JPH10289851A - 荷電粒子線露光装置 - Google Patents
荷電粒子線露光装置Info
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- JPH10289851A JPH10289851A JP9095776A JP9577697A JPH10289851A JP H10289851 A JPH10289851 A JP H10289851A JP 9095776 A JP9095776 A JP 9095776A JP 9577697 A JP9577697 A JP 9577697A JP H10289851 A JPH10289851 A JP H10289851A
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- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B27/00—Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00
- G02B27/32—Fiducial marks and measuring scales within the optical system
Abstract
(57)【要約】
【課題】 電子光学系の収差測定を高精度に行うことが
できる荷電粒子線露光装置を提供することにある。 【解決手段】 電子光学系を通過した荷電粒子線をマー
ク１１，２１に照射して電子光学系の収差を測定し、そ
の測定結果に基づいて収差を補正し露光する荷電粒子線
露光装置において、マーク１１，２１は、それぞれ単結
晶Ｓiの（１１０）面を表面とする基板１，２上に長手
方向が（１１０）面の＜１１２＞方位である長方形パタ
ーンを異方性エッチングにより複数形成したものであ
り、マーク１１のパターンとマーク２１のパターンは互
いに直交するように構成する。
できる荷電粒子線露光装置を提供することにある。 【解決手段】 電子光学系を通過した荷電粒子線をマー
ク１１，２１に照射して電子光学系の収差を測定し、そ
の測定結果に基づいて収差を補正し露光する荷電粒子線
露光装置において、マーク１１，２１は、それぞれ単結
晶Ｓiの（１１０）面を表面とする基板１，２上に長手
方向が（１１０）面の＜１１２＞方位である長方形パタ
ーンを異方性エッチングにより複数形成したものであ
り、マーク１１のパターンとマーク２１のパターンは互
いに直交するように構成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、微細，高密度なパ
ターンを高精度，高スループットで形成することができ
る荷電粒子線露光装置に関する。
ターンを高精度，高スループットで形成することができ
る荷電粒子線露光装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の電子ビーム露光装置では、ウエハ
ステージ上に設けられたフィディシャルマークに電子ビ
ームを照射し、その反射電子等を検出することにより電
子光学系の各種収差を測定し、その結果に基づいて収差
が小さくなるように電子光学系を制御し露光が行われ
る。フィディシャルマークとしては、（１）シリコン基
板にレジストを塗布して電子ビーム描画等によりパター
ンを形成し、さらにそのレジストパターンをマスクとし
て選択エッチングすることによって形成したものや、
（２）基板上に重金属パターンを形成するもの等があ
る。
ステージ上に設けられたフィディシャルマークに電子ビ
ームを照射し、その反射電子等を検出することにより電
子光学系の各種収差を測定し、その結果に基づいて収差
が小さくなるように電子光学系を制御し露光が行われ
る。フィディシャルマークとしては、（１）シリコン基
板にレジストを塗布して電子ビーム描画等によりパター
ンを形成し、さらにそのレジストパターンをマスクとし
て選択エッチングすることによって形成したものや、
（２）基板上に重金属パターンを形成するもの等があ
る。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、電子ビ
ーム描画で形成したレジストパターンには１０ｎｍ程度
のエッジラフネスが生じる。そして、このレジストパタ
ーンをマスクとしてエッチングを行うとエッジラフネス
がさらに増幅され、フィディシャルマークパターンのエ
ッジラフネスが局部的に２０ｎｍ程度という大きさにな
ってしまうおそれがあった。また、重金属パターンを形
成する場合も、レジストパターンをマスクとして重金属
をデポジションするので、エッチングマークの場合と同
程度のエッジラフネスが生じる。その結果、検出信号に
エッジラフネスが影響して収差測定の精度が低下すると
いう問題があった。
ーム描画で形成したレジストパターンには１０ｎｍ程度
のエッジラフネスが生じる。そして、このレジストパタ
ーンをマスクとしてエッチングを行うとエッジラフネス
がさらに増幅され、フィディシャルマークパターンのエ
ッジラフネスが局部的に２０ｎｍ程度という大きさにな
ってしまうおそれがあった。また、重金属パターンを形
成する場合も、レジストパターンをマスクとして重金属
をデポジションするので、エッチングマークの場合と同
程度のエッジラフネスが生じる。その結果、検出信号に
エッジラフネスが影響して収差測定の精度が低下すると
いう問題があった。
【０００４】また、電子ビーム投影露光装置では断面積
の大きいビームを用いるためビーム電流密度が小さく、
基板上に重金属をパターニングしたマークの場合には信
号のＳ／Ｎ比が悪い。特に、基板からのバックグラウン
ドによって信号のＳ／Ｎ比が低下するという問題があっ
た。
の大きいビームを用いるためビーム電流密度が小さく、
基板上に重金属をパターニングしたマークの場合には信
号のＳ／Ｎ比が悪い。特に、基板からのバックグラウン
ドによって信号のＳ／Ｎ比が低下するという問題があっ
た。
【０００５】本発明の目的は、電子光学系の収差測定を
高精度に行うことができる荷電粒子線露光装置を提供す
ることにある。
高精度に行うことができる荷電粒子線露光装置を提供す
ることにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】発明の実施の形態を示す
図１〜４及び図６に対応付けて説明する。 （１）図１，２に対応付けて説明すると、請求項１の発
明は、電子光学系１０３，１０４を通過した荷電粒子線
ＥＢを基準マークＭに照射して電子光学系１０３，１０
４の歪あるいはボケ等の収差を測定し、その測定結果に
基づいて電子光学系１０３，１０４の調整を行いあるい
は前記収差を補正し露光する荷電粒子線露光装置に適用
され、基準マークＭは、単結晶Ｓiの（１１０）面を表
面とする基板１，２上に長手方向が（１１０）面の＜１
１２＞方位である長方形パターン（図１のマーク１１お
よび２１を構成するパターン）を、その長手方向と直交
する方向（図１のマーク１１のパターンの場合にはｘ方
向で、マーク２１の場合にはｙ方向）に異方性エッチン
グにより複数形成して成ることにより上述の目的を達成
する。 （２）請求項２の発明は、電子光学系１０３，１０４を
通過した荷電粒子線ＥＢを基準マークＭに照射して電子
光学系１０３，１０４の収差を測定し、その測定結果に
基づいて電子光学系１０３，１０４の調整を行いあるい
は前記収差を補正し露光する荷電粒子線露光装置に適用
され、単結晶Ｓiの（１１０）面を表面とする基板上に
長手方向が（１１０）面の＜１１２＞方位である長方形
パターンを、その長手方向と直交する方向に異方性エッ
チングにより複数形成したマーク部材１，２を用いて基
準マーク０を構成し、第１のマーク部材１のパターンの
長手方向と第２のマーク部材２のパターンの長手方向と
が互いに直交するように設けたことにより上述の目的を
達成する。 （３）図２，４に対応付けて説明すると、請求項３の発
明は、電子光学系１０３，１０４を通過した荷電粒子線
ＥＢを基準マークＭに照射して電子光学系１０３，１０
４の収差を測定し、その測定結果に基づいて電子光学系
１０３，１０４の調整を行いあるいは前記収差を補正し
露光する荷電粒子線露光装置に適用され、基準マークＭ
が、単結晶Ｓiの（１００）面を表面とする基板３０の
一部の厚さを薄くして形成したマーク領域３３に、
（ａ）長方形の貫通孔パターン（図４のマーク３１を構
成するパターン）をその長手方向と直交する方向に異方
性エッチングにより複数形成して成る第１のマーク３１
と、（ｂ）長手方向が第１のマーク３１を構成する貫通
孔パターンの長手方向と直交する長方形の貫通孔パター
ン（図４のマーク３２を構成するパターン）を、その長
手方向に直交する方向に異方性エッチングにより複数形
成して成る第２のマーク３２と、を設けて成ることによ
って上述の目的を達成する。 （４）請求項４の発明は、請求項３に記載の荷電粒子線
露光装置において、貫通孔パターンを通過した荷電粒子
線ＥＢを捕捉するファラデーカップ７を基準マークＭの
荷電粒子照射面と反対側の面に対向して設けたことによ
り上述の目的を達成する。 （５）請求項５の発明は、請求項３または請求項４のい
ずれかに記載の荷電粒子線露光装置において、孔パター
ンの開口面積の小さい方の面の少なくともマーク領域３
３に、金属膜Ｐtを形成した。 （６）図２，６に対応付けて説明すると、請求項６の発
明は、電子光学系１０３，１０４を通過した荷電粒子線
ＥＢを基準マークＭに照射して電子光学系１０３，１０
４の収差を測定し、その測定結果に基づいて電子光学系
１０３，１０４の調整を行いあるいは前記収差を補正し
露光する荷電粒子線露光装置に適用され、基準マークＭ
は、（ａ）単結晶Ｓiの（１１０）面を表面とする基板
４０上に長手方向が（１１０）面の＜１１２＞方位であ
る長方形パターン（図６のマーク４１を構成するパター
ン）を、その長手方向と直交する方向（図６のｘ方向）
に異方性エッチングにより複数形成して成る第１のマー
ク４１と、（ｂ）長手方向が第１のマーク４１を構成す
るパターンの長手方向と直交する長方形パターンを、基
板４０上に第１のマーク４１を構成するパターンの長手
方向（図６のｙ方向）に反応性イオンエッチングにより
複数形成して成る第２のマーク４２と、から成ることに
よって上述の目的を達成する。 （７）図３に対応付けて説明すると、請求項７の発明
は、請求項１，請求項２および請求項６のいずれかに記
載の荷電粒子線露光装置において、基準マークを構成す
るパターン（図３のマーク１１および２１を構成するパ
ターン）は貫通孔パターンであって、前記貫通孔パター
ンを通過した荷電粒子線ＥＢを捕捉するファラデーカッ
プ７を前記基準マークの荷電粒子照射面と反対側の面に
対向して設けた。 （８）請求項８の発明は、請求項１，請求項２，請求項
６および請求項７のいずれかに記載の荷電粒子線露光装
置において、基板面の少なくともパターン（図３のマー
ク１１，２１を構成するパターン）を含む領域に金属膜
Ｐtを形成した。
図１〜４及び図６に対応付けて説明する。 （１）図１，２に対応付けて説明すると、請求項１の発
明は、電子光学系１０３，１０４を通過した荷電粒子線
ＥＢを基準マークＭに照射して電子光学系１０３，１０
４の歪あるいはボケ等の収差を測定し、その測定結果に
基づいて電子光学系１０３，１０４の調整を行いあるい
は前記収差を補正し露光する荷電粒子線露光装置に適用
され、基準マークＭは、単結晶Ｓiの（１１０）面を表
面とする基板１，２上に長手方向が（１１０）面の＜１
１２＞方位である長方形パターン（図１のマーク１１お
よび２１を構成するパターン）を、その長手方向と直交
する方向（図１のマーク１１のパターンの場合にはｘ方
向で、マーク２１の場合にはｙ方向）に異方性エッチン
グにより複数形成して成ることにより上述の目的を達成
する。 （２）請求項２の発明は、電子光学系１０３，１０４を
通過した荷電粒子線ＥＢを基準マークＭに照射して電子
光学系１０３，１０４の収差を測定し、その測定結果に
基づいて電子光学系１０３，１０４の調整を行いあるい
は前記収差を補正し露光する荷電粒子線露光装置に適用
され、単結晶Ｓiの（１１０）面を表面とする基板上に
長手方向が（１１０）面の＜１１２＞方位である長方形
パターンを、その長手方向と直交する方向に異方性エッ
チングにより複数形成したマーク部材１，２を用いて基
準マーク０を構成し、第１のマーク部材１のパターンの
長手方向と第２のマーク部材２のパターンの長手方向と
が互いに直交するように設けたことにより上述の目的を
達成する。 （３）図２，４に対応付けて説明すると、請求項３の発
明は、電子光学系１０３，１０４を通過した荷電粒子線
ＥＢを基準マークＭに照射して電子光学系１０３，１０
４の収差を測定し、その測定結果に基づいて電子光学系
１０３，１０４の調整を行いあるいは前記収差を補正し
露光する荷電粒子線露光装置に適用され、基準マークＭ
が、単結晶Ｓiの（１００）面を表面とする基板３０の
一部の厚さを薄くして形成したマーク領域３３に、
（ａ）長方形の貫通孔パターン（図４のマーク３１を構
成するパターン）をその長手方向と直交する方向に異方
性エッチングにより複数形成して成る第１のマーク３１
と、（ｂ）長手方向が第１のマーク３１を構成する貫通
孔パターンの長手方向と直交する長方形の貫通孔パター
ン（図４のマーク３２を構成するパターン）を、その長
手方向に直交する方向に異方性エッチングにより複数形
成して成る第２のマーク３２と、を設けて成ることによ
って上述の目的を達成する。 （４）請求項４の発明は、請求項３に記載の荷電粒子線
露光装置において、貫通孔パターンを通過した荷電粒子
線ＥＢを捕捉するファラデーカップ７を基準マークＭの
荷電粒子照射面と反対側の面に対向して設けたことによ
り上述の目的を達成する。 （５）請求項５の発明は、請求項３または請求項４のい
ずれかに記載の荷電粒子線露光装置において、孔パター
ンの開口面積の小さい方の面の少なくともマーク領域３
３に、金属膜Ｐtを形成した。 （６）図２，６に対応付けて説明すると、請求項６の発
明は、電子光学系１０３，１０４を通過した荷電粒子線
ＥＢを基準マークＭに照射して電子光学系１０３，１０
４の収差を測定し、その測定結果に基づいて電子光学系
１０３，１０４の調整を行いあるいは前記収差を補正し
露光する荷電粒子線露光装置に適用され、基準マークＭ
は、（ａ）単結晶Ｓiの（１１０）面を表面とする基板
４０上に長手方向が（１１０）面の＜１１２＞方位であ
る長方形パターン（図６のマーク４１を構成するパター
ン）を、その長手方向と直交する方向（図６のｘ方向）
に異方性エッチングにより複数形成して成る第１のマー
ク４１と、（ｂ）長手方向が第１のマーク４１を構成す
るパターンの長手方向と直交する長方形パターンを、基
板４０上に第１のマーク４１を構成するパターンの長手
方向（図６のｙ方向）に反応性イオンエッチングにより
複数形成して成る第２のマーク４２と、から成ることに
よって上述の目的を達成する。 （７）図３に対応付けて説明すると、請求項７の発明
は、請求項１，請求項２および請求項６のいずれかに記
載の荷電粒子線露光装置において、基準マークを構成す
るパターン（図３のマーク１１および２１を構成するパ
ターン）は貫通孔パターンであって、前記貫通孔パター
ンを通過した荷電粒子線ＥＢを捕捉するファラデーカッ
プ７を前記基準マークの荷電粒子照射面と反対側の面に
対向して設けた。 （８）請求項８の発明は、請求項１，請求項２，請求項
６および請求項７のいずれかに記載の荷電粒子線露光装
置において、基板面の少なくともパターン（図３のマー
ク１１，２１を構成するパターン）を含む領域に金属膜
Ｐtを形成した。
【０００７】（１）請求項１，２の発明では、Ｓi結晶
の（１１０）面に垂直な（１１１）面が異方性エッチン
グにより形成されたパターンの側壁面となる。 （２）請求項３の発明では、第１のマークと第２のマー
クとは同一基板上の領域３３に形成される。 （３）請求項４，７の発明では、基準マークを構成する
孔パターンを通過した荷電粒子はファラデーカップ７に
捕捉される。 （４）請求項５および８の発明では、基準マークの非パ
ターン部に照射された荷電粒子は金属膜Ｐtにより反射
される。 （５）請求項６の発明では、マーク４１および４２は同
一の基板４０に形成され、マーク４１のパターンでは、
Ｓi結晶の（１１０）面に垂直な（１１１）面がパター
ンの側壁面となり、一方、マーク４２を構成するパター
ンは反応性イオンエッチングにより形成されるため、パ
ターンは基板面に対して垂直な溝または孔となる。
の（１１０）面に垂直な（１１１）面が異方性エッチン
グにより形成されたパターンの側壁面となる。 （２）請求項３の発明では、第１のマークと第２のマー
クとは同一基板上の領域３３に形成される。 （３）請求項４，７の発明では、基準マークを構成する
孔パターンを通過した荷電粒子はファラデーカップ７に
捕捉される。 （４）請求項５および８の発明では、基準マークの非パ
ターン部に照射された荷電粒子は金属膜Ｐtにより反射
される。 （５）請求項６の発明では、マーク４１および４２は同
一の基板４０に形成され、マーク４１のパターンでは、
Ｓi結晶の（１１０）面に垂直な（１１１）面がパター
ンの側壁面となり、一方、マーク４２を構成するパター
ンは反応性イオンエッチングにより形成されるため、パ
ターンは基板面に対して垂直な溝または孔となる。
【０００８】なお、本発明の構成を説明する上記課題を
解決するための手段の項では、本発明を分かり易くする
ために発明の実施の形態の図を用いたが、これにより本
発明が発明の実施の形態に限定されるものではない。
解決するための手段の項では、本発明を分かり易くする
ために発明の実施の形態の図を用いたが、これにより本
発明が発明の実施の形態に限定されるものではない。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下、図１〜図６を参照して本発
明の実施の形態を説明する。 −第１の実施の形態− 図２は本発明による荷電粒子線露光装置の一実施の形態
を示す図であり、荷電粒子線投影露光装置の電子光学系
の概略を示す図である。不図示の荷電粒子線源から出射
され整形された荷電粒子線ＥＢは、偏向器１００により
偏向された後にマスク１０２に設けられた小領域１０２
ａ（所定のマークが形成される）に照射される。小領域
１０２ａを通過した荷電粒子線ＥＢは電子光学系１０
３，１０４を通過した後、ウエハステージ１０５上のフ
ィディシャルマークＭ上に照射される。この荷電粒子線
ＥＢを偏向器１０８でｘ方向およびｙ方向に走査し、マ
ークＭからの反射荷電粒子を検出器１０６で検出するこ
とによって電子光学系１０３，１０４の収差を測定す
る。７はマークＭの下側に設けられたファラデーカップ
である。
明の実施の形態を説明する。 −第１の実施の形態− 図２は本発明による荷電粒子線露光装置の一実施の形態
を示す図であり、荷電粒子線投影露光装置の電子光学系
の概略を示す図である。不図示の荷電粒子線源から出射
され整形された荷電粒子線ＥＢは、偏向器１００により
偏向された後にマスク１０２に設けられた小領域１０２
ａ（所定のマークが形成される）に照射される。小領域
１０２ａを通過した荷電粒子線ＥＢは電子光学系１０
３，１０４を通過した後、ウエハステージ１０５上のフ
ィディシャルマークＭ上に照射される。この荷電粒子線
ＥＢを偏向器１０８でｘ方向およびｙ方向に走査し、マ
ークＭからの反射荷電粒子を検出器１０６で検出するこ
とによって電子光学系１０３，１０４の収差を測定す
る。７はマークＭの下側に設けられたファラデーカップ
である。
【００１０】図１，３は図２のマークＭ部分の拡大図で
あり、図１はマークＭの平面図、図３（ａ）および図３
（ｂ）は図１のＡ−Ａ断面図，Ｂ−Ｂ断面図である。マ
ークＭは２種類のマークから成り、一方は基板１に形成
されて荷電粒子線のｘ方向ビーム分解能またはｘ方向ビ
ーム位置を評価するためのマーク１１であり、他方は基
板２に形成されて荷電粒子線のｙ方向ビーム分解能また
はｙ方向ビーム位置を評価するためのマーク２１であ
る。マーク１１はｙ方向に長い長方形パターンをｘ方向
に所定間隔で複数形成したものであり、マーク２１はｘ
方向に長い長方形パターンをｙ方向に所定間隔で複数形
成したものである。基板１および２は単結晶Ｓｉ基板で
あって、基板表面（ｘｙ平面に平行な面）がＳｉ結晶の
（１１０）面となっている。
あり、図１はマークＭの平面図、図３（ａ）および図３
（ｂ）は図１のＡ−Ａ断面図，Ｂ−Ｂ断面図である。マ
ークＭは２種類のマークから成り、一方は基板１に形成
されて荷電粒子線のｘ方向ビーム分解能またはｘ方向ビ
ーム位置を評価するためのマーク１１であり、他方は基
板２に形成されて荷電粒子線のｙ方向ビーム分解能また
はｙ方向ビーム位置を評価するためのマーク２１であ
る。マーク１１はｙ方向に長い長方形パターンをｘ方向
に所定間隔で複数形成したものであり、マーク２１はｘ
方向に長い長方形パターンをｙ方向に所定間隔で複数形
成したものである。基板１および２は単結晶Ｓｉ基板で
あって、基板表面（ｘｙ平面に平行な面）がＳｉ結晶の
（１１０）面となっている。
【００１１】図１に示すように、基板１のノック孔１３
ａおよび基板２のノック孔２３ａがファラデーカップ７
の面に形成されたノックピン６ａに嵌合し、基板１のノ
ック孔１３ｂおよび基板２のノック孔２３ｂがノックピ
ン６ｂに嵌合するように基板１，２を積層してファラデ
ーカップ７の開口７ａ部分に取り付ける。その際、ノッ
クピン６ａ，６ｂによって、マーク１１および２１のパ
ターンの長手方向が互いに直交するように位置決めされ
る。なお、基板１および２を積層した際にマーク１１，
２１が形成された部分が他方の基板と重ならないよう
に、基板１には開口１２が、基板２には開口２２が形成
されている。
ａおよび基板２のノック孔２３ａがファラデーカップ７
の面に形成されたノックピン６ａに嵌合し、基板１のノ
ック孔１３ｂおよび基板２のノック孔２３ｂがノックピ
ン６ｂに嵌合するように基板１，２を積層してファラデ
ーカップ７の開口７ａ部分に取り付ける。その際、ノッ
クピン６ａ，６ｂによって、マーク１１および２１のパ
ターンの長手方向が互いに直交するように位置決めされ
る。なお、基板１および２を積層した際にマーク１１，
２１が形成された部分が他方の基板と重ならないよう
に、基板１には開口１２が、基板２には開口２２が形成
されている。
【００１２】マーク１１のパターンは次のようにして形
成する。まず、基板１を酸化炉に入れて厚さ１μｍのＳ
iＯ2層を形成した後、片側の面に長方形パターンの長手
方向がＳi結晶の（１１０）面の＜１１２＞方位と平行
になるようにレジストパターンを形成してＳiＯ2を除去
する。このようにして形成されたＳiＯ2をマスクとして
Ｓi基板をヒドラジンやＫＯＨ等を用いて異方性エッチ
ングする。このとき、長方形パターンが（１１０）面の
＜１１２＞方位に形成されているためにＳi結晶の面
（１１１）に倣って異方性エッチングが行われ、各パタ
ーンは（１１１）面を壁面とする基板表面に垂直な孔パ
ターンとなる。さらに、基板１の上面には白金Ｐtが１
００ｎｍの厚さで蒸着される。基板２のマーク２１に関
しても同様に形成される。
成する。まず、基板１を酸化炉に入れて厚さ１μｍのＳ
iＯ2層を形成した後、片側の面に長方形パターンの長手
方向がＳi結晶の（１１０）面の＜１１２＞方位と平行
になるようにレジストパターンを形成してＳiＯ2を除去
する。このようにして形成されたＳiＯ2をマスクとして
Ｓi基板をヒドラジンやＫＯＨ等を用いて異方性エッチ
ングする。このとき、長方形パターンが（１１０）面の
＜１１２＞方位に形成されているためにＳi結晶の面
（１１１）に倣って異方性エッチングが行われ、各パタ
ーンは（１１１）面を壁面とする基板表面に垂直な孔パ
ターンとなる。さらに、基板１の上面には白金Ｐtが１
００ｎｍの厚さで蒸着される。基板２のマーク２１に関
しても同様に形成される。
【００１３】本実施の形態では、ＳiＯ2マスクのパター
ンにエッジラフネスがある点は従来と同様であるが、
（１１０）面を基板表面としその＜１１２＞方位にパタ
ーンの長手方向を設定しているため、結晶の面方向に依
存する異方性エッチングは結晶面（１１１）に倣った形
でパターンが形成される。そのため、レジストやＳiＯ2
マスクのエッジラフネスがパターンエッジにそのまま影
響せず、マーク１１，２１のエッジラフネスは結晶オー
ダーの大きさにまで減少する。
ンにエッジラフネスがある点は従来と同様であるが、
（１１０）面を基板表面としその＜１１２＞方位にパタ
ーンの長手方向を設定しているため、結晶の面方向に依
存する異方性エッチングは結晶面（１１１）に倣った形
でパターンが形成される。そのため、レジストやＳiＯ2
マスクのエッジラフネスがパターンエッジにそのまま影
響せず、マーク１１，２１のエッジラフネスは結晶オー
ダーの大きさにまで減少する。
【００１４】本実施の形態のマーク１１，２１を用いて
電子光学系の収差測定を行えば、従来の基準マークに比
べエッジラフネスが非常に小さいのでより高精度な測定
が可能となる。また、マーク１１，２１を孔パターンで
形成し、基板１，２の下側（荷電粒子線に関して下流
側）に荷電粒子線を吸収するファラデーカップ７を設け
るとともに非孔部分に重金属（Ｐt）層を形成している
ため、非常に高Ｓ／Ｎ比の信号を得ることができる。
電子光学系の収差測定を行えば、従来の基準マークに比
べエッジラフネスが非常に小さいのでより高精度な測定
が可能となる。また、マーク１１，２１を孔パターンで
形成し、基板１，２の下側（荷電粒子線に関して下流
側）に荷電粒子線を吸収するファラデーカップ７を設け
るとともに非孔部分に重金属（Ｐt）層を形成している
ため、非常に高Ｓ／Ｎ比の信号を得ることができる。
【００１５】なお、上述した実施の形態では、別々の基
板１，２にマーク１１，マーク２１を形成し、基板１お
よび２を積み重ねて１組のマークを形成しているので、
マーク間のＺ方向（光軸方向）位置に差ができてしまう
が、荷電粒子線の焦点深度は十分に深いので、少なくと
もどちらか一方の基板のマーク部分を薄くすればほとん
ど問題無い。
板１，２にマーク１１，マーク２１を形成し、基板１お
よび２を積み重ねて１組のマークを形成しているので、
マーク間のＺ方向（光軸方向）位置に差ができてしまう
が、荷電粒子線の焦点深度は十分に深いので、少なくと
もどちらか一方の基板のマーク部分を薄くすればほとん
ど問題無い。
【００１６】また、上述した実施の形態では、底無し孔
パターンでマークを構成したが、有底溝パターンでマー
クを構成してもよい。この場合はファラデーカップを必
要としない。このような溝パターンの場合でも、エッジ
ラフネスは図１に示した孔パターンと同様であるため、
マーク検出精度が向上する。
パターンでマークを構成したが、有底溝パターンでマー
クを構成してもよい。この場合はファラデーカップを必
要としない。このような溝パターンの場合でも、エッジ
ラフネスは図１に示した孔パターンと同様であるため、
マーク検出精度が向上する。
【００１７】−第２の実施の形態− 上述した第１の実施の形態では、マーク１１，２１を別
々の基板（基板表面が（１１０）面になっている）を用
いたが、本実施の形態では図４に示すようにｘ方向およ
びｙ方向に関する２種類のマーク３１，３２を同一基板
３０上に形成する。図４は本発明による荷電粒子線露光
装置の第２の実施の形態を示す図であり、露光装置に設
けられたフィディシャルマークの詳細を示している。図
４において、（ａ）は１枚のＳi基板に形成されたフィ
ディシャルマークの平面図であり、（ｂ）は図４（ａ）
のＣ−Ｃ断面図を示しており、マーク領域３３に形成さ
れたマーク３１，３２はそれぞれ複数の長方形パターン
から成る。図１に示したマーク２１および２２と同様
に、マーク３１は荷電粒子線のｘ方向ビーム分解能また
はｘ方向ビーム位置を評価するためのマークであり、マ
ーク３２はｙ方向ビーム分解能またはｙ方向ビーム位置
を評価するためのマークである。なお、領域３４の基板
上にはＰt層が形成される。
々の基板（基板表面が（１１０）面になっている）を用
いたが、本実施の形態では図４に示すようにｘ方向およ
びｙ方向に関する２種類のマーク３１，３２を同一基板
３０上に形成する。図４は本発明による荷電粒子線露光
装置の第２の実施の形態を示す図であり、露光装置に設
けられたフィディシャルマークの詳細を示している。図
４において、（ａ）は１枚のＳi基板に形成されたフィ
ディシャルマークの平面図であり、（ｂ）は図４（ａ）
のＣ−Ｃ断面図を示しており、マーク領域３３に形成さ
れたマーク３１，３２はそれぞれ複数の長方形パターン
から成る。図１に示したマーク２１および２２と同様
に、マーク３１は荷電粒子線のｘ方向ビーム分解能また
はｘ方向ビーム位置を評価するためのマークであり、マ
ーク３２はｙ方向ビーム分解能またはｙ方向ビーム位置
を評価するためのマークである。なお、領域３４の基板
上にはＰt層が形成される。
【００１８】次に、図５を用いてマーク３１，３２の製
作手順を説明する。本実施の形態の基準マークでは、Ｎ
型Ｓi単結晶基板の基板表面が結晶の（１００）面とな
るようにしてマークを形成する。図５（ａ）に示す工程
では、基板３０の片側の面（図５（ａ）の図示下側の
面）にボロンを拡散させて厚さ１μｍのＰ層を形成した
後、この基板３０を酸化炉に入れて厚さ１μｍのＳiＯ2
を形成する。次いで、図５（ｂ）に示すように、マーク
３１，３２が形成されるマーク領域３３より十分広い領
域３４のＳiＯ2を除去した後、ＳiＯ2をマスクとしヒド
ラジンやＫＯＨ等を用いた異方性エッチングを行う。こ
の際、Ｐ型領域にのみに電圧が印加されるようにしてエ
ッチングを行い、Ｐ／Ｎジャンクションの位置でエッチ
ングが止るようにする。このように（１００）面を表面
とする基板に異方性エッチングを行うと、結晶の（１１
１）面に倣ってエッチングされるため、図５（ｂ）のよ
うに断面の角度が約５５度となる。
作手順を説明する。本実施の形態の基準マークでは、Ｎ
型Ｓi単結晶基板の基板表面が結晶の（１００）面とな
るようにしてマークを形成する。図５（ａ）に示す工程
では、基板３０の片側の面（図５（ａ）の図示下側の
面）にボロンを拡散させて厚さ１μｍのＰ層を形成した
後、この基板３０を酸化炉に入れて厚さ１μｍのＳiＯ2
を形成する。次いで、図５（ｂ）に示すように、マーク
３１，３２が形成されるマーク領域３３より十分広い領
域３４のＳiＯ2を除去した後、ＳiＯ2をマスクとしヒド
ラジンやＫＯＨ等を用いた異方性エッチングを行う。こ
の際、Ｐ型領域にのみに電圧が印加されるようにしてエ
ッチングを行い、Ｐ／Ｎジャンクションの位置でエッチ
ングが止るようにする。このように（１００）面を表面
とする基板に異方性エッチングを行うと、結晶の（１１
１）面に倣ってエッチングされるため、図５（ｂ）のよ
うに断面の角度が約５５度となる。
【００１９】図５（ｃ）の工程では、基板３０のＰ層側
のＳiＯ2上にマーク用のレジストパターンを形成してＳ
iＯ2を除去して、これによりマーク用のＳiＯ2マスクを
形成し、再び異方性エッチングを行う。このとき、断面
角度が約５５度のテーパ状になることを考慮してパター
ンのピッチを設定する。なお、図５（ｃ）では図４に示
したマーク３１のパターンについてのみ示しているが、
基板厚さを小さくしたマーク領域３３にはマーク３１の
パターンとともにマーク３２のパターンも異方性エッチ
ングによって同時に形成される。その後、図５（ｄ）の
工程では、図５（ｂ）の工程でエッチングした領域３３
にＰtを蒸着した後、ＳiＯ2を除去する。
のＳiＯ2上にマーク用のレジストパターンを形成してＳ
iＯ2を除去して、これによりマーク用のＳiＯ2マスクを
形成し、再び異方性エッチングを行う。このとき、断面
角度が約５５度のテーパ状になることを考慮してパター
ンのピッチを設定する。なお、図５（ｃ）では図４に示
したマーク３１のパターンについてのみ示しているが、
基板厚さを小さくしたマーク領域３３にはマーク３１の
パターンとともにマーク３２のパターンも異方性エッチ
ングによって同時に形成される。その後、図５（ｄ）の
工程では、図５（ｂ）の工程でエッチングした領域３３
にＰtを蒸着した後、ＳiＯ2を除去する。
【００２０】このようにしてマーク３１，３２が形成さ
れた基板３０は、第１の実施の形態と同様にファラデー
カップの検出開口部にＰtが蒸着された面（図４（ｂ）
の図示上面）を荷電粒子線の入射側にして取り付けられ
る。
れた基板３０は、第１の実施の形態と同様にファラデー
カップの検出開口部にＰtが蒸着された面（図４（ｂ）
の図示上面）を荷電粒子線の入射側にして取り付けられ
る。
【００２１】本実施の形態においては、各パターン孔の
テーパ面は結晶の（１１１）面に倣って形成されるため
各パターンのエッジ部分はシャープになる。そして、第
１の実施の形態と同様にＰt層を形成するとともに、マ
ークの下流側にファラデーカップを設けているため、第
１の実施の形態と同様に高Ｓ／Ｎ比な信号を得ることが
できる。なお、各パターンがテーパ状の孔となるため第
１の実施の形態に比べてパターンピッチが大きくなりＳ
／Ｎ比の上では不利であるが、マーク３１およびマーク
３２を同一の基板３０に形成することができるためマー
ク３１とマーク３２との直交性を高めることができると
いう利点を有する。
テーパ面は結晶の（１１１）面に倣って形成されるため
各パターンのエッジ部分はシャープになる。そして、第
１の実施の形態と同様にＰt層を形成するとともに、マ
ークの下流側にファラデーカップを設けているため、第
１の実施の形態と同様に高Ｓ／Ｎ比な信号を得ることが
できる。なお、各パターンがテーパ状の孔となるため第
１の実施の形態に比べてパターンピッチが大きくなりＳ
／Ｎ比の上では不利であるが、マーク３１およびマーク
３２を同一の基板３０に形成することができるためマー
ク３１とマーク３２との直交性を高めることができると
いう利点を有する。
【００２２】−第３の実施の形態− 上述した第１の実施の形態では、マーク１１，２１を別
々の基板（基板表面が（１１０）面になっている）を用
いたが、本実施の形態では図６に示すようにｘ方向およ
びｙ方向に関する２種類のマーク４１，４２を同一基板
４０上に形成する。まず、第１の実施の形態のマーク１
１と同様のマーク４１を形成する。すなわち、（１１
０）面の＜１１２＞方位がパターンの長手方向となるよ
うに、ヒドラジンやＫＯＨを用いて異方性エッチングを
行う。次に、マーク２１と同様の各孔パターンを反応性
イオンエッチング（ＲＩＥ）で垂直に形成し、その後、
第１の実施の形態と同様にＰtの蒸着を行いマーク４２
とする。
々の基板（基板表面が（１１０）面になっている）を用
いたが、本実施の形態では図６に示すようにｘ方向およ
びｙ方向に関する２種類のマーク４１，４２を同一基板
４０上に形成する。まず、第１の実施の形態のマーク１
１と同様のマーク４１を形成する。すなわち、（１１
０）面の＜１１２＞方位がパターンの長手方向となるよ
うに、ヒドラジンやＫＯＨを用いて異方性エッチングを
行う。次に、マーク２１と同様の各孔パターンを反応性
イオンエッチング（ＲＩＥ）で垂直に形成し、その後、
第１の実施の形態と同様にＰtの蒸着を行いマーク４２
とする。
【００２３】このように形成したマーク４１および４２
の場合には、第２の実施の形態と同様にマーク相互の直
交性は良いが、ＲＩＥで形成されたマーク４２のパター
ンはマーク４１のパターンに比べてエッジラフネスの点
で劣っている。
の場合には、第２の実施の形態と同様にマーク相互の直
交性は良いが、ＲＩＥで形成されたマーク４２のパター
ンはマーク４１のパターンに比べてエッジラフネスの点
で劣っている。
【００２４】ところで、１チップ分のパターンを複数の
小領域に分割し、パターンが投影露光されるウエハを載
せた試料ステージを連続移動させながら小領域毎に投影
露光する分割投影露光装置では、電子光学系の主視野は
上記連続移動方向と直交する方向に長方形形状をしてい
る。そのため、主視野の長手方向の歪特性を特に高精度
に測定する必要があり、一方、連続移動方向の測定精度
はそれほど高精度を必要としない。
小領域に分割し、パターンが投影露光されるウエハを載
せた試料ステージを連続移動させながら小領域毎に投影
露光する分割投影露光装置では、電子光学系の主視野は
上記連続移動方向と直交する方向に長方形形状をしてい
る。そのため、主視野の長手方向の歪特性を特に高精度
に測定する必要があり、一方、連続移動方向の測定精度
はそれほど高精度を必要としない。
【００２５】そこで、ヒドラジンやＫＯＨを用いたＳi
の異方性エッチングで形成したマーク４１で主視野方向
の測定を行い、ＲＩＥで形成したマーク４２で連続移動
方向の測定を行うようにすれば、主視野方向の歪を精度
良く測定することができる。このとき、連続移動方向に
マーク４１のパターンの長手方向を設定し、主視野方向
にマーク４２のパターンの長手方向を設定すれば良い。
の異方性エッチングで形成したマーク４１で主視野方向
の測定を行い、ＲＩＥで形成したマーク４２で連続移動
方向の測定を行うようにすれば、主視野方向の歪を精度
良く測定することができる。このとき、連続移動方向に
マーク４１のパターンの長手方向を設定し、主視野方向
にマーク４２のパターンの長手方向を設定すれば良い。
【００２６】上述した発明の実施の形態と特許請求の範
囲の構成要素との対応において、基板１は第１のマーク
部材を、基板２は第１のマーク部材を、フィディシャル
マークＭは基準マークを、マーク３１，４１は第１のマ
ークを、マーク３２，４２は第２のマークをそれぞれ構
成する。
囲の構成要素との対応において、基板１は第１のマーク
部材を、基板２は第１のマーク部材を、フィディシャル
マークＭは基準マークを、マーク３１，４１は第１のマ
ークを、マーク３２，４２は第２のマークをそれぞれ構
成する。
【００２７】
【発明の効果】以上説明したように、請求項１および請
求項２の発明によれば、基準マークのパターンにおい
て、Ｓi結晶の（１１１）面がパターンの側壁面となる
ため、パターンエッジは原子間距離のオーダーとなりパ
ターン形状が非常にシャープになる。そのため、高精度
にマーク検出を行うことができるため、光学系の収差を
非常に高精度に測定することができる。請求項３の発明
によれば、基準マークを構成する第１のマークおよび第
２のマークは両者とも同一基板に形成されるためパター
ンの直交性が良い。請求項４および請求項７の発明によ
れば、基準マークを構成する孔パターンを通過した荷電
粒子はファラデーカップに捕捉されるため、反射荷電粒
子信号のＳ／Ｎ比が向上する。請求項５および請求項８
の発明によれば、基準マークの非パターン部に照射され
た荷電粒子は金属膜により反射されるため、非パターン
部の反射荷電粒子が増加して反射荷電粒子信号のＳ／Ｎ
比が向上し、収差を高精度に測定することができる。請
求項６の発明によれば、第１のマークは請求項１の基準
マークのパターンと同様にパターン形状が非常にシャー
プになるので、第１のマークによって測定される方向の
収差は高精度に測定することができる。また、第１およ
び第２のマークを同一の基板上に形成しているため、第
１のマークのパターンと第２のマークのパターンとの直
交性が非常に良い。
求項２の発明によれば、基準マークのパターンにおい
て、Ｓi結晶の（１１１）面がパターンの側壁面となる
ため、パターンエッジは原子間距離のオーダーとなりパ
ターン形状が非常にシャープになる。そのため、高精度
にマーク検出を行うことができるため、光学系の収差を
非常に高精度に測定することができる。請求項３の発明
によれば、基準マークを構成する第１のマークおよび第
２のマークは両者とも同一基板に形成されるためパター
ンの直交性が良い。請求項４および請求項７の発明によ
れば、基準マークを構成する孔パターンを通過した荷電
粒子はファラデーカップに捕捉されるため、反射荷電粒
子信号のＳ／Ｎ比が向上する。請求項５および請求項８
の発明によれば、基準マークの非パターン部に照射され
た荷電粒子は金属膜により反射されるため、非パターン
部の反射荷電粒子が増加して反射荷電粒子信号のＳ／Ｎ
比が向上し、収差を高精度に測定することができる。請
求項６の発明によれば、第１のマークは請求項１の基準
マークのパターンと同様にパターン形状が非常にシャー
プになるので、第１のマークによって測定される方向の
収差は高精度に測定することができる。また、第１およ
び第２のマークを同一の基板上に形成しているため、第
１のマークのパターンと第２のマークのパターンとの直
交性が非常に良い。
【図１】フィディシャルマークの平面図。
【図２】本発明による荷電粒子線露光装置の一実施の形
態を示す図であり、荷電粒子線投影露光装置の電子光学
系の概略を示す図。
態を示す図であり、荷電粒子線投影露光装置の電子光学
系の概略を示す図。
【図３】マークＭ部分の断面図であり、（ａ）は図１の
Ａ−Ａ断面図、（ｂ）は図１のＢ−Ｂ断面図。
Ａ−Ａ断面図、（ｂ）は図１のＢ−Ｂ断面図。
【図４】本発明による第２の実施の形態の荷電粒子線露
光装置に用いられるフィディシャルマークの詳細を示す
図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）はＣ−Ｃ断面図。
光装置に用いられるフィディシャルマークの詳細を示す
図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）はＣ−Ｃ断面図。
【図５】マーク３１，３２の製作手順を説明する図であ
り、（ａ）〜（ｄ）は各工程を示す。
り、（ａ）〜（ｄ）は各工程を示す。
【図６】本発明による第３の実施の形態の荷電粒子線露
光装置に用いられるフィディシャルマークの詳細を示す
平面図。
光装置に用いられるフィディシャルマークの詳細を示す
平面図。
１，２，３０，４０ 基板 ７ ファラデーカップ １１，２１，３１，３２，４１，４２ マーク ３３ マーク領域 １０３，１０４ 電子光学系 Ｍ フィディシャルマーク
Claims (8)
- 【請求項１】 電子光学系を通過した荷電粒子線を基準
マークに照射して前記電子光学系の収差を測定し、その
測定結果に基づいて前記電子光学系の調整を行いあるい
は前記収差を補正し露光する荷電粒子線露光装置におい
て、 前記基準マークは、単結晶Ｓiの（１１０）面を表面と
する基板上に長手方向が（１１０）面の＜１１２＞方位
である長方形パターンを、その長手方向と直交する方向
に異方性エッチングにより複数形成して成ることを特徴
とする荷電粒子線露光装置。 - 【請求項２】 電子光学系を通過した荷電粒子線を基準
マークに照射して前記電子光学系の収差を測定し、その
測定結果に基づいて前記電子光学系の調整を行いあるい
は前記収差を補正し露光する荷電粒子線露光装置におい
て、 単結晶Ｓiの（１１０）面を表面とする基板上に長手方
向が（１１０）面の＜１１２＞方位である長方形パター
ンを、その長手方向と直交する方向に異方性エッチング
により複数形成したマーク部材を２つ用いて前記基準マ
ークを構成し、第１のマーク部材のパターンの長手方向
と第２のマーク部材のパターンの長手方向とが互いに直
交するように設けたことを特徴とする荷電粒子線露光装
置。 - 【請求項３】 電子光学系を通過した荷電粒子線を基準
マークに照射して前記電子光学系の収差を測定し、その
測定結果に基づいて前記電子光学系の調整を行いあるい
は前記収差を補正し露光する荷電粒子線露光装置におい
て、 前記基準マークは、単結晶Ｓiの（１００）面を表面と
する基板の一部の厚さを薄くして形成したマーク領域
に、 （ａ）長方形の貫通孔パターンをその長手方向と直交す
る方向に異方性エッチングにより複数形成して成る第１
のマークと、 （ｂ）長手方向が前記第１のマークを構成する貫通孔パ
ターンの長手方向と直交する長方形の貫通孔パターン
を、その長手方向に直交する方向に異方性エッチングに
より複数形成して成る第２のマークと、を設けて成るこ
とを特徴とする荷電粒子線露光装置。 - 【請求項４】 請求項３に記載の荷電粒子線露光装置に
おいて、 前記貫通孔パターンを通過した荷電粒子線を捕捉するフ
ァラデーカップを前記基準マークの荷電粒子照射面と反
対側の面に対向して設けたことを特徴とする荷電粒子線
露光装置。 - 【請求項５】 請求項３または請求項４のいずれかに記
載の荷電粒子線露光装置において、 前記孔パターンの開口面積の小さい方の面の少なくとも
前記マーク領域に、金属膜を形成したことを特徴とする
荷電粒子線露光装置。 - 【請求項６】 電子光学系を通過した荷電粒子線を基準
マークに照射して前記電子光学系の収差を測定し、その
測定結果に基づいて前記電子光学系の調整を行いあるい
は前記収差を補正し露光する荷電粒子線露光装置におい
て、 前記基準マークは、 （ａ）単結晶Ｓiの（１１０）面を表面とする基板上に
長手方向が（１１０）面の＜１１２＞方位である長方形
パターンを、その長手方向と直交する方向に異方性エッ
チングにより複数形成して成る第１のマークと、 （ｂ）長手方向が前記第１のマークを構成するパターン
の長手方向と直交する長方形パターンを、前記基板上に
前記第１のマークを構成するパターンの長手方向に反応
性イオンエッチングにより複数形成して成る第２のマー
クと、から成ることを特徴とする荷電粒子線露光装置。 - 【請求項７】 請求項１，請求項２および請求項６のい
ずれかに記載の荷電粒子線露光装置において、 前記基準マークを構成するパターンは貫通孔パターンで
あって、前記貫通孔パターンを通過した荷電粒子線を捕
捉するファラデーカップを前記基準マークの荷電粒子照
射面と反対側の面に対向して設けたことを特徴とする荷
電粒子線露光装置。 - 【請求項８】 請求項１，請求項２，請求項６および請
求項７のいずれかに記載の荷電粒子線露光装置におい
て、 前記基板面の少なくとも前記パターンを含む領域に金属
膜を形成したことを特徴とする荷電粒子線露光装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP09577697A JP3755228B2 (ja) | 1997-04-14 | 1997-04-14 | 荷電粒子線露光装置 |
| US09/059,610 US6059981A (en) | 1997-04-14 | 1998-04-13 | Fiducial marks for charged-particle-beam exposure apparatus and methods for forming same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP09577697A JP3755228B2 (ja) | 1997-04-14 | 1997-04-14 | 荷電粒子線露光装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10289851A true JPH10289851A (ja) | 1998-10-27 |
| JP3755228B2 JP3755228B2 (ja) | 2006-03-15 |
Family
ID=14146893
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP09577697A Expired - Fee Related JP3755228B2 (ja) | 1997-04-14 | 1997-04-14 | 荷電粒子線露光装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6059981A (ja) |
| JP (1) | JP3755228B2 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002237444A (ja) * | 2001-02-09 | 2002-08-23 | Nikon Corp | 荷電粒子線露光装置の結像性能の評価方法及び荷電粒子線露光装置 |
| JP2002246298A (ja) * | 2001-02-20 | 2002-08-30 | Nikon Corp | 荷電粒子線露光装置の結像性能の評価方法及び荷電粒子線露光装置 |
| JP2002343710A (ja) * | 2001-05-21 | 2002-11-29 | Sony Corp | マスクおよびその製造方法と半導体装置の製造方法 |
| JP2003077814A (ja) * | 2001-09-05 | 2003-03-14 | Nikon Corp | 荷電粒子線露光装置の結像性能の計測方法及びその計測装置、荷電粒子線露光装置 |
| US6917048B2 (en) * | 2001-05-02 | 2005-07-12 | Nikon Corporation | Methods and devices for controlling blur resulting from the space-charge effect and geometrical aberration in a charged-particle-beam microlithography apparatus |
| JP2007201064A (ja) * | 2006-01-25 | 2007-08-09 | Dainippon Printing Co Ltd | 荷電粒子線露光用マスクおよび製造方法 |
Families Citing this family (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1187800C (zh) * | 1997-04-03 | 2005-02-02 | 株式会社山武 | 电路板以及检测器及其制造方法 |
| US6429090B1 (en) * | 1999-03-03 | 2002-08-06 | Nikon Corporation | Fiducial mark bodies for charged-particle-beam (CPB) microlithography, methods for making same, and CPB microlithography apparatus comprising same |
| EP1131850A2 (en) * | 1999-09-22 | 2001-09-12 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Method for dicing mesa-diodes |
| EP1220585B1 (en) * | 1999-09-27 | 2011-07-06 | Hitachi, Ltd. | Apparatus for charged-particle beam irradiation, and method of control thereof |
| JP4092914B2 (ja) * | 2001-01-26 | 2008-05-28 | セイコーエプソン株式会社 | マスクの製造方法、有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法 |
| US6831282B2 (en) * | 2001-02-09 | 2004-12-14 | Nikon Corporation | Methods and devices for evaluating beam blur in a charged-particle-beam microlithography apparatus |
| US7090325B2 (en) * | 2001-09-06 | 2006-08-15 | Ricoh Company, Ltd. | Liquid drop discharge head and manufacture method thereof, micro device ink-jet head ink cartridge and ink-jet printing device |
| JP3775493B2 (ja) * | 2001-09-20 | 2006-05-17 | セイコーエプソン株式会社 | マスクの製造方法 |
| JP3856123B2 (ja) * | 2002-04-17 | 2006-12-13 | セイコーエプソン株式会社 | マスク及びその製造方法、エレクトロルミネッセンス装置及びその製造方法並びに電子機器 |
| US20040197939A1 (en) * | 2003-03-18 | 2004-10-07 | Clark Corey M. | Method and apparatus for sub-micron device fabrication |
| US9685524B2 (en) | 2005-03-11 | 2017-06-20 | Vishay-Siliconix | Narrow semiconductor trench structure |
| TWI489557B (zh) * | 2005-12-22 | 2015-06-21 | Vishay Siliconix | 高移動率ｐ-通道溝槽及平面型空乏模式的功率型金屬氧化物半導體場效電晶體 |
| US8409954B2 (en) | 2006-03-21 | 2013-04-02 | Vishay-Silconix | Ultra-low drain-source resistance power MOSFET |
| US20090051003A1 (en) * | 2007-08-23 | 2009-02-26 | International Business Machines Corporation | Methods and Structures Involving Electrically Programmable Fuses |
| US9412883B2 (en) | 2011-11-22 | 2016-08-09 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Methods and apparatus for MOS capacitors in replacement gate process |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2514210B2 (ja) * | 1987-07-23 | 1996-07-10 | 日産自動車株式会社 | 半導体基板のエッチング方法 |
| JP2578519B2 (ja) * | 1990-06-01 | 1997-02-05 | 株式会社日立製作所 | 光線による位置検出機能付き荷電粒子線露光装置 |
| US5804314A (en) * | 1994-03-22 | 1998-09-08 | Hewlett-Packard Company | Silicon microstructures and process for their fabrication |
| US5725729A (en) * | 1994-09-26 | 1998-03-10 | The Charles Stark Draper Laboratory, Inc. | Process for micromechanical fabrication |
| JP3404444B2 (ja) * | 1995-11-30 | 2003-05-06 | シャープ株式会社 | 液晶表示素子基板へのスペーサ粒子散布方法及び散布用ジグ板及び散布装置 |
| US5883012A (en) * | 1995-12-21 | 1999-03-16 | Motorola, Inc. | Method of etching a trench into a semiconductor substrate |
-
1997
- 1997-04-14 JP JP09577697A patent/JP3755228B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1998
- 1998-04-13 US US09/059,610 patent/US6059981A/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002237444A (ja) * | 2001-02-09 | 2002-08-23 | Nikon Corp | 荷電粒子線露光装置の結像性能の評価方法及び荷電粒子線露光装置 |
| JP2002246298A (ja) * | 2001-02-20 | 2002-08-30 | Nikon Corp | 荷電粒子線露光装置の結像性能の評価方法及び荷電粒子線露光装置 |
| US6917048B2 (en) * | 2001-05-02 | 2005-07-12 | Nikon Corporation | Methods and devices for controlling blur resulting from the space-charge effect and geometrical aberration in a charged-particle-beam microlithography apparatus |
| JP2002343710A (ja) * | 2001-05-21 | 2002-11-29 | Sony Corp | マスクおよびその製造方法と半導体装置の製造方法 |
| JP4655411B2 (ja) * | 2001-05-21 | 2011-03-23 | ソニー株式会社 | マスクおよびその製造方法と半導体装置の製造方法 |
| JP2003077814A (ja) * | 2001-09-05 | 2003-03-14 | Nikon Corp | 荷電粒子線露光装置の結像性能の計測方法及びその計測装置、荷電粒子線露光装置 |
| JP2007201064A (ja) * | 2006-01-25 | 2007-08-09 | Dainippon Printing Co Ltd | 荷電粒子線露光用マスクおよび製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
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