JP3004240B2 - 貫通孔および埋め込みパターンの形成方法、ビーム調整方法、ならびに荷電ビーム露光方法 - Google Patents
貫通孔および埋め込みパターンの形成方法、ビーム調整方法、ならびに荷電ビーム露光方法Info
- Publication number
- JP3004240B2 JP3004240B2 JP32922197A JP32922197A JP3004240B2 JP 3004240 B2 JP3004240 B2 JP 3004240B2 JP 32922197 A JP32922197 A JP 32922197A JP 32922197 A JP32922197 A JP 32922197A JP 3004240 B2 JP3004240 B2 JP 3004240B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- pattern
- forming
- hole
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
Description
込みパターンの形成方法、この形成方法により得られた
貫通孔および埋め込みパターンを用いたビーム調整方
法、ならびに上記形成方法により得られた貫通孔をアパ
ーチャに利用した荷電ビーム露光方法に関する。
進むにつれて、LSIの製造に用いられるリソグラフィ
装置の精度およびスループットに対する要求は、ますま
す厳しくなってきている。
いる電子ビーム露光装置には、レティクル(マスク)描
画装置と、ウェハ直接描画装置との2種類がある。これ
らの装置では、十分なスループットを確保するために、
可変成形ビーム(Variable Shaped Beam:VSB)方式、また
はキャラクタプロジェクション(Character Projection:
CP) 方式という描画方式を採用している。
置を示す模式図である。図中、121は鏡筒、122は
試料室、115はファラデーカップ、116は電流計、
117は電子銃、118は電子ビーム、119は第1成
形アパーチャ、120は第2成形アパーチャ、110は
ステージ、111は試料(ウェハ)、112は反射電子
検出器を示している。
れた電子ビーム118を第1成形アパーチャ119と第
2成形アパーチャ120によって任意の大きさの矩形ビ
ームを形成するというものである。この矩形ビームはス
テージ110上に置かれた試料111に照射される一
方、CP方式では、第2成形アパーチャとして、図28
に示すようなCP用アパーチャを用いる。LSIデバイ
スのパターンには、特にDRAMに代表されるように、
繰り返しパターンを多く含むものがある。CPアパーチ
ャは、このような繰り返しパターンから抽出した単位パ
ターンが形成されたものである。これによって、CP方
式は、VSB方式と比較して、大幅にショット数を減ら
すことができ、描画のスループットを格段に向上させる
ことができる。なお、CP方式は、VSB方式と併用し
て用いられる。
露光方法として、パターン転写方式がある。これは、形
成しようとするパターンの全体または一部分をあらかじ
めマスクに形成しておき、転写するという方式である。
括して転写する。そのため、CP方式と比較して、成形
ビームの面積は大きくなる。このパターン転写用マスク
は、等倍体または数倍体であり、開口部分を有するステ
ンシル型または薄膜上に散乱体を形成した散乱型があ
る。
ずれにおいても、成形されたビームの形状、寸法、位置
およびビームエッジの解像度等を測定し、これらを最適
値に調整することは、高精度の描画のために不可欠な作
業である。
は、成形されたビームの面積が大きいので、成形ビーム
の電流密度分布を知り、それを調整することは、高精度
のパターン形成のために不可欠になる。
して、金(Au)やタングステン(W)などからなる微
小マーク(大きさは、例えば0.1〜0.5μm)を用
いる方法がある。
を成形ビームでスキャンし、その反射電子信号を検出す
る。微小マークの大きさが成形ビームの大きさと同程度
か、それ以下である場合には、スキャン信号と反射電子
信号とを用いて、成形ビームの形状を得ることができ
る。
電子信号を用いる方法では、成形ビームの電流密度分布
を高い精度で測定することは難しい。それは、以下の理
由による。
合、または微小マークが小さいために反射電子信号が十
分強くない場合には、十分なS/N比(コントラスト)
を得ることができない。
射信号強度は強くなるが、解像度および位置分解能は悪
くなり、高精度の測定ができなくなってしまう。また、
ビームの反射率は、マークの表面状態によって異なるた
め、反射電子信号の強度をビーム電流に換算すること
は、容易ではない。
いる方法以外には、貫通孔の透過電流を検出する方法
や、ナイフエッジの反射電子または透過電流を検出する
方法等がある。
断面図を示す。まず、図29(a)に示すように、Si
基板201上に厚さ1μmのW膜202をスパッタ法に
より形成する。ここでは、重金属膜としてW膜202を
形成しているが、他の重金属膜を形成しても良い。
02上にレジストパターン203となるレジストを塗布
した後、露光、現像を行なって幅が0.3μmの貫通孔
を有するレジストパターン203を形成する。
パターン203をマスクにして、W膜202をSF6 と
Cl2 の混合ガスを用いてドライエッチングし、W膜2
02に貫通孔を形成する。この後、レジストパターン2
03を剥離する。ここで、エッチング条件はDC電力が
例えば200W、SF6 /Cl2 の流量が例えば30/
20sccmである。
液を用いてSi基板201をウエットエッチングするこ
とにより、W膜202の貫通孔と交わる開口部をSi基
板201に形成する。
重金属と軽金属の組み合わせの多層膜を断面TEM試料
を作製する方法により薄膜化し形成している。
下のような問題がある。
合、W膜202をエッチングして貫通孔を形成するが、
レジストパターン203とW膜202とのエッチング選
択比が小さいために、10μm程度の厚いW膜202に
10nm径程度の微小な貫通孔を形成することは困難で
ある。
が薄いとビームがW膜202を透過し、この透過の際に
ビームが散乱するからである。このような散乱は高精度
の測定の妨げの原因となる。
合、同一マークから2次元のビーム電流の強度分布を得
ることは不可能である。また、ナイフエッジの反射電子
または透過電流を検出する方法では、反射電子または透
過電流の信号コントラストは、重金属と軽金属の反射電
子または透過電流との差である。したがって、貫通孔の
ような重金属と開口部の信号コントラストを比較すると
劣ることになる。
ムの形状等を測定する際に、貫通孔を用いる方法が知ら
れているが、厚い重金属膜に微細な貫通孔を形成するこ
とができず、精度の高い測定が困難であるという問題が
あった。
ので、その目的とするところは、厚い膜に微細な貫通
孔、埋め込みパターンを形成することができる貫通孔お
よび埋め込みパターンの形成方法、ならびに精度の高い
ビーム調整を行なうことができるビーム調整方法および
高精度の露光を行なうことができる荷電ビーム露光方法
を提供することにある。
孔の形成方法(請求項1)は、基板上に第1の膜を形成
する工程と、この第1の膜上に貫通孔パターンを形成す
る工程と、前記第1の膜上に前記貫通孔パターンを覆う
第2の膜を形成する工程と、前記貫通孔パターンを横切
るように、前記基板、前記第1の膜、前記貫通孔パター
ンおよび前記第2の膜を切断する工程と、切断して現れ
た面を研磨する工程と、前記貫通孔パターンを除去する
工程とを有することを特徴とする。
工程は必ずしも必要ではない(他の発明においても同
様)。
(請求項2)は、基板上に第1の膜を形成する工程と、
この第1の膜上に貫通孔パターンを形成する工程と、前
記貫通孔パターンをエッチングにより細らせる工程と、
前記第1の膜上に前記貫通孔パターンを覆う第2の膜を
形成する工程と、前記貫通孔パターンを横切るように、
前記基板、前記第1の膜、前記貫通孔パターンおよび前
記第2の膜を切断する工程と、切断して現れた面を研磨
する工程と、前記貫通孔パターンを除去する工程とを有
することを特徴とする。
ッチングを用いることにより、前記貫通孔パターンを均
一に細らせることが可能である。
成方法(請求項10)は、基板上に第1の膜を形成する
工程と、この第1の膜上にパターンを形成する工程と、
前記第1の膜上に前記パターンを覆う第2の膜を形成す
る工程と、前記パターンを横切るように、前記基板、前
記第1の膜、前記パターンおよび前記第2の膜を切断す
る工程と、切断して現れた面を研磨する工程とを有する
ことを特徴とする。
項19)は、本発明に係る貫通孔の形成方法により形成
された貫通孔を使用し、ビーム調整を行なうことを特徴
とする。
項20)は、本発明に係る埋め込みパターンの形成方法
により形成された埋め込みパターンを使用し、ビーム調
整を行なうことを特徴とする。
(請求項21)は、本発明に係る貫通孔の形成方法によ
り形成された貫通孔をアパーチャに利用することを特徴
とする。
1、第2の膜をエッチングして貫通孔を形成するのでは
なく(従来方法)、第1、第2膜内の貫通孔パターン
(鋳型)を除去することにより、第1、第2膜内に貫通
孔を形成している。この貫通孔の大きさは、貫通孔パタ
ーンとなる膜の膜厚と、貫通孔パターンとなる膜に露光
する該貫通孔パターンの幅によって決まり、これらは容
易に小さくすることができる。
ても、これらの膜に微細な貫通孔を形成することが可能
となる。また、微細な貫通孔を実現できることから、こ
れを利用することにより精度の高いビーム調整や荷電ビ
ーム露光が可能となる(請求項19,21)。
第1の膜上にパターンを形成し、このパターンを第2の
膜で覆うことにより、第1、第2膜内にパターン(埋め
込みパターン)を形成している。このパターンの大きさ
は、パターンとなる膜の膜厚と、パターンとなる膜に露
光する該パターンの幅によって決まり、これらは容易に
小さくすることができる。
ても、これらの膜内に微細なパターン(埋め込みパター
ン)を形成することが可能となる。また、微細な埋め込
みパターンを実現できることから、これを利用すること
により精度の高いビーム調整が可能となる(請求項2
0)。
の実施の形態(以下、実施形態という)を説明する。
の第1の実施形態に係る貫通孔の形成方法を示す工程断
面図である。
0μmのSi基板1上に厚さ5μmの重金属膜であるW
膜2をスパッタ法を用いて形成する。このスパッタ成膜
において、DC電力は例えば1.0kW、Ar流量は例
えば100sccmに設定する。
厚さ50nmのSiO2 膜3をプラズマCVD法を用い
て形成する。
3上にネガ型レジスト4を塗布した後、プリベークを行
なう。具体的には、例えば、ネガ型レジスト4としてシ
プレー社製のネガ型レジストSAL606を0.1μm
の膜厚に塗布した後、125℃/60秒のプリベークを
行なう。
露光装置を用いてネガ型レジスト4に電子ビーム5を照
射し、ネガ型レジスト4に幅50nm、長さ1mmのラ
インパターンを露光する。なお、照射量は20μC/c
m2 、電子ビーム露光装置の加速電圧は50kV、電流
密度は10A/cm2 、ビームはガウシアン、スキャン
方式はラスタ方式とする。
120秒のPEB(Post-ExposureBake) を行なった
後、TMAH水溶液(0.36N)を用いて120秒間
の現像を行なって、レジストパターン4を形成する。
ターン4をマスクにして、SiO2膜3をRIE(React
ive Ion Etching) し、SiO2 膜3からなるラインパ
ターンを形成する。
ャーによりレジストパターン4を除去する。
3を覆うように、W膜2上に例えば厚さ5μmのW膜6
をスパッタ法を用いて形成する。ここで、DC電力は例
えば1.0kW、Ar流量は例えば100sccmであ
る。
1、W膜2、SiO2 膜3およびW膜6(不図示)をA
−B線およびC−D線に沿って、つまりSiO2 膜3か
らなるラインパターンを横切るように2箇所で切断す
る。
れた2つの切断面を必要な厚さになるまで研磨する。こ
の研磨には、例えばダイヤモンドスラリーを用いたラッ
ピング装置を使用する。これによって、表面粗度10n
m程度の面(研磨面)が得られる。研磨面の間の厚さは
例えば10μmとする。この研磨面がビーム照射面また
は照射されたビームの出口の面になる。
ッ化アンモン水溶液を用いたウェットエッチングによ
り、貫通孔の鋳型となったSiO2 膜3を除去し、貫通
孔が完成する。このようにして、厚さ10μmのW膜に
50nm□の貫通孔を形成できる。
する。
形成方法では、厚さ10μmのW膜に0.1μm□以下
の貫通孔を形成することは困難である。その理由は、エ
ッチングによりW膜に貫通孔を形成する際に用いるエッ
チングマスクの形成が困難であるからである。
エッチング選択比は0.5程度であるので、厚さ10μ
mのW膜に貫通孔をエッチングにより形成するには、厚
さ20μmのレジストに0.1μmのパターンを形成し
なければならないが、これは困難を極めるプロセスであ
る。
きさをSiO2 膜3の膜厚と露光するラインパターンの
幅とで制御できるため、0.1μm□以下の微細な貫通
孔を容易に形成することができる。
2、SiO2 膜3およびW膜6の切断面を研磨すること
によって、電子ビームを遮蔽するW膜2,6の膜厚を制
御できるので、電子ビームを遮蔽する十分な厚さ、具体
的には10μm程度の厚さのW膜2,6を容易に得るこ
とができる。
□以下の微細な貫通孔を10μm程度の厚いW膜に容易
に形成することができる。
の第2の実施形態に係る貫通孔の形成方法を示す工程断
面図である。
0μmのSi基板11上に厚さ5μmのW膜12をスパ
ッタ法を用いて形成する。ここで、DC電力は例えば
1.0kW、Ar流量は例えば100sccmである。
に厚さ75nmのSiO2 膜13をプラズマCVD法を
用いて形成する。
13上にネガ型レジスト14を塗布した後、プリベーク
を行なう。具体的には、例えば、ネガ型レジスト14と
してシプレー社製のネガ型レジストSAL606を0.
1μmの膜厚に塗布した後、125℃/60秒のプリベ
ークを行なう。
露光装置を用いてネガ型レジスト14に電子ビーム15
を照射し、ネガ型レジスト14に幅0.1μm、長さ1
mmのラインパターンを露光する。なお、照射量は20
μC/cm2 、電子ビーム露光装置の加速電圧は50k
V、電流密度は10A/cm2 、ビームは可変成形型、
スキャン方式はラスタ方式とする。
120秒のPEBを行なった後、TMAH水溶液(0.
36N)を用いて120秒間の現像を行なって、レジス
トパターン14を形成する。
ターン14をマスクにして、SiO2 膜13をRIE
し、SiO2 膜13からなるラインパターンを形成す
る。
ャーによりレジストパターン14を除去する。
モン水溶液を用いたウエットエッチングにより、SiO
2 膜13からなるラインパターンを均一に細らせる。具
体的には、SiO2 膜13からなるラインパターンの
幅、厚さをそれぞれ50nm、厚さ50nmにまで均一
に細らせる。
13を覆うように、W膜12上に例えば厚さ5μmのW
膜16をスパッタ法を用いて形成する。ここで、DC電
力は例えば1.0kW、Ar流量は例えば100scc
mである。
1、W膜12、SiO2 膜13およびW膜16(不図
示)をA−B線およびC−D線に沿って、つまりSiO
2 膜13からなるラインパターンを横切るように2箇所
で切断する。
れた2つの切断面を研磨する。この研磨には、例えばダ
イヤモンドスラリーを用いたラッピング装置を使用す
る。これによって、表面粗度10nm程度の面(研磨
面)が得られる。研磨面の間の厚さは例えば10μmと
する。この研磨面がビーム照射面または照射されたビー
ムの出口の面になる。
ッ化アンモン水溶液を用いたウェットエッチングによ
り、貫通孔の鋳型となったSiO2 膜13を除去し、貫
通孔が完成する。このようにして、厚さ10μmのW膜
に50nm□の貫通孔を形成できる。
果が得られる。さらに、本実施形態によれば、図5
(h)の工程で、SiO2 膜13からなるラインパター
ンを、フッ化アンモン水溶液を用いたウェットエッチン
グにより、均一に細らせているので、より微細な貫通孔
を形成することが可能である。
の第3の実施形態に係る貫通孔の形成方法を示す工程断
面図である。
0μmのSi基板21上に厚さ5μmのW膜22をスパ
ッタ法を用いて形成する。ここで、DC電力は例えば
1.0kW、Ar流量は例えば100sccmである。
に厚さ50nmのSiO2 膜23をプラズマCVD法を
用いて形成する。
23上にネガ型レジスト24を塗布した後、プリベーク
を行なう。具体的には、例えば、ネガ型レジスト24と
してシプレー社製のネガ型レジストSAL606を0.
1μmの膜厚に塗布した後、125℃/60秒のプリベ
ークを行なう。
露光装置を用いてネガ型レジスト24に電子ビーム25
を照射し、ネガ型レジスト24に幅50nm、長さ1m
mのラインパターンを5μmのピッチで3本並べて露光
する。なお、電子ビーム露光装置の加速電圧は50k
V、電流密度は10A/cm2 、ビームはガウシアン、
スキャン方式はラスタ方式とする。
120秒のPEBを行なった後、TMAH水溶液(0.
36N)を用いて120秒間の現像を行なって、レジス
トパターン24を形成する。
ターン24をマスクにして、SiO2 膜23をRIE
し、SiO2 膜23からなる3本のラインパターンを形
成する。
ャーによりレジストパターン24を除去する。
23を覆うように、W膜22上に例えば厚さ5μmのW
膜26をスパッタ法を用いて形成する。ここで、DC電
力は例えば1.0kW、Ar流量は例えば100scc
mである。
〜図8(h)の工程をさらに2回繰り返し、3層構造の
ラインパターンを形成し、合計でSiO2 膜23からな
る9本のラインパターンを形成する。
1、W膜22、SiO2 膜23およびW膜26(不図
示)をA−B線およびC−D線に沿って、つまりSiO
2 膜23からなるラインパターンを横切るように2箇所
で切断する。
れた2つの切断面を研磨する。この研磨には、例えばダ
イヤモンドスラリーを用いたラッピング装置を使用す
る。これによって、表面粗度10nm程度の面(研磨
面)が得られる。研磨面の間の厚さは例えば10μmと
する。この研磨面がビーム照射面または照射されたビー
ムの出口の面になる。
ッ化アンモン水溶液を用いたウェットエッチングによ
り、貫通孔の鋳型となったSiO2 膜23を除去し、貫
通孔が完成する。このようにして、厚さ10μmのW膜
に50nm□の貫通孔を複数形成できる。すなわち、多
層貫通孔を形成できる。
7(b)〜図8(h)の工程を繰り返すことにより、微
細な複数の貫通孔(多層貫通孔)を厚いW膜に容易に形
成することができる。
発明の第4の実施形態に係る貫通孔の形成方法を示す工
程断面図である。本実施形態は、大きさの異なる複数の
貫通孔(多層貫通孔)をW膜に形成する方法である。
00μmのSi基板31上に厚さ5μmのW膜32をス
パッタ法を用いて形成する。ここで、DC電力は例えば
1.0kW、Ar流量は例えば100sccmである。
上に厚さ50nmのSiO2 膜33をプラズマCVD法
を用いて形成する。
膜33上にネガ型レジスト34を塗布した後、プリベー
クを行なう。具体的には、例えば、ネガ型レジスト34
としてシプレー社製のネガ型レジストSAL606を
0.1μmの膜厚に塗布した後、125℃/60秒のプ
リベークを行なう。
ム露光装置を用いてネガ型レジスト34に電子ビーム3
5を照射し、ネガ型レジスト34に幅50nm、長さ1
mmのラインパターンを露光する。なお、電子ビーム露
光装置の加速電圧は50kV、電流密度は10A/cm
2 、ビームはガウシアン、スキャン方式はラスタ方式と
する。
/120秒のPEBを行なった後、TMAH水溶液
(0.36N)を用いて120秒間の現像を行なって、
レジストパターン34を形成する。
パターン34をマスクにして、SiO2 膜33をRIE
し、SiO2 膜33からなるラインパターンを形成す
る。
シャーによりレジストパターン34を除去する。
膜33を覆うように、W膜32上に例えば厚さ5μmの
W膜36をスパッタ法を用いて形成する。ここで、DC
電力は例えば1.0kW、Ar流量は例えば100sc
cmである。
(b)〜図11(h)の工程と同様の工程をさらに4回
繰り返し、上層ほど厚さおよび幅が大きくなる、5層構
造のSiO2 膜33からなるラインパターンを形成す
る。
さおよび幅はそれぞれ0.1μmおよび0.1μm、第
3層のラインパターンの厚さおよび幅はそれぞれ0.2
μmおよび0.2μm、第4層のラインパターンの厚さ
および幅はそれぞれ0.3μmおよび0.3μm、第4
層のラインパターンの厚さおよび幅はそれぞれ0.4μ
mおよび0.4μmとする。
えるには、SiO2 膜33の膜厚と露光するパターンの
幅を変えれば良い。
31、W膜32、SiO2 膜33およびW膜36(不図
示)をA−B線およびC−D線に沿って、つまりSiO
2 膜33からなるラインパターンを横切るように2箇所
で切断する。
現れた2つの切断面を研磨する。この研磨には、例えば
ダイヤモンドスラリーを用いたラッピング装置を使用す
る。これによって、表面粗度10nm程度の面(研磨
面)が得られる。研磨面の間の厚さは例えば10μmと
する。このようにして研磨された面がビーム照射面また
は照射されたビームの出口の面になる。
フッ化アンモン水溶液を用いたウェットエッチングによ
り、貫通孔の鋳型となったSiO2 膜33を除去し、貫
通孔が完成する。このようにして、厚さ10μmのW膜
に50nm□の貫通孔、0.1μm□の貫通孔、0.2
μm□の貫通孔、0.3μm□の貫通孔、0.4μm□
の貫通孔を形成できる。
iO2 膜33の膜厚と露光するラインパターンの幅によ
り制御できるため、微細かつ大きさの異なる貫通孔を厚
いW膜に容易に形成することができる。
面形状は各層で同じ、つまり長方形であるが、各層で変
えても良い。また、同じ長方形でもその長辺と短辺を各
層で変えても良い。これらはSiO2 膜33の膜厚と露
光するラインパターンの幅を制御することによりでき
る。すなわち、本実施形態によれば、微細かついくつか
の相異なる形状および大きさをもつ貫通孔を厚いW膜に
容易に形成することが可能となる。
本実施形態に係るビームの焦点調整方法について説明す
る。
ム露光装置を使用する。なお、加速電圧は50kV、電
流密度は10A/cm2 、ビームは可変成形型、スキャ
ン方式はベクタである。
子ビーム118がアパーチャ119,120によって任
意の大きさの矩形ビームに成形され、ステージ110上
に置かれた試料111に照射されるものである。なお、
成形可能な電子ビームの大きさは最大5μm□である。
た。ここでは、第4の実施形態で作製した貫通孔を用い
た。また、ビームの大きさを0.5μm□にした。
をファラデーカップ115の真上に移動した。ここで、
貫通孔114と試料111の高さは同じとする。50n
m□の貫通孔114を0.5μm□に成形した電子ビー
ム118を5nmピッチで走査した。
ームによる電流をファラデーカップ115で検出し、電
流計116で測定した。この結果、図15に示すような
電流波形が得られた。図中、横軸はビームスキャン位
置、縦軸はファラデーカップ115で検出された電流を
示している。
電流の最高値から図中52で示した電流の最低値を引い
た値を100%にしたときの10%(図中54で示した
ところ)から90%(図中53で示したところ)の範囲
(図中55で示したところ)をビーム分解能とする。
の電流を変化させて、ビーム分解能を測定した。ビーム
分解能の測定値が最小のときの対物レンズの電流を最適
焦点とする。以上の方法によってビームの焦点調整がで
きる。
いてビーム分解能の測定を行なった。測定方法は以下の
要領で行なった。
子ビーム118で、50nm□、0.1μm□、0.2
μm□、0.3μm□、0.4μm□の貫通孔114を
走査した。
で走査した。貫通孔114を通過したビーム電流をファ
ラデーカップ115で検出し、電流計116で測定し、
貫通孔114の大きさ毎のビーム分解能を求めた。
ム分解能との関係を示す。図中、横軸はマークの大き
さ、縦軸は測定ビーム分解能を示している。ここで、測
定したビーム分解能は、貫通孔の大きさと本来のビーム
分解能とのたたみ込み(コンボリューション)となる。
ためには、測定ビーム分解能から貫通孔の大きさを差し
引く必要がある。図16から、貫通孔の大きさ0μmの
点におけるビーム分解能81を外挿により求めた。これ
により、ビーム分解能40nmを得た。
明する。
る重金属凸型マークおよび凹型マークでは、直接のビー
ム電流ではなく反射電子信号を検出している。このた
め、マークの微細化および電流密度の低下等により、S
/N比が低下し信号検出が困難となる。
たビームをファラデーカップでビーム電流を直接計測す
るので、微細な貫通孔でも信号検出に必要なS/N比を
確保できる。
0nm□程度の微細な貫通孔の形成が容易なこと、およ
び高S/N比であることから、大きさの異なる微細な貫
通孔からビーム分解能をそれぞれ測定し、貫通孔の大き
さ0μmのときのビーム分解能を求めることが可能とな
り、これにより従来の反射型マーク等と比べて、さらに
正確なビーム分解能を知り得ることも可能となる。この
ように本実施形態によれば、高精度なフォーカス調整と
高精度なビーム分解能測定とが可能となる。
で説明する、埋め込みパターンをマークとして用いても
良い。
〜第4の実施形態で作成した貫通孔を第2成形アパーチ
ャとして用いて、電子ビーム露光を行なう例である。こ
こで、用いた電子ビーム露光装置は図27に示したもの
であり、第5の実施形態で使用したものと同様のもので
ある。
あり、ビームの最大寸法を1μmとした場合、アパーチ
ャの開口部の大きさは20μm角である。アパーチャで
ある貫通孔の形成は第1〜第4の実施形態と同様の方法
で行なった。
/Sを形成するためのCPアパーチャを形成した。この
場合、アパーチャ上で2μm幅の開口部を4μmピッチ
で形成すればよい。
し、次に厚さ2μmのレジストを基板上に塗布して20
μm×1000μmのレジストパターンを形成した。さ
らに、この工程を繰り返すことによって、CPアパーチ
ャの開口面となる2μm×20μmのレジスト鋳型を4
μmピッチで5層積層したパターンを形成した。
ち第1〜4の実施形態におけるA−B間およびC−D間
の長さをハンドリングを考慮して好ましい値である50
0μmとした。
−D間は、加速電圧50keVの電子に対する阻止能力
を考えれば20μmもあれば十分であるが、ここでは機
械的な強度の関係から100μmとした。切り出したア
パーチャに開口部を形成する方法は、第1〜第4の実施
形態と同様である。
示す。アパーチャの取り付けは次のようにして行なっ
た。
口部が設けられており、その横に位置合わせ用の突起4
3が設けられている。アパーチャ41をセットする際に
は、アパーチャ41の一辺を突起43に合わせることで
粗い位置合わせを行なうことができる。アパーチャ41
の固定には、取り外しが容易なように板バネ44を用い
た。固定手段としては、導電性の接着剤等を用いても良
い。
に、まずアパーチャをセットしたホルダを第二成形アパ
ーチャ部に取り付けた。次いで第二成形アパーチャ上の
ビーム偏向領域内にアパーチャを移動させ、アパーチャ
の回転など従来のCP描画と同様のビーム調整を行なっ
てから、描画を行なった。
る。
のスパッタ膜厚および酸化膜厚でアパーチャの開口部の
寸法を制御できるので、高精度なアパーチャを容易に作
製できる。また、アパーチャの切り出し寸法を変えるこ
とで、十分に厚いアパーチャを容易に作製することもで
きる。このアパーチャを用いて描画を行なった結果、従
来に比べて高精度なパターンを描画できることを確認し
た。
発明の第7の実施形態に係る埋め込みマークの形成方法
を示す工程断面図である。
00μmのSi基板61上に厚さ5μmのC膜62をス
パッタ法を用いて形成する。このスパッタ成膜におい
て、DC電力は例えば2.0kW、Ar流量は例えば6
0sccmに設定する。
上に厚さ50nmのW膜63をスパッタ法を用いて形成
する。
上にネガ型レジスト64を塗布した後、プリベークを行
なう。具体的には、例えば、ネガ型レジスト64として
シプレー社製のネガ型レジストSAL606を0.15
μmの膜厚に塗布した後、125℃/60秒のプリベー
クを行なう。
ム露光装置を用いてネガ型レジスト64に電子ビーム6
5を照射し、ネガ型レジスト64に幅50nm、長さ1
mmのラインパターンを露光する。なお、電子ビーム露
光装置の加速電圧は50kV、電流密度は10A/cm
2 、ビームはガウシアン、スキャン方式はラスタ方式と
する。
/120秒のPEBを行なった後、TMAH水溶液
(0.36N)を用いて120秒間の現像を行なって、
レジストパターン64を形成する。
パターン64をマスクにして、W膜63をRIEし、W
膜63からなる埋め込みパターンを形成する。ここで
は、埋め込みパターンとしてラインパターンを用いる。
シャーによりレジストパターン64を除去する。
を覆うように、C膜62上に例えば厚さ5μmのC膜6
6をスパッタ法を用いて形成する。ここで、DC電力は
例えば2.0kW、Ar流量は例えば60sccmであ
る。
61、C膜62、W膜63、C膜66(不図示)をA−
B線およびC−D線に沿って、つまりW膜63からなる
埋め込みパターンを横切るように2箇所で切断する。
現れた2つの切断面を必要な厚さまで研磨する。この研
磨には、例えばダイヤモンドスラリーを用いたラッピン
グ装置を使用する。これによって、表面粗度10nm程
度の面(研磨面)が得られる。研磨面の間の厚さは例え
ば10μmとする。この研磨面がビーム照射面になる。
このようにして、厚さ10μmのC膜に50nm□のW
膜63からなる埋め込みパターンが埋め込まれた埋め込
みマークを形成できる。
る。
では、厚さ10μmのW膜に0.1μm□以下の埋め込
みマークを形成することは困難である。
の大きさをW膜の膜厚と露光するラインパターンの幅で
制御できるため、0.1μm□以下の埋め込みマークを
容易に形成することができる。すなわち、本実施形態に
よれば、微細な埋め込みマークを容易に形成することが
できる。
ンの切断面の研磨によって制御しているため、照射した
電子ビームを透過させることなく十分な反射電子を得る
ことが容易である。
発明の第8の実施形態に係る埋め込みマークの形成方法
を示す工程断面図である。本実施形態は、多層構造の埋
め込みマークを形成する例である。
00μmのSi基板71上に厚さ5μmのC膜72をス
パッタ法を用いて形成する。ここで、DC電力は例えば
2.0kW、Ar流量は例えば60sccmである。
上に厚さ50nmのW膜73をスパッタ法を用いて形成
する。ここで、DC電力は例えば1.0kW、Ar流量
は例えば100sccmである。
上にネガ型レジスト74を塗布した後、プリベークを行
なう。具体的には、例えば、ネガ型レジスト74として
シプレー社製のネガ型レジストSAL606を0.1μ
mの膜厚に塗布した後、125℃/60秒のプリベーク
を行なう。
ム露光装置を用いてネガ型レジスト74に電子ビーム7
5を照射し、ネガ型レジスト74に幅50nm、長さ1
mmのラインパターンを5μmのピッチで3本並べて露
光する。なお、電子ビーム露光装置の加速電圧は50k
V、電流密度は10A/cm2 、ビームはガウシアン、
スキャン方式はラスタ方式とする。
/120秒のPEBを行なった後、TMAH水溶液
(0.36N)を用いて120秒間の現像を行なって、
レジストパターン74を形成する。
パターン74をマスクにして、W膜73をRIEし、W
膜73からなるライン状の埋め込みパターンを形成す
る。
シャーによりレジストパターン74を除去する。
を覆うように、C膜72上に例えば厚さ5μmのC膜7
6をスパッタ法を用いて形成する。ここで、DC電力は
例えば2.0kW、Ar流量は例えば60sccmであ
る。
(b)〜図21(h)の工程をさらに2回繰り返し、3
層構造の埋め込みパターンを形成し、合計でW膜73か
らなる9本の埋め込みパターンを形成する。
71、C膜72、W膜73、C膜76(不図示)をA−
B線およびC−D線に沿って、つまりW膜73からなる
埋め込みパターンを横切るように2箇所で切断する。
現れた2つの切断面を研磨する。この研磨には、例えば
ダイヤモンドスラリーを用いたラッピング装置を使用す
る。これによって、表面粗度10nm程度の面(研磨
面)が得られる。研磨面の間の厚さは例えば10μmと
する。この研磨面がビーム照射面になる。このようにし
て、厚さ10μmのC膜に50nm□のW膜63からな
る埋め込みパターンを複数形成できる。すなわち、多層
埋め込みマークを形成できる。
20(b)〜図21(h)の工程を繰り返すことによ
り、微細な複数の埋め込みパターン(多層埋め込みパタ
ーン)を厚いC膜に容易に形成することができる (第9の実施形態)図23〜図26は、本発明の第9の
実施形態に係る埋め込みマークの形成方法を示す工程断
面図である。本実施形態は、大きさの異なる複数の埋め
込みパターンをC膜に形成する方法である。
00μmのSi基板81上に厚さ5μmのC膜82をス
パッタ法を用いて形成する。ここで、DC電力は例えば
2.0kW、Ar流量は例えば60sccmである。
上に厚さ50nmのW膜83をスパッタ法を用いて形成
する。ここで、DC電力は例えば1.0kW、Ar流量
は例えば100sccmである。
上にネガ型レジスト84を塗布した後、プリベークを行
なう。具体的には、例えば、ネガ型レジスト84として
シプレー社製のネガ型レジストSAL606を0.1μ
mの膜厚に塗布した後、125℃/60秒のプリベーク
を行なう。
ム露光装置を用いてネガ型レジスト84に電子ビーム8
5を照射し、ネガ型レジスト84に幅50nm、長さ1
mmのラインパターンを5μmのピッチで3本並べて露
光する。なお、電子ビーム露光装置の加速電圧は50k
V、電流密度は10A/cm2 、ビームはガウシアン、
スキャン方式はラスタ方式とする。
/120秒のPEBを行なった後、TMAH水溶液
(0.36N)を用いて120秒間の現像を行なって、
レジストパターン84を形成する。
パターン84をマスクにして、W膜83をRIEし、W
膜8からなるライン状の埋め込みパターンを形成する。
シャーによりレジストパターン84を除去する。
を覆うように、C膜82上に例えば厚さ5μmのC膜8
6をスパッタ法を用いて形成する。
(b)〜図23(h)の工程と同様の工程をさらに4回
繰り返し、上層ほど厚さおよび幅が大きくなる、5層構
造のW膜83からなるライン状の埋め込みパターンを形
成する。
厚さおよび幅はそれぞれ0.1μmおよび0.1μm、
第3層の埋め込みパターンの厚さおよび幅はそれぞれ
0.2μmおよび0.2μm、第4層の埋め込みパター
ンの厚さおよび幅はそれぞれ0.3μmおよび0.3μ
m、第4層の埋め込みパターンの厚さおよび幅はそれぞ
れ0.4μmおよび0.4μmとする。
変えるには、W膜83の膜厚と露光するパターンの幅を
変えれば良い。
81、C膜82、W膜83、C膜86(不図示)をA−
B線およびC−D線に沿って、つまりW膜83からなる
埋め込みパターンを横切るように2箇所で切断する。
現れた2つの切断面を研磨する。この研磨には、例えば
ダイヤモンドスラリーを用いたラッピング装置を使用す
る。これによって、表面粗度10nm程度の面(研磨
面)が得られる。研磨面の間の厚さは例えば10μmと
する。この研磨された面がビーム照射面になる。このよ
うにして、W膜86からなり、厚さ10μmのW膜に5
0nm□の貫通孔、0.1μm□の貫通孔、0.2μm
□の貫通孔、0.3μm□の貫通孔、0.4μm□の埋
め込みパターンがC膜に埋め込まれた多層埋め込みマー
クを形成できる。本実施形態によれば、埋め込みパター
ンの大きさをW膜83の膜厚と露光するラインパターン
の幅により制御できるため、微細かつ大きさの異なる埋
め込みパターンを厚いC膜に容易に形成することができ
る。
断面形状は各層で同じ、つまり長方形であるが、各層で
変えても良い。また、同じ長方形でもその長辺と短辺を
各層で変えても良い。これらはW膜83の膜厚と露光す
るラインパターンの幅を制御することによりできる。す
なわち、本実施形によれば、態微細かついくつかの相異
なる形状および大きさをもつ埋め込みパターンを厚いC
膜に容易に形成することが可能である。
の本実施形態に係るビームの焦点調整方法について説明
する。
ム露光装置を使用する。ビーム分解能の測定は以下の要
領で行なった。ここでは、第7〜9実の施形態で作製し
たW埋め込みマークを用いた。また、ビームの大きさを
0.5μm□にした。
ーク113をビームの光軸の真下に移動した。ここで、
W埋め込みマーク113と試料111の高さは同じとす
る。50nm□のW埋め込みマーク113を0.5μm
□に成形した電子ビーム118を5nmピッチで走査し
た。
射した電子を反射電子検出器112で検出した。この結
果、図14に示めしたのと同様の電流波形が得られた。
第5の実施形態と同様に、電流の最高値から電流の最低
値を引いた値を100%にしたときの10%から90%
の範囲をビーム分解能とする。
の電流を変化させて、ビーム分解能を測定した。ビーム
分解能の測定値が最小のときの対物レンズの電流を最適
焦点とする。以上の方法によってビームの焦点調整がで
きる。また、測定した最小ビーム分解能は90nmを得
た。
する。
凸型マークおよび凹型マークは、エッチング等の方法で
形成している。この方法では、微細な高アスペクト比の
重金属マークを形成することは困難となる。したがっ
て、反射電子検出に十分なS/N比が得られない。
埋め込みマークの長さ)は、基板、W膜、C膜の切断面
の研磨によって制御できるので、照射した電子ビームを
透過させることなく十分な反射電子を得ることが容易で
ある。したがって、本実施形態によれば、高精度にビー
ム分解能を求めることができ、より高精度な焦点調整が
可能となる。
の実施形態に係る貫通孔の形成方法について説明する。
板の材質は、半導体基板やABS樹脂(アクリローニト
リル ブタジエン スチレン共重体により作られる樹
脂)等何でも良い。
この膜の材質は限定されない。成膜方法も限定されな
い。また、成膜しなくても良い。次にこの上に鋳型を形
成するが、この鋳型の材質は、鋳型以外の膜と溶解速度
が異なれば何でも良い。また、鋳型の形成方法は半導体
作製方法の工程等何でも良い。
材質は何でも良い。鋳型の下の膜の材質と異なっても良
い。成膜方法もスパッタ法や蒸着法等何でも良い。
するが、この2箇所は平行でなく斜めでも良い。また、
切断方法は限定されない。2箇所の切断面を研磨する方
法も限定されない。また、1箇所だけを研磨したり、全
く研磨しなくても良い。さらに、2箇所の研磨する面は
平行でなくても、鋳型に対して垂直でなくても良い。
法は、鋳型と鋳型を覆う膜との溶解速度が異なる気体ま
たは液体など何でも良い。
り形成することが可能である。
実施形態および第11の実施形態の方法により形成した
貫通孔の使用方法は、第5、6の実施形態のような電子
ビーム露光装置のビーム調整方法や露光方法だけに限ら
れない。例えば、液体または気体のようなある物質を噴
出するノズルとして使用しても良い。
に従って形成された貫通孔には、多種多様な使用方法が
ある。
の実施形態に係る埋め込みパターン(マーク)の形成方
法について説明する。
板の材質は半導体基板やABS樹脂(アクリローニトリ
ル ブタジエン スチレン共重体により作られる樹脂)
等何でも良い。
この膜の材質は限定されない。成膜方法も限定しない。
また、成膜しなくても良い。次にこの上に埋め込みパタ
ーンを形成するが、この埋め込みパターンの材質は、埋
め込みパターン以外の膜と異なれば何でも良い。埋め込
みパターンの形成方法は、半導体作製方法の工程等何で
も良い。
が、この膜の材質は何でも良い。埋め込みパターンの下
の膜の材質と異なっても良い。成膜方法もスパッタ法や
蒸着法等何でも良い。
した後、2箇所の切断面を研磨するが、この2箇所は平
行でなく斜めでも良い。また、切断方法は限定されな
い。2箇所の切断面を研磨する方法も限定されない。ま
た、1箇所だけを研磨したり、全く研磨しなくても良
い。さらに、2箇所の研磨する面は平行でなくても、埋
め込みパターンに対して垂直でなくても良い。
な方法により形成することが可能である。
ものではない。例えば、上記実施形態では、荷電ビーム
露光装置として電子ビーム露光装置を用いた場合につい
て説明したが、本発明はイオンビーム露光装置等の他の
荷電ビーム露光装置を用いた場合にも適用できる。その
他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々変形して実
施できる。
7)によれば、第1、第2の膜内の貫通孔パターン(鋳
型)を除去し、第1、第2の膜内に貫通孔を形成するこ
とにより、第1、第2の膜の全体が厚くても、これらの
膜に微細な貫通孔を形成することが可能となる。また、
微細な貫通孔を実現できることから、これを利用するこ
とにより精度の高いビーム調整や荷電ビーム露光が可能
となる(請求項15,17)。
ば、第1の膜上にパターンを形成し、このパターンを第
2の膜で覆い、第1、第2の膜内にパターン(埋め込み
パターン)を形成することにより、第1、第2の膜の全
体が厚くても、これらの膜内に微細なパターン(埋め込
みパターン)を形成することが可能となる。また、微細
な埋め込みパターンを実現できることから、これを利用
することにより精度の高いビーム調整が可能となる(請
求項16)。
形成方法を示す工程断面図
形成方法を示す工程断面図
形成方法を示す工程断面図
形成方法を示す工程断面図
形成方法を示す工程断面図
形成方法を示す工程断面図
形成方法を示す工程断面図
形成方法を示す工程断面図
形成方法を示す工程断面図
の形成方法を示す工程断面図
の形成方法を示す工程断面図
の形成方法を示す工程断面図
の形成方法を示す工程断面図
図
関係を示す図
クの前半の形成方法を示す工程断面図
クの中半の形成方法を示す工程断面図
クの後半の形成方法を示す工程断面図
クの前半の形成方法を示す工程断面図
クの中半の形成方法を示す工程断面図
クの後半の形成方法を示す工程断面図
クの前半の形成方法を示す工程断面図
クの中半の形成方法を示す工程断面図
クの後半の形成方法を示す工程断面図
クの後半の形成方法を示す工程断面図
図
Claims (21)
- 【請求項1】基板上に第1の膜を形成する工程と、 この第1の膜上に貫通孔パターンを形成する工程と、 前記第1の膜上に前記貫通孔パターンを覆う第2の膜を
形成する工程と、 前記貫通孔パターンを横切るように、前記基板、前記第
1の膜、前記貫通孔パターンおよび前記第2の膜を切断
する工程と、 切断して現れた面を研磨する工程と、 前記貫通孔パターンを除去する工程とを有することを特
徴とする貫通孔の形成方法。 - 【請求項2】基板上に第1の膜を形成する工程と、 この第1の膜上に貫通孔パターンを形成する工程と、 この貫通孔パターンをエッチングにより細らせる工程
と、 前記第1の膜上に前記貫通孔パターンを覆う第2の膜を
形成する工程と、 前記貫通孔パターンを横切るように、前記基板、前記第
1の膜、前記貫通孔パターンおよび前記第2の膜を切断
する工程と、 切断して現れた面を研磨する工程と、 前記貫通孔パターンを除去する工程とを有することを特
徴とする貫通孔の形成方法。 - 【請求項3】前記貫通孔パターンを形成する工程と前記
第2の膜を形成する工程を繰り返し行なうことにより、
積層構造の貫通孔パターンを形成することを特徴とする
請求項1または請求項2に記載の貫通孔の形成方法。 - 【請求項4】大きさの異なる貫通孔を複数個形成するこ
とを特徴とする請求項3に記載の貫通孔の形成方法。 - 【請求項5】前記基板として、半導体基板を用いること
を特徴とする請求項1ないし請求項4のいずれかに記載
の貫通孔の形成方法。 - 【請求項6】前記第2の膜として、重元素金属からなる
膜を形成することを特徴とする請求項1ないし請求項4
のいずれかに記載の貫通孔の形成方法。 - 【請求項7】前記第2の膜として、前記第1の膜の構成
材料と同材料からなる膜を形成することを特徴とする請
求項1ないし請求項4のいずれかに記載の貫通孔の形成
方法。 - 【請求項8】半導体基板上に第1のタングステン膜を形
成する工程と、 このタングステン膜上に酸化膜およびレジスト膜を順次
積層形成する工程と、 このレジスト膜をパターニングし、レジストパターンを
形成した後、このレジストパターンをマスクにして前記
酸化膜をパターニングし、酸化膜のラインパターンを形
成する工程と、 前記レジストパターンを除去する工程と、 前記酸化膜のラインパターンを含む前記第1のタングス
テン膜上に第2のタングステン膜を形成する工程と、 前記酸化膜のラインパターンを横切るように、前記半導
体基板、前記第1のタングステン膜、前記酸化膜のライ
ンパターンおよび前記第2のタングステン膜を切断する
工程と、 前記酸化膜のラインパターンを除去する工程とを有する
ことを特徴とする貫通孔の形成方法。 - 【請求項9】前記酸化膜のラインパターンを形成する工
程と前記第2のタングステン膜を形成する工程を繰り返
し行なうことにより、積層構造の貫通孔パターンを形成
することを特徴とする請求項8に記載の貫通孔の形成方
法。 - 【請求項10】基板上に第1の膜を形成する工程と、 この第1の膜上にパターンを形成する工程と、 前記第1の膜上に前記パターンを覆う第2の膜を形成す
る工程と、 前記パターンを横切るように、前記基板、前記第1の
膜、前記パターンおよび前記第2の膜を切断する工程
と、 切断して現れた面を研磨する工程とを有することを特徴
とする埋め込みパターンの形成方法。 - 【請求項11】前記パターンを形成する工程と前記第2
の膜を形成する工程を繰り返し行なうことにより、積層
構造の埋め込みパターンを特徴とする請求項10に記載
の埋め込みパターンの形成方法。 - 【請求項12】大きさの異なるパターンを複数個形成す
ることを特徴とする請求項11に記載の埋め込みパター
ンの形成方法。 - 【請求項13】前記基板として、半導体基板を用いるこ
とを特徴とする請求項8ないし請求項12のいずれかに
記載の埋め込みパターンの形成方法。 - 【請求項14】前記パターンとして、重元素金属からな
るパターンを形成することを特徴とする請求項10ない
し請求項12のいずれかに記載の埋め込みパターンの形
成方法。 - 【請求項15】前記第2の膜として、軽元素金属からな
る膜を形成することを特徴とする請求項10ないし請求
項12のいずれかに記載の埋め込みパターンの形成方
法。 - 【請求項16】前記第2の膜として、前記第1の膜の構
成材料と同材料からなる膜を形成することを特徴とする
請求項10ないし請求項12のいずれかに記載の埋め込
みパターンの形成方法。 - 【請求項17】半導体基板上に第1のカーボン膜を形成
する工程と、 このカーボン膜上にタングステン膜およびレジスト膜を
順次積層形成する工程と、 このレジスト膜をパターニングし、レジストパターンを
形成した後、このレジストパターンをマスクにして前記
タングステン膜をパターニングし、タングステン膜のラ
インパターンを形成する工程と、 前記レジストパターンを除去する工程と、 前記タングステン膜のラインパターンを含む前記第1の
カーボン膜上に第2のカーボン膜を形成する工程と、 前記タングステン膜のラインパターンを横切るように、
前記半導体基板、前記第1のカーボン膜、前記タングス
テン膜のラインパターンおよび前記第2のカーボン膜を
切断する工程とを有することを特徴とする埋め込みパタ
ーンの形成方法。 - 【請求項18】前記タングステン膜のラインパターンを
形成する工程と前記第2のカーボン膜を形成する工程を
繰り返して行なうことにより、積層構造の埋め込みパタ
ーンを形成することを特徴とする請求項17に記載の埋
め込みパターンの形成方法。 - 【請求項19】請求項1ないし請求項4のいずれかに記
載の貫通孔の形成方法により形成された貫通孔を使用
し、ビーム調整を行なうことを特徴とするビーム調整方
法。 - 【請求項20】請求項12ないし請求項14のいずれか
に記載の埋め込みパターンの形成方法により形成された
埋め込みパターンを使用し、ビーム調整を行なうことを
特徴とするビーム調整方法。 - 【請求項21】請求項1ないし請求項4のいずれかに記
載の貫通孔の形成方法により形成された貫通孔をアパー
チャに利用することを特徴とする荷電ビーム露光方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP32922197A JP3004240B2 (ja) | 1997-05-14 | 1997-11-28 | 貫通孔および埋め込みパターンの形成方法、ビーム調整方法、ならびに荷電ビーム露光方法 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9-124496 | 1997-05-14 | ||
JP12449697 | 1997-05-14 | ||
JP32922197A JP3004240B2 (ja) | 1997-05-14 | 1997-11-28 | 貫通孔および埋め込みパターンの形成方法、ビーム調整方法、ならびに荷電ビーム露光方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH1131657A JPH1131657A (ja) | 1999-02-02 |
JP3004240B2 true JP3004240B2 (ja) | 2000-01-31 |
Family
ID=26461181
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP32922197A Expired - Fee Related JP3004240B2 (ja) | 1997-05-14 | 1997-11-28 | 貫通孔および埋め込みパターンの形成方法、ビーム調整方法、ならびに荷電ビーム露光方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3004240B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6834817B2 (ja) | 2016-08-08 | 2021-02-24 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | マルチビーム検査用アパーチャ、マルチビーム用ビーム検査装置、及びマルチ荷電粒子ビーム描画装置 |
-
1997
- 1997-11-28 JP JP32922197A patent/JP3004240B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH1131657A (ja) | 1999-02-02 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3755228B2 (ja) | 荷電粒子線露光装置 | |
JPH025010B2 (ja) | ||
JP2944559B2 (ja) | ビーム電流測定用貫通孔の製造方法 | |
KR900003254B1 (ko) | X-선 노출 마스크 | |
JPH088176A (ja) | 電子線露光装置の装置較正用基準マーク及び装置較正方法。 | |
KR100437743B1 (ko) | 다층 반도체 구조 형성 방법 | |
JP2994260B2 (ja) | X線マスクとその製造方法 | |
JP3004240B2 (ja) | 貫通孔および埋め込みパターンの形成方法、ビーム調整方法、ならびに荷電ビーム露光方法 | |
JPH0719743B2 (ja) | 電子ビームを用いて位置合わせマークの位置を検出する方法及び装置 | |
EP0602833B1 (en) | Electron lithography process and apparatus | |
JP4023262B2 (ja) | アライメント方法、露光方法、露光装置およびマスクの製造方法 | |
JP3051099B2 (ja) | マーク基板,マーク基板の製造方法,電子ビーム描画装置及び電子ビーム描画装置の光学系の調整方法 | |
JPS6246976B2 (ja) | ||
JPS588129B2 (ja) | 放射感応層をx線に露出する方法 | |
JPH11317345A (ja) | 微細パターンの転写加工方法 | |
JP2752022B2 (ja) | 微細パターン形成方法 | |
JPH11340131A (ja) | 半導体集積回路の製造方法 | |
JPS6279622A (ja) | パタ−ン形成方法 | |
JP2607460B2 (ja) | 露光方法 | |
JPS5934632A (ja) | X線マスクの製造方法 | |
KR100238237B1 (ko) | 전자빔 셀 투영 리소그래피용 마스크 및 그 제조방법 | |
Gonzales et al. | Recent results in the application of electron beam direct-write lithography | |
Someda et al. | New detection method for the 2-dimensional beam shape | |
JPS6050333B2 (ja) | X線露光用マスクの製造方法 | |
JPS6252850B2 (ja) |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313115 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071119 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081119 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091119 Year of fee payment: 10 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101119 Year of fee payment: 11 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101119 Year of fee payment: 11 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111119 Year of fee payment: 12 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |