JPS6050333B2 - Ｘ線露光用マスクの製造方法 - Google Patents
Ｘ線露光用マスクの製造方法Info
- Publication number
- JPS6050333B2 JPS6050333B2 JP53163183A JP16318378A JPS6050333B2 JP S6050333 B2 JPS6050333 B2 JP S6050333B2 JP 53163183 A JP53163183 A JP 53163183A JP 16318378 A JP16318378 A JP 16318378A JP S6050333 B2 JPS6050333 B2 JP S6050333B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- mask
- resist
- layer
- manufacturing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はＩＣ、バブルメモリなどの微小素子製造用のＸ
線露光用マスク製法に関する。
線露光用マスク製法に関する。
従来Ｘ線露光用ネガマスクの作成法には次の２つの方法
がある。
がある。
第１の方法のマスクは第１図ｂに示す構造であつた。第
１図において、１はマスク基板１’はエッチング停止層
、２はメタル層、３はレジスト、４はレジスト３にあけ
られた開口部、５はメタル層２にあけられた窓の側面で
ある。このようなマスクは従来次の工程で製造されてい
た。例えばＸ線露光等を考えた場合、マスク基板１の材
料としてはシリコン（Ｓｉ）等が適しており、その厚さ
は３００〜５００μｍ程度である。次にその上にパター
ン形成用メタルとして０．８〜１．０μ程度の金等の層
が被着される。メタル層２の上にレジストのパターンを
形成し、イオンエッチング等によりメタル層２を加工し
、さいごに裏面から１’をエッチング停止層として窓開
けを行なうと、第１図をの如きマスクが製造される。第
１図から明らかなようにメタル層２にあけられた窓の側
面５は基板面６に対し垂直にならず、目的のパターンが
得られないという欠点があつた。ネガレジストは一般に
解像度が悪いので、出来上り素子のパターン精度はマス
クパターン精度よりも更に悪くなり、微細パターンの形
成は著しく不利となる。また、他の方法として第２図に
示すようなコピーマスクの製造法がある。
１図において、１はマスク基板１’はエッチング停止層
、２はメタル層、３はレジスト、４はレジスト３にあけ
られた開口部、５はメタル層２にあけられた窓の側面で
ある。このようなマスクは従来次の工程で製造されてい
た。例えばＸ線露光等を考えた場合、マスク基板１の材
料としてはシリコン（Ｓｉ）等が適しており、その厚さ
は３００〜５００μｍ程度である。次にその上にパター
ン形成用メタルとして０．８〜１．０μ程度の金等の層
が被着される。メタル層２の上にレジストのパターンを
形成し、イオンエッチング等によりメタル層２を加工し
、さいごに裏面から１’をエッチング停止層として窓開
けを行なうと、第１図をの如きマスクが製造される。第
１図から明らかなようにメタル層２にあけられた窓の側
面５は基板面６に対し垂直にならず、目的のパターンが
得られないという欠点があつた。ネガレジストは一般に
解像度が悪いので、出来上り素子のパターン精度はマス
クパターン精度よりも更に悪くなり、微細パターンの形
成は著しく不利となる。また、他の方法として第２図に
示すようなコピーマスクの製造法がある。
第２図において１１は露光光源、１２は原版マスク、１
３はメタルパターン、１４は位置合せマーク、１５はコ
ピーマスク基板、１６はパターン支持層、１７は感光層
、１８は反転メタルパターン、１９は反転位置合せマー
クてある。
３はメタルパターン、１４は位置合せマーク、１５はコ
ピーマスク基板、１６はパターン支持層、１７は感光層
、１８は反転メタルパターン、１９は反転位置合せマー
クてある。
第２図から明らかなようにＸ線源は発散光源であるため
、原版マスク上のパターンはコピーマス’クに拡大して
転写され、精度の良い忠実なコピーが出来なく、これは
１ミクロン以下のパターンの転写においては重大な欠点
である。
、原版マスク上のパターンはコピーマス’クに拡大して
転写され、精度の良い忠実なコピーが出来なく、これは
１ミクロン以下のパターンの転写においては重大な欠点
である。
またこの方法ては位置合わせマーク１４までが反転し、
反転パターン１９が形成されるという不都合が生ずる。
・Ｘ線露光法における位置合せ方法はポジ型マスクに対
してもネガ型マスクに対しても同一であるので、位置合
わせマークも前記両タイプのマスクに対し同一であるの
が望ましい。本発明の目的は上記欠点を除去することを
目的とし、特にネガレジスト用マスクの製造が容易にな
る。
反転パターン１９が形成されるという不都合が生ずる。
・Ｘ線露光法における位置合せ方法はポジ型マスクに対
してもネガ型マスクに対しても同一であるので、位置合
わせマークも前記両タイプのマスクに対し同一であるの
が望ましい。本発明の目的は上記欠点を除去することを
目的とし、特にネガレジスト用マスクの製造が容易にな
る。
基板の一方の面の所定の部位に凹部を、他方の面の所定
の位置に露光用の光又はＸ線を透過しない物質からなる
所望のパターンを形成する工程と、次ぎに凹部底面にポ
ジレジストを被着し、前記他方の面側より光又はＸ線を
照射し、現像して前記凹部に前記ポジレジストのパター
ンを形成し、該凹部の該レジストがない所にＸ線を透過
しない物質からなる、前記他方の面に形成したパターン
の反転パターンを形成し、前記他方の面に形成したパタ
ーンを除去する工程とを含むことを特徴とする。
の位置に露光用の光又はＸ線を透過しない物質からなる
所望のパターンを形成する工程と、次ぎに凹部底面にポ
ジレジストを被着し、前記他方の面側より光又はＸ線を
照射し、現像して前記凹部に前記ポジレジストのパター
ンを形成し、該凹部の該レジストがない所にＸ線を透過
しない物質からなる、前記他方の面に形成したパターン
の反転パターンを形成し、前記他方の面に形成したパタ
ーンを除去する工程とを含むことを特徴とする。
以下図面により詳細に説明する。
第３図Ａ，ｂ・・・ｆは本発明マスクの製造工程を示す
図で、２１はマスク基板、２２はマスク基板内のエッチ
ング停止層、２「はマスク部材、２０はパターン金属層
２３を被着するための下地層、２４はレジスト、２５は
レジストに設けられた窓、２６はマスク基板を加工して
形成されたもので素子形成用パターンを形成するための
凹部、２７はパターン金属層を被着するための裏面下地
層、２８はレジスト、２９はレジスト２８の感光部、３
０は裏面の素子形成用パターン３１，３２はレジストで
ある。
図で、２１はマスク基板、２２はマスク基板内のエッチ
ング停止層、２「はマスク部材、２０はパターン金属層
２３を被着するための下地層、２４はレジスト、２５は
レジストに設けられた窓、２６はマスク基板を加工して
形成されたもので素子形成用パターンを形成するための
凹部、２７はパターン金属層を被着するための裏面下地
層、２８はレジスト、２９はレジスト２８の感光部、３
０は裏面の素子形成用パターン３１，３２はレジストで
ある。
第３図ａにおいて、マスク基板２１としてはＸ線露光等
の場合は３００〜５００μｍ程度のシリコン薄板等が好
適である。
の場合は３００〜５００μｍ程度のシリコン薄板等が好
適である。
２２はマスク基板２１の表裏に形成されたエッチング停
止層でシリコンのマス．”ク基板２１にボロン等の不純
物を３μ程度拡散することによりマスク基板２１と一体
に形成することがてきる。
止層でシリコンのマス．”ク基板２１にボロン等の不純
物を３μ程度拡散することによりマスク基板２１と一体
に形成することがてきる。
また窒化シリコン（Ｓ】３Ｎ４）膜を被着したり、有機
フィルム膜を接着することも可能である。このようなエ
ッチング停止層２２はバターｊン支持体の役目も兼てい
る。（第４図ｂ参照。）２０はパターン金属層を被着す
るための下地層で例えばチタン（３００Ａ）、金（３０
０Ａ）の２層の薄層等が好適である。以上の如き操作を
施したマスク基板の表面にレダジストを塗布し、所定の
パターンをレジスト層に形成したのが第３図ａである。
フィルム膜を接着することも可能である。このようなエ
ッチング停止層２２はバターｊン支持体の役目も兼てい
る。（第４図ｂ参照。）２０はパターン金属層を被着す
るための下地層で例えばチタン（３００Ａ）、金（３０
０Ａ）の２層の薄層等が好適である。以上の如き操作を
施したマスク基板の表面にレダジストを塗布し、所定の
パターンをレジスト層に形成したのが第３図ａである。
第３図ａの状態でメッキし、メッキ層以外のレジストと
下地層を、エッチングすれば第３図ｂのようなパターン
金属層２３，２３″が得られる。
下地層を、エッチングすれば第３図ｂのようなパターン
金属層２３，２３″が得られる。
２３は素子のパターン形成用であり、２３″は位置合せ
マークである。
マークである。
次に第３図ｂの如くマスク基板２１の裏面の所定の部位
をエッチングにより除去する。
をエッチングにより除去する。
このエッチングはＥＰＷ液（エチレンジアミン、ピロカ
テコール水混液）或はＫＯＨ水溶液により為され、シリ
コンのエッチングが進んでエッチング停止層に到達する
と停止する。結果として素子用バターノン形成のための
凹部２６が形成される。エッチング停止層は非常に薄い
のでマスクの支持はマスク基板２１が受け持つこととな
る。上記までの工程でポジタイプのマスクが製造される
のであるが、ネガタイプのマスクを製造する・には更に
数工程が必要である。
テコール水混液）或はＫＯＨ水溶液により為され、シリ
コンのエッチングが進んでエッチング停止層に到達する
と停止する。結果として素子用バターノン形成のための
凹部２６が形成される。エッチング停止層は非常に薄い
のでマスクの支持はマスク基板２１が受け持つこととな
る。上記までの工程でポジタイプのマスクが製造される
のであるが、ネガタイプのマスクを製造する・には更に
数工程が必要である。
第３図は断面図であるから、実際はマスク基板２１はエ
ッチング後も格子状に残ることになり、前記凹部の占め
る割合が極端に増加しない限り強度的には問題がない。
ッチング後も格子状に残ることになり、前記凹部の占め
る割合が極端に増加しない限り強度的には問題がない。
次にマスク基板２１の裏面より、パターン金属層を被着
するのに必要な裏面下地層（Ｔｌ／Ａｕ）を蒸着等によ
り被着する。第３図Ｃ参照。次に裏面下地層２７の表面
にレジスト２８を塗布し、Ｘ線または遠紫外光等て第３
図ｄの矢印の方向より露光する。
するのに必要な裏面下地層（Ｔｌ／Ａｕ）を蒸着等によ
り被着する。第３図Ｃ参照。次に裏面下地層２７の表面
にレジスト２８を塗布し、Ｘ線または遠紫外光等て第３
図ｄの矢印の方向より露光する。
エッチング停止層２２は極めて薄いので、Ｘ線を容易に
透過し、レジスト層２８に感光反応を起させる。この場
合レジストとしてはポジ型のＰＭＭＡ．．ＡＺｌ３５Ｏ
Ｊ（Ｓｈｌｐｌｅｙ社製）等を用いる。２９はレジスト
の感光部である。
透過し、レジスト層２８に感光反応を起させる。この場
合レジストとしてはポジ型のＰＭＭＡ．．ＡＺｌ３５Ｏ
Ｊ（Ｓｈｌｐｌｅｙ社製）等を用いる。２９はレジスト
の感光部である。
次に感光したレジスト層２９を除去し、金または白金、
タングステン等の金属メッキ等て被着し、残りの感光し
なかつたレジスト３１を除去すれば、第４図ｅの如くパ
ターン２３の反転パターンである素子形成用パターン３
０が前記凹部２６に形成される。この場合マスク基板２
１の表面につくられたパターン金属層２３を厚さの一様
な非常に薄いエッチング停止層２２の裏面に反転転写す
るので、転写パターンの精度が極めて良いという特徴が
ある。最後に素子形成用パターン３０と位置合せマーク
２３″をレジストで保護し、パターン金属層２３を除去
すれは、第３図ｆの如く、位置合せマークはマスク基板
の表面に、素子形成用パターンはマスク基板の裏面に形
成することが出来る。
タングステン等の金属メッキ等て被着し、残りの感光し
なかつたレジスト３１を除去すれば、第４図ｅの如くパ
ターン２３の反転パターンである素子形成用パターン３
０が前記凹部２６に形成される。この場合マスク基板２
１の表面につくられたパターン金属層２３を厚さの一様
な非常に薄いエッチング停止層２２の裏面に反転転写す
るので、転写パターンの精度が極めて良いという特徴が
ある。最後に素子形成用パターン３０と位置合せマーク
２３″をレジストで保護し、パターン金属層２３を除去
すれは、第３図ｆの如く、位置合せマークはマスク基板
の表面に、素子形成用パターンはマスク基板の裏面に形
成することが出来る。
なお、本工程では位置合せマーク２３″の裏面凹部にも
反転したレジストパターン出来るが、パターン金属を被
着する前にレジスト層３２をマーク２３″の裏面にのみ
塗布することにより、金属の被着を阻止できる。レジス
ト層３２はレジスト層３１を除去する際に同時に除され
るので全く問題はない。本発明の効果は、第１に素子形
成用パターンの精度がよいことで、第１図ｂの如くメタ
ル層にあけられた窓の側面５が傾斜せず、マスク基板２
１の面に略垂直な面が得られる。
反転したレジストパターン出来るが、パターン金属を被
着する前にレジスト層３２をマーク２３″の裏面にのみ
塗布することにより、金属の被着を阻止できる。レジス
ト層３２はレジスト層３１を除去する際に同時に除され
るので全く問題はない。本発明の効果は、第１に素子形
成用パターンの精度がよいことで、第１図ｂの如くメタ
ル層にあけられた窓の側面５が傾斜せず、マスク基板２
１の面に略垂直な面が得られる。
このことは解像度のあまりよくないネガレジストを使用
する場合には大きな利点である。第２に原版マスクとコ
ピーマスクとの間の空隙に起因するパターンずれなどを
回避出来る。
する場合には大きな利点である。第２に原版マスクとコ
ピーマスクとの間の空隙に起因するパターンずれなどを
回避出来る。
これはエッチング停止層が前記空隙と比較して極めて薄
く、一様な厚みを持つことによる利点である。第３に一
種類の電子ビーム描画でポジタイプのマスクとネガタイ
プのマスクが作れることである。即ち第３図ａの如き電
子ビーム描画に基いて第３図ｂのポジタイプ、第３図ｆ
のネガタイプのマスクを作ることが出来、電子ビーム描
画の時間を大幅に短縮出来る。以上詳細に説明したよう
に、本発明はマスク基板の一方の表面に所定のパターン
を形成した後、他方の表面にあけられた凹部の底部に素
子形成用パターン反転転写により設けることを特徹とし
ている。
く、一様な厚みを持つことによる利点である。第３に一
種類の電子ビーム描画でポジタイプのマスクとネガタイ
プのマスクが作れることである。即ち第３図ａの如き電
子ビーム描画に基いて第３図ｂのポジタイプ、第３図ｆ
のネガタイプのマスクを作ることが出来、電子ビーム描
画の時間を大幅に短縮出来る。以上詳細に説明したよう
に、本発明はマスク基板の一方の表面に所定のパターン
を形成した後、他方の表面にあけられた凹部の底部に素
子形成用パターン反転転写により設けることを特徹とし
ている。
また他の実施例として、位置合せマーク２３″の代りに
、１９のパターンを用いれば、前記停止層の上面につく
られた一切のパターンを裏面凹部に反転転写することに
より、所望のネガマスクを製造することが可能である。
、１９のパターンを用いれば、前記停止層の上面につく
られた一切のパターンを裏面凹部に反転転写することに
より、所望のネガマスクを製造することが可能である。
図面の簡単な説明第１図は従来マスクを説明するための
図、第２図は従来の原版マスクよりコピーマスクを製造
する方法を示した図、第３図は本発明マスクの製法を説
明するための図である。
図、第２図は従来の原版マスクよりコピーマスクを製造
する方法を示した図、第３図は本発明マスクの製法を説
明するための図である。
図において、２１はマスク基板、２２はエッチング停止
層、２０は表面下地層、２３はパターン金属層、２３″
は位置合せマーク、２７は裏面下地層、２８はレジスト
、２９は露光部、３０は素子形成用パターンである。
層、２０は表面下地層、２３はパターン金属層、２３″
は位置合せマーク、２７は裏面下地層、２８はレジスト
、２９は露光部、３０は素子形成用パターンである。
Claims (1)
- １ 基板の一方の面の所定の部位に凹部を、他方の面の
所定の位置に露光用の光又はＸ線を透過しない物質から
なる所望のパターンを形成する工程と、次ぎに凹部底面
にポジレジストを被着し、前記他方の面側より光又はＸ
線を照射し、現像して前記凹部に前記ポジレジストのパ
ターンを形成し、該凹部の該レジストがない所にＸ線を
透過しない物質からなる、前記他方の面に形成したパタ
ーンの反転パターンを形成し、前記他方の面に形成した
パターンを除去する工程とを含むことを特徴とするＸ線
露光用マスクの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP53163183A JPS6050333B2 (ja) | 1978-12-26 | 1978-12-26 | Ｘ線露光用マスクの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP53163183A JPS6050333B2 (ja) | 1978-12-26 | 1978-12-26 | Ｘ線露光用マスクの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5588333A JPS5588333A (en) | 1980-07-04 |
| JPS6050333B2 true JPS6050333B2 (ja) | 1985-11-08 |
Family
ID=15768818
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP53163183A Expired JPS6050333B2 (ja) | 1978-12-26 | 1978-12-26 | Ｘ線露光用マスクの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6050333B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102097303B (zh) * | 2010-12-15 | 2012-06-20 | 无锡中微晶园电子有限公司 | 一种用于厚金属的光刻工艺 |
-
1978
- 1978-12-26 JP JP53163183A patent/JPS6050333B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5588333A (en) | 1980-07-04 |
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