JP3755228B2

JP3755228B2 - 荷電粒子線露光装置

Info

Publication number: JP3755228B2
Application number: JP09577697A
Authority: JP
Inventors: 護中筋
Original assignee: Nikon Corp
Current assignee: Nikon Corp
Priority date: 1997-04-14
Filing date: 1997-04-14
Publication date: 2006-03-15
Anticipated expiration: 2017-04-14
Also published as: US6059981A; JPH10289851A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、微細，高密度なパターンを高精度，高スループットで形成することができる荷電粒子線露光装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来の電子ビーム露光装置では、ウエハステージ上に設けられたフィディシャルマークに電子ビームを照射し、その反射電子等を検出することにより電子光学系の各種収差を測定し、その結果に基づいて収差が小さくなるように電子光学系を制御し露光が行われる。フィディシャルマークとしては、（１）シリコン基板にレジストを塗布して電子ビーム描画等によりパターンを形成し、さらにそのレジストパターンをマスクとして選択エッチングすることによって形成したものや、（２）基板上に重金属パターンを形成するもの等がある。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、電子ビーム描画で形成したレジストパターンには１０ｎｍ程度のエッジラフネスが生じる。そして、このレジストパターンをマスクとしてエッチングを行うとエッジラフネスがさらに増幅され、フィディシャルマークパターンのエッジラフネスが局部的に２０ｎｍ程度という大きさになってしまうおそれがあった。また、重金属パターンを形成する場合も、レジストパターンをマスクとして重金属をデポジションするので、エッチングマークの場合と同程度のエッジラフネスが生じる。その結果、検出信号にエッジラフネスが影響して収差測定の精度が低下するという問題があった。
【０００４】
また、電子ビーム投影露光装置では断面積の大きいビームを用いるためビーム電流密度が小さく、基板上に重金属をパターニングしたマークの場合には信号のＳ／Ｎ比が悪い。特に、基板からのバックグラウンドによって信号のＳ／Ｎ比が低下するという問題があった。
【０００５】
本発明の目的は、電子光学系の収差測定を高精度に行うことができる荷電粒子線露光装置を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
発明の実施の形態を示す図１〜４及び図６に対応付けて説明する。
（１）図１，２に対応付けて説明すると、請求項１の発明は、電子光学系１０３，１０４を通過した荷電粒子線ＥＢを基準マークＭに照射して電子光学系１０３，１０４の歪あるいはボケ等の収差を測定し、その測定結果に基づいて電子光学系１０３，１０４の調整を行いあるいは前記収差を補正し露光する荷電粒子線露光装置に適用され、基準マークＭは、単結晶Ｓiの（１１０）面を表面とする基板１，２上に長手方向が（１１０）面の＜１１２＞方位である長方形パターン（図１のマーク１１および２１を構成するパターン）を、その長手方向と直交する方向（図１のマーク１１のパターンの場合にはｘ方向で、マーク２１の場合にはｙ方向）に異方性エッチングにより複数形成して成ることにより上述の目的を達成する。
（２）請求項２の発明は、電子光学系１０３，１０４を通過した荷電粒子線ＥＢを基準マークＭに照射して電子光学系１０３，１０４の収差を測定し、その測定結果に基づいて電子光学系１０３，１０４の調整を行いあるいは前記収差を補正し露光する荷電粒子線露光装置に適用され、単結晶Ｓiの（１１０）面を表面とする基板上に長手方向が（１１０）面の＜１１２＞方位である長方形パターンを、その長手方向と直交する方向に異方性エッチングにより複数形成したマーク部材１，２を用いて基準マーク０を構成し、第１のマーク部材１のパターンの長手方向と第２のマーク部材２のパターンの長手方向とが互いに直交するように設けたことにより上述の目的を達成する。
（３）図２，４に対応付けて説明すると、請求項３の発明は、電子光学系１０３，１０４を通過した荷電粒子線ＥＢを基準マークＭに照射して電子光学系１０３，１０４の収差を測定し、その測定結果に基づいて電子光学系１０３，１０４の調整を行いあるいは前記収差を補正し露光する荷電粒子線露光装置に適用され、基準マークＭが、単結晶Ｓiの（１００）面を表面とする基板３０の一部の厚さを薄くして形成したマーク領域３３に、（ａ）長方形の貫通孔パターン（図４のマーク３１を構成するパターン）をその長手方向と直交する方向に異方性エッチングにより複数形成して成る第１のマーク３１と、（ｂ）長手方向が第１のマーク３１を構成する貫通孔パターンの長手方向と直交する長方形の貫通孔パターン（図４のマーク３２を構成するパターン）を、その長手方向に直交する方向に異方性エッチングにより複数形成して成る第２のマーク３２と、を設けて成ることによって上述の目的を達成する。
（４）請求項４の発明は、請求項３に記載の荷電粒子線露光装置において、貫通孔パターンを通過した荷電粒子線ＥＢを捕捉するファラデーカップ７を基準マークＭの荷電粒子照射面と反対側の面に対向して設けたことにより上述の目的を達成する。
（５）請求項５の発明は、請求項３または請求項４のいずれかに記載の荷電粒子線露光装置において、孔パターンの開口面積の小さい方の面の少なくともマーク領域３３に、金属膜Ｐtを形成した。
（６）図２，６に対応付けて説明すると、請求項６の発明は、電子光学系１０３，１０４を通過した荷電粒子線ＥＢを基準マークＭに照射して電子光学系１０３，１０４の収差を測定し、その測定結果に基づいて電子光学系１０３，１０４の調整を行いあるいは前記収差を補正し露光する荷電粒子線露光装置に適用され、基準マークＭは、（ａ）単結晶Ｓiの（１１０）面を表面とする基板４０上に長手方向が（１１０）面の＜１１２＞方位である長方形パターン（図６のマーク４１を構成するパターン）を、その長手方向と直交する方向（図６のｘ方向）に異方性エッチングにより複数形成して成る第１のマーク４１と、（ｂ）長手方向が第１のマーク４１を構成するパターンの長手方向と直交する長方形パターンを、基板４０上に第１のマーク４１を構成するパターンの長手方向（図６のｙ方向）に反応性イオンエッチングにより複数形成して成る第２のマーク４２と、から成ることによって上述の目的を達成する。
（７）図３に対応付けて説明すると、請求項７の発明は、請求項１，請求項２および請求項６のいずれかに記載の荷電粒子線露光装置において、基準マークを構成するパターン（図３のマーク１１および２１を構成するパターン）は貫通孔パターンであって、前記貫通孔パターンを通過した荷電粒子線ＥＢを捕捉するファラデーカップ７を前記基準マークの荷電粒子照射面と反対側の面に対向して設けた。
（８）請求項８の発明は、請求項１，請求項２，請求項６および請求項７のいずれかに記載の荷電粒子線露光装置において、基板面の少なくともパターン（図３のマーク１１，２１を構成するパターン）を含む領域に金属膜Ｐtを形成した。
【０００７】
（１）請求項１，２の発明では、Ｓi結晶の（１１０）面に垂直な（１１１）面が異方性エッチングにより形成されたパターンの側壁面となる。
（２）請求項３の発明では、第１のマークと第２のマークとは同一基板上の領域３３に形成される。
（３）請求項４，７の発明では、基準マークを構成する孔パターンを通過した荷電粒子はファラデーカップ７に捕捉される。
（４）請求項５および８の発明では、基準マークの非パターン部に照射された荷電粒子は金属膜Ｐtにより反射される。
（５）請求項６の発明では、マーク４１および４２は同一の基板４０に形成され、マーク４１のパターンでは、Ｓi結晶の（１１０）面に垂直な（１１１）面がパターンの側壁面となり、一方、マーク４２を構成するパターンは反応性イオンエッチングにより形成されるため、パターンは基板面に対して垂直な溝または孔となる。
【０００８】
なお、本発明の構成を説明する上記課題を解決するための手段の項では、本発明を分かり易くするために発明の実施の形態の図を用いたが、これにより本発明が発明の実施の形態に限定されるものではない。
【０００９】
【発明の実施の形態】
以下、図１〜図６を参照して本発明の実施の形態を説明する。
−第１の実施の形態−
図２は本発明による荷電粒子線露光装置の一実施の形態を示す図であり、荷電粒子線投影露光装置の電子光学系の概略を示す図である。不図示の荷電粒子線源から出射され整形された荷電粒子線ＥＢは、偏向器１００により偏向された後にマスク１０２に設けられた小領域１０２ａ（所定のマークが形成される）に照射される。小領域１０２ａを通過した荷電粒子線ＥＢは電子光学系１０３，１０４を通過した後、ウエハステージ１０５上のフィディシャルマークＭ上に照射される。この荷電粒子線ＥＢを偏向器１０８でｘ方向およびｙ方向に走査し、マークＭからの反射荷電粒子を検出器１０６で検出することによって電子光学系１０３，１０４の収差を測定する。７はマークＭの下側に設けられたファラデーカップである。
【００１０】
図１，３は図２のマークＭ部分の拡大図であり、図１はマークＭの平面図、図３（ａ）および図３（ｂ）は図１のＡ−Ａ断面図，Ｂ−Ｂ断面図である。マークＭは２種類のマークから成り、一方は基板１に形成されて荷電粒子線のｘ方向ビーム分解能またはｘ方向ビーム位置を評価するためのマーク１１であり、他方は基板２に形成されて荷電粒子線のｙ方向ビーム分解能またはｙ方向ビーム位置を評価するためのマーク２１である。マーク１１はｙ方向に長い長方形パターンをｘ方向に所定間隔で複数形成したものであり、マーク２１はｘ方向に長い長方形パターンをｙ方向に所定間隔で複数形成したものである。基板１および２は単結晶Ｓｉ基板であって、基板表面（ｘｙ平面に平行な面）がＳｉ結晶の（１１０）面となっている。
【００１１】
図１に示すように、基板１のノック孔１３ａおよび基板２のノック孔２３ａがファラデーカップ７の面に形成されたノックピン６ａに嵌合し、基板１のノック孔１３ｂおよび基板２のノック孔２３ｂがノックピン６ｂに嵌合するように基板１，２を積層してファラデーカップ７の開口７ａ部分に取り付ける。その際、ノックピン６ａ，６ｂによって、マーク１１および２１のパターンの長手方向が互いに直交するように位置決めされる。なお、基板１および２を積層した際にマーク１１，２１が形成された部分が他方の基板と重ならないように、基板１には開口１２が、基板２には開口２２が形成されている。
【００１２】
マーク１１のパターンは次のようにして形成する。まず、基板１を酸化炉に入れて厚さ１μｍのＳiＯ₂層を形成した後、片側の面に長方形パターンの長手方向がＳi結晶の（１１０）面の＜１１２＞方位と平行になるようにレジストパターンを形成してＳiＯ₂を除去する。このようにして形成されたＳiＯ₂をマスクとしてＳi基板をヒドラジンやＫＯＨ等を用いて異方性エッチングする。このとき、長方形パターンが（１１０）面の＜１１２＞方位に形成されているためにＳi結晶の面（１１１）に倣って異方性エッチングが行われ、各パターンは（１１１）面を壁面とする基板表面に垂直な孔パターンとなる。さらに、基板１の上面には白金Ｐtが１００ｎｍの厚さで蒸着される。基板２のマーク２１に関しても同様に形成される。
【００１３】
本実施の形態では、ＳiＯ₂マスクのパターンにエッジラフネスがある点は従来と同様であるが、（１１０）面を基板表面としその＜１１２＞方位にパターンの長手方向を設定しているため、結晶の面方向に依存する異方性エッチングは結晶面（１１１）に倣った形でパターンが形成される。そのため、レジストやＳiＯ₂マスクのエッジラフネスがパターンエッジにそのまま影響せず、マーク１１，２１のエッジラフネスは結晶オーダーの大きさにまで減少する。
【００１４】
本実施の形態のマーク１１，２１を用いて電子光学系の収差測定を行えば、従来の基準マークに比べエッジラフネスが非常に小さいのでより高精度な測定が可能となる。また、マーク１１，２１を孔パターンで形成し、基板１，２の下側（荷電粒子線に関して下流側）に荷電粒子線を吸収するファラデーカップ７を設けるとともに非孔部分に重金属（Ｐt）層を形成しているため、非常に高Ｓ／Ｎ比の信号を得ることができる。
【００１５】
なお、上述した実施の形態では、別々の基板１，２にマーク１１，マーク２１を形成し、基板１および２を積み重ねて１組のマークを形成しているので、マーク間のＺ方向（光軸方向）位置に差ができてしまうが、荷電粒子線の焦点深度は十分に深いので、少なくともどちらか一方の基板のマーク部分を薄くすればほとんど問題無い。
【００１６】
また、上述した実施の形態では、底無し孔パターンでマークを構成したが、有底溝パターンでマークを構成してもよい。この場合はファラデーカップを必要としない。このような溝パターンの場合でも、エッジラフネスは図１に示した孔パターンと同様であるため、マーク検出精度が向上する。
【００１７】
−第２の実施の形態−
上述した第１の実施の形態では、マーク１１，２１を別々の基板（基板表面が（１１０）面になっている）を用いたが、本実施の形態では図４に示すようにｘ方向およびｙ方向に関する２種類のマーク３１，３２を同一基板３０上に形成する。図４は本発明による荷電粒子線露光装置の第２の実施の形態を示す図であり、露光装置に設けられたフィディシャルマークの詳細を示している。図４において、（ａ）は１枚のＳi基板に形成されたフィディシャルマークの平面図であり、（ｂ）は図４（ａ）のＣ−Ｃ断面図を示しており、マーク領域３３に形成されたマーク３１，３２はそれぞれ複数の長方形パターンから成る。図１に示したマーク２１および２２と同様に、マーク３１は荷電粒子線のｘ方向ビーム分解能またはｘ方向ビーム位置を評価するためのマークであり、マーク３２はｙ方向ビーム分解能またはｙ方向ビーム位置を評価するためのマークである。なお、領域３４の基板上にはＰt層が形成される。
【００１８】
次に、図５を用いてマーク３１，３２の製作手順を説明する。本実施の形態の基準マークでは、Ｎ型Ｓi単結晶基板の基板表面が結晶の（１００）面となるようにしてマークを形成する。図５（ａ）に示す工程では、基板３０の片側の面（図５（ａ）の図示下側の面）にボロンを拡散させて厚さ１μｍのＰ層を形成した後、この基板３０を酸化炉に入れて厚さ１μｍのＳiＯ₂を形成する。次いで、図５（ｂ）に示すように、マーク３１，３２が形成されるマーク領域３３より十分広い領域３４のＳiＯ₂を除去した後、ＳiＯ₂をマスクとしヒドラジンやＫＯＨ等を用いた異方性エッチングを行う。この際、Ｐ型領域にのみに電圧が印加されるようにしてエッチングを行い、Ｐ／Ｎジャンクションの位置でエッチングが止るようにする。このように（１００）面を表面とする基板に異方性エッチングを行うと、結晶の（１１１）面に倣ってエッチングされるため、図５（ｂ）のように断面の角度が約５５度となる。
【００１９】
図５（ｃ）の工程では、基板３０のＰ層側のＳiＯ₂上にマーク用のレジストパターンを形成してＳiＯ₂を除去して、これによりマーク用のＳiＯ₂マスクを形成し、再び異方性エッチングを行う。このとき、断面角度が約５５度のテーパ状になることを考慮してパターンのピッチを設定する。なお、図５（ｃ）では図４に示したマーク３１のパターンについてのみ示しているが、基板厚さを小さくしたマーク領域３３にはマーク３１のパターンとともにマーク３２のパターンも異方性エッチングによって同時に形成される。その後、図５（ｄ）の工程では、図５（ｂ）の工程でエッチングした領域３３にＰtを蒸着した後、ＳiＯ₂を除去する。
【００２０】
このようにしてマーク３１，３２が形成された基板３０は、第１の実施の形態と同様にファラデーカップの検出開口部にＰtが蒸着された面（図４（ｂ）の図示上面）を荷電粒子線の入射側にして取り付けられる。
【００２１】
本実施の形態においては、各パターン孔のテーパ面は結晶の（１１１）面に倣って形成されるため各パターンのエッジ部分はシャープになる。そして、第１の実施の形態と同様にＰt層を形成するとともに、マークの下流側にファラデーカップを設けているため、第１の実施の形態と同様に高Ｓ／Ｎ比な信号を得ることができる。なお、各パターンがテーパ状の孔となるため第１の実施の形態に比べてパターンピッチが大きくなりＳ／Ｎ比の上では不利であるが、マーク３１およびマーク３２を同一の基板３０に形成することができるためマーク３１とマーク３２との直交性を高めることができるという利点を有する。
【００２２】
−第３の実施の形態−
上述した第１の実施の形態では、マーク１１，２１を別々の基板（基板表面が（１１０）面になっている）を用いたが、本実施の形態では図６に示すようにｘ方向およびｙ方向に関する２種類のマーク４１，４２を同一基板４０上に形成する。まず、第１の実施の形態のマーク１１と同様のマーク４１を形成する。すなわち、（１１０）面の＜１１２＞方位がパターンの長手方向となるように、ヒドラジンやＫＯＨを用いて異方性エッチングを行う。次に、マーク２１と同様の各孔パターンを反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）で垂直に形成し、その後、第１の実施の形態と同様にＰtの蒸着を行いマーク４２とする。
【００２３】
このように形成したマーク４１および４２の場合には、第２の実施の形態と同様にマーク相互の直交性は良いが、ＲＩＥで形成されたマーク４２のパターンはマーク４１のパターンに比べてエッジラフネスの点で劣っている。
【００２４】
ところで、１チップ分のパターンを複数の小領域に分割し、パターンが投影露光されるウエハを載せた試料ステージを連続移動させながら小領域毎に投影露光する分割投影露光装置では、電子光学系の主視野は上記連続移動方向と直交する方向に長方形形状をしている。そのため、主視野の長手方向の歪特性を特に高精度に測定する必要があり、一方、連続移動方向の測定精度はそれほど高精度を必要としない。
【００２５】
そこで、ヒドラジンやＫＯＨを用いたＳiの異方性エッチングで形成したマーク４１で主視野方向の測定を行い、ＲＩＥで形成したマーク４２で連続移動方向の測定を行うようにすれば、主視野方向の歪を精度良く測定することができる。このとき、連続移動方向にマーク４１のパターンの長手方向を設定し、主視野方向にマーク４２のパターンの長手方向を設定すれば良い。
【００２６】
上述した発明の実施の形態と特許請求の範囲の構成要素との対応において、基板１は第１のマーク部材を、基板２は第１のマーク部材を、フィディシャルマークＭは基準マークを、マーク３１，４１は第１のマークを、マーク３２，４２は第２のマークをそれぞれ構成する。
【００２７】
【発明の効果】
以上説明したように、請求項１および請求項２の発明によれば、基準マークのパターンにおいて、Ｓi結晶の（１１１）面がパターンの側壁面となるため、パターンエッジは原子間距離のオーダーとなりパターン形状が非常にシャープになる。そのため、高精度にマーク検出を行うことができるため、光学系の収差を非常に高精度に測定することができる。
請求項３の発明によれば、基準マークを構成する第１のマークおよび第２のマークは両者とも同一基板に形成されるためパターンの直交性が良い。
請求項４および請求項７の発明によれば、基準マークを構成する孔パターンを通過した荷電粒子はファラデーカップに捕捉されるため、反射荷電粒子信号のＳ／Ｎ比が向上する。
請求項５および請求項８の発明によれば、基準マークの非パターン部に照射された荷電粒子は金属膜により反射されるため、非パターン部の反射荷電粒子が増加して反射荷電粒子信号のＳ／Ｎ比が向上し、収差を高精度に測定することができる。
請求項６の発明によれば、第１のマークは請求項１の基準マークのパターンと同様にパターン形状が非常にシャープになるので、第１のマークによって測定される方向の収差は高精度に測定することができる。また、第１および第２のマークを同一の基板上に形成しているため、第１のマークのパターンと第２のマークのパターンとの直交性が非常に良い。
【図面の簡単な説明】
【図１】フィディシャルマークの平面図。
【図２】本発明による荷電粒子線露光装置の一実施の形態を示す図であり、荷電粒子線投影露光装置の電子光学系の概略を示す図。
【図３】マークＭ部分の断面図であり、（ａ）は図１のＡ−Ａ断面図、（ｂ）は図１のＢ−Ｂ断面図。
【図４】本発明による第２の実施の形態の荷電粒子線露光装置に用いられるフィディシャルマークの詳細を示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）はＣ−Ｃ断面図。
【図５】マーク３１，３２の製作手順を説明する図であり、（ａ）〜（ｄ）は各工程を示す。
【図６】本発明による第３の実施の形態の荷電粒子線露光装置に用いられるフィディシャルマークの詳細を示す平面図。
【符号の説明】
１，２，３０，４０基板
７ファラデーカップ
１１，２１，３１，３２，４１，４２マーク
３３マーク領域
１０３，１０４電子光学系
Ｍフィディシャルマーク

Claims

電子光学系を通過した荷電粒子線を基準マークに照射して前記電子光学系の収差を測定し、その測定結果に基づいて前記電子光学系の調整を行いあるいは前記収差を補正し露光する荷電粒子線露光装置において、
前記基準マークは、単結晶Ｓiの（１１０）面を表面とする基板上に長手方向が（１１０）面の＜１１２＞方位である長方形パターンを、その長手方向と直交する方向に異方性エッチングにより複数形成して成ることを特徴とする荷電粒子線露光装置。
電子光学系を通過した荷電粒子線を基準マークに照射して前記電子光学系の収差を測定し、その測定結果に基づいて前記電子光学系の調整を行いあるいは前記収差を補正し露光する荷電粒子線露光装置において、
単結晶Ｓiの（１１０）面を表面とする基板上に長手方向が（１１０）面の＜１１２＞方位である長方形パターンを、その長手方向と直交する方向に異方性エッチングにより複数形成したマーク部材を２つ用いて前記基準マークを構成し、第１のマーク部材のパターンの長手方向と第２のマーク部材のパターンの長手方向とが互いに直交するように設けたことを特徴とする荷電粒子線露光装置。
電子光学系を通過した荷電粒子線を基準マークに照射して前記電子光学系の収差を測定し、その測定結果に基づいて前記電子光学系の調整を行いあるいは前記収差を補正し露光する荷電粒子線露光装置において、
前記基準マークは、単結晶Ｓiの（１００）面を表面とする基板の一部の厚さを薄くして形成したマーク領域に、
（ａ）長方形の貫通孔パターンをその長手方向と直交する方向に異方性エッチングにより複数形成して成る第１のマークと、
（ｂ）長手方向が前記第１のマークを構成する貫通孔パターンの長手方向と直交する長方形の貫通孔パターンを、その長手方向に直交する方向に異方性エッチングにより複数形成して成る第２のマークと、
を設けて成ることを特徴とする荷電粒子線露光装置。
請求項３に記載の荷電粒子線露光装置において、
前記貫通孔パターンを通過した荷電粒子線を捕捉するファラデーカップを前記基準マークの荷電粒子照射面と反対側の面に対向して設けたことを特徴とする荷電粒子線露光装置。
請求項３または請求項４のいずれかに記載の荷電粒子線露光装置において、
前記孔パターンの開口面積の小さい方の面の少なくとも前記マーク領域に、金属膜を形成したことを特徴とする荷電粒子線露光装置。
電子光学系を通過した荷電粒子線を基準マークに照射して前記電子光学系の収差を測定し、その測定結果に基づいて前記電子光学系の調整を行いあるいは前記収差を補正し露光する荷電粒子線露光装置において、
前記基準マークは、
（ａ）単結晶Ｓiの（１１０）面を表面とする基板上に長手方向が（１１０）面の＜１１２＞方位である長方形パターンを、その長手方向と直交する方向に異方性エッチングにより複数形成して成る第１のマークと、
（ｂ）長手方向が前記第１のマークを構成するパターンの長手方向と直交する長方形パターンを、前記基板上に前記第１のマークを構成するパターンの長手方向に反応性イオンエッチングにより複数形成して成る第２のマークと、
から成ることを特徴とする荷電粒子線露光装置。
請求項１，請求項２および請求項６のいずれかに記載の荷電粒子線露光装置において、
前記基準マークを構成するパターンは貫通孔パターンであって、前記貫通孔パターンを通過した荷電粒子線を捕捉するファラデーカップを前記基準マークの荷電粒子照射面と反対側の面に対向して設けたことを特徴とする荷電粒子線露光装置。
請求項１，請求項２，請求項６および請求項７のいずれかに記載の荷電粒子線露光装置において、
前記基板面の少なくとも前記パターンを含む領域に金属膜を形成したことを特徴とする荷電粒子線露光装置。