JPS59169133A - パタ−ン修正装置 - Google Patents
パタ−ン修正装置Info
- Publication number
- JPS59169133A JPS59169133A JP58042161A JP4216183A JPS59169133A JP S59169133 A JPS59169133 A JP S59169133A JP 58042161 A JP58042161 A JP 58042161A JP 4216183 A JP4216183 A JP 4216183A JP S59169133 A JPS59169133 A JP S59169133A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ion beam
- electron beam
- sample surface
- irradiation
- ion
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/3002—Details
- H01J37/3005—Observing the objects or the point of impact on the object
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Tests Of Electronic Circuits (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、半導体や磁気バブル素子作製時に用いられて
いるウェハーやマスクのパターンを修正する装置、特に
微小なパターン欠けを修正した沙、微小に付着したゴミ
を除去したシするのに適したウェハー並びにマスク上の
パターン修正装置ニ関する。
いるウェハーやマスクのパターンを修正する装置、特に
微小なパターン欠けを修正した沙、微小に付着したゴミ
を除去したシするのに適したウェハー並びにマスク上の
パターン修正装置ニ関する。
従来のマスクのパターン欠けの修正方法は、再度レジス
トを塗布し、パターン欠けの部分の・′、にレジストを
除去し、金属を蒸着してレジストをμく去するものであ
る。この工程により欠けているパターン部分は修正され
るのであるが、多くの工程を要する欠点がある。また、
ゴミ付着（余分なパターンも含む）に関しては、・レー
ザー光によシ除去しているが、細く絞れないために微小
部の修正は不可能である。
トを塗布し、パターン欠けの部分の・′、にレジストを
除去し、金属を蒸着してレジストをμく去するものであ
る。この工程により欠けているパターン部分は修正され
るのであるが、多くの工程を要する欠点がある。また、
ゴミ付着（余分なパターンも含む）に関しては、・レー
ザー光によシ除去しているが、細く絞れないために微小
部の修正は不可能である。
一方、ウェハー上のパターン修正は通常行なわれて象ら
ず、不良品として処理されている。
ず、不良品として処理されている。
本発明の目的は、ウェハーやマスクのパターン欠けを修
正し、付着ゴミを除去し、無欠陥マスクを作製する装置
、特に、微小部の修正を高位置精度で行なえる装置を提
供することにある。
正し、付着ゴミを除去し、無欠陥マスクを作製する装置
、特に、微小部の修正を高位置精度で行なえる装置を提
供することにある。
流体力学イオン源の開発によシ高輝度金属イオン線が得
られるようになった。一方、金属イオンを極低速で照射
すると金属被膜ができ、高密度、付着性のよい薄膜が得
られる。また、高速で照射すると試料表面の物質を削る
こともできる。したがって、金属イオン線を細く絞シ、
低速、高速で照射すれば、パターンの欠けた部分には所
望のパターンになるように金属膜を付け、また付着した
ゴミは除去できる。これらを高位置精度に制御して行な
えばよい。高精度に位置決めするためには、イオン光学
系の座標系と試料の座標系との相対関係を明確にする必
要がある。この手段として、電子線描画装置で行なって
いるような試料面のあらかじめ準備されているマークに
イオン線を照射して、出て来た粒子（二次電子等）を信
号として取り出すことによυ行なう方法は困難である。
られるようになった。一方、金属イオンを極低速で照射
すると金属被膜ができ、高密度、付着性のよい薄膜が得
られる。また、高速で照射すると試料表面の物質を削る
こともできる。したがって、金属イオン線を細く絞シ、
低速、高速で照射すれば、パターンの欠けた部分には所
望のパターンになるように金属膜を付け、また付着した
ゴミは除去できる。これらを高位置精度に制御して行な
えばよい。高精度に位置決めするためには、イオン光学
系の座標系と試料の座標系との相対関係を明確にする必
要がある。この手段として、電子線描画装置で行なって
いるような試料面のあらかじめ準備されているマークに
イオン線を照射して、出て来た粒子（二次電子等）を信
号として取り出すことによυ行なう方法は困難である。
理由は、本発明の対象としているイオン線の加速電圧が
〜１００ｖ以下（低速）では金属イオンの付着や信号が
微弱であるし、〜Ｉ Ｋ、Ｖ以上（高速）ではマークが
キズつき測定中に変形するからである。
〜１００ｖ以下（低速）では金属イオンの付着や信号が
微弱であるし、〜Ｉ Ｋ、Ｖ以上（高速）ではマークが
キズつき測定中に変形するからである。
そこで、本発明では、イオン線でマークを作シ（低速で
は堆積した金属を、高速では削った後をマークとする。
は堆積した金属を、高速では削った後をマークとする。
）、これに電子線を照射してそのマークの位置を検出し
、イオン光学系の座標系を明確にすることに特徴がある
。
、イオン光学系の座標系を明確にすることに特徴がある
。
以下、本発明の一実施例を第１図によシ説明する。イオ
ン源１よシ発生させられたイオン線２は、レンズ３．４
によシ試料面２０上の位置５に結像させられている。一
方、電子源１１よシ発生さすられた電子線１２はレンズ
１３．１４により試料面２０上の位置１５に結像させら
れている。イオン線２は偏向器６によシ偏向され、電子
線１２は偏向器１６．１７によシ偏向される。またイオ
ン線２は、プランカーフとその絞シ８とにょシ、所望の
時間だけ試料面２ｏ上に照射させられる。イオン線は試
料面上への金属の堆積や試料面上の物質を削るために用
いるもので、通常は所望の位置に偏向されて静止して用
いられる。一方、電子線は試料表面の観察のために用い
られるために、通常は二次元走査させられている。
ン源１よシ発生させられたイオン線２は、レンズ３．４
によシ試料面２０上の位置５に結像させられている。一
方、電子源１１よシ発生さすられた電子線１２はレンズ
１３．１４により試料面２０上の位置１５に結像させら
れている。イオン線２は偏向器６によシ偏向され、電子
線１２は偏向器１６．１７によシ偏向される。またイオ
ン線２は、プランカーフとその絞シ８とにょシ、所望の
時間だけ試料面２ｏ上に照射させられる。イオン線は試
料面上への金属の堆積や試料面上の物質を削るために用
いるもので、通常は所望の位置に偏向されて静止して用
いられる。一方、電子線は試料表面の観察のために用い
られるために、通常は二次元走査させられている。
このような粒子系に対して、実際のウェハーやマスクの
パターン修正を行なう手順について説明する。まず、パ
ターンの欠けた部分に金属イオンを照射し、堆積させて
正常なパターンにする手順について説明する。
パターン修正を行なう手順について説明する。まず、パ
ターンの欠けた部分に金属イオンを照射し、堆積させて
正常なパターンにする手順について説明する。
まず、パターンの欠けた部分を有するマスクがある。当
然その部分の位置や大きさがマスクのどの位置にあるか
は、特定のマークを基準にしてあらかじめ測定されてい
る。このデータはＭＴマグネティックテープ（ＭＴ ）
２２によシ本装置に持ち込まれ、同時にマスクが試料
台にセットされる。
然その部分の位置や大きさがマスクのどの位置にあるか
は、特定のマークを基準にしてあらかじめ測定されてい
る。このデータはＭＴマグネティックテープ（ＭＴ ）
２２によシ本装置に持ち込まれ、同時にマスクが試料
台にセットされる。
最初に、イオン線の試料面上への照射位置、偏向感度等
を正確に知るために、基準マークをイオンの照射位置５
の近傍に移動させる。そこでイオン線を所望の時間照射
させ金属膜を作るのであ、÷。
を正確に知るために、基準マークをイオンの照射位置５
の近傍に移動させる。そこでイオン線を所望の時間照射
させ金属膜を作るのであ、÷。
が、偏向器６を動作させない時（いわゆる原点）と動作
させた時（イオン線を特定量偏向させる。
させた時（イオン線を特定量偏向させる。
複数点行なう。）の２種類行なっておく。この後、これ
らの形成された金属膜を電子線の照射位置１５の近傍に
移動させる。このとき、測長器２５によシ、移動量は正
確に測定されている。この状態で電子線によシ形成され
た金属膜の各座標値を測定する。これは、電子線の試料
面への照射時に発生する二次電子を検出器２１により検
出し１１、金属膜がある場合とない場合とで異なる信号
量と、偏向器１６．１７への入力信号とが情報として求
められる。すなわち、イオン線の座標系が電子線の座標
系を基準として測定されたことになる。
らの形成された金属膜を電子線の照射位置１５の近傍に
移動させる。このとき、測長器２５によシ、移動量は正
確に測定されている。この状態で電子線によシ形成され
た金属膜の各座標値を測定する。これは、電子線の試料
面への照射時に発生する二次電子を検出器２１により検
出し１１、金属膜がある場合とない場合とで異なる信号
量と、偏向器１６．１７への入力信号とが情報として求
められる。すなわち、イオン線の座標系が電子線の座標
系を基準として測定されたことになる。
次に、ＭＴのデータをもとにパターンの欠けた部分を電
子線の照射位置１５の近傍に移動さ−！、電子線の座標
系から見たパターンの欠けた部分の位置を正確に測定す
る。この測定座標値をイオン線の座標値に変換する。そ
こで、イオン線の照射位置５の近傍に移動させられてイ
オン線の照射が行なわれるのであるが、測長器２５にょ
υ測定された移動量やイオン線系による座標値等により
偏向器６への偏向信号は高精度に行なわれ正しくパター
ン欠は部分に照射されるように計算機２３で制御されて
いる。これらを各パターン欠は部分に対して行なえばよ
い。
子線の照射位置１５の近傍に移動さ−！、電子線の座標
系から見たパターンの欠けた部分の位置を正確に測定す
る。この測定座標値をイオン線の座標値に変換する。そ
こで、イオン線の照射位置５の近傍に移動させられてイ
オン線の照射が行なわれるのであるが、測長器２５にょ
υ測定された移動量やイオン線系による座標値等により
偏向器６への偏向信号は高精度に行なわれ正しくパター
ン欠は部分に照射されるように計算機２３で制御されて
いる。これらを各パターン欠は部分に対して行なえばよ
い。
一方、付着ゴミの除去についても上記同様にできるが、
イオン線の座標系を却るために行なうイオン線の照射は
、金属膜のある部分で行なう点が異なっている。
イオン線の座標系を却るために行なうイオン線の照射は
、金属膜のある部分で行なう点が異なっている。
次に、第２図の他の実施例について説明する。
本実施例ではイオン照射位置を含む領域を同時に電子線
の二次元走査を行なっている方式である。
の二次元走査を行なっている方式である。
したがって、イオン照射時にその照射位置が電子線によ
り測定できるので第１図の実施例のように試料台の移動
量を正確に測定する必要がなく、測長器２５は不要とな
っている。したがって、パターンの修正手順は、第１図
の実施例で行なった手順において、イオン線照射位置と
電子線照射位置の間をマスクが移動する動作が省略され
たものである。不実施例では、第１図０実施例に比べて
イオン照射の進行過程を観察することもできるので、終
点検出を行なうこともできる。
り測定できるので第１図の実施例のように試料台の移動
量を正確に測定する必要がなく、測長器２５は不要とな
っている。したがって、パターンの修正手順は、第１図
の実施例で行なった手順において、イオン線照射位置と
電子線照射位置の間をマスクが移動する動作が省略され
たものである。不実施例では、第１図０実施例に比べて
イオン照射の進行過程を観察することもできるので、終
点検出を行なうこともできる。
本実施例では、Ａｔイオン線を用い、パターン欠は部の
修正には１００１ゴミ除去時には１０ＫＶの加速電圧で
行なった。０． Ｉ Ａ ／ ｃｍ ２の電流密度を得
て０．５μｍ′より大きなパターン欠は部分の修正やゴ
ミ除去を行ない、１０３個の修正を行なうのに要した時
間は約３０分であった。本発明の一実施例として用いた
マスクはネサコーティングされたＣｒガラスである。一
方、電子光学系はＦＥ電子銃を用い、加速電圧２０１（
Ｖ、 ２０ｉＪＡの線分解能を得ており、イオンの照射
位置−２５００人の精度で制御できた。
修正には１００１ゴミ除去時には１０ＫＶの加速電圧で
行なった。０． Ｉ Ａ ／ ｃｍ ２の電流密度を得
て０．５μｍ′より大きなパターン欠は部分の修正やゴ
ミ除去を行ない、１０３個の修正を行なうのに要した時
間は約３０分であった。本発明の一実施例として用いた
マスクはネサコーティングされたＣｒガラスである。一
方、電子光学系はＦＥ電子銃を用い、加速電圧２０１（
Ｖ、 ２０ｉＪＡの線分解能を得ており、イオンの照射
位置−２５００人の精度で制御できた。
本発明において、本実施例で示したレンズ、偏向器、プ
ランカー等の個数、配置等は第１，２図のものに限るも
のではないことは言うまでもない。
ランカー等の個数、配置等は第１，２図のものに限るも
のではないことは言うまでもない。
また、照射イオンの種類やイオン、電子線の加速電圧も
実施例の値に限るものではない。さらに、ウェハーやマ
スクのパターン修正装置のみならず、類似の原理および
構成よシなる装置（たとえば、イオン・ビーム・ドーピ
ング装置など）にひろく適用できるものである。
実施例の値に限るものではない。さらに、ウェハーやマ
スクのパターン修正装置のみならず、類似の原理および
構成よシなる装置（たとえば、イオン・ビーム・ドーピ
ング装置など）にひろく適用できるものである。
以上述べたように、本発明によれば、細く絞ったイオン
線を高位置精度で制御できるので、従来のウェハーやマ
スクのパターン修正方式に比べてより簡単な工程で微細
なパターン修正ができる効果がある。
線を高位置精度で制御できるので、従来のウェハーやマ
スクのパターン修正方式に比べてより簡単な工程で微細
なパターン修正ができる効果がある。
第１図は本発明による装置の一実施例のブロック図、第
２図は本発明による装置の他の実施例のブロック図であ
る。
２図は本発明による装置の他の実施例のブロック図であ
る。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、イオン線の発生源と、イオン線を試料面上に細く絞
る手段と、細く絞ったイオン線を試料面の所望の位置に
偏向する手段とを具備し、かつ電子線の発生源と、電子
線を試料面に細く絞る手段と、細く絞った電子線を試料
面上で偏向走査する手段とを具備した装置において、イ
オン線の試料面上の照射位置を電子線により観測せしめ
る手段を備えたことを特徴とするウエノ・−並びにマス
ク上のパターン修正装置。 ２、イオン線の進行方向と電子線の進行方向をほぼ平行
にかつ試料面に対して垂直になるように構成したことを
特徴とする特許請求の範囲第１項記載のパターン修正装
置。 ３、イオン線の試料面上の照射領域を含む領域を電子線
の走査領域としたことを特徴とする特許請求の範囲第１
項記載のパターン修正装置。 ４、イオン源と試料面間にイオン線の試料面上への照射
をオン、オフできる手段を具備したことを特徴とする特
許請求の範囲第１項、第２項もしくは第３項記載のパタ
ーン修正装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58042161A JPS59169133A (ja) | 1983-03-16 | 1983-03-16 | パタ−ン修正装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58042161A JPS59169133A (ja) | 1983-03-16 | 1983-03-16 | パタ−ン修正装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59169133A true JPS59169133A (ja) | 1984-09-25 |
Family
ID=12628228
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58042161A Pending JPS59169133A (ja) | 1983-03-16 | 1983-03-16 | パタ−ン修正装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59169133A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61294749A (ja) * | 1985-06-24 | 1986-12-25 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | パタン寸法測定方法 |
| JPS63210845A (ja) * | 1987-02-27 | 1988-09-01 | Hitachi Ltd | 欠陥修正方法 |
| JPH02123749A (ja) * | 1988-11-01 | 1990-05-11 | Seiko Instr Inc | 断面加工観察装置 |
| JPH03200346A (ja) * | 1989-12-27 | 1991-09-02 | Sharp Corp | 半導体素子解析装置 |
-
1983
- 1983-03-16 JP JP58042161A patent/JPS59169133A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61294749A (ja) * | 1985-06-24 | 1986-12-25 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | パタン寸法測定方法 |
| JPS63210845A (ja) * | 1987-02-27 | 1988-09-01 | Hitachi Ltd | 欠陥修正方法 |
| JPH02123749A (ja) * | 1988-11-01 | 1990-05-11 | Seiko Instr Inc | 断面加工観察装置 |
| JPH03200346A (ja) * | 1989-12-27 | 1991-09-02 | Sharp Corp | 半導体素子解析装置 |
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