JPH0328812B2 - - Google Patents
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- JPH0328812B2 JPH0328812B2 JP57116801A JP11680182A JPH0328812B2 JP H0328812 B2 JPH0328812 B2 JP H0328812B2 JP 57116801 A JP57116801 A JP 57116801A JP 11680182 A JP11680182 A JP 11680182A JP H0328812 B2 JPH0328812 B2 JP H0328812B2
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/304—Controlling tubes by information coming from the objects or from the beam, e.g. correction signals
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は電子線を集束偏向制御してシリコン・
ウエハ等の試料面に所望のパターンを描画する電
子線描画装置に関し、特に前記電子線の強度分布
あるいは寸法等の高精度な計測手段を備えた電子
線描画装置に関する。
ウエハ等の試料面に所望のパターンを描画する電
子線描画装置に関し、特に前記電子線の強度分布
あるいは寸法等の高精度な計測手段を備えた電子
線描画装置に関する。
電子線描画装置、特に可変整形型の電子線描画
装置においては、その電子線の強度分布が寸法あ
るいは該電子線の偏向による歪等の情報を正確に
把握することは、高い描画精度を維持する上で重
要なことであり、特に2μｍ以下の微細パターン
を形成する場合には不可欠なものである。
装置においては、その電子線の強度分布が寸法あ
るいは該電子線の偏向による歪等の情報を正確に
把握することは、高い描画精度を維持する上で重
要なことであり、特に2μｍ以下の微細パターン
を形成する場合には不可欠なものである。
従来の可変整形型の電子線描画装置における電
子線の形状観測は次のように行われていた。すな
わち、第１図にその概要を示した如く、Ｘ−Ｙ平
面上を移動可能な試料台５上に電子線１の強度分
布、寸法または焦点を計測するための計測部２
と、前記電子線の偏向による歪等を補正するため
の基準マーク部３とをそれぞれ独立に搭載して固
定し、一方、描画されるシリコン・ウエハ等の試
料４は、前記試料台５上に前記基準マーク部３と
同じ高さになるように調整し固定していた。
子線の形状観測は次のように行われていた。すな
わち、第１図にその概要を示した如く、Ｘ−Ｙ平
面上を移動可能な試料台５上に電子線１の強度分
布、寸法または焦点を計測するための計測部２
と、前記電子線の偏向による歪等を補正するため
の基準マーク部３とをそれぞれ独立に搭載して固
定し、一方、描画されるシリコン・ウエハ等の試
料４は、前記試料台５上に前記基準マーク部３と
同じ高さになるように調整し固定していた。
第２図は前記計測部２と基準マーク部３を拡大
して示すもので、Ａは平面図、Ｂは側面図であ
る。計測部２はタングステンまたは金で構成され
る２本の細いワイヤ６，７をＸ、Ｙ方向に直交す
る如く張つたクロスワイヤであり、基準マーク部
３はシリコン基板１２上に形成された多数の重金
属（金属）製のマークパターン８を所定の位置に
配列した電子線の偏位置補正用マークである。な
お、図は電子線１の断面形状が矩形の場合を示し
ている。この電子線１は前記試料台５を高精度に
駆動するレーザ測長計の直交軸Ｘ、Ｙに正確に一
致して偏向走査される。
して示すもので、Ａは平面図、Ｂは側面図であ
る。計測部２はタングステンまたは金で構成され
る２本の細いワイヤ６，７をＸ、Ｙ方向に直交す
る如く張つたクロスワイヤであり、基準マーク部
３はシリコン基板１２上に形成された多数の重金
属（金属）製のマークパターン８を所定の位置に
配列した電子線の偏位置補正用マークである。な
お、図は電子線１の断面形状が矩形の場合を示し
ている。この電子線１は前記試料台５を高精度に
駆動するレーザ測長計の直交軸Ｘ、Ｙに正確に一
致して偏向走査される。
しかしながら、前記クロスワイヤ６，７は人手
により固定するため、該クロスワイヤの直交軸
X′、Y′を前記電子線１の偏向直交軸Ｘ、Ｙに一
致させることはきわめて難かしく、一方の軸を一
致させた場合（例えばX′＝Ｘの如く）、他方の軸
（この場合ＹとY′）のずれ角θを0.5゜以下に保つ
ことは容易ではない。また、側面図Ｂから明らか
な如く、クロスワイヤ６，７は交差しているため
全厚味Ｈを有し、前記基準マーク部３のマークパ
ターン８と同一平面に置くことができなくなる。
従つてこの種のクロスワイヤによる電子線の焦点
位置は、前記基準マーク部３のマーク面Ｚと差異
を生ずるだけでなく、当然、描画すべき試料面の
位置とも異なつて来るので、これが適用できるの
は電子線の焦点深度が深い場合に限定されること
になる。これは、高速描画において不可欠な大電
流密度の矩形状電子線では、クーロン効果の制約
によつて焦点深度が浅くなるため、前述の如きク
ロスワイヤでは1μｍ以下の微細パターンを高精
度に描画することが困難になるという重大な問題
を生ずる原因となる。
により固定するため、該クロスワイヤの直交軸
X′、Y′を前記電子線１の偏向直交軸Ｘ、Ｙに一
致させることはきわめて難かしく、一方の軸を一
致させた場合（例えばX′＝Ｘの如く）、他方の軸
（この場合ＹとY′）のずれ角θを0.5゜以下に保つ
ことは容易ではない。また、側面図Ｂから明らか
な如く、クロスワイヤ６，７は交差しているため
全厚味Ｈを有し、前記基準マーク部３のマークパ
ターン８と同一平面に置くことができなくなる。
従つてこの種のクロスワイヤによる電子線の焦点
位置は、前記基準マーク部３のマーク面Ｚと差異
を生ずるだけでなく、当然、描画すべき試料面の
位置とも異なつて来るので、これが適用できるの
は電子線の焦点深度が深い場合に限定されること
になる。これは、高速描画において不可欠な大電
流密度の矩形状電子線では、クーロン効果の制約
によつて焦点深度が浅くなるため、前述の如きク
ロスワイヤでは1μｍ以下の微細パターンを高精
度に描画することが困難になるという重大な問題
を生ずる原因となる。
なお、第２図Ｂにおけるフアラデーカツプ９は
前記電子線１の形状を観測する検出器であり、そ
の出力信号１０は直流増幅器、微分器（図示され
ていない）等を経て強度分布や寸法の情報観測に
供せられる。
前記電子線１の形状を観測する検出器であり、そ
の出力信号１０は直流増幅器、微分器（図示され
ていない）等を経て強度分布や寸法の情報観測に
供せられる。
本発明は上記情報に鑑みてなされたもので、そ
の目的とするところは、従来の電子線描画装置に
おける上述の如き問題を解決し、クロスワイヤの
直交性を良好化するとともにクロスワイヤの交差
をなくした十字状パターンとすることにより、焦
点調整を容易にし、信頼性の高い高速指向の電子
描画装置を提供することにある。
の目的とするところは、従来の電子線描画装置に
おける上述の如き問題を解決し、クロスワイヤの
直交性を良好化するとともにクロスワイヤの交差
をなくした十字状パターンとすることにより、焦
点調整を容易にし、信頼性の高い高速指向の電子
描画装置を提供することにある。
本発明の上記目的は、前記電子線の形状計測に
用いる段差のない十字状パターンを前記電子線の
偏向歪補正用の基準マークと同一平面内に形成さ
せた電子線計測手段を具備したことを特徴とする
電子線描画装置によつて達成される。
用いる段差のない十字状パターンを前記電子線の
偏向歪補正用の基準マークと同一平面内に形成さ
せた電子線計測手段を具備したことを特徴とする
電子線描画装置によつて達成される。
以下、本発明の実施例を図面に基づいて詳細に
説明する。
説明する。
第３図Ａ〜Ｈは本発明の一実施例である電子線
描画装置における十字形パターン及び基準マーク
を同一平面内に形成する作成工程を示す図であ
る。
描画装置における十字形パターン及び基準マーク
を同一平面内に形成する作成工程を示す図であ
る。
Ａは適当な厚さの面方位（100）のシリコン基
板の表面（図の記号Ｑに対応）側に、モノシラン
（SiH4）とアンモニア（NH3）とのガス反応によ
るプラズマCVD法によつてシリコン窒化膜
（Si3N4）１５を形成させ、次いでその上に高周
波スパツタリング法によつてシリコン酸化膜
（SiO2）１６を形成させる。その後、シリコン基
板１２の裏面（図の記号Ｐに対応）側に同様の方
法で、SiO2膜１３とSi3N4膜１４とを順次形成さ
せる。
板の表面（図の記号Ｑに対応）側に、モノシラン
（SiH4）とアンモニア（NH3）とのガス反応によ
るプラズマCVD法によつてシリコン窒化膜
（Si3N4）１５を形成させ、次いでその上に高周
波スパツタリング法によつてシリコン酸化膜
（SiO2）１６を形成させる。その後、シリコン基
板１２の裏面（図の記号Ｐに対応）側に同様の方
法で、SiO2膜１３とSi3N4膜１４とを順次形成さ
せる。
Ｂは前記Si3N4膜１４上に電子線または光用レ
ジスト１７を塗布後、図のＩ部に後述する図Ｆの
B1〜B4の如き複数の矩形パターンを露光し、該
露光部分を現像・除去した後、これをマスクとし
てその開口部直下に露出したSi3N4膜１４をプラ
ズマ・ドライエツチングで除去し、これらをマス
クとして更にその下層のSiO2膜１３の露出部を
弗化触素系ガス（CF4等）を用いた反応性スパツ
タエツチングによつて除去することにより、シリ
コン基板１２の表面Ｐの一部に微小間隔dxを隔て
て、開口部A1，A2を設けた状況を示すものであ
る。
ジスト１７を塗布後、図のＩ部に後述する図Ｆの
B1〜B4の如き複数の矩形パターンを露光し、該
露光部分を現像・除去した後、これをマスクとし
てその開口部直下に露出したSi3N4膜１４をプラ
ズマ・ドライエツチングで除去し、これらをマス
クとして更にその下層のSiO2膜１３の露出部を
弗化触素系ガス（CF4等）を用いた反応性スパツ
タエツチングによつて除去することにより、シリ
コン基板１２の表面Ｐの一部に微小間隔dxを隔て
て、開口部A1，A2を設けた状況を示すものであ
る。
Ｃはシリコン基板１２の裏面Ｐに設けた前記開
口部A1，A2のパターン形状に沿つて、シリコン
基板１２をその表面Ｑ側へ貫通するまでエツチン
グ除去した状況を示すものである。この除去に
は、90℃程度に加熱した苛性カリ（KOH）、苛性
ソーダ（NaOH）あるいはエチレンジアミン等
の異方性エツチング液を用いる。エツチング時間
は100μｍ厚のシリコン基板の場合、20分程度で
ある。このようにして形成した開口部B1，B2は、
水平面に対して約54.7゜の傾斜を有し、良好なナ
イフエツジ状の周縁部を有する矩形孔となる。
口部A1，A2のパターン形状に沿つて、シリコン
基板１２をその表面Ｑ側へ貫通するまでエツチン
グ除去した状況を示すものである。この除去に
は、90℃程度に加熱した苛性カリ（KOH）、苛性
ソーダ（NaOH）あるいはエチレンジアミン等
の異方性エツチング液を用いる。エツチング時間
は100μｍ厚のシリコン基板の場合、20分程度で
ある。このようにして形成した開口部B1，B2は、
水平面に対して約54.7゜の傾斜を有し、良好なナ
イフエツジ状の周縁部を有する矩形孔となる。
Ｄは前記レジスト膜１７をアセトン等で剥離
後、前記SiO2膜１３および同１６を弗化水素
（HF）と弗化アンモニウム（NH4F）系のエツチ
ング液中の浸漬して除去する。この際、Si3N4膜
１４はその下のSiO2膜１３のエツチング時にリ
フトオフ除去され、結果には図の如く、可視光や
Ｘ線に対する透明度の高いSi3N4膜１５のみが残
る。このSi3N4膜１５の強度は通常程度（５×
108dyne／cm2）であれば良い。
後、前記SiO2膜１３および同１６を弗化水素
（HF）と弗化アンモニウム（NH4F）系のエツチ
ング液中の浸漬して除去する。この際、Si3N4膜
１４はその下のSiO2膜１３のエツチング時にリ
フトオフ除去され、結果には図の如く、可視光や
Ｘ線に対する透明度の高いSi3N4膜１５のみが残
る。このSi3N4膜１５の強度は通常程度（５×
108dyne／cm2）であれば良い。
Ｅでは、シリコン基板１２の表面Ｑ側のSi3N4
膜１５上の電子線レジスト１８を塗布してから、
図のＪ部分に開口部B1〜B2の両端距離L1よりも
大きなL2の矩形形状で塗りつぶしパターンを描
画する。ついでこの塗りつぶしたパターン部分の
レジスト膜１８を現像剥離後、これをマスクとし
てSi3N4膜１５を弗化炭素系ガスでプラズマ・ド
ライエツチングにより除去する。
膜１５上の電子線レジスト１８を塗布してから、
図のＪ部分に開口部B1〜B2の両端距離L1よりも
大きなL2の矩形形状で塗りつぶしパターンを描
画する。ついでこの塗りつぶしたパターン部分の
レジスト膜１８を現像剥離後、これをマスクとし
てSi3N4膜１５を弗化炭素系ガスでプラズマ・ド
ライエツチングにより除去する。
これにより図Ｆにおいて図ＥのＪの部分に相当
する部分は、十字状窓枠Ｊ−１となつて、開口部
B1〜B4（但し、開口部の相互間隔dX′、dY′はdX′
＞dX、dY′＞dYの関係になる。）が露出される。Ｊ
−２についても同様である。次に、基準マークを
十字状パターンと平行性、直交性よく位置ぎめす
る手順を説明する。後に十字状パターンを形成す
る開口部B1〜B4領域を描画時におけるシリコン
基板１２上の位置や回転補正用の基準部位として
選ぶ。そこで、電子線をＸ、Ｙ方向にそれぞれ
MX、MYの如く走査して位置検出を行う。即ち、
開口部の直下にはシリコン基板１２がなく貫通し
ているため、そこからの反射電子は生じない。そ
れに比し十字状窓枠Ｊ−１，Ｊ−２のシリコン１
２上を走査した時には反射電子が生じるため、図
示しない十字状窓枠Ｊ−１，Ｊ−２上にある反射
電子検出器により双方の差から十字状窓枠Ｊ−
１，Ｊ−２の位置を正確に知ることができる。こ
の様にして検出した十字状窓枠の位置を基準とし
て図Ｅにおいて図ＧのＫの部位に対応する位置Ｋ
に前記基準マーク８に相当するパターン（図Ｆに
おけるC1〜C4に対応）を描画する。このように
電子線を用いて十字状パターンの位置検出を行な
い十字状パターンの位置を基準として基準マーク
のパターンを描画することにより、シリコン基板
１２表面の基準マークの平行性・直交性と、シリ
コン基板１２裏面の４つの矩形孔から形成される
十字状パターンの平行性・直交性は正確かつ容易
に保証される。基準マークパターン描画後、前記
レジスト膜１８を現像剥離し、これをマスクとし
てSi3N4膜１５を弗化炭素系ガスを用いたプラズ
マ・ドライエツチングにより除去することによ
り、図Ｇに示す状況とした後、シリコン基板１２
の表面Ｑ側から金等の重金属Ｎを蒸着させる。
する部分は、十字状窓枠Ｊ−１となつて、開口部
B1〜B4（但し、開口部の相互間隔dX′、dY′はdX′
＞dX、dY′＞dYの関係になる。）が露出される。Ｊ
−２についても同様である。次に、基準マークを
十字状パターンと平行性、直交性よく位置ぎめす
る手順を説明する。後に十字状パターンを形成す
る開口部B1〜B4領域を描画時におけるシリコン
基板１２上の位置や回転補正用の基準部位として
選ぶ。そこで、電子線をＸ、Ｙ方向にそれぞれ
MX、MYの如く走査して位置検出を行う。即ち、
開口部の直下にはシリコン基板１２がなく貫通し
ているため、そこからの反射電子は生じない。そ
れに比し十字状窓枠Ｊ−１，Ｊ−２のシリコン１
２上を走査した時には反射電子が生じるため、図
示しない十字状窓枠Ｊ−１，Ｊ−２上にある反射
電子検出器により双方の差から十字状窓枠Ｊ−
１，Ｊ−２の位置を正確に知ることができる。こ
の様にして検出した十字状窓枠の位置を基準とし
て図Ｅにおいて図ＧのＫの部位に対応する位置Ｋ
に前記基準マーク８に相当するパターン（図Ｆに
おけるC1〜C4に対応）を描画する。このように
電子線を用いて十字状パターンの位置検出を行な
い十字状パターンの位置を基準として基準マーク
のパターンを描画することにより、シリコン基板
１２表面の基準マークの平行性・直交性と、シリ
コン基板１２裏面の４つの矩形孔から形成される
十字状パターンの平行性・直交性は正確かつ容易
に保証される。基準マークパターン描画後、前記
レジスト膜１８を現像剥離し、これをマスクとし
てSi3N4膜１５を弗化炭素系ガスを用いたプラズ
マ・ドライエツチングにより除去することによ
り、図Ｇに示す状況とした後、シリコン基板１２
の表面Ｑ側から金等の重金属Ｎを蒸着させる。
この後、前記レジスト膜１８とSi3N4膜１５を
順次除去すると、図Ｈに示す如く、シリコン基板
１２上には十字状パターンの部位１９と電子線の
偏向歪等を補正するための基準マーク群の部位２
０に重金属パターンが被着形成される。なお、十
字状パターン部１９の裏面側には、開口部B1〜
B4を通して重金属が回折して１９′の如く一部付
着するが、これはシリコン基板１２とその取付台
とのオーミツク接触をとる意味でも好ましいもの
である。
順次除去すると、図Ｈに示す如く、シリコン基板
１２上には十字状パターンの部位１９と電子線の
偏向歪等を補正するための基準マーク群の部位２
０に重金属パターンが被着形成される。なお、十
字状パターン部１９の裏面側には、開口部B1〜
B4を通して重金属が回折して１９′の如く一部付
着するが、これはシリコン基板１２とその取付台
とのオーミツク接触をとる意味でも好ましいもの
である。
また、レジスト材料、エツチング液等は上述実
施例に示したものに限られるものではないことも
言うまでもない。
施例に示したものに限られるものではないことも
言うまでもない。
完成されたシリコン基板１２は、第３図Ｈに示
すごとき外観をしているが、第１図の計測部２と
基準マーク３の両方の機能を備えており、例えば
第１図における台座５の相当部位に試料４と隣接
して固定される。その場合、上記シリコン基板１
２はそのマーク群２０がＸ−Ｙ座標軸と平行とな
る様に調整して固定される。また、シリコン基条
１２と試料４の表面は同一平面に設定されてい
る。この場合、シリコン基板１２に被着形成され
た重金属の厚みは電子線の焦点深度に比して無視
できる値である。さらに、計測部１９の直下にに
対応する台座部分は予め穴あけされており、フア
ラデーカツプ９が十字状パターン１９の直下に設
置され、ビーム形状等の観測が可能となるように
してある。
すごとき外観をしているが、第１図の計測部２と
基準マーク３の両方の機能を備えており、例えば
第１図における台座５の相当部位に試料４と隣接
して固定される。その場合、上記シリコン基板１
２はそのマーク群２０がＸ−Ｙ座標軸と平行とな
る様に調整して固定される。また、シリコン基条
１２と試料４の表面は同一平面に設定されてい
る。この場合、シリコン基板１２に被着形成され
た重金属の厚みは電子線の焦点深度に比して無視
できる値である。さらに、計測部１９の直下にに
対応する台座部分は予め穴あけされており、フア
ラデーカツプ９が十字状パターン１９の直下に設
置され、ビーム形状等の観測が可能となるように
してある。
以上の様に、本発明では基準マーク等を工業的
過程で一体に製造できるので、第３図Ｆに示すご
とく、複数の基準マークを一つの基板上に作成
し、量産することも可能である。
過程で一体に製造できるので、第３図Ｆに示すご
とく、複数の基準マークを一つの基板上に作成
し、量産することも可能である。
以上述べた如く、本発明によれば、円形または
矩形状の断面形状を有する電子線を所定の大きさ
に縮小・偏向して試料面上に微細なパターンを形
成する電子線描画装置において、前記電子線の計
測に用いるクロスワイヤを、偏向歪補正用の基準
マーク面と同一の平面内に十字状パターンに形成
する電子線計測手段を備えたので、前記十字パタ
ーン上で調整した整形電子線の寸法やボケ等の計
測結果は基準マーク上における計測結果と完全に
一致するようになり、正確な調整が可能となると
ともに、十字状パターンそのものの形成もきわめ
て容易になり、これを用いると焦点深度が浅い、
すなわち大電流密度による高速描画も可能になる
という顕著な効果を奏するものである。
矩形状の断面形状を有する電子線を所定の大きさ
に縮小・偏向して試料面上に微細なパターンを形
成する電子線描画装置において、前記電子線の計
測に用いるクロスワイヤを、偏向歪補正用の基準
マーク面と同一の平面内に十字状パターンに形成
する電子線計測手段を備えたので、前記十字パタ
ーン上で調整した整形電子線の寸法やボケ等の計
測結果は基準マーク上における計測結果と完全に
一致するようになり、正確な調整が可能となると
ともに、十字状パターンそのものの形成もきわめ
て容易になり、これを用いると焦点深度が浅い、
すなわち大電流密度による高速描画も可能になる
という顕著な効果を奏するものである。
第１図、第２図は従来の電子線描画装置におけ
る電子線計測手段を示す図、第３図Ａ〜Ｈは本発
明の実施例を説明するための図である。 ６，７……ワイヤ、８，２０……基準マーク、
１２……シリコン基板、１３，１６……SiO2膜、
１４，１５……Si3N4膜、１７，１８……レジス
ト膜、１９……十字状パターン。
る電子線計測手段を示す図、第３図Ａ〜Ｈは本発
明の実施例を説明するための図である。 ６，７……ワイヤ、８，２０……基準マーク、
１２……シリコン基板、１３，１６……SiO2膜、
１４，１５……Si3N4膜、１７，１８……レジス
ト膜、１９……十字状パターン。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 円形または矩形等の断面形状を有する電子線
を所定の大きさに縮小・偏向して試料面上に微細
なパターンを形成する電子線描画装置において、
前記電子線の形状計測に用いる十字状パターン
は、基板上に２行２列に近接して配置した４つの
矩形貫通孔により刻設される十字状基板部分によ
り形成され、かつ前記十字状パターンは前記電子
線の偏向歪補正用の基準マーク面と同一の平面内
に形成されていることを特徴とする電子線描画装
置。 ２ 前記十字状パターンと基準マーク面とを同一
部材上に形成したことを特徴とする特許請求の範
囲第１項記載の記載の電子線描画装置。 ３ 前記十字状パターンと基準マーク面とをシリ
コン結晶の表面上に設けたことを特徴とする特許
請求の範囲第１項または第２項記載の電子線描画
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11680182A JPS598333A (ja) | 1982-07-07 | 1982-07-07 | 電子線描画装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11680182A JPS598333A (ja) | 1982-07-07 | 1982-07-07 | 電子線描画装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS598333A JPS598333A (ja) | 1984-01-17 |
| JPH0328812B2 true JPH0328812B2 (ja) | 1991-04-22 |
Family
ID=14695999
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11680182A Granted JPS598333A (ja) | 1982-07-07 | 1982-07-07 | 電子線描画装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS598333A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54122978A (en) * | 1978-03-16 | 1979-09-22 | Jeol Ltd | Detecting method and its apparatus for electron ray information in electron ray exposure unit |
| JPS5541736A (en) * | 1978-09-20 | 1980-03-24 | Hitachi Ltd | Detection of mark location |
-
1982
- 1982-07-07 JP JP11680182A patent/JPS598333A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54122978A (en) * | 1978-03-16 | 1979-09-22 | Jeol Ltd | Detecting method and its apparatus for electron ray information in electron ray exposure unit |
| JPS5541736A (en) * | 1978-09-20 | 1980-03-24 | Hitachi Ltd | Detection of mark location |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS598333A (ja) | 1984-01-17 |
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