JPS629894B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS629894B2 JPS629894B2 JP15886479A JP15886479A JPS629894B2 JP S629894 B2 JPS629894 B2 JP S629894B2 JP 15886479 A JP15886479 A JP 15886479A JP 15886479 A JP15886479 A JP 15886479A JP S629894 B2 JPS629894 B2 JP S629894B2
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- JP
- Japan
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- positive resist
- silicon film
- air flow
- resist layer
- pattern
- Prior art date
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- Expired
Links
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/50—Mask blanks not covered by G03F1/20 - G03F1/34; Preparation thereof
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はIC用フオトマスクの製造方法に関す
るものである。 写真製版技術を応用してIC等の精密部品を製
作する際に使用される従来の焼付用パターンは密
着露光中に空気が焼付用パターンと感光板との間
に入り解像度を妨げ所望の精密部品に欠陥ができ
る欠点がある。 本発明は上述した欠点を除去すべくなされたも
ので焼付用パターンの図形面の上面にシリコン等
の被膜を施し、ある一定の高さを有する該被膜部
によつて空気の流通路を形成させ空気の流通を良
好ならしめて密着時空気の排除を短時間のうちに
行なえるようにした空気流通路付フオトマスクの
製造方法に関するものである。 以下本発明を実施例図に基いて説明する。本発
明の空気流通路付フオトマスクは第１図乃至第６
図のごとき工程で製作される。まず第１図に示す
ようにガラス板１と該ガラス板１の上面の蒸着金
属２よりなるパターン３の蒸着金属２の面に
CVDもしくは、シリコン樹脂コーテイング等に
より第２図に示すようにシリコン被膜４で金属蒸
着膜よりなるパターン２を完全に被覆した後その
上にポジレジスト（耐酸感光液よりなるものが望
ましい）層５を第３図に示すように形成する。次
いでガラス板１の下面６側より紫外線にて全面照
射し金属蒸着膜よりなるパターン２以外の部分を
透光させ光分解する。光分解後現像処理しポジレ
ジスト層５における露光部１５を溶解除去して金
属蒸着膜よりなるパターン２の上面におけるシリ
コン被膜４上にポジレジスト部５′を第４図に示
すように残す現像処理後、弗酸溶液でエツチング
して第５図に示すようにシリコン被膜層４′をポ
ジレジスト部５′の直下部にだけ残すようにポジ
レジスト部５′で覆われていない部分のシリコン
被膜層４を溶解除去し、しかる後残つているポジ
レジスト部５′を従来技術により剥離して第６図
のように金属蒸着膜よりなるパターン２の上面が
シリコン膜４′で覆われかつ各シリコン膜４′間に
空気流通路７を有する焼付用パターン８を形成す
る。 以上のようにして作成された焼付用パターン８
においてはシリコン膜４′はパターンの全面に亘
つて形成されているのではなく金属蒸着膜よりな
るパターン２の部分の上面のみを覆い各シリコン
膜４′間にはシリコン４′の厚みを適切に形成すれ
ば空気流通路７が形成されているのでパターンと
感光板を真空吸着手段によつて密着させる際シリ
コン膜４′面と感光板間の空気は空気流通路７か
ら容易に抜くことができシリコン膜面と感光板と
の密着を短時間に効率よく行うことができる又シ
リコン膜４′の最適な厚みは5000〜7000Å程度で
ある。第７図は本発明の他の実施例で光を多量に
当ててポジレジストを感光させた場合、シリコン
膜４′が金属蒸着膜２の一部に残存し、感光板を
密着させた場合の空気流通路７を形成するための
厚みを保持するように形成した場合を示してい
る。 以上の如く本発明は、ポジレジストを成光させ
る場合金属蒸着よりなるパターン２をマスクとし
てガラス基板１の背面より光を照射し該ポジレジ
ストを成光させるため、パターンずれが起きな
い。又、従来ネガレジストを使用する場合は他に
もう１つのパターンマスクを必要とし、パターン
ずれを起すと同時に、パターンマスクを余分に必
要とし工程もそれだ余分な工程を必要とする、の
で本発明の方式を用いれば、工程が簡単であると
同時に精度も著しく向上する効果がある。
るものである。 写真製版技術を応用してIC等の精密部品を製
作する際に使用される従来の焼付用パターンは密
着露光中に空気が焼付用パターンと感光板との間
に入り解像度を妨げ所望の精密部品に欠陥ができ
る欠点がある。 本発明は上述した欠点を除去すべくなされたも
ので焼付用パターンの図形面の上面にシリコン等
の被膜を施し、ある一定の高さを有する該被膜部
によつて空気の流通路を形成させ空気の流通を良
好ならしめて密着時空気の排除を短時間のうちに
行なえるようにした空気流通路付フオトマスクの
製造方法に関するものである。 以下本発明を実施例図に基いて説明する。本発
明の空気流通路付フオトマスクは第１図乃至第６
図のごとき工程で製作される。まず第１図に示す
ようにガラス板１と該ガラス板１の上面の蒸着金
属２よりなるパターン３の蒸着金属２の面に
CVDもしくは、シリコン樹脂コーテイング等に
より第２図に示すようにシリコン被膜４で金属蒸
着膜よりなるパターン２を完全に被覆した後その
上にポジレジスト（耐酸感光液よりなるものが望
ましい）層５を第３図に示すように形成する。次
いでガラス板１の下面６側より紫外線にて全面照
射し金属蒸着膜よりなるパターン２以外の部分を
透光させ光分解する。光分解後現像処理しポジレ
ジスト層５における露光部１５を溶解除去して金
属蒸着膜よりなるパターン２の上面におけるシリ
コン被膜４上にポジレジスト部５′を第４図に示
すように残す現像処理後、弗酸溶液でエツチング
して第５図に示すようにシリコン被膜層４′をポ
ジレジスト部５′の直下部にだけ残すようにポジ
レジスト部５′で覆われていない部分のシリコン
被膜層４を溶解除去し、しかる後残つているポジ
レジスト部５′を従来技術により剥離して第６図
のように金属蒸着膜よりなるパターン２の上面が
シリコン膜４′で覆われかつ各シリコン膜４′間に
空気流通路７を有する焼付用パターン８を形成す
る。 以上のようにして作成された焼付用パターン８
においてはシリコン膜４′はパターンの全面に亘
つて形成されているのではなく金属蒸着膜よりな
るパターン２の部分の上面のみを覆い各シリコン
膜４′間にはシリコン４′の厚みを適切に形成すれ
ば空気流通路７が形成されているのでパターンと
感光板を真空吸着手段によつて密着させる際シリ
コン膜４′面と感光板間の空気は空気流通路７か
ら容易に抜くことができシリコン膜面と感光板と
の密着を短時間に効率よく行うことができる又シ
リコン膜４′の最適な厚みは5000〜7000Å程度で
ある。第７図は本発明の他の実施例で光を多量に
当ててポジレジストを感光させた場合、シリコン
膜４′が金属蒸着膜２の一部に残存し、感光板を
密着させた場合の空気流通路７を形成するための
厚みを保持するように形成した場合を示してい
る。 以上の如く本発明は、ポジレジストを成光させ
る場合金属蒸着よりなるパターン２をマスクとし
てガラス基板１の背面より光を照射し該ポジレジ
ストを成光させるため、パターンずれが起きな
い。又、従来ネガレジストを使用する場合は他に
もう１つのパターンマスクを必要とし、パターン
ずれを起すと同時に、パターンマスクを余分に必
要とし工程もそれだ余分な工程を必要とする、の
で本発明の方式を用いれば、工程が簡単であると
同時に精度も著しく向上する効果がある。
第１図乃至第６図は本発明の空気流通路付IC
フオトマスクの製造工程を説明する断面図、第７
図は本発明の他の実施例を示す断面図である。 ２……金属蒸着膜よりなるパターン、４，４′
……シリコン被膜、５，５′……ポジレジスト、
７……空気流通路。
フオトマスクの製造工程を説明する断面図、第７
図は本発明の他の実施例を示す断面図である。 ２……金属蒸着膜よりなるパターン、４，４′
……シリコン被膜、５，５′……ポジレジスト、
７……空気流通路。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 片面に金属蒸着パターンを形成してなる透明
板全面に、ある一定の厚さをもつてシリコン被膜
を形成する工程と、前記透明板の上面にポジレジ
スト層を形成する工程と、該透明板の背面より全
面に紫外線を照射し前記ポジレジスト層を露光す
る工程と、露光後現像処理することにより金属蒸
着パターンの上面に前記ポジレジスト層を残しさ
らにエツチング処理を施して前記シリコン被膜層
を未露光部に当る部分だけ残して他は溶解除去す
る工程と、前記ポジレジスト層を剥離して前記金
属蒸着パターンの上面のみをシリコン膜で覆う工
程とからなり各シリコン膜厚相互間隔で空気流通
路を形成することを特徴とする空気流通路付IC
用フオトマスクの製造方法。 ２ シリコン膜厚は5000〜7000Åであることを特
徴とする特許請求の範囲第１項記載の空気流通路
付IC用フオトマスクの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15886479A JPS5681844A (en) | 1979-12-07 | 1979-12-07 | Production of photomask for ic with airflow passage |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15886479A JPS5681844A (en) | 1979-12-07 | 1979-12-07 | Production of photomask for ic with airflow passage |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5681844A JPS5681844A (en) | 1981-07-04 |
| JPS629894B2 true JPS629894B2 (ja) | 1987-03-03 |
Family
ID=15681059
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15886479A Granted JPS5681844A (en) | 1979-12-07 | 1979-12-07 | Production of photomask for ic with airflow passage |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5681844A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6300042B1 (en) | 1998-11-24 | 2001-10-09 | Motorola, Inc. | Lithographic printing method using a low surface energy layer |
-
1979
- 1979-12-07 JP JP15886479A patent/JPS5681844A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5681844A (en) | 1981-07-04 |
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