明する。
に係るジョセフソンデバイスの製造方法の各工程につい
て、さらに説明する。
【００２４】図２参照
シリコン基板２１上に、ニオブ膜よりなる下部電極２２
とアルミニウム膜２３と酸化アルミニウム膜よりなる絶
縁膜２４とニオブ膜よりなる上部電極２５とを形成する
。ニオブ膜２２・２５とアルミニウム膜２３とは、ＤＣ
マグネトロンスパッタ法を使用して形成しうる。その成
膜条件の１例を示す。ニオブ膜２２・２５を成膜する場
合は、成長室内の雰囲気をアルゴン１．３Ｐａとし、印
加電圧を３００Ｖとし、印加電流を２．０Ａとすること
であり、その場合は、２００ｎｍ／ｍｉｎ の堆積速度
が得られる。また、アルミニウム膜２３を成膜する場合
は、成長室内の雰囲気をアルゴン１．３Ｐａとし、印加
電圧を２１０Ｖとし、印加電流を０．１Ａとすることで
あり、その場合は、６ｎｍ／ｍｉｎ の堆積速度が得ら
れる。酸化アルミニウム膜２４は、アルミニウム膜２３
を酸化することにより容易に形成しうる。
とアルミニウム膜２３と酸化アルミニウム膜よりなる絶
縁膜２４とニオブ膜よりなる上部電極２５とを形成する
。ニオブ膜２２・２５とアルミニウム膜２３とは、ＤＣ
マグネトロンスパッタ法を使用して形成しうる。その成
膜条件の１例を示す。ニオブ膜２２・２５を成膜する場
合は、成長室内の雰囲気をアルゴン１．３Ｐａとし、印
加電圧を３００Ｖとし、印加電流を２．０Ａとすること
であり、その場合は、２００ｎｍ／ｍｉｎ の堆積速度
が得られる。また、アルミニウム膜２３を成膜する場合
は、成長室内の雰囲気をアルゴン１．３Ｐａとし、印加
電圧を２１０Ｖとし、印加電流を０．１Ａとすることで
あり、その場合は、６ｎｍ／ｍｉｎ の堆積速度が得ら
れる。酸化アルミニウム膜２４は、アルミニウム膜２３
を酸化することにより容易に形成しうる。
【００２５】図３参照
ジョセフソン接合形成予定領域上のみにレジスト膜３１
を形成し、これをマスクとして陽極酸化法を実行して、
マスクされていない領域の上部電極２５を酸化ニオブ膜
２５ａに転換する。
を形成し、これをマスクとして陽極酸化法を実行して、
マスクされていない領域の上部電極２５を酸化ニオブ膜
２５ａに転換する。
【００２６】図４参照
全面にニオブ膜（コンタクト層）４１を形成する。
【００２７】図５参照
リソグラフィー法を使用して、ジョセフソン接合（上部
電極２５）の周囲に、いくらか酸化ニオブ膜２５ａを残
留させて、その他の領域から、ニオブ膜（コンタクト層
）４１と酸化ニオブ膜２５ａと酸化アルミニウム膜２４
とアルミニウム膜２３とを除去する。４２はレジストマ
スクである。ニオブのエッチングは、四フッ化炭素と酸
素との混合ガスを使用してなす反応性エッチング法を使
用すれば可能であり、酸化ニオブと酸化アルミニウムと
アルミニウムとのエッチングは、アルゴンガスを使用す
るエッチング法を使用すれば可能である。
電極２５）の周囲に、いくらか酸化ニオブ膜２５ａを残
留させて、その他の領域から、ニオブ膜（コンタクト層
）４１と酸化ニオブ膜２５ａと酸化アルミニウム膜２４
とアルミニウム膜２３とを除去する。４２はレジストマ
スクである。ニオブのエッチングは、四フッ化炭素と酸
素との混合ガスを使用してなす反応性エッチング法を使
用すれば可能であり、酸化ニオブと酸化アルミニウムと
アルミニウムとのエッチングは、アルゴンガスを使用す
るエッチング法を使用すれば可能である。
【００２８】図６参照
再び四フッ化炭素と酸素との混合ガスを使用してなす反
応性エッチング法を使用してなすリソグラフィー法を使
用して、下部電極２２を成形して素子分離をなし各ジョ
セフソン素子相互間を絶縁する。
応性エッチング法を使用してなすリソグラフィー法を使
用して、下部電極２２を成形して素子分離をなし各ジョ
セフソン素子相互間を絶縁する。
【００２９】図７参照
二酸化シリコン膜等の絶縁膜４３を全面に形成した後、
リソグラフィー法を使用して、ジョセフソン接合領域コ
ンタクト穴４４と下部電極コンタクト穴４５とを形成す
る。ジョセフソン接合領域コンタクト穴４４の大きさは
、ニオブ膜（コンタクト層）４１の大きさには制約され
るが、ジョセフソン接合（上部電極２５）の大きさには
制約されず、臨界電流の大きさは、ジョセフソン接合（
上部電極２５）の大きさによって規定される最大の大き
さを得ることができる。
リソグラフィー法を使用して、ジョセフソン接合領域コ
ンタクト穴４４と下部電極コンタクト穴４５とを形成す
る。ジョセフソン接合領域コンタクト穴４４の大きさは
、ニオブ膜（コンタクト層）４１の大きさには制約され
るが、ジョセフソン接合（上部電極２５）の大きさには
制約されず、臨界電流の大きさは、ジョセフソン接合（
上部電極２５）の大きさによって規定される最大の大き
さを得ることができる。
【００３０】図１参照
最後に、ニオブ膜４６を形成の上パターニングして、配
線層４６・４７を形成する。
線層４６・４７を形成する。
【００３１】
【発明の効果】以上説明したとおり、本発明に係るジョ
セフソンデバイスの製造方法は、特許請求の範囲に記載
した工程を有しており、この製造方法を実施して製造し
たジョセフソンデバイスにおいては、ジョセフソン接合
とその周囲若干の領域に存在する絶縁膜とを十分カバー
してコンタクト層が設けられており、そのため、配線は
このコンタクト層と接触させればよく、ジョセフソン接
合そのものと接触させる必要はない。そのため、ジョセ
フソン接合用コンタクト穴は、このコンタクト層を露出
するように形成すればよいので、ジョセフソン接合の実
効面積がジョセフソン接合用コンタクト穴によって規制
されないため、加工の最小寸法が接合面積で決まり、微
細加工が容易になる。
セフソンデバイスの製造方法は、特許請求の範囲に記載
した工程を有しており、この製造方法を実施して製造し
たジョセフソンデバイスにおいては、ジョセフソン接合
とその周囲若干の領域に存在する絶縁膜とを十分カバー
してコンタクト層が設けられており、そのため、配線は
このコンタクト層と接触させればよく、ジョセフソン接
合そのものと接触させる必要はない。そのため、ジョセ
フソン接合用コンタクト穴は、このコンタクト層を露出
するように形成すればよいので、ジョセフソン接合の実
効面積がジョセフソン接合用コンタクト穴によって規制
されないため、加工の最小寸法が接合面積で決まり、微
細加工が容易になる。
【図１】本発明の一実施例に係るジョセフソンデバイス
の製造方法を実施して製造したジョセフソンデバイスの
構成図（断面図）である。
の製造方法を実施して製造したジョセフソンデバイスの
構成図（断面図）である。
【図２】本発明の一実施例に係るジョセフソンデバイス
の製造方法の工程図である。
の製造方法の工程図である。
【図３】本発明の一実施例に係るジョセフソンデバイス
の製造方法の工程図である。
の製造方法の工程図である。
【図４】本発明の一実施例に係るジョセフソンデバイス
の製造方法の工程図である。
の製造方法の工程図である。
【図５】本発明の一実施例に係るジョセフソンデバイス
の製造方法の工程図である。
の製造方法の工程図である。
【図６】本発明の一実施例に係るジョセフソンデバイス
の製造方法の工程図である。
の製造方法の工程図である。
【図７】本発明の一実施例に係るジョセフソンデバイス
の製造方法の工程図である。
の製造方法の工程図である。
【図８】従来技術に係るジョセフソンデバイスの製造方
法（ＳＮＥＰ）の工程図である。
法（ＳＮＥＰ）の工程図である。
【図９】従来技術に係るジョセフソンデバイスの製造方
法（ＳＮＥＰ）の工程図である。
法（ＳＮＥＰ）の工程図である。
【図１０】従来技術に係るジョセフソンデバイスの製造
方法（ＳＮＥＰ）の工程図である。
方法（ＳＮＥＰ）の工程図である。
【図１１】従来技術に係るジョセフソンデバイスの製造
方法（ＳＮＥＰ）を実施して製造したジョセフソンデバ
イスの構成図（断面図）である。
方法（ＳＮＥＰ）を実施して製造したジョセフソンデバ
イスの構成図（断面図）である。
【図１２】従来技術に係るジョセフソンデバイスの製造
方法（ＳＮＡＰ）の工程図である。
方法（ＳＮＡＰ）の工程図である。
【図１３】従来技術に係るジョセフソンデバイスの製造
方法（ＳＮＡＰ）の工程図である。
方法（ＳＮＡＰ）の工程図である。
【図１４】従来技術に係るジョセフソンデバイスの製造
方法（ＳＮＡＰ）を実施して製造したジョセフソンデバ
イスの構成図（断面図）である。
方法（ＳＮＡＰ）を実施して製造したジョセフソンデバ
イスの構成図（断面図）である。
【図１５】ジョセフソンデバイスの構成図である。
１１・１３ 超伝導体膜
１２ 絶縁物膜
２１ 基板（シリコン基板）
２２ 下部電極（ニオブ膜）
２３ アルミニウム膜
２４ 絶縁膜
２５ 上部電極（ニオブ膜）
２６ 絶縁物膜
２７ 上部電極コンタクト穴
２８ 下部電極コンタクト穴
２９ 配線層
３１ レジスト膜
２５ａ 酸化ニオブ膜
３２ 絶縁物膜
３３・３４ 上部電極コンタクト穴
４１ コンタクト層（ニオブ膜）
４２ レジスト膜
４３ 絶縁膜
４４ ジョセフソン接合領域コンタクト穴４５ 下
部電極コンタクト穴 ４６ 第１の配線（ニオブ膜） ４７ 第２の配線（ニオブ膜）
部電極コンタクト穴 ４６ 第１の配線（ニオブ膜） ４７ 第２の配線（ニオブ膜）
Claims (1)
- 【請求項１】 基板（２１）上に、超伝導体膜よりな
る下部電極（２２）と絶縁膜（２４）と超伝導体膜より
なる上部電極（２５）とを形成し、ジョセフソン接合形
成予定領域以外の上部電極（２５）を第２の絶縁膜（２
５ａ）に転換し、全面に超伝導体膜よりなるコンタクト
層（４１）を形成し、該コンタクト層（４１）と前記第
２の絶縁膜（２５ａ）と前記絶縁膜（２４）とを、前記
ジョセフソン接合形成予定領域を十分カバーする領域か
ら除去し、全面に第３の絶縁膜（４３）を形成し、該第
３の絶縁膜（４３）に前記コンタクト層（４１）に達す
るジョセフソン接合領域コンタクト穴（４４）と前記下
部電極（２２）に達する下部電極コンタクト穴（４５）
とを形成し、前記ジョセフソン接合領域と接触する第１
の配線（４６）と前記下部電極（２２）と接触する第２
の配線（４７）とを形成する工程を有することを特徴と
するジョセフソンデバイスの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3021486A JPH04239782A (ja) | 1991-01-23 | 1991-01-23 | ジョセフソンデバイスの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3021486A JPH04239782A (ja) | 1991-01-23 | 1991-01-23 | ジョセフソンデバイスの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04239782A true JPH04239782A (ja) | 1992-08-27 |
Family
ID=12056306
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3021486A Withdrawn JPH04239782A (ja) | 1991-01-23 | 1991-01-23 | ジョセフソンデバイスの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04239782A (ja) |
-
1991
- 1991-01-23 JP JP3021486A patent/JPH04239782A/ja not_active Withdrawn
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19980514 |