JP3282324B2 - 荷電粒子ビーム露光方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、電子ビームや、イオン
ビーム等、いわゆる荷電粒子ビームを使用して露光を行
う荷電粒子ビーム露光方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、荷電粒子ビーム露光装置、例え
ば、集積回路の製造工程において使用される電子ビーム
露光装置として、透過マスク板（以下、ブロックマスク
という）を使用してなる露光、いわゆるブロック露光を
行うことができるように構成されたものが提案されてお
り、図１６は、その要部を概略的に示している。

【０００３】図１６中、１は電子ビームを発生する電子
銃、２は電子銃１から発生された電子ビーム、３〜９は
磁界によるレンズ作用を利用して電子ビーム２を集束さ
せる電子レンズであり、特に、７は縮小レンズ、８、９
は投影レンズと称されるものである。

【０００４】また、１０は電子ビーム２を矩形に整形す
るための矩形スリット１１を設けてなる矩形スリット
板、１２は電子ビーム２の光軸の矩形スリット１１に対
する位置を調整するためのアライメントコイルである。

【０００５】また、１３は所定のマスク移動機構（図示
せず）を介して水平方向に移動可能とされたブロックマ
スクであり、このブロックマスク１３は、図１７にその
概略的平面図を示すように構成されている。

【０００６】図１７中、１４はエリアと称される領域で
あり、このエリア１４の選択は、ブロックマスク１３を
図上、水平に移動させることにより行われる。

【０００７】また、図１８は１個のエリア１４を示して
おり、各エリア１４はブロック１５と称される領域を設
けて構成されており、各ブロック１５には、例えば、図
１９に示すような透過パターン（以下、ブロックパター
ンという）１６〜１９が形成されており、ブロックの選
択は、後述するマスクデフレクタにより行われる。

【０００８】また、図１６において、２０は矩形スリッ
ト１１によって矩形に整形された電子ビーム２をブロッ
クマスク１３上で比較的小さく、例えば、５００μｍ以
内の範囲で偏向を行う可変矩形整形用のスリットデフレ
クタと称される偏向器である。

【０００９】また、２１〜２４は電子ビーム２をブロッ
クマスク１３上で比較的大きく、例えば、５ｍｍ以内の
範囲で偏向し、同一エリア内のブロックパターンの選択
を行う場合に使用されるマスクデフレクタと称される偏
向器であり、特に、２１は第１マスクデフレクタ、２２
は第２マスクデフレクタ、２３は第３マスクデフレク
タ、２４は第４マスクデフレクタと称される。

【００１０】また、２５は電子ビーム２の通過、遮断を
制御するブランキング電極、２６はは円形の開孔が形成
されている円形アパーチャ、２７は電子ビーム２の露光
対象物上での位置決めを行うサブデフレクタ（副偏向
器）、２８は露光対象物であるウエハであり、電子ビー
ム２の露光対象物上での位置決めを行うメインデフレク
タ（主偏向器）は、その図示を省略している。

【００１１】この電子ビーム露光装置において、ブロッ
ク露光が行われる場合には、矩形スリット１１によって
矩形に整形された電子ビーム２をブロックマスク１３に
形成されたブロックパターンによって所望の形状に整形
され、これがウエハ２８上に照射される。

【００１２】ここに、電子銃１から発生された電子ビー
ム２の光軸の矩形スリット１１に対する位置は、アライ
メントコイル１２による偏向によって決定されるが、従
来、アライメントコイル１２に流すべき電流の電流値
は、試料電流値（ウエハ２８に流れる電流の電流値）が
最大となる値、即ち、矩形スリット１１を透過する電子
ビーム２の電流値（スリット透過電流値）が最大となる
ように決定されていた。

【００１３】

【発明が解決しようとする課題】しかし、このようなア
ライメントコイル１２に流すべき電流の電流値の決定方
法は、矩形スリット１１によって矩形に整形された電子
ビーム２の電流密度分布を考慮していない。

【００１４】このため、例えば、図２０に示すように、
矩形スリット１１の中心部における電子ビーム２の電流
密度は高く、矩形スリット１１の周辺部における電子ビ
ーム２の電流密度は低くなってしまう場合が生じてしま
う。

【００１５】ここに、２９はウエハ２８上に露光される
パターンを示しているが、この場合、露光パターン２９
の中心部３０の露光量は充分であるが、露光パターン２
９における周辺部３１の露光量は少ないものとなってし
まい、露光パターン２９の各部を均一に露光することが
できず、精度の高いパターンを形成することができない
という問題点があった。

【００１６】このように、露光パターン２９の各部で露
光量が異なってしまう場合において、露光量が少ない部
分３１を再度露光することは、ショット数が増大し、ス
ループットが低下してしまうので好ましいことではな
い。

【００１７】本発明は、かかる点に鑑み、露光対象物に
精度の高いパターンを形成することができ、これを、例
えば、集積回路の製造工程に使用する場合には、パター
ン精度の高い集積回路を製造することができる荷電粒子
ビーム露光方法を提供することを目的とする。

【００１８】

【課題を解決するための手段】本発明による荷電粒子ビ
ーム露光方法は、荷電粒子ビーム発生源から発生された
荷電粒子ビームを矩形スリット板に形成されている矩形
スリットによって矩形に整形した後、この矩形スリット
によって矩形に整形された荷電粒子ビームをブロックマ
スクに形成されているブロックパターンによって所望の
形状に整形し、このブロックパターンによって所望の形
状に整形された荷電粒子ビームにより露光対象物に対す
る露光を行う荷電粒子ビーム露光方法であって、電流測
定用小ブロックパターンが形成されてなるブロックマス
クを所定の位置に配置し、矩形スリットによって矩形に
整形された荷電粒子ビームの電流測定用小ブロックパタ
ーンに対する種々の照射位置における試料面上での電流
値を測定することにより、矩形スリットを通過する荷電
粒子ビームの電流密度の分散値を算出し、荷電粒子ビー
ム発生源と矩形スリット板との間に設けられた偏向手段
によって、分散値が最小値となるように荷電粒子ビーム
発生源から発生された荷電粒子ビームの矩形スリットに
対する光軸の位置を調整して露光対象物に対する露光を
行うというものである。

【００１９】

【作用】本発明による荷電粒子ビーム露光方法によれ
ば、矩形スリットによって矩形に整形された荷電粒子ビ
ームの電流測定用小ブロックパターンに対する種々の照
射位置における試料面上での電流値を測定することによ
り、矩形スリットを通過する荷電粒子ビームの電流密度
の分散値を算出し、荷電粒子ビーム発生源と矩形スリッ
ト板との間に設けられた偏向手段によって、分散値が最
小値となるように荷電粒子ビーム発生源から発生された
荷電粒子ビームの矩形スリットに対する光軸の位置を調
整するとしている。

【００２０】この結果、矩形スリットを通過する荷電粒
子ビームの電流密度分布を均一又は略均一となるように
することができ、露光パターンの各部を均一な露光量で
露光することができる。

【００２１】

【実施例】以下、図１〜図１５を参照して、本発明によ
る荷電粒子ビーム露光方法の一実施例について、本発明
による荷電粒子ビーム露光方法を集積回路の製造に使用
される電子ビーム露光方法に適用した場合を例にして説
明する。

【００２２】本発明の一実施例である電子ビーム露光方
法を実行するためには、図１にその概略的平面図を示す
ブロックマスクを備え、その他については、図１６に示
す電子ビーム露光装置と同様に構成された電子ビーム露
光装置を用意する。

【００２３】図１中、破線で囲まれた部分３２、３３₁
〜３３₈、３４₁〜３４₁₆は、１個のエリア内に設けられ
ているブロックを示しており、ブロック３２の中央部に
は、形状を小とする矩形の電流測定用のブロックパター
ン３５が形成されている。

【００２４】なお、ブロック３３₁〜３３₈には、ブロッ
クパターンは形成されておらず、ブロック３４₁〜３４
₁₆には、所望のブロックパターンが形成されている。

【００２５】また、本実施例においては、電子ビーム２
の矩形スリット１１による像２Ａに対する電流測定用の
ブロックパターン３５の位置を図２に示すような座標系
（Ｘ、Ｙ）で定めるものとする。

【００２６】そして、矩形スリット１１によって矩形に
整形された電子ビーム２を第１、第２マスクデフレクタ
２１、２２によって偏向させることにより、電流測定用
のブロックパターン３５に対して、電子ビーム２の矩形
スリット１１による像２Ａを図３に矢印を介して順に示
す位置関係にして、各位置関係における場合のウエハ２
８上での電子ビーム２の電流値、即ち、試料電流値ｉ
（Ｘ＝２、Ｙ＝２）、ｉ（１、２）・・・ｉ（１、１）
を測定し、数１に示す式に従って、試料電流値ｉ（Ｘ、
Ｙ）の分散値σを算出する。

【００２７】

【数１】

【００２８】ここに、試料電流値ｉ（Ｘ、Ｙ）の分散値
σが小さくなるほど、矩形スリット１１を通過した電子
ビーム２の電流密度の均一性は高いと言えるので、本実
施例においては、この試料電流値ｉ（Ｘ、Ｙ）の分散値
σを矩形スリット１１を通過した電子ビーム２の電流密
度の均一性を表わすパラメータ（以下、電流密度均一性
パラメータという）とし、この電流密度均一性パラメー
タσが小さくなるように、アライメント値、即ち、アラ
イメントコイル１２に流す電流の電流値を調整する。

【００２９】このアライメントコイル１２に流す電流の
電流値の具体的な調整方法は、図４及び図５に示すフロ
ーチャートに従って行われる。

【００３０】この調整方法においては、まず、探索ステ
ップ（アライメントコイル１２による電子ビーム２の偏
向量）を粗調整ステップとした調整が行われ、その後、
探索ステップを微調整ステップとした調整が行われる。

【００３１】即ち、まず、図４に示すように、調整前の
電子ビーム２の電流密度均一性パラメータσｂを計測し
（ステップＳ１）、続いて、探索ステップを粗調整ステ
ップの範囲で指定し、図５に示すサブルーチンを呼び出
す（ステップＳ２）。

【００３２】ここに、図５に示すサブルーチンにおいて
は、アライメントコイル１２による電子ビーム２のＸ軸
方向の偏向、Ｙ軸方向の偏向のそれぞれに関し、ステッ
プＮ１〜Ｎ６を実行する。

【００３３】まず、「調整対象（アライメントコイル１
２のうち、電子ビーム２をＸ軸方向に偏向させるための
コイル又は電子ビーム２をＹ軸方向に偏向させるための
コイル）のレジスタ（電子ビーム２の偏向位置を示すデ
ータを格納するレジスタ）の初期値−２×探索ステッ
プ」の値を探索開始点（アライメントコイル１２により
電子ビーム２を偏向する最初の位置）ｓｔｒとして設定
する（ステップＮ１）。

【００３４】次に、試料電流値ｉ（Ｘ、Ｙ）を測定する
電流計のレンジを設定し（ステップＮ２）、ｓｔｒ、ｓ
ｔｒ＋探索ステップ、ｓｔｒ＋２×探索ステップ、ｓｔ
ｒ＋３×探索ステップ、ｓｔｒ＋４×探索ステップの合
計５点のレジスタ値を調整対象に与え、各レジスタ値に
おける試料電流値ｉ（Ｘ、Ｙ）を図３に示すようにして
計測し、電流密度均一性パラメータσを計測する（ステ
ップＮ３）。

【００３５】次に、ステップＮ４、Ｎ５に示すように、
ステップＮ３で算出した電流密度均一性パラメータσの
挙動を判定し、判定結果に基づいて、必要な措置を取る
ようにする。

【００３６】まず、電流密度均一性パラメータσを関数
ｆ、「レジスタの値−レジスタ初期値」をｒとした場合
において、最小自乗法を使用して、ｆ＝ａ（ｒ−ｂ）²
＋ｃなる式に適合するａ、ｂ、ｃを求める。

【００３７】ここに、ａ＜０、ｂ＜０の場合、即ち、関
数ｆ＝電流密度均一性パラメータσが図６に示すような
挙動を示した場合には、探索開始点ｓｔｒを大きくする
ことによって電流密度均一性パラメータσの最小値を探
索することができるので、この場合には、ｓｔｒ＝ｓｔ
ｒ＋２×探索ステップとして、再度の探索を行う（ステ
ップＮ５の）。

【００３８】また、ａ＜０、ｂ＞０の場合、即ち、関数
ｆ＝電流密度均一性パラメータσが図７に示すような挙
動を示した場合には、探索開始点ｓｔｒを小さくするこ
とによって電流密度均一性パラメータσの最小値を探索
することができるので、この場合には、ｓｔｒ＝ｓｔｒ
−２×探索ステップとして、再度の探索を行う（ステッ
プＮ５の）。

【００３９】また、ａ≦０、ｂ＝０の場合、即ち、関数
ｆ＝電流密度均一性パラメータσが図８又は図９に示す
ような挙動を示した場合には、探索開始点ｓｔｒを大き
くして再度の探索を行うべきか、探索開始点ｓｔｒを小
さくして再度の探索を行うべきか不明であるが、電流密
度均一性パラメータσが、このような挙動を示す場合に
はノイズによるものとして、探索開始点を再度、ｓｔｒ
として探索を行う（ステップＮ５の）。

【００４０】また、ａ＞０、ｂ＞探索ステップの場合、
即ち、関数ｆ＝電流密度均一性パラメータσが図１０に
示すような挙動を示した場合には、探索開始点ｓｔｒを
大きくすることによって電流密度均一性パラメータσの
最小値を探索することができるので、この場合には、ｓ
ｔｒ＝ｓｔｒ＋２×探索ステップとして、再度の探索を
行う（ステップＮ５の）。

【００４１】また、ａ＞０、ｂ＜−探索ステップの場
合、即ち、関数ｆ＝電流密度均一性パラメータσが図１
１に示すような挙動を示した場合には、探索開始点ｓｔ
ｒを小さくすることによって電流密度均一性パラメータ
σの最小値を探索することができるので、この場合に
は、ｓｔｒ＝ｓｔｒ−２×探索ステップとして、再度の
探索を行う（ステップＮ５の）。

【００４２】また、ａ＞０、−探索ステップ＜ｂ＜探索
ステップの場合には、電流密度均一性パラメータσの最
小値が探索範囲が狭まったことになるので、この場合に
は、調整対象のレジスタにｓｔｒ＋２×探索ステップの
値をセットして探索を終了する（ステップＮ５の）。

【００４３】そこで、この場合には、次に、探索の終了
処理を行い、調整結果の図４に示すメインルーチンへの
引き渡しを行う（ステップＮ６）。なお、再探索が所定
の再探索回数を越えた場合には、ノイズ等によって正常
な探索ができなかったものとして、このサブルーチンを
エラー終了させる。

【００４４】ここに、調整結果の引き渡しを受けた図４
に示すメインルーチンにおいては、アライメントコイル
１２に流す電流の電流値の調整後の電子ビーム２の電流
密度均一性パラメータσａを計測する（ステップＳ
３）。

【００４５】次に、（σａ−σｂ）／σｂが許容範囲内
にあるか否かを判定し（ステップＳ４）、許容範囲内に
ない場合には、σａをσｂとして、図５に示すサブルー
チンをコールする（ステップＳ４でＮＯの場合）。

【００４６】これに対して、（σａ−σｂ）／σｂが許
容範囲内にある場合には（ステップＳ４でＹＥＳの場
合）、探索ステップを微調整ステップとして、図４、図
５に示すルーチンを再び実行する。

【００４７】そして、（σａ−σｂ）／σｂが許容範囲
内になった場合には（ステップＳ４でＹＥＳの場合）、
終了処理・調整結果の記録を行い、アライメントコイル
１２に流す電流の電流値の調整処理を終了する（ステッ
プＳ５）。

【００４８】次に、スリットデフレクタ２０によって電
流測定用のブロックパターン３５の周囲を矩形スリット
１１で矩形に整形された電子ビーム２で走査し、透過電
流密度マップを作成する。

【００４９】ここに、例えば、図１２に示すような透過
電流密度マップを得た場合、この透過電流密度マップに
おける透過電流密度曲線のエッジ３６〜３９は、電流測
定用のブロックパターン３５の頂点の位置に対応してい
るといえる。

【００５０】即ち、この場合には、電流測定用のブロッ
クパターン３５に対するスリットデフレクタ２０による
電子ビーム２の走査方向は、図１３に示すようになって
いると判断することができる。

【００５１】また、例えば、図１４に示すような透過電
流密度マップを得た場合は、この透過電流密度マップに
おける透過電流密度曲線のエッジ４０〜４３が、電流測
定用のブロックパターン３５の頂点の位置に対応してい
るといえる。

【００５２】即ち、この場合には、電流測定用のブロッ
クパターン３５に対するスリットデフレクタ２０による
電子ビーム２の走査方向は、図１５に示すようになって
いると判断することができる。

【００５３】したがって、この場合には、透過電流密度
曲線のエッジ４０〜４３の位置関係から、スリットデフ
レクタ２０による電子ビーム２の走査方向を図１３に示
すように調整することができる。

【００５４】このように、本実施例によれば、矩形スリ
ット１１を通過する電子ビーム２の電流密度分布を均一
又は略均一とし、ウエハ２８上の露光パターンの各部を
均一な露光量で露光することができるので、ウエハ２８
に精度の高いパターンを形成することができ、パターン
精度の高い集積回路を製造することができる。

【００５５】なお、上述の実施例においては、アライメ
ントコイル１２に流す電流の電流値を調整した後、スリ
ットデフレクタ２０の調整を行うようにした場合につい
て説明したが、この代わりに、スリットデフレクタ２０
の調整をした後に、アライメントコイル１２に流す電流
の電流値を調整するようにしても良く、この場合、アラ
イメントコイル１２に流す電流の電流値を調整する場合
の電子ビーム２の偏向は、第１〜第４マスクデフレクタ
２１〜２４を調整している場合には、これら第１〜第４
マスクデフレクタ２１〜２４により行うことができる。

【００５６】

【発明の効果】以上のように、本発明によれば、矩形ス
リットを通過する荷電粒子ビームの電流密度分布を均一
又は略均一とし、露光パターンの各部を均一な露光量で
露光することができるので、露光対象物に精度の高いパ
ターンを形成することができ、これを、例えば、集積回
路の製造工程に使用する場合には、パターン精度の高い
集積回路を製造することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例である電子ビーム露光方法を
実行するために用意するブロックマスクの一例を概略的
に示す平面図である。

【図２】矩形スリット板の矩形スリットによって矩形に
整形された電子ビームに対する電流測定用のブロックパ
ターンの位置を示すための座標系を示す図である。

【図３】本発明の一実施例で行われるアライメントコイ
ルに流す電流の電流値を調整する場合に行われる電子ビ
ームの偏向を示す図である。

【図４】本発明の一実施例で行われるアライメントコイ
ルに流す電流の電流値を調整する方法を示すフローチャ
ートである。

【図５】本発明の一実施例で行われるアライメントコイ
ルに流す電流の電流値を調整する方法を示すフローチャ
ートである。

【図６】電流密度均一性パラメータの挙動の第１例を示
す図である。

【図７】電流密度均一性パラメータの挙動の第２例を示
す図である。

【図８】電流密度均一性パラメータの挙動の第３例を示
す図である。

【図９】電流密度均一性パラメータの挙動の第４例を示
す図である。

【図１０】電流密度均一性パラメータの挙動の第５例を
示す図である。

【図１１】電流密度均一性パラメータの挙動の第６例を
示す図である。

【図１２】電流測定用のブロックパターンの周囲をスリ
ットデフレクタによって偏向した電子ビームで走査した
場合に得ることができる透過電流密度マップの一例を示
す図である。

【図１３】図１２に示す透過電流密度マップを得た場合
における電流測定用のブロックパターンに対するスリッ
トデフレクタによる電子ビームの走査方向を示す図であ
る。

【図１４】電流測定用のブロックパターンの周囲をスリ
ットデフレクタによって偏向した電子ビームで走査した
場合に得ることができる透過電流密度マップの他の例を
示す図である。

【図１５】図１４に示す透過電流密度マップを得た場合
における電流測定用のブロックパターンに対するスリッ
トデフレクタによる電子ビームの走査方向を示す図であ
る。

【図１６】電子ビーム露光装置の一例の要部を概略的に
示す図である。

【図１７】図１６に示す電子ビーム露光装置が備えるブ
ロックマスクを示す概略的平面図である。

【図１８】図１６に示す電子ビーム露光装置が備えるブ
ロックマスクが設けるエリアと称される領域を示す概略
的断面図である。

【図１９】図１６に示す電子ビーム露光装置が備えるブ
ロックマスクが設けるブロックと称される領域を示す概
略的断面図である。

【図２０】アライメントコイルに流す電流の電流値を決
定する従来の方法が有する問題点を説明するための図で
ある。

【符号の説明】

（図１） ３２、３３₁〜３３₈、３４₁〜３４₁₆ ブロック ３５ 電流測定用のブロックパターン

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭54−100264（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−299328（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−251320（ＪＰ，Ａ) 特開 昭55−70024（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−171808（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) H01L 21/027

Claims (8)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】荷電粒子ビーム発生源から発生された荷電
   粒子ビームを矩形スリット板に形成されている矩形スリ
   ットによって矩形に整形した後、 この矩形スリットによって矩形に整形された荷電粒子ビ
   ームを透過マスク板に形成されている透過パターンによ
   って所望の形状に整形し、 この透過パターンによって所望の形状に整形された荷電
   粒子ビームにより露光対象物に対する露光を行う荷電粒
   子ビーム露光方法において、 電流測定用小透過パターンが形成されてなる透過マスク
   板を所定の位置に配置し、 前記矩形スリットによって矩形に整形された荷電粒子ビ
   ームの前記電流測定用小透過パターンに対する種々の照
   射位置における試料面上での電流値を測定することによ
   り、前記矩形スリットを通過する荷電粒子ビームの電流
   密度の分散値を算出し、 前記荷電粒子ビーム発生源と前記矩形スリット板との間
   に設けられた偏向手段によって、前記分散値が最小値と
   なるように前記荷電粒子ビーム発生源から発生された荷
   電粒子ビームの前記矩形スリットに対する光軸の位置を
   調整して前記露光対象物に対する露光を行うことを特徴
   とする荷電粒子ビーム露光方法。
2. 【請求項２】荷電粒子ビーム発生源から発生された荷電
   粒子ビームを矩形スリット板に形成されている矩形スリ
   ットによって矩形に整形した後、 この矩形スリットによって矩形に整形された荷電粒子ビ
   ームを透過マスク板に形成されている透過パターンによ
   って所望の形状に整形し、 この透過パターンによって所望の形状に整形された荷電
   粒子ビームにより露光対象物に対する露光を行う荷電粒
   子ビーム露光方法において、 電流測定用小透過パターンが形成されてなる透過マスク
   板を所定の位置に配置し、 前記矩形スリットによって矩形に整形された荷電粒子ビ
   ームの前記電流測定用小透過パターンに対する種々の照
   射位置における試料面上での電流値を測定することによ
   り、前記矩形スリットを通過する荷電粒子ビームの電流
   密度の分散値を算出し、 前記荷電粒子ビーム発生源と前記矩形スリット板との間
   に設けられた偏向手段によって、前記分散値が最小値と
   なるように前記荷電粒子ビーム発生源から発生された荷
   電粒子ビームの前記矩形スリットに対する光軸の位置を
   調整する工程と、 前記透過パターン板に形成されている透過パターンの形
   状の一部分を選択するために設けられている偏向手段に
   よる前記矩形スリットによって矩形に整形された荷電粒
   子ビームの走査方向が前記露光対象物に対して所定の方
   向になるように調整する工程とを順不同により行った
   後、前記露光対象物に対する露光を行うことを特徴とす
   る荷電粒子ビーム露光方法。
3. 【請求項３】前記電流測定用小透過パターンが形成され
   てなる透過マスク板は、一の透過パターン形成領域に前
   記電流測定用小透過パターンが形成されていると共に、
   前記電流測定用小透過パターンが形成されている透過パ
   ターン形成領域の隣接する周辺の透過パターン形成領域
   には透過パターンが形成されていないことを特徴とする
   請求項１又は２記載の荷電粒子ビーム露光方法。
4. 【請求項４】前記電流測定用小透過パターンは、矩形の
   パターンであることを特徴とする請求項１、２又は３記
   載の荷電粒子ビーム露光方法。
5. 【請求項５】前記矩形スリットによって矩形に整形され
   た荷電粒子ビームの前記電流測定用小透過パターンに対
   する種々の照射位置における試料面上での電流値の測定
   を行う場合における前記矩形スリットによって矩形に整
   形された荷電粒子ビームを前記電流測定用小透過パター
   ンに対して種々の照射位置に可変する制御は、 前記矩形スリットによって矩形に整形された荷電粒子ビ
   ームを前記透過パターン板に形成されている透過パター
   ンを選択するために設けられている偏向手段による偏向
   により行われることを特徴とする請求項１、２、３又は
   ４記載の荷電粒子ビーム露光方法。
6. 【請求項６】前記矩形スリットによって矩形に整形され
   た荷電粒子ビームの前記電流測定用小透過パターンに対
   する種々の照射位置における試料面上での電流値の測定
   を行う場合における前記矩形スリットによって矩形に整
   形された荷電粒子ビームを前記電流測定用小透過パター
   ンに対して種々の照射位置に可変する制御は、 前記矩形スリットによって矩形に整形された荷電粒子ビ
   ームを前記透過パターン板に形成されている透過パター
   ンの形状の一部分を選択するために設けられている偏向
   手段による偏向により行われることを特徴とする請求項
   １、２、３又は４記載の荷電粒子ビーム露光方法。
7. 【請求項７】前記矩形スリットによって矩形に整形され
   た荷電粒子ビームの前記電流測定用小透過パターンに対
   する種々の照射位置における試料面上での電流値の測定
   を行う場合における前記矩形スリットによって矩形に整
   形された荷電粒子ビームを前記電流測定用小透過パター
   ンに対して種々の照射位置に可変する制御は、 前記透過パターン板を移動させることにより行われるこ
   とを特徴とする請求項１、２、３又は４記載の荷電粒子
   ビーム露光方法。
8. 【請求項８】前記透過パターン板に形成されている透過
   パターンの形状の一部分を選択するために設けられてい
   る偏向手段による前記矩形スリットによって矩形に整形
   された荷電粒子ビームの走査方向が前記露光対象物に対
   して所定の方向になるように調整する工程は、 前記透過パターン板に形成されている透過パターンの形
   状の一部分を選択するために設けられている偏向手段に
   よって、前記矩形スリットによって矩形に整形された荷
   電粒子ビームを、前記電流測定用小透過パターンの周囲
   を走査するように偏向させることにより、試料面上での
   電流密度マップを作成し、この電流密度マップにより得
   られる電流密度曲線の形状から、前記矩形スリットによ
   って矩形に整形された荷電粒子ビームの前記電流測定用
   小透過パターンに対する走査方向を検出することによっ
   て行われることを特徴とする請求項２、３、４、５、６
   又は７記載の荷電粒子ビーム露光方法。