JP3368579B2 - 電子線リソグラフィ・システムを較正する方法及びシステム - Google Patents
電子線リソグラフィ・システムを較正する方法及びシステムInfo
- Publication number
- JP3368579B2 JP3368579B2 JP00977998A JP977998A JP3368579B2 JP 3368579 B2 JP3368579 B2 JP 3368579B2 JP 00977998 A JP00977998 A JP 00977998A JP 977998 A JP977998 A JP 977998A JP 3368579 B2 JP3368579 B2 JP 3368579B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electron beam
- calibration plate
- adjusting
- array
- plate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
- H01J37/3174—Particle-beam lithography, e.g. electron beam lithography
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/304—Controlling tubes by information coming from the objects or from the beam, e.g. correction signals
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
- H01J2237/304—Controlling tubes
- H01J2237/30433—System calibration
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
- H01J2237/317—Processing objects on a microscale
- H01J2237/3175—Lithography
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、一般に、投射電子
線リソグラフィ・システムに関し、より詳細には、この
ようなシステムを較正する方法および装置に関する。
線リソグラフィ・システムに関し、より詳細には、この
ようなシステムを較正する方法および装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】大規模な集積回路を作成するために電子
線リソグラフィ・システムが使用される。このようなシ
ステムの主な利点は、きわめて微細なパターンを製造す
るために使用できることである。たとえば、電子線リソ
グラフィ・システムを使って、０．０２μｍ未満の位置
決め誤差で０．０５μｍ未満の幅の線を形成することが
できる。
線リソグラフィ・システムが使用される。このようなシ
ステムの主な利点は、きわめて微細なパターンを製造す
るために使用できることである。たとえば、電子線リソ
グラフィ・システムを使って、０．０２μｍ未満の位置
決め誤差で０．０５μｍ未満の幅の線を形成することが
できる。
【０００３】投射電子線システムにおいて、ウェハに転
写されるパターンは、サブフィールドあるいはセルに細
分される。電子線は、そのようなサブフィールドの１つ
に偏向され、サブフィールド内のマスク上のフィーチャ
に放射される。次に、サブフィールドの像がウェハ上に
投射される。ウェハ上のパターンは、ウェハの上にチッ
ブを形成するために隙間なく継ぎ合わさなければならな
い多数のサブフィールドからなる。このプロセスは、ウ
ェハ上の各チッブごとに繰り返される。次に、投射され
た電子線像が、レジストで被覆されたウェハ上に導かれ
る。電子線レジストが現像され、レジストのパターン
が、ウェハ上のエッチング・マスクまたは付着マスクと
して利用される。
写されるパターンは、サブフィールドあるいはセルに細
分される。電子線は、そのようなサブフィールドの１つ
に偏向され、サブフィールド内のマスク上のフィーチャ
に放射される。次に、サブフィールドの像がウェハ上に
投射される。ウェハ上のパターンは、ウェハの上にチッ
ブを形成するために隙間なく継ぎ合わさなければならな
い多数のサブフィールドからなる。このプロセスは、ウ
ェハ上の各チッブごとに繰り返される。次に、投射され
た電子線像が、レジストで被覆されたウェハ上に導かれ
る。電子線レジストが現像され、レジストのパターン
が、ウェハ上のエッチング・マスクまたは付着マスクと
して利用される。
【０００４】ビームをウェハ上に導くとき、一般にビー
ムは縮小され、１つまたは複数の偏向板を使ってウェハ
の特定の領域にビームを導く。ウェハ上に正確な回路を
作成するためには、ビームの縮小が正確であり、サブフ
ィールドが、ウェハの焦点面できわめて固有の回転およ
び直交性をもつことが重要である。
ムは縮小され、１つまたは複数の偏向板を使ってウェハ
の特定の領域にビームを導く。ウェハ上に正確な回路を
作成するためには、ビームの縮小が正確であり、サブフ
ィールドが、ウェハの焦点面できわめて固有の回転およ
び直交性をもつことが重要である。
【０００５】本発明の一目的は、投射電子線リソグラフ
ィ・システムを較正するための方法および装置を提供す
ることである。
ィ・システムを較正するための方法および装置を提供す
ることである。
【０００６】本発明の他の目的は、投射電子線リソグラ
フィ・システムにおいてサブフィールドの回転および倍
率の調整を行うためのテスト・パターンおよび技術を提
供することである。
フィ・システムにおいてサブフィールドの回転および倍
率の調整を行うためのテスト・パターンおよび技術を提
供することである。
【０００７】本発明の他の目的は、電子線のサブフィー
ルドの倍率および回転を実時間で測定し調整するシステ
ムおよび手順を提供することである。
ルドの倍率および回転を実時間で測定し調整するシステ
ムおよび手順を提供することである。
【０００８】以上その他の目的は、投射電子線を較正す
る方法およびシステムによって達成される。本発明の一
実施形態においては、電子線は、第１のマスク・パター
ンを介して、第１の較正プレート上に導かれる。第２の
実施形態においては、電子線は、第２のマスク・パター
ンを介して第２の較正プレート上に導かれる。第１のマ
スク・パターンと較正プレートは、電子線の向きを調整
するために使用され、第２のマスク・パターンと較正プ
レートは、電子線の倍率を調整するために使用される。
る方法およびシステムによって達成される。本発明の一
実施形態においては、電子線は、第１のマスク・パター
ンを介して、第１の較正プレート上に導かれる。第２の
実施形態においては、電子線は、第２のマスク・パター
ンを介して第２の較正プレート上に導かれる。第１のマ
スク・パターンと較正プレートは、電子線の向きを調整
するために使用され、第２のマスク・パターンと較正プ
レートは、電子線の倍率を調整するために使用される。
【０００９】たとえば、第１のマスク・パターンは、電
子線を線の形にすることができ、第１の較正プレート
は、同様の線の形でもよい。この較正線を横切って電子
線が走査され、電子線の線像と較正プレート上の線との
間で、所定の相関が得られるまでビームの回転が調整さ
れる。
子線を線の形にすることができ、第１の較正プレート
は、同様の線の形でもよい。この較正線を横切って電子
線が走査され、電子線の線像と較正プレート上の線との
間で、所定の相関が得られるまでビームの回転が調整さ
れる。
【００１０】本発明のもう１つの実施形態においては、
電子線の倍率を較正するために較正プレートが提供され
る。この較正プレートは、アレイを有し、電子線はその
アレイを横切って走査される。電子線と較正プレート上
のアレイの間に所定の相関が得られるまで、電子線の倍
率が調節される。較正プレート上のアレイは２次元配列
であり、四角形の複数の行を含む。それぞれの行内で
は、四角形の間隔はほぼ均一であるが、その間隔は行ご
とに徐々に変化する。
電子線の倍率を較正するために較正プレートが提供され
る。この較正プレートは、アレイを有し、電子線はその
アレイを横切って走査される。電子線と較正プレート上
のアレイの間に所定の相関が得られるまで、電子線の倍
率が調節される。較正プレート上のアレイは２次元配列
であり、四角形の複数の行を含む。それぞれの行内で
は、四角形の間隔はほぼ均一であるが、その間隔は行ご
とに徐々に変化する。
【００１１】
【発明の実施の形態】図１は、電子銃１２、集光レンズ
１４、照射成形アパーチャ１６、ブランキング・プレー
ト２０、ブランキング・アパーチャ２２、マスク偏向ヨ
ーク２４、マスク２６、マスク・ステージ３０、ポスト
偏向ヨーク３２、縮小レンズ３４、回転／倍率修正レン
ズ３６、対物レンズ４０、ウェハ４２、ウェハ・ステー
ジ４４、透過検出器４６および後方散乱検出器５０を含
む電子線リソグラフィ・システム１０を概略的に示す。
一般に、システム１０の動作において、電子銃１２が電
子線５２を放射し、そのビームが照射アパーチャ１６を
通過して、特定の断面形状に成形される。次に、成形さ
れたビームは、マスク偏向ヨーク２４によって、マスク
２６上に位置決めされ、そこでビームの断面形状がさら
に形成される。
１４、照射成形アパーチャ１６、ブランキング・プレー
ト２０、ブランキング・アパーチャ２２、マスク偏向ヨ
ーク２４、マスク２６、マスク・ステージ３０、ポスト
偏向ヨーク３２、縮小レンズ３４、回転／倍率修正レン
ズ３６、対物レンズ４０、ウェハ４２、ウェハ・ステー
ジ４４、透過検出器４６および後方散乱検出器５０を含
む電子線リソグラフィ・システム１０を概略的に示す。
一般に、システム１０の動作において、電子銃１２が電
子線５２を放射し、そのビームが照射アパーチャ１６を
通過して、特定の断面形状に成形される。次に、成形さ
れたビームは、マスク偏向ヨーク２４によって、マスク
２６上に位置決めされ、そこでビームの断面形状がさら
に形成される。
【００１２】電子線５２の最終的な形状が決定された
後、縮小レンズ３４を使って、ビームのサイズまたは倍
率を縮小することができる。また、修正レンズ３６を使
って、ビームの回転、直交性および焦点を調節すること
ができる。次に、ビーム５２は、ステージ４４で支持さ
れたウェハ４２上に入射する。ウェハ４２は、電子感受
性レジスト材料で覆われ、ビーム５２がそのレジスト
を、照射アパーチャ１６およびマスク２６によって規定
されるパターンで露光する。透過検出器４６は、ウェハ
４２を貫通する電子の強度を検出しそれを表わす信号を
生成するために使用される。後方散乱検出器５０は、ウ
ェハ４２から上方に散乱される電子の強度を検出し、そ
れを表わす信号を生成するために設けられる。
後、縮小レンズ３４を使って、ビームのサイズまたは倍
率を縮小することができる。また、修正レンズ３６を使
って、ビームの回転、直交性および焦点を調節すること
ができる。次に、ビーム５２は、ステージ４４で支持さ
れたウェハ４２上に入射する。ウェハ４２は、電子感受
性レジスト材料で覆われ、ビーム５２がそのレジスト
を、照射アパーチャ１６およびマスク２６によって規定
されるパターンで露光する。透過検出器４６は、ウェハ
４２を貫通する電子の強度を検出しそれを表わす信号を
生成するために使用される。後方散乱検出器５０は、ウ
ェハ４２から上方に散乱される電子の強度を検出し、そ
れを表わす信号を生成するために設けられる。
【００１３】システム１０においては、従来のまたは標
準の要素を使用することができる。さらに、当業者には
理解されるように、システム１０は、システムの所期の
用途に応じて追加のまたは異なる要素を備えることもあ
る。また、通常、システム１０中の拡大レンズが、電子
線のサイズを縮小するために使用されることに留意され
たい。本発明は、電子線のサイズを縮小する荷電粒子投
射リソグラフィ・システムと、電子線のサイズを増大す
る同システムの両方に使用することができる。したがっ
て、本明細書および頭記の特許請求の範囲で使用される
「倍率」という用語は、電子線のサイズを増大させるこ
とも縮小させることも意味する。
準の要素を使用することができる。さらに、当業者には
理解されるように、システム１０は、システムの所期の
用途に応じて追加のまたは異なる要素を備えることもあ
る。また、通常、システム１０中の拡大レンズが、電子
線のサイズを縮小するために使用されることに留意され
たい。本発明は、電子線のサイズを縮小する荷電粒子投
射リソグラフィ・システムと、電子線のサイズを増大す
る同システムの両方に使用することができる。したがっ
て、本明細書および頭記の特許請求の範囲で使用される
「倍率」という用語は、電子線のサイズを増大させるこ
とも縮小させることも意味する。
【００１４】図２および図３は、それぞれ電子線５２の
回転を試験するために使用する較正プレート６２とマス
ク・プレート６４を示す。較正プレート６２は、好まし
くは金やタングステンなどの適切な後方散乱材料からな
る線ターゲット６２ａを有し、マスク・プレート６４
は、線ターゲット６２ａの形状に対応する線状断面の電
子線５２を成形するように設計された線アパーチャ６４
ａを構成する。ターゲット６２ａとアパーチャ６４ａ
は、システム１０においてプレート６２および６４をそ
れぞれウェハ４２およびマスク２６の代わりに使用する
ときに、ターゲット６２ａがターゲット平面において電
子線の投射像と同じサイズになるように位置決めするこ
とが好ましい。
回転を試験するために使用する較正プレート６２とマス
ク・プレート６４を示す。較正プレート６２は、好まし
くは金やタングステンなどの適切な後方散乱材料からな
る線ターゲット６２ａを有し、マスク・プレート６４
は、線ターゲット６２ａの形状に対応する線状断面の電
子線５２を成形するように設計された線アパーチャ６４
ａを構成する。ターゲット６２ａとアパーチャ６４ａ
は、システム１０においてプレート６２および６４をそ
れぞれウェハ４２およびマスク２６の代わりに使用する
ときに、ターゲット６２ａがターゲット平面において電
子線の投射像と同じサイズになるように位置決めするこ
とが好ましい。
【００１５】電子線５２の回転を試験するために、シス
テム１０内にウェハ４２とマスク２６の代わりにプレー
ト６２および６４を配置し、線ターゲット６２ａ上で線
状電子線を前後に掃引し、後方散乱検出器５０から信号
を検出する。たとえば図４に示したように、電子線５２
が線ターゲット６２ａと回転が合っていないときは、後
方散乱信号は、時間に対してプロットしたとき、図６の
６６ａに示すように比較的広い幅のパルス形状となる。
しかし、図５に示すように、電子線５２がターゲットと
回転が合っているときは、後方散乱信号は、この場合も
時間に対してプロットすると、図７の６６ｂに示すよう
な幅が小さく振幅が大きくなったパルス形状となる。後
方散乱信号のパルス幅が最小になり信号振幅が最大にな
るまで、システム１０の回転補正レンズ３６が、手動ま
たは自動で少しずつ調整される。
テム１０内にウェハ４２とマスク２６の代わりにプレー
ト６２および６４を配置し、線ターゲット６２ａ上で線
状電子線を前後に掃引し、後方散乱検出器５０から信号
を検出する。たとえば図４に示したように、電子線５２
が線ターゲット６２ａと回転が合っていないときは、後
方散乱信号は、時間に対してプロットしたとき、図６の
６６ａに示すように比較的広い幅のパルス形状となる。
しかし、図５に示すように、電子線５２がターゲットと
回転が合っているときは、後方散乱信号は、この場合も
時間に対してプロットすると、図７の６６ｂに示すよう
な幅が小さく振幅が大きくなったパルス形状となる。後
方散乱信号のパルス幅が最小になり信号振幅が最大にな
るまで、システム１０の回転補正レンズ３６が、手動ま
たは自動で少しずつ調整される。
【００１６】ｘ軸およびｙ軸と呼ばれる直交する２つの
方向で回転レンズ３６の適切な設定を決定するために、
線状ターゲット６２ａの代わりに十字状ターゲットを使
用することができる。各軸ごとに回転レンズの設定が異
なる場合は、投射像の直交性を調節する必要がある。こ
れは収差によるものである。スチグマタ・コイル（Stig
mator coil)を、この場合も手動または自動で調節し
て、直交性を補正または設定することができる。
方向で回転レンズ３６の適切な設定を決定するために、
線状ターゲット６２ａの代わりに十字状ターゲットを使
用することができる。各軸ごとに回転レンズの設定が異
なる場合は、投射像の直交性を調節する必要がある。こ
れは収差によるものである。スチグマタ・コイル（Stig
mator coil)を、この場合も手動または自動で調節し
て、直交性を補正または設定することができる。
【００１７】代替手順として、図８を参照すると、シス
テム１０において、較正プレート６２にスリット６２ｂ
を設け、透過信号電子検出器４６を較正プレートの下に
配置することもできる。線状電子線５２がスリット６２
ｂを横切って掃引され、透過検出器が、スリット６２ｂ
を通過する電子を収集する。この手順の場合は、前述の
手順と同様に、透過検出器４６によって検出される電子
線強度信号の振幅と幅は、電子線とターゲット６２ｂの
回転アライメントにそれぞれ正比例および反比例して変
化する。すなわち、時間に対してプロットしたとき、そ
のアライメントが向上または改善されるほど電子線信号
の幅が小さくなり、電子線信号の振幅は増大する。
テム１０において、較正プレート６２にスリット６２ｂ
を設け、透過信号電子検出器４６を較正プレートの下に
配置することもできる。線状電子線５２がスリット６２
ｂを横切って掃引され、透過検出器が、スリット６２ｂ
を通過する電子を収集する。この手順の場合は、前述の
手順と同様に、透過検出器４６によって検出される電子
線強度信号の振幅と幅は、電子線とターゲット６２ｂの
回転アライメントにそれぞれ正比例および反比例して変
化する。すなわち、時間に対してプロットしたとき、そ
のアライメントが向上または改善されるほど電子線信号
の幅が小さくなり、電子線信号の振幅は増大する。
【００１８】前に述べたどちらの手順でも、検出した電
子信号をディジタル化して、回転補正レンズ３６の設定
を決定するために自動的に処理することができる。たと
えば、図７でたとえば７０ａや７０ｂに示すようなクリ
ップ・ポイントと呼ばれる２つ以上の強度値における検
出電子パルス信号の幅を利用して、パルス幅がいつ最小
になるかを決定することができる。
子信号をディジタル化して、回転補正レンズ３６の設定
を決定するために自動的に処理することができる。たと
えば、図７でたとえば７０ａや７０ｂに示すようなクリ
ップ・ポイントと呼ばれる２つ以上の強度値における検
出電子パルス信号の幅を利用して、パルス幅がいつ最小
になるかを決定することができる。
【００１９】図９および図１０はそれぞれ、システム１
０の倍率を試験し調節するために利用できる較正プレー
ト７２とマスク・プレート７４を示す。プレート７２
は、好ましくは高い後方散乱特性をもつ材料からなる四
角形７６ａのアレイ７６を有し、このアレイは、プレー
ト７２上に連続して配列された複数の行８０ａ〜８０ｊ
を含む。各行内では、四角形の間隔はほぼ一定である
が、図９に見られるように下の行になるにつれてその間
隔は徐々に大きくなる。図１０を参照すると、マスク７
４は、電子線５２の断面を四角形の行にするように設計
された複数の四角形のアパーチャ７４を形成する。
０の倍率を試験し調節するために利用できる較正プレー
ト７２とマスク・プレート７４を示す。プレート７２
は、好ましくは高い後方散乱特性をもつ材料からなる四
角形７６ａのアレイ７６を有し、このアレイは、プレー
ト７２上に連続して配列された複数の行８０ａ〜８０ｊ
を含む。各行内では、四角形の間隔はほぼ一定である
が、図９に見られるように下の行になるにつれてその間
隔は徐々に大きくなる。図１０を参照すると、マスク７
４は、電子線５２の断面を四角形の行にするように設計
された複数の四角形のアパーチャ７４を形成する。
【００２０】ターゲットのアレイ７６は、システム１０
中でプレート７２および７４がそれぞれウェハ４２およ
びマスク２６の代りに使用されるときに、ビームの倍率
が適切ならば中央の２つの四角形の行８０ｅおよび８０
ｆが、電子線５２の投射像のウィンドウ・パターンと正
確に一致するように配置される。これらの中央の行から
遠ざかる第１の方向、つまり図９において上方の行にな
るほど、ターゲット四角形は行ごとに徐々に接近し、中
央の行から遠ざかる他方の方向、つまり図９において下
方の行になるほど、ターゲット四角形は徐々に離間す
る。より詳細には、行８０ｅのすぐ上の四角形の行８０
ｄでは、ターゲット四角形は、行８０ｅよりも接近して
いる。同様に、行８０ｃの四角形は行８０ｄよりも接近
しており、行８０ｃよりも行８０ｂの方が四角形が接近
し、行８０ｂよりも行８０ａの方が接近している。これ
と反対に、行８０ｆよりも行８０ｇの方が四角形は離れ
ており、行８０ｇよりも行８０ｈの方が離れており、さ
らに行８０ｈよりも行８０ｉの方が離れている。
中でプレート７２および７４がそれぞれウェハ４２およ
びマスク２６の代りに使用されるときに、ビームの倍率
が適切ならば中央の２つの四角形の行８０ｅおよび８０
ｆが、電子線５２の投射像のウィンドウ・パターンと正
確に一致するように配置される。これらの中央の行から
遠ざかる第１の方向、つまり図９において上方の行にな
るほど、ターゲット四角形は行ごとに徐々に接近し、中
央の行から遠ざかる他方の方向、つまり図９において下
方の行になるほど、ターゲット四角形は徐々に離間す
る。より詳細には、行８０ｅのすぐ上の四角形の行８０
ｄでは、ターゲット四角形は、行８０ｅよりも接近して
いる。同様に、行８０ｃの四角形は行８０ｄよりも接近
しており、行８０ｃよりも行８０ｂの方が四角形が接近
し、行８０ｂよりも行８０ａの方が接近している。これ
と反対に、行８０ｆよりも行８０ｇの方が四角形は離れ
ており、行８０ｇよりも行８０ｈの方が離れており、さ
らに行８０ｈよりも行８０ｉの方が離れている。
【００２１】システムの倍率を試験し調整するために、
システム１０中で、プレート７２および７４をウェハ４
２およびマスク２６の代りに配置し、電子線５２は、プ
レート７４によってウィンドウ・パターンに成形され、
ターゲット・アレイ７６を横切って走査される像８４を
作成する。電子線パターンは、電子線のウィンドウ・パ
ターンがターゲット・アレイ７６の行８０ａ〜８０ｊ全
体に向けられるように、１回に１行ずつ走査されること
が好ましい。電子線がアレイ７６を横切って走査される
につれ、後方散乱信号が収集され分析される。最も強い
後方散乱信号は、電子線がターゲット像の行と一致する
ときに発生し、ビームが、電子線の四角形の間隔よりも
大きいかまたは小さい四角形の間隔を有するターゲット
行に向けられるとき、信号の強度は弱くなる。
システム１０中で、プレート７２および７４をウェハ４
２およびマスク２６の代りに配置し、電子線５２は、プ
レート７４によってウィンドウ・パターンに成形され、
ターゲット・アレイ７６を横切って走査される像８４を
作成する。電子線パターンは、電子線のウィンドウ・パ
ターンがターゲット・アレイ７６の行８０ａ〜８０ｊ全
体に向けられるように、１回に１行ずつ走査されること
が好ましい。電子線がアレイ７６を横切って走査される
につれ、後方散乱信号が収集され分析される。最も強い
後方散乱信号は、電子線がターゲット像の行と一致する
ときに発生し、ビームが、電子線の四角形の間隔よりも
大きいかまたは小さい四角形の間隔を有するターゲット
行に向けられるとき、信号の強度は弱くなる。
【００２２】したがって、電子線５２の倍率が適切なら
ば、ビームがアレイ７６を横切って上から下に走査され
て、後方散乱信号が収集されるので、その信号は、時間
の関数としてプロットしたとき、図１１に８２ａで示す
ような対称的な形状を有する。これと対照的に、電子線
５２の倍率が大きすぎるかまたは小さすぎる場合は、後
方散乱信号は、この場合も時間の関数としてプロットし
たとき、図１２および図１３に８２ｂおよび８２ｃで示
すように、中央の左側か右側にそれぞれ信号のピークを
有する非対称な形状を有する。図１１において明らかな
ように、信号の中央の平らなスポットは、適切な間隔の
ターゲット四角形の二重の行によるものである。非対称
的な後方散乱信号を受け取った場合は、電子線５２の倍
率が適切でないことを示し、後方信号が対称的になるま
で倍率を、手動または自動で調整する。
ば、ビームがアレイ７６を横切って上から下に走査され
て、後方散乱信号が収集されるので、その信号は、時間
の関数としてプロットしたとき、図１１に８２ａで示す
ような対称的な形状を有する。これと対照的に、電子線
５２の倍率が大きすぎるかまたは小さすぎる場合は、後
方散乱信号は、この場合も時間の関数としてプロットし
たとき、図１２および図１３に８２ｂおよび８２ｃで示
すように、中央の左側か右側にそれぞれ信号のピークを
有する非対称な形状を有する。図１１において明らかな
ように、信号の中央の平らなスポットは、適切な間隔の
ターゲット四角形の二重の行によるものである。非対称
的な後方散乱信号を受け取った場合は、電子線５２の倍
率が適切でないことを示し、後方信号が対称的になるま
で倍率を、手動または自動で調整する。
【００２３】前述の電子線の回転と倍率に関する調整
は、実時間かつ閉ループで行うことができる。これを行
うため、電子線５２を回転し拡大するために使用される
レンズを調整する手段（図示せず）が設けられる。ま
た、後方散乱検出器５０は、この検出器から信号を受け
取る処理用電子回路（図示せず）に接続される。この態
様において、システムは、検出された信号を処理、分析
して、制御信号を生成し、それが調整手段に加えられて
回転および拡大補正レンズに対して適切な調整を行う。
また、電子線の拡大と回転の調整は、互い独立に行うこ
ともできる。
は、実時間かつ閉ループで行うことができる。これを行
うため、電子線５２を回転し拡大するために使用される
レンズを調整する手段（図示せず）が設けられる。ま
た、後方散乱検出器５０は、この検出器から信号を受け
取る処理用電子回路（図示せず）に接続される。この態
様において、システムは、検出された信号を処理、分析
して、制御信号を生成し、それが調整手段に加えられて
回転および拡大補正レンズに対して適切な調整を行う。
また、電子線の拡大と回転の調整は、互い独立に行うこ
ともできる。
【００２４】本発明は、システム１０のマスク２６が多
数のサブフィールドを有し、かつこれらの各サブフィー
ルド中を一時に１つずつ電子線５２を通過させて多数の
電子線サブフィールドを形成するときに特に有用でき
る。個々の電子線サブフィールドの倍率と回転アライメ
ントを適切に調整することによって、ウェハ４２上に形
成される個々のサブフィールド・パターンを正確に合わ
せられる。本明細書に開示した方法およびシステムは、
他のシステムにおいても使用することができ、たとえ
ば、本発明は、ウェハ２６の１つのサブフィールドでは
なくフィールド全体を照射するために使用する電子線で
も実施することができる。
数のサブフィールドを有し、かつこれらの各サブフィー
ルド中を一時に１つずつ電子線５２を通過させて多数の
電子線サブフィールドを形成するときに特に有用でき
る。個々の電子線サブフィールドの倍率と回転アライメ
ントを適切に調整することによって、ウェハ４２上に形
成される個々のサブフィールド・パターンを正確に合わ
せられる。本明細書に開示した方法およびシステムは、
他のシステムにおいても使用することができ、たとえ
ば、本発明は、ウェハ２６の１つのサブフィールドでは
なくフィールド全体を照射するために使用する電子線で
も実施することができる。
【００２５】まとめとして、本発明の構成に関して以下
の事項を開示する。
の事項を開示する。
【００２６】（１）電子線リソグラフィ・システムを較
正する方法であって、第１のマスク・パターンと第１の
較正プレート・パターンを準備する段階と、第２のマス
ク・パターンと第２の較正プレート・パターンを準備す
る段階と、電子線を生成する段階と、電子線を拡大する
段階と、電子線の向きを決める段階と、電子線を第１の
マスク・パターンを介して第１の較正プレート・パター
ンに導く段階と、第１のマスク・パターンと第１の較正
プレート・パターンとを使って電子線の回転の向きを調
整する段階と、電子線を第２のマスク・パターンを介し
て第１の較正プレート・パターンに導く段階と、第２の
マスク・パターンと第２の較正プレート・パターンを使
って電子線の倍率を調整する段階とを含む方法。 （２）第２のマスク・パターンと第２の較正プレート・
パターンを使って電子線の倍率を調整する段階が、電子
線の回転の向きの調整とは独立に電子線の振幅を調整す
る段階を含むことを特徴とする上記（１）に記載の方
法。 （３）第１の較正プレート・パターンが画定されたパタ
ーンを有し、第１のマスク・パターンと第１の較正プレ
ート・パターンを使って電子線の回転の向きを調整する
段階が、 ｉ）画定されたパターンを横切って電子線を走査する段
階と、 ｉｉ）電子線と画定されたパターンの回転アライメント
の程度を表す信号を生成する段階と、 ｉｉｉ）走査段階の間中前記信号を測定する段階と、 ｉｖ）時間に対してプロットしたときに前記信号の幅を
表す時間値を決定する段階と、 ｖ）前記時間値が所定値に達するまで電子線の向きを調
整する段階とを含む上記（１）に記載の方法。 （４）電子線リソグラフィ・ビームを調整するシステム
であって、アパーチャを有するマスクと、それに対応す
るパータンを有する較正プレートと、電子線を生成し、
電子線をマスクのアパーチャを通って送り成形された電
子線を形成する手段と、ビームを回転させる手段と、成
形された電子線を較正プレートのパターンを横切って走
査する手段と、電子線と前記パターンのアライメントの
程度を表す信号を生成する手段と、前記信号を経時的に
測定する手段と、時間に対してプロットしたときの前記
信号の幅を表す時間値を決定する手段と、前記時間値が
所定の範囲に達するまで電子の回転の向きを調整する手
段とを含むシステム。 （５）電子線の回転の向きを調整する手段が、前記時間
値が所定値よりも小さくなるまで前記方向を調整する手
段をさらに含むことを特徴とする上記（４）に記載のシ
ステム。 （６）電子線の回転の向きを調整する手段が、直交性を
調整する手段をさらに含むことを特徴とする上記（４）
に記載のシステム。 （７）電子線リソグラフィ・システムを較正する方法で
あって、第１のアレイを画定する一群のアパーチャを有
するマスクと、第２の対応するアレイを画定する手段を
含む較正プレートを準備する段階と、電子線を生成する
段階と、電子線を、電子線を成形するためのマスクのア
パーチャを介して前記第１のアレイに導く段階と、電子
線を拡大する段階と、成形された電子線を較正プレート
上に導く段階と、成形された電子線を較正プレート上で
アレイを横切って走査する段階と、成形された電子線と
較正プレート上のアレイとの相関を測定する段階と、成
形電子線と較正プレート上のアレイとの間に所定の相関
が得られるまで、成形された電子線の倍率を調整する段
階とを含む方法。 （８）較正プレートのフォームのアレイが複数のフォー
ムの行を含み、測定する段階が、成形された電子線と前
記複数のフォームの各行の相関を測定する段階を含むこ
とを特徴とする上記（７）に記載の方法。 （９）測定する段階が、複数の行のうち成形された電子
線と最も相関が大きい１行を識別する段階を含むことを
特徴とする上記（８）に記載の方法。 （１０）複数の行が、第１、第２および第３の行を含
み、調整する段階が、電子線と前記行のうちの１行との
相関が、電子線と前記行のうちの他の２行との相関より
も大くなるまで、電子線の倍率を調整する段階を含むこ
とを特徴とする上記（８）に記載の方法。 （１１）前記複数の行が較正プレート上に連続して配列
され、調整する段階が、電子線と第２の連続した行の相
関が、電子線とシーケンス中の第１および第３の各行と
の相関よりも大きくなるまで、電子線の倍率を調整する
段階を含むことを特徴とする上記（１０）に記載の方
法。 （１２）マスクの第１のアレイが第１のフォームの行を
含み、較正プレートの第２のアレイが、前記第１のフォ
ームの行を複数含むことを特徴とする上記（８）に記載
の方法。 （１３）マスクのアレイが１次元アレイであり、較正プ
レートのアレイが２次元アレイであることを特徴とする
上記（７）に記載の方法。 （１４）電子線リソグラフィ・システムを較正するため
のシステムであって、フォームのパータンを画定する一
群のアパーチャを有するマスクと、フォームのアレイを
含む較正プレートと、電子線を作成し、電子線を、ビー
ムを生成するマスクのアパーチャを介して前記フォーム
のパターン中に導く手段と、成形された電子線を拡大す
る手段と、較正プレート上のフォームのアレイを横切っ
て成形された電子線を走査する手段と、成形された電子
線と較正プレート上のフォームのアレイとの相関を測定
する手段と、成形された電子線と較正プレート上のフォ
ームのアレイとの間に所定の相関が得られるまで、成形
された電子線の倍率を調整する手段とを含むシステム。 （１５）較正プレートのフォームのアレイが複数行のア
レイを有し、測定する手段が、成形された電子線と前記
複数のフォームの行のそれぞれとの相関を測定する手段
とを含むことを特徴とする上記（１４）に記載のシステ
ム。 （１６）較正プレートの複数の行が、第１、第２および
第３の行を含み、調整する手段が、電子線と前記行のう
ちの１行との相関が、電子線と前記行のうちの他の２行
との相関よりも大きくなるまで、電子線の倍率を調整す
る手段を含むことを特徴とする上記（１４）に記載のシ
ステム。 （１７）前記複数の行が較正プレート上に連続して配列
され、調整する手段が、電子線とシーケンス中の第２の
行との間の相関が、電子線とシーケンス中の第１および
第３の行との相関よりも大きくなるまで、ディスクの倍
率を調整する手段を含むことを特徴とする上記（１６）
に記載のシステム。 （１８）マスクのフォームのパターンが、第１のフォー
ム行を含み、較正プレートの複数のフォーム行が、前記
第１のフォーム行を複数含むことを特徴とする上記（１
５）に記載のシステム。 （１９）マスク上のフォームのパターンが１次元アレイ
であり、較正プレート上のアレイが２次元アレイである
ことを特徴とする上記（１４）に記載のシステム。
正する方法であって、第１のマスク・パターンと第１の
較正プレート・パターンを準備する段階と、第２のマス
ク・パターンと第２の較正プレート・パターンを準備す
る段階と、電子線を生成する段階と、電子線を拡大する
段階と、電子線の向きを決める段階と、電子線を第１の
マスク・パターンを介して第１の較正プレート・パター
ンに導く段階と、第１のマスク・パターンと第１の較正
プレート・パターンとを使って電子線の回転の向きを調
整する段階と、電子線を第２のマスク・パターンを介し
て第１の較正プレート・パターンに導く段階と、第２の
マスク・パターンと第２の較正プレート・パターンを使
って電子線の倍率を調整する段階とを含む方法。 （２）第２のマスク・パターンと第２の較正プレート・
パターンを使って電子線の倍率を調整する段階が、電子
線の回転の向きの調整とは独立に電子線の振幅を調整す
る段階を含むことを特徴とする上記（１）に記載の方
法。 （３）第１の較正プレート・パターンが画定されたパタ
ーンを有し、第１のマスク・パターンと第１の較正プレ
ート・パターンを使って電子線の回転の向きを調整する
段階が、 ｉ）画定されたパターンを横切って電子線を走査する段
階と、 ｉｉ）電子線と画定されたパターンの回転アライメント
の程度を表す信号を生成する段階と、 ｉｉｉ）走査段階の間中前記信号を測定する段階と、 ｉｖ）時間に対してプロットしたときに前記信号の幅を
表す時間値を決定する段階と、 ｖ）前記時間値が所定値に達するまで電子線の向きを調
整する段階とを含む上記（１）に記載の方法。 （４）電子線リソグラフィ・ビームを調整するシステム
であって、アパーチャを有するマスクと、それに対応す
るパータンを有する較正プレートと、電子線を生成し、
電子線をマスクのアパーチャを通って送り成形された電
子線を形成する手段と、ビームを回転させる手段と、成
形された電子線を較正プレートのパターンを横切って走
査する手段と、電子線と前記パターンのアライメントの
程度を表す信号を生成する手段と、前記信号を経時的に
測定する手段と、時間に対してプロットしたときの前記
信号の幅を表す時間値を決定する手段と、前記時間値が
所定の範囲に達するまで電子の回転の向きを調整する手
段とを含むシステム。 （５）電子線の回転の向きを調整する手段が、前記時間
値が所定値よりも小さくなるまで前記方向を調整する手
段をさらに含むことを特徴とする上記（４）に記載のシ
ステム。 （６）電子線の回転の向きを調整する手段が、直交性を
調整する手段をさらに含むことを特徴とする上記（４）
に記載のシステム。 （７）電子線リソグラフィ・システムを較正する方法で
あって、第１のアレイを画定する一群のアパーチャを有
するマスクと、第２の対応するアレイを画定する手段を
含む較正プレートを準備する段階と、電子線を生成する
段階と、電子線を、電子線を成形するためのマスクのア
パーチャを介して前記第１のアレイに導く段階と、電子
線を拡大する段階と、成形された電子線を較正プレート
上に導く段階と、成形された電子線を較正プレート上で
アレイを横切って走査する段階と、成形された電子線と
較正プレート上のアレイとの相関を測定する段階と、成
形電子線と較正プレート上のアレイとの間に所定の相関
が得られるまで、成形された電子線の倍率を調整する段
階とを含む方法。 （８）較正プレートのフォームのアレイが複数のフォー
ムの行を含み、測定する段階が、成形された電子線と前
記複数のフォームの各行の相関を測定する段階を含むこ
とを特徴とする上記（７）に記載の方法。 （９）測定する段階が、複数の行のうち成形された電子
線と最も相関が大きい１行を識別する段階を含むことを
特徴とする上記（８）に記載の方法。 （１０）複数の行が、第１、第２および第３の行を含
み、調整する段階が、電子線と前記行のうちの１行との
相関が、電子線と前記行のうちの他の２行との相関より
も大くなるまで、電子線の倍率を調整する段階を含むこ
とを特徴とする上記（８）に記載の方法。 （１１）前記複数の行が較正プレート上に連続して配列
され、調整する段階が、電子線と第２の連続した行の相
関が、電子線とシーケンス中の第１および第３の各行と
の相関よりも大きくなるまで、電子線の倍率を調整する
段階を含むことを特徴とする上記（１０）に記載の方
法。 （１２）マスクの第１のアレイが第１のフォームの行を
含み、較正プレートの第２のアレイが、前記第１のフォ
ームの行を複数含むことを特徴とする上記（８）に記載
の方法。 （１３）マスクのアレイが１次元アレイであり、較正プ
レートのアレイが２次元アレイであることを特徴とする
上記（７）に記載の方法。 （１４）電子線リソグラフィ・システムを較正するため
のシステムであって、フォームのパータンを画定する一
群のアパーチャを有するマスクと、フォームのアレイを
含む較正プレートと、電子線を作成し、電子線を、ビー
ムを生成するマスクのアパーチャを介して前記フォーム
のパターン中に導く手段と、成形された電子線を拡大す
る手段と、較正プレート上のフォームのアレイを横切っ
て成形された電子線を走査する手段と、成形された電子
線と較正プレート上のフォームのアレイとの相関を測定
する手段と、成形された電子線と較正プレート上のフォ
ームのアレイとの間に所定の相関が得られるまで、成形
された電子線の倍率を調整する手段とを含むシステム。 （１５）較正プレートのフォームのアレイが複数行のア
レイを有し、測定する手段が、成形された電子線と前記
複数のフォームの行のそれぞれとの相関を測定する手段
とを含むことを特徴とする上記（１４）に記載のシステ
ム。 （１６）較正プレートの複数の行が、第１、第２および
第３の行を含み、調整する手段が、電子線と前記行のう
ちの１行との相関が、電子線と前記行のうちの他の２行
との相関よりも大きくなるまで、電子線の倍率を調整す
る手段を含むことを特徴とする上記（１４）に記載のシ
ステム。 （１７）前記複数の行が較正プレート上に連続して配列
され、調整する手段が、電子線とシーケンス中の第２の
行との間の相関が、電子線とシーケンス中の第１および
第３の行との相関よりも大きくなるまで、ディスクの倍
率を調整する手段を含むことを特徴とする上記（１６）
に記載のシステム。 （１８）マスクのフォームのパターンが、第１のフォー
ム行を含み、較正プレートの複数のフォーム行が、前記
第１のフォーム行を複数含むことを特徴とする上記（１
５）に記載のシステム。 （１９）マスク上のフォームのパターンが１次元アレイ
であり、較正プレート上のアレイが２次元アレイである
ことを特徴とする上記（１４）に記載のシステム。
【図１】放射電子線リソグラフィ・システムの概略図で
ある。
ある。
【図２】図１のシステムにおいて使用される電子線の回
転を試験し較正するために利用可能な較正プレートおよ
びマスク・プレートを示す図である。
転を試験し較正するために利用可能な較正プレートおよ
びマスク・プレートを示す図である。
【図３】図１のシステムにおいて使用される電子線の回
転を試験し較正するために使用できる較正プレートおよ
びマスク・プレートを示す図である。
転を試験し較正するために使用できる較正プレートおよ
びマスク・プレートを示す図である。
【図４】図２および図３に示した較正プレートの線ター
ゲットに対して間違った回転の向きにされた電子線を示
す図である。
ゲットに対して間違った回転の向きにされた電子線を示
す図である。
【図５】較正プレートの線ターゲットに対して正しく回
転された電子線の図である。
転された電子線の図である。
【図６】ビームを較正プレート上で走査するときに間違
った向きにされた電子線から得られる後方散乱信号を示
す図である。
った向きにされた電子線から得られる後方散乱信号を示
す図である。
【図７】ビームを較正プレート上に走査するときに適切
な向きの電子線から得られる後方散乱信号を示図であ
る。
な向きの電子線から得られる後方散乱信号を示図であ
る。
【図８】較正用に後方散乱電流ではなく透過電子電流を
使用することができる代替較正アパーチャ・プレートを
示す図である。
使用することができる代替較正アパーチャ・プレートを
示す図である。
【図９】図１のリソグラフィ・システムの倍率を試験し
調整するために使用できる較正プレートとマスク・プレ
ートを示す図である。
調整するために使用できる較正プレートとマスク・プレ
ートを示す図である。
【図１０】図１のリソグラフィ・システムの倍率を試験
し調整するために使用できる較正プレートとマスク・プ
レートを示す図である。
し調整するために使用できる較正プレートとマスク・プ
レートを示す図である。
【図１１】図１０のマスク・プレートによって作成され
た像を図９の較正プレート上で走査して、リソグラフィ
・システムの倍率が適切なときに得られる後方散乱信号
を示す図である。
た像を図９の較正プレート上で走査して、リソグラフィ
・システムの倍率が適切なときに得られる後方散乱信号
を示す図である。
【図１２】図１０のマスク・プレートによって作成され
た像を図９の較正プレート上で走査して、リソグラフィ
・システムの倍率が大きすぎるときに得られる後方散乱
信号を示す図である。
た像を図９の較正プレート上で走査して、リソグラフィ
・システムの倍率が大きすぎるときに得られる後方散乱
信号を示す図である。
【図１３】図１０のマスク・プレートによって作成され
た像を図９の較正プレート上で走査して、リソグラフィ
・システムの倍率が小さすぎるときに得られる後方散乱
信号を示す図である。
た像を図９の較正プレート上で走査して、リソグラフィ
・システムの倍率が小さすぎるときに得られる後方散乱
信号を示す図である。
１０ 電子線リソグラフィ・システム
１２ 電子銃
１４ 集光レンズ
１６ 照射成形アパーチャ
２０ ブランキング・プレート
２２ ブランキング・アパーチャ
２４ マスク偏向ヨーク
２６ マスク
３０ マスク・ステージ
３２ ポスト偏向ヨーク
３４ 縮小レンズ
３６ 回転／倍率修正レンズ
４０ 対物レンズ
４２ ウェハ
４４ ウェハ・ステージ
４６ 透過検出器
５０ 後方散乱検出器
５２ 電子線
６２ 較正プレート
６４ マスク・プレート
フロントページの続き
(72)発明者 クリストファー・フレデリック・ロビン
ソン
アメリカ合衆国12538 ニューヨーク州
ハイド・パーク シェーカー・レーン
15
(56)参考文献 特開 平４−144119（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01L 21/027
Claims (9)
- 【請求項１】電子線リソグラフィ・システムを較正する
方法であって、線状ターゲット又はスリットを含む第１の較正プレート
と、前記線状ターゲット又はス リットの形状に対応する
断面形状の電子線を成形するように設計された第１のマ
スク・プレートを準備する段階と、複数の行及び列からなる、四角形のアレイを含む第２の
較正プレートと、前記アレイにおける一の行に対応する
断面形状の電子線を成形するように設計された複数の四
角形からなる第２のマスク・プレート を準備する段階
と、ここで前記第２の較正プレートにおいて、四角形の
列の間隔はほぼ一定にされ、行の間隔はアレイの上方か
ら下方に向けて徐々に大きくされ、且つ、中央の二行間
の間隔が、所望の倍率での電子線ビームの大きさに等し
くなるようにされており、 電子線を生成する段階と、 電子線を拡大する段階と、 電子線の向きを決める段階と、 電子線を前記第１のマスク・プレートを通過させて前記
第１の較正プレートに導く段階と、 前記 第１のマスク・プレートと前記第１の較正プレート
とを使って電子線の回転の向きを調整する段階と、 電子線を前記第２のマスク・プレートを通過させて第２
の較正プレートに導く段階と、 前記 第２のマスク・プレートと前記第２の較正プレート
を使って電子線の倍率を、前記電子線の回転の向きの調
整とは独立に、調整する段階とを含む方法。 - 【請求項２】電子線の回転の向きを調整する段階が、 ｉ）前記線状ターゲット又はスリットを横切って電子線
を走査する段階と、 ｉｉ）電子線と前記線状ターゲット又はスリットとの回
転アライメントの程度を表す信号を生成する段階と、 ｉｉｉ）走査段階の間中、前記信号を測定する段階と、 ｉｖ）時間に対してプロットしたときに前記信号の幅を
表す時間値を決定する段階と、 ｖ）前記時間値が所定値に達するまで電子線の向きを調
整する段階とを含む請求項１に記載の方法。 - 【請求項３】電子線の倍率を調整する段階が、前記第２
のマスク・プレートにより成形された電子線を前記第２
の較正プレートのアレイを走査して、前記第２の較正プ
レートの各行からの後方散乱信号を測定する段階を含む
ことを特徴とする請求項1に記載の方法。 - 【請求項４】電子線の倍率を調整する段階が、前記第２
の較正プレートの複数の行のうち、前記後方散乱信号が
最も強い行を識別する段階を含むことを特徴とする請求
項３に記載の方法。 - 【請求項５】前記第１の較正プレートに代えて、十字状
ターゲットを使用し、直交する２つの方向で回転の向き
を調節する段階を含む、請求項１に記載の方法。 - 【請求項６】電子線リソグラフィ・ビームを調整するシ
ステムであって、線状ターゲット又はスリットを含む第１の較正プレート
と、 前記線状ターゲット又はスリットの形状に対応する断面
形状の電子線を成形するように設計された第１のマスク
・プレートと 、複数の行及び列からなる、四角形のアレイを含む第２の
較正プレート、 前記アレイにおける一の行に対応する断面形状の電子線
を成形するように設計された複数 の四角形からなる第２
のマスク・プレートと、ここで前記第２の較正プレート
において、四角形の列の間隔はほぼ一定にされ、行の間
隔はアレイの上方から下方に向けて徐々に大きくされ、
且つ、中央の二行間の間隔が、所望の倍率での電子線ビ
ームの大きさに等しくなるようにされており、 電子線を生成し、電子線を第１又は第２のマスク・プレ
ートを通過させて送り、 成形された電子線を形成する手段と、 成形された電子線を回転させる手段と、 成形された電子線を拡大する手段と、 成形された電子線を第１または第２の較正プレートのパ
ターンを横切って走査する手段と、 電子線と前記パターンのアライメントの程度を表す信号
を生成する手段と、前記信号を経時的に測定する手段
と、前記信号を 時間に対してプロットする手段と、 前記信号の幅を表す時間値が所定の範囲に達するまで電
子の回転の向きを調整する手段と、前記信号が最も強くなる時間値が所望の時間値になるま
で電子線の倍率を調整する手段 と、 を含むシステム。 - 【請求項７】電子線の回転の向きを調整する手段が、前
記時間値が所定値よりも小さくなるまで前記方向を調整
する手段をさらに含むことを特徴とする請求項６に記載
のシステム。 - 【請求項８】電子線の回転の向きを調整する手段が、直
交性を調整する手段をさらに含むことを特徴とする請求
項６に記載のシステム。 - 【請求項９】電子線リソグラフィ・システムの倍率を較
正するためのプレートであって、後方散乱材料からなる
四角形が、複数の行及び列を含むアレイ状に設けられ、
四角形の列の間隔はほぼ一定にされ、行の間隔はアレイ
の上方から下方に向けて徐々に大きくされており、且
つ、中央の二行間の間隔が、所望の倍率での電子線ビー
ムの大きさに等しくなるようにされていることを特徴と
する倍率較正用プレート。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US08/788064 | 1997-01-23 | ||
| US08/788,064 US5763894A (en) | 1997-01-23 | 1997-01-23 | Calibration patterns and techniques for charged particle projection lithography systems |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10214784A JPH10214784A (ja) | 1998-08-11 |
| JP3368579B2 true JP3368579B2 (ja) | 2003-01-20 |
Family
ID=25143339
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP00977998A Expired - Fee Related JP3368579B2 (ja) | 1997-01-23 | 1998-01-21 | 電子線リソグラフィ・システムを較正する方法及びシステム |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5763894A (ja) |
| JP (1) | JP3368579B2 (ja) |
Families Citing this family (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100191347B1 (ko) * | 1996-08-09 | 1999-06-15 | 윤종용 | 반도체 공정의 주사전자현미경 관리용 미세선폭 관리시료 |
| US6222197B1 (en) * | 1997-08-21 | 2001-04-24 | Nikon Corporation | Charged-particle-beam pattern-transfer methods and apparatus |
| US20010036588A1 (en) * | 1998-05-05 | 2001-11-01 | Ims-Ionen Mikrofabrikations Systeme Gmbh | Lithographic imaging of a structure pattern onto one or more fields on a substrate |
| US6320187B1 (en) | 1999-12-07 | 2001-11-20 | Nikon Corporation | Magnification and rotation calibration patterns for particle beam projection system |
| US6770867B2 (en) | 2001-06-29 | 2004-08-03 | Fei Company | Method and apparatus for scanned instrument calibration |
| AU2002320188A1 (en) * | 2001-01-26 | 2003-01-21 | Fei Company | Method and apparatus for scanned instrument calibration |
| JP2003077813A (ja) * | 2001-09-05 | 2003-03-14 | Nikon Corp | 荷電粒子線露光装置の結像性能の評価方法、荷電粒子線露光装置の調整方法、ビームぼけ計測装置及び荷電粒子線露光装置 |
| JP2003077814A (ja) * | 2001-09-05 | 2003-03-14 | Nikon Corp | 荷電粒子線露光装置の結像性能の計測方法及びその計測装置、荷電粒子線露光装置 |
| JP2003092250A (ja) * | 2001-09-18 | 2003-03-28 | Hitachi Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
| JP3785141B2 (ja) * | 2002-12-27 | 2006-06-14 | 株式会社東芝 | 荷電粒子ビーム描画装置の縮小率測定方法、荷電粒子ビーム描画装置のステージ位相測定方法、荷電粒子ビーム描画装置の制御方法、及び荷電粒子ビーム描画装置 |
| US7171319B2 (en) * | 2004-09-02 | 2007-01-30 | International Business Machines Corporation | Method and apparatus to separate field and grid parameters on first level wafers |
| US7619229B2 (en) * | 2006-10-16 | 2009-11-17 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Technique for matching performance of ion implantation devices using an in-situ mask |
| JP6376014B2 (ja) * | 2015-03-20 | 2018-08-22 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 荷電粒子ビーム描画装置、荷電粒子ビームのビーム分解能測定方法、及び荷電粒子ビーム描画装置の調整方法 |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2939044A1 (de) * | 1979-09-27 | 1981-04-09 | Ibm Deutschland Gmbh, 7000 Stuttgart | Einrichtung fuer elektronenstrahllithographie |
| US4467211A (en) * | 1981-04-16 | 1984-08-21 | Control Data Corporation | Method and apparatus for exposing multi-level registered patterns interchangeably between stations of a multi-station electron-beam array lithography (EBAL) system |
| US4442361A (en) * | 1982-09-30 | 1984-04-10 | Storage Technology Partners (Through Stc Computer Research Corporation) | System and method for calibrating electron beam systems |
| DE69032280T2 (de) * | 1989-12-04 | 1998-08-20 | Fujitsu Ltd | Verfahren zur Wahrnehmung und Justierung der Belichtungsbedingungen in einem Belichtungssystem mittels Ladungsträgern und ein solches System |
| JPH03270215A (ja) * | 1990-03-20 | 1991-12-02 | Fujitsu Ltd | 荷電粒子ビーム露光方法及び露光装置 |
| US5283440A (en) * | 1990-10-05 | 1994-02-01 | Hitachi, Ltd. | Electron beam writing system used in a cell projection method |
| JP3192500B2 (ja) * | 1992-11-19 | 2001-07-30 | 株式会社日立製作所 | 電子線描画方法および電子線描画装置 |
| JPH07142352A (ja) * | 1993-11-17 | 1995-06-02 | Nec Corp | 電子ビーム描画装置および電子ビーム描画方法 |
-
1997
- 1997-01-23 US US08/788,064 patent/US5763894A/en not_active Expired - Fee Related
-
1998
- 1998-01-21 JP JP00977998A patent/JP3368579B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH10214784A (ja) | 1998-08-11 |
| US5763894A (en) | 1998-06-09 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3368579B2 (ja) | 電子線リソグラフィ・システムを較正する方法及びシステム | |
| US6037601A (en) | Electron beam illumination device, and exposure apparatus with electron beam illumination device | |
| US6320187B1 (en) | Magnification and rotation calibration patterns for particle beam projection system | |
| US6218671B1 (en) | On-line dynamic corrections adjustment method | |
| JPH11135423A (ja) | 低エネルギー電子ビームのリソグラフィ | |
| US7378671B2 (en) | Aberration measuring apparatus for charged particle beam optical system, charged particle beam lithography machine having the aberration measuring apparatus, and device fabrication method using the apparatus | |
| CA1103813A (en) | Apparatus for electron beam lithography | |
| JPH06124883A (ja) | 荷電ビーム補正方法及びマーク検出方法 | |
| US6194732B1 (en) | Charged-particle-beam exposure methods with beam parallelism detection and correction | |
| US6608313B2 (en) | Methods and devices for achieving alignment of a beam-propagation axis with a center of an aperture in a charged-particle-beam optical system | |
| JP3274212B2 (ja) | 電子線検出器及びそれを用いた電子線描画装置 | |
| US5952133A (en) | Methods for evaluating image-forming characteristics of a projection-optical system used in a charged-particle-beam microlithography apparatus | |
| US5936252A (en) | Charged particle beam performance measurement system and method thereof | |
| JP2006210455A (ja) | 荷電粒子線露光装置及び該装置を用いたデバイス製造方法 | |
| US6992287B2 (en) | Apparatus and method for image optimization of samples in a scanning electron microscope | |
| JPH11176720A (ja) | 電子ビーム露光装置 | |
| JPH09293477A (ja) | 荷電ビームの調整方法 | |
| JP3282324B2 (ja) | 荷電粒子ビーム露光方法 | |
| US6621089B1 (en) | Reticle-focus detector, and charged-particle-beam microlithography apparatus and methods comprising same | |
| JPH06338445A (ja) | 電子ビーム描画装置 | |
| JP3475535B2 (ja) | 荷電粒子線転写装置 | |
| JP2003007591A (ja) | 荷電粒子線光学系の収差評価方法、荷電粒子線装置調整方法、荷電粒子線露光方法、非点収差評価方法及び評価用パターン | |
| JPH10303117A (ja) | 電子線光学系 | |
| JPH07335531A (ja) | 電子線描画装置の調整方法 | |
| JP2000100364A (ja) | 荷電粒子線転写装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081115 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111115 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20141115 Year of fee payment: 12 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20141115 Year of fee payment: 12 |
|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20141115 Year of fee payment: 12 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20141115 Year of fee payment: 12 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |