JP3274212B2 - 電子線検出器及びそれを用いた電子線描画装置 - Google Patents

電子線検出器及びそれを用いた電子線描画装置

Info

Publication number
JP3274212B2
JP3274212B2 JP05852493A JP5852493A JP3274212B2 JP 3274212 B2 JP3274212 B2 JP 3274212B2 JP 05852493 A JP05852493 A JP 05852493A JP 5852493 A JP5852493 A JP 5852493A JP 3274212 B2 JP3274212 B2 JP 3274212B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
electron beam
substrate
electron
detector
graphic
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP05852493A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH06275500A (ja
Inventor
康成 早田
博之 伊藤
恭宏 染田
義則 中山
秀寿 佐藤
玄也 松岡
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP05852493A priority Critical patent/JP3274212B2/ja
Priority to KR1019940004993A priority patent/KR100282678B1/ko
Priority to US08/213,737 priority patent/US5396077A/en
Priority to DE4409374A priority patent/DE4409374A1/de
Publication of JPH06275500A publication Critical patent/JPH06275500A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3274212B2 publication Critical patent/JP3274212B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
    • H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
    • H01J37/3174—Particle-beam lithography, e.g. electron beam lithography
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
    • H01J2237/304—Controlling tubes
    • H01J2237/30455—Correction during exposure

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Electron Beam Exposure (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体素子などの製造
に用いられる電子線検出器及びそれを用いた電子線描画
装置に係り、特に、一括図形照射方式を可能にする技術
に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の電子線描画装置では、焦点合せや
非点収差補正などの電子光学系調整を行う際には、矩形
またはポイント状の電子ビームを用いていた。例えば、
矩形またはポイント状の電子ビームで十字のワイヤ上を
Ｘ、Ｙ方向にそれぞれ走査し、電子検出器により透過電
子、あるいは反射電子を検出する。そして、その信号を
走査距離に対して一次微分すると、用いた電子ビームの
Ｘ、Ｙ方向のビームプロファイルが得られる。したがっ
て、このプロファイルをもとにして、電子ビームの焦点
合せや非点収差補正などの電子光学系の調整が行われて
いた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記の従来技
術は、電子ビームの形状が矩形またはポイント状の場合
を対象としたもので、一括図形照射方式のように電子ビ
ームの形状が複雑な図形形状をしている場合には、適用
することはできない。例えば、電子ビームの形状が図９
のように斜めパターンを有する台形状の場合には、Ｘ方
向の走査ではビームプロファイルの立ち上りは１μｍ以
下とはならず、０．１μｍレベルの解像度でエッジシャ
ープネスを計測することは極めて困難である。したがっ
て、上記の従来法をそのまま一括図形照射方式の電子ビ
ームに適用することはできない。
【０００４】本発明はこのような課題を解決するために
なされたもので、一括図形照射方式においても、簡便
に、かつ、高精度に電子光学系の調整を行うことができ
る電子線検出器及びそれを用いた電子線描画装置を提供
することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に、本発明の電子線検出器は、試料面の位置に配置され
た孔径がサブミクロンの孔を有し、電子の飛程より薄い
第１の基板と、前記第１の基板の下に配置された前記第
１の基板の孔より孔径の大きい孔を有し、かつ、電子の
自由工程の１０倍よりも厚い第２の基板と、前記第２の
基板の下に前記第２の基板とは分離して配置された電子
線を検出する検出器を具備することを特徴とする。ま
た、本発明の電子線描画装置は、電子源と、前記電子源
からの電子線をアパーチャにより図形ビームに成形する
手段と、成形された図形ビームを試料に照射する対物レ
ンズと、図形ビームが通過する孔を有し、試料面位置に
配置された第１の基板と、前記第１の基板からの散乱ビ
ームを遮断する電子の自由工程の１０倍よりも厚い厚さ
を有し、図形ビームの一部が通過する孔を有する第２の
基板と、前記第２の基板とは分離され、前記第２の基板
の孔を通過した電子ビームを検出する検出器を具備する
ことを特徴とする。
【０００６】
【作用】この電子線描画装置においては、試料面とほぼ
同一面上にある微小孔の上を、一括図形照射の電子ビー
ムで走査する。この微小孔を通過した電子は、そのまま
下方にある電子検出器で検出されるので、この検出信号
により、複雑な形状の図形電子ビームでも、微小孔の孔
径の解像度で電子ビームの形状を観測することができ
る。したがって、微小孔の孔径を描画図形の最小寸法よ
りも十分に小さくすることにより、十分に高い解像度で
図形電子ビームの形状が観測できる。そして、得られた
図形のエッジシャープネスやコントラストを最大にする
ことにより、電子光学系の調整がなされる。
【０００７】ところで、微小孔を形成する基板に微小な
孔を設けるためには、その基板の厚さを十分に薄くする
必要があり、通常の電子線描画装置で用いられる電子の
飛程よりも、可成り薄くしなければならない。このた
め、微小孔以外の基板部分を照射した電子は基板を透過
し、下方に洩れ出る。しかし、基板の厚さが電子の平均
自由行程の１０倍よりも厚い場合には、殆どの電子は基
板内で大きな角度で散乱されるので、微小孔の基板と電
子検出器との間に制限絞りを設けることによって、殆ど
大部分の散乱電子を阻止することができる。こうして、
非常に高いコントラストで電子ビームの図形信号が得ら
れ、電子光学系の調整を精密に行うことができるように
なる。
【０００８】一方、電子光学系の初期調整を行うには、
複雑な図形の電子ビームを用いるよりも、できるだけ単
純な形状の電子ビームを用いる方が良い。例えば、ライ
ンアンドスペースパターンの場合には、ラインに垂直な
方向の走査により、図２のような検出信号が得られるの
で、これらのピークの大きさが最大になるようにすれ
ば、電子光学系の焦点が最も合った条件が見出される。
また、Ｘ、Ｙ方向に規則正しく並んだドット状の電子ビ
ームを用いれば、Ｘ、Ｙ両方向に対して上記のような信
号を得ることができるので、二次元的な電子光学系の調
整が可能になる。
【０００９】また、これらの本発明に係る調整によれ
ば、従来法のように検出信号を微分する必要がないの
で、その面からも十分にＳ／Ｎ比の高い検出信号が得ら
れ、容易に、かつ、高精度での電子光学系の調整が可能
になる。
【００１０】
【実施例】
〔実施例１〕図３は、本発明に係る一括図形照射方式の
電子線描画装置における電子光学系の全体構成図であ
り、図１は、その図形電子ビームの形状を観測するため
の信号検出部の構成図である。
【００１１】まず、図３において、電子銃８より放射さ
れた電子ビームは第１アパーチァ９で或る大きさに制限
され、転写レンズ１１により第２アパーチァ１２上に投
影される。第２アパーチァ１２上には、電子ビームを各
種の図形に成形するための図形アパーチァが多数個設け
られており、図形選択偏向器１０で電子ビームを偏向し
て、それらの図形を選択する。第２アパーチァ１２によ
り描画図形に成形された電子ビームは、振り戻し偏向器
１３、縮小レンズ１４、対物絞り１５、対物レンズ１６
により試料面１７に結像され、露光される。
【００１２】ここで、上記の図形ビームの焦点合せや非
点収差補正などの電子光学系の調整を行うためには、上
記試料面１７とほぼ同一面上にある微小孔３を有する基
板を試料移動装置（図示せず）により移動し、この微小
孔３が図形電子ビームの直下に位置するようにする。
【００１３】次に、図１により、微小孔３による図形ビ
ームの形状観測について述べる。
【００１４】まず、本実施例においては、試料面１７と
ほぼ同一面に設けられた厚さ１μｍのシリコン基板２
に、０．２５μｍ角の微小孔３が開けられている。そし
て、その上を加速電圧５０ｋＶの図形電子ビーム１（全
体寸法が５μｍ角、ライン幅が０．３μｍのラインアン
ドスペースパターン）で走査する。微小孔３を通過した
透過電子５は電子検出器４により検出され、図形電子ビ
ーム１の形状信号となる。ここでシリコン基板２の厚さ
（１μｍ）は電子ビームの飛程よりも薄いので、シリコ
ン基板２を透過した電子も一部、電子検出器４に混入し
てくる。しかし、これらの電子はシリコン基板２内で大
きな角度で散乱するので、電子検出器４に入射する確率
は１／１０以下と低く、したがって、シリコン基板２の
微小孔３を通過した透過電子５により、ある一定のコン
トラストで図形電子ビーム１の形状信号が得られる。
【００１５】このとき、得られる図形電子ビーム１の形
状信号の解像度は微小孔３の大きさで決まり、本実施例
では、ほぼ０．２５μｍの解像度で図形電子ビーム１の
形状が再現できる。また、本実施例の場合、図形電子ビ
ーム１の形状はライン幅が０．３μｍのラインアンドス
ペースパターンなので、比較的忠実にラインアンドスペ
ースパターンの形状信号が得られる。したがって、これ
らの形状信号から図形電子ビーム１のエッジシャープネ
スが判定でき、焦点合せや非点収差補正などの電子光学
系の調整ができるようになる。例えば、図４は、このよ
うにして得られた信号からバックグラウンドを差引いた
図形電子ビーム１の形状信号である。図中の（ａ）、
（ｂ）、（ｃ）は、電子線描画装置の対物レンズ１６の
励磁を僅かに変えた場合の信号を示している。焦点が合
っているときは山の高さが高くなり、パターンの分離も
良くなる。したがって、図では励磁２（ｂ）の場合が、
最も焦点が合った条件であることになる。こうして、図
形電子ビーム１の焦点合せが正しく行える。
【００１６】ところで、実際の一括図形照射方式の電子
線描画装置では、図３に示したように、電子ビームを図
形選択偏向器１０によって偏向して、第２アパーチァ１
２の上にある様々な図形を選択する。このとき、電子ビ
ームは光軸から外れ、またその外れ量も図形ごとに変化
するので、電子ビームに非点収差が発生したり変化した
り、また、選択する図形の開口率によって電子ビーム量
が変化するので、これにより焦点条件が変化したりす
る。したがって、予め描画の前に、実際に描画に用いる
図形電子ビームを用いて、各図形ごとに焦点や非点収差
の補正量を測定し、記憶しておく。そして、これにより
描画の際に、電子光学系の微細な調整を行う。
【００１７】こうして、各図形の電子ビームを選択する
たびに電子光学系の調整を精密に行うことができるよう
になり、一括図形照射方式により、０．２μｍのライン
アンドスペースパターンを精度良く描画することができ
るようになった。このように、選択する各図形ごとに電
子光学系の調整を行うことができることが、本発明の一
つの大きな特長である。
【００１８】〔実施例２〕本発明に係る第２の実施例を
図５に示す。ここでは、厚さ１μｍのシリコン基板２に
０．１μｍ角の微小孔３が設けられている。また、シリ
コン基板２と電子検出器４との間に、孔径０．５ｍｍの
制限絞り７が設けられている。これにより、シリコン基
板２内で散乱された散乱電子６の殆ど大部分は遮断さ
れ、電子検出器４に到達できない。このため、検出信号
のうち、微小孔３を通過した透過電子５と散乱電子６の
占める比率を６０：１にまで高めることができた。
【００１９】この比率は用いる制限絞り７の孔径に関係
しており、孔径を小さくすることにより、さらに向上す
ることも可能である。図６は制限絞り７の孔径の見込み
角と、透過電子５と散乱電子６の比率との関係を示した
グラフである。このように、本実施例では制限絞り７の
設置により、実施例１に比較して極めてコントラストの
良い形状信号を得ることができるようになった。
【００２０】また、微小孔３として０．１μｍ角の孔を
設けたので、０．１μｍの解像度で図形電子ビーム１の
調整が可能である。実施例１と同様に図形電子ビーム１
を走査することにより、図形電子ビーム１の形状信号が
得られ、そのエッジシャープネスが最大になるように電
子光学系の調整を行う。これにより、最終的には、０．
１５μｍのラインアンドスペースパターンまで、一括図
形照射方式で精度良く描画することができた。
【００２１】〔実施例３〕以上の信号検出では、実際に
描画に用いる図形の電子ビームを用いたが、図７に示す
ラインアンドスペースパターンや、図８のドットパター
ンを調整用パターンとして準備することにより、装置の
稼動初期における電子光学系の調整を容易に、かつ、精
度良く行うことができる。例えば、図８のドットパター
ンを用いると、Ｘ、Ｙ両方向に対して、同時に、図４に
類似した信号を得ることができ、特に、電子光学系の非
点収差の調整が容易になる。
【００２２】また、本発明によれば、検出した電子ビー
ムの形状信号をそのまま電子光学系の調整に用いるの
で、従来技術の微分による信号処理に比べて、極めて雑
音に対して強く、高精度の調整が可能になる。
【００２３】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係る電子
線検出器及びそれを用いた電子線描画装置では、微小孔
により図形電子ビームの形状を高い解像度で、しかも高
いＳ／Ｎ比で検出できるので、一括図形照射方式の電子
光学系の調整を、容易に、かつ、高精度に行うことがで
きる。
【図面の簡単な説明】
【図１】実施例１における、本発明に係る図形電子ビー
ムの形状信号を検出する概略構成図である。
【図２】本発明に係る図形信号（ラインアンドスペース
パターン）の１例である。
【図３】本発明に係る一括図形照射方式電子線描画装置
の電子光学系の全体構成図である。
【図４】実施例１における図形電子ビームの、各焦点条
件における形状信号の１例である。
【図５】実施例２における、本発明に係る図形電子ビー
ムの形状信号を検出する概略構成図である。
【図６】実施例２において、制限絞りを用いたときの絞
り見込み角度と、透過電子／散乱電子の比率との関係を
示すグラフである。
【図７】初期調整のためのラインアンドスペースパター
ンの図である。
【図８】同上、ドットパターンの図である。
【図９】斜線を持つ図形パターンの１例である。
【符号の説明】
１…図形電子ビーム ２…シリコン基板 ３…微小孔 ４…電子検出器 ５…透過電子 ６…散乱電子 ７…制限絞り ８…電子銃 ９…第１アパーチァ １０…図形選択偏向器 １１…転写レンズ １２…第２アパーチァ １３…振り戻し偏向器 １４…縮小レンズ １５…対物絞り １６…対物レンズ １７…試料面
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 中山 義則 東京都国分寺市東恋ケ窪１丁目280番地 株式会社日立製作所 中央研究所内 (72)発明者 佐藤 秀寿 東京都国分寺市東恋ケ窪１丁目280番地 株式会社日立製作所 中央研究所内 (72)発明者 松岡 玄也 東京都国分寺市東恋ケ窪１丁目280番地 株式会社日立製作所 中央研究所内 (56)参考文献 特開 平４−144119（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−218133（ＪＰ，Ａ) 特開 昭57−68031（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/027 H01J 37/244 H01J 37/26

Claims (5)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】試料面の位置に配置された孔径がサブミク
    ロンの孔を有し、電子の飛程より薄い第１の基板と、前
    記第１の基板の下に配置された前記第１の基板の孔より
    孔径の大きい孔を有し、かつ、電子の自由工程の１０倍
    よりも厚い第２の基板と、前記第２の基板の下に前記第
    ２の基板とは分離して配置された電子線を検出する検出
    器を具備することを特徴とする電子線検出器。
  2. 【請求項２】前記検出器が半導体固体検出器であること
    を特徴とする請求項１記載の電子線検出器。
  3. 【請求項３】電子源と、前記電子源からの電子線をアパ
    ーチャにより図形ビームに成形する手段と、成形された
    図形ビームを試料に照射する対物レンズと、図形ビーム
    が通過する孔を有し、試料面位置に配置された第１の基
    板と、前記第１の基板からの散乱ビームを遮断する電子
    の自由工程の１０倍よりも厚い厚さを有し、図形ビーム
    の一部が通過する孔を有する第２の基板と、前記第２の
    基板とは分離され、前記第２の基板の孔を通過した電子
    ビームを検出する検出器を具備することを特徴とする電
    子線描画装置。
  4. 【請求項４】前記検出器が半導体固体検出器であること
    を特徴とする請求項３記載の電子線描画装置。
  5. 【請求項５】前記図形ビームの形状がラインアンドスペ
    ース状、あるいは規則正しく並んだドット状のいずれか
    であることを特徴とする請求項３記載の電子線描画装
    置。
JP05852493A 1993-03-18 1993-03-18 電子線検出器及びそれを用いた電子線描画装置 Expired - Fee Related JP3274212B2 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP05852493A JP3274212B2 (ja) 1993-03-18 1993-03-18 電子線検出器及びそれを用いた電子線描画装置
KR1019940004993A KR100282678B1 (ko) 1993-03-18 1994-03-14 전자광학보정시스템을갖는전자선묘화장치
US08/213,737 US5396077A (en) 1993-03-18 1994-03-16 Electron beam lithography apparatus having electron optics correction system
DE4409374A DE4409374A1 (de) 1993-03-18 1994-03-18 Elektronenstrahllithographie-Gerät mit Elektronenoptik-Korrektursystem

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP05852493A JP3274212B2 (ja) 1993-03-18 1993-03-18 電子線検出器及びそれを用いた電子線描画装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH06275500A JPH06275500A (ja) 1994-09-30
JP3274212B2 true JP3274212B2 (ja) 2002-04-15

Family

ID=13086823

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP05852493A Expired - Fee Related JP3274212B2 (ja) 1993-03-18 1993-03-18 電子線検出器及びそれを用いた電子線描画装置

Country Status (4)

Country Link
US (1) US5396077A (ja)
JP (1) JP3274212B2 (ja)
KR (1) KR100282678B1 (ja)
DE (1) DE4409374A1 (ja)

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3552344B2 (ja) * 1995-07-05 2004-08-11 株式会社ニコン 荷電粒子線によるパターン転写方法および転写装置
US6025600A (en) * 1998-05-29 2000-02-15 International Business Machines Corporation Method for astigmatism correction in charged particle beam systems
JP3508622B2 (ja) * 1999-05-20 2004-03-22 株式会社日立製作所 電子ビーム描画装置および電子ビームを用いた描画方法
US6825480B1 (en) * 1999-06-23 2004-11-30 Hitachi, Ltd. Charged particle beam apparatus and automatic astigmatism adjustment method
US6831282B2 (en) * 2001-02-09 2004-12-14 Nikon Corporation Methods and devices for evaluating beam blur in a charged-particle-beam microlithography apparatus
JP2003077813A (ja) * 2001-09-05 2003-03-14 Nikon Corp 荷電粒子線露光装置の結像性能の評価方法、荷電粒子線露光装置の調整方法、ビームぼけ計測装置及び荷電粒子線露光装置
JP2003077814A (ja) * 2001-09-05 2003-03-14 Nikon Corp 荷電粒子線露光装置の結像性能の計測方法及びその計測装置、荷電粒子線露光装置
JP2003347192A (ja) * 2002-05-24 2003-12-05 Toshiba Corp エネルギービーム露光方法および露光装置
JP2005116731A (ja) * 2003-10-07 2005-04-28 Hitachi High-Technologies Corp 電子ビーム描画装置及び電子ビーム描画方法
JP4557603B2 (ja) * 2004-05-24 2010-10-06 株式会社日立ハイテクノロジーズ 電子ビーム応用装置および電子線描画装置
JP4511303B2 (ja) * 2004-10-05 2010-07-28 株式会社日立ハイテクノロジーズ 荷電粒子線装置および寸法測定方法
JP5116996B2 (ja) * 2006-06-20 2013-01-09 キヤノン株式会社 荷電粒子線描画方法、露光装置、及びデバイス製造方法
JP2008004596A (ja) * 2006-06-20 2008-01-10 Canon Inc 荷電粒子線描画方法、露光装置、及びデバイス製造方法
JP6356538B2 (ja) * 2014-08-27 2018-07-11 株式会社アドバンテスト 露光装置
US10964522B2 (en) * 2018-06-06 2021-03-30 Kla Corporation High resolution electron energy analyzer

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5961134A (ja) * 1982-09-30 1984-04-07 Toshiba Corp 荷電ビ−ム露光装置
US5171965A (en) * 1984-02-01 1992-12-15 Canon Kabushiki Kaisha Exposure method and apparatus
DE3410885A1 (de) * 1984-03-24 1985-10-03 Ibm Deutschland Gmbh, 7000 Stuttgart Fehlerkorrigierte korpuskularstrahllithographie
JPH07118440B2 (ja) * 1986-07-09 1995-12-18 東芝機械株式会社 電子ビ−ム描画装置

Also Published As

Publication number Publication date
DE4409374A1 (de) 1994-09-22
KR940022718A (ko) 1994-10-21
JPH06275500A (ja) 1994-09-30
US5396077A (en) 1995-03-07
KR100282678B1 (ko) 2001-11-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3274212B2 (ja) 電子線検出器及びそれを用いた電子線描画装置
US6037601A (en) Electron beam illumination device, and exposure apparatus with electron beam illumination device
US4370554A (en) Alignment system for particle beam lithography
JP4679978B2 (ja) 荷電粒子ビーム応用装置
JP2000123768A (ja) 荷電粒子線装置及び荷電粒子線装置の調整方法及び半導体デバイスの製造方法
JP3962778B2 (ja) 電子ビーム検出器、並びにそれを用いた電子ビーム描画方法及び電子ビーム描画装置
US4513203A (en) Mask and system for mutually aligning objects in ray exposure systems
JPH09320931A (ja) 結像特性計測方法及び該方法を使用する転写装置
JP3368579B2 (ja) 電子線リソグラフィ・システムを較正する方法及びシステム
JP3299647B2 (ja) 電子線描画装置および電子線描画方法
JP3288767B2 (ja) 荷電ビーム描画装置
US20010052573A1 (en) Target mark member, method for manufacturing, and electron beam exposure apparatus thereof
US4158140A (en) Electron beam exposure apparatus
JP3064375B2 (ja) 電子線描画装置及びその調整法
JP3544657B2 (ja) 電子ビーム描画装置
US4737646A (en) Method of using an electron beam
JP3051099B2 (ja) マーク基板，マーク基板の製造方法，電子ビーム描画装置及び電子ビーム描画装置の光学系の調整方法
JP2005116731A (ja) 電子ビーム描画装置及び電子ビーム描画方法
JPH0414490B2 (ja)
JPH09293652A (ja) 荷電粒子ビーム露光装置及びその方法
JPS63263720A (ja) 電子ビ−ム描画装置
JP2004071691A (ja) マルチビーム計測方法及びマルチビーム装置
JPH0541349A (ja) 荷電粒子露光装置とその調整方法
JP2001126978A (ja) 電子ビーム露光装置、その調整方法、及び調整に使用するブロックマスク
JP3458854B2 (ja) 電子線描画方法

Legal Events

Date Code Title Description
FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080201

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090201

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100201

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100201

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110201

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120201

Year of fee payment: 10

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees