JPH06318541A - パターンの形成方法 - Google Patents
パターンの形成方法Info
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- JPH06318541A JPH06318541A JP5310882A JP31088293A JPH06318541A JP H06318541 A JPH06318541 A JP H06318541A JP 5310882 A JP5310882 A JP 5310882A JP 31088293 A JP31088293 A JP 31088293A JP H06318541 A JPH06318541 A JP H06318541A
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/04—Chromates
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/703—Non-planar pattern areas or non-planar masks, e.g. curved masks or substrates
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/70—Adapting basic layout or design of masks to lithographic process requirements, e.g., second iteration correction of mask patterns for imaging
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
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- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
- G03F7/2022—Multi-step exposure, e.g. hybrid; backside exposure; blanket exposure, e.g. for image reversal; edge exposure, e.g. for edge bead removal; corrective exposure
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 レジストパターンのプロファイルを向上させ
るためのパターンの形成方法を提供する。 【構成】 これは段差を有する被加工基板上にフォトレ
ジスト膜を形成する段階と、前記フォトレジスト膜を第
１マスクを使用し第１露光する段階と、前記露光された
フォトレジスト膜の中で段差により相対的に厚い部分を
露光するためのパターンを有する第２マスクを使用し第
２露光する段階と、得られる露光レジストを現像する段
階を含む。 【効果】 これにより、特に段差部分の厚いレジストに
十分な露光が成されブリッジ、スカム等が発生せず、プ
ロファイルの向上された優れたパターンが得られる。
るためのパターンの形成方法を提供する。 【構成】 これは段差を有する被加工基板上にフォトレ
ジスト膜を形成する段階と、前記フォトレジスト膜を第
１マスクを使用し第１露光する段階と、前記露光された
フォトレジスト膜の中で段差により相対的に厚い部分を
露光するためのパターンを有する第２マスクを使用し第
２露光する段階と、得られる露光レジストを現像する段
階を含む。 【効果】 これにより、特に段差部分の厚いレジストに
十分な露光が成されブリッジ、スカム等が発生せず、プ
ロファイルの向上された優れたパターンが得られる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はパターンの形成方法に係
り、特に高段差部分でのパターンプロファイルの向上さ
れたパターンを提供しながらもその製造工程の単純化さ
れたパターンの形成方法に関する。
り、特に高段差部分でのパターンプロファイルの向上さ
れたパターンを提供しながらもその製造工程の単純化さ
れたパターンの形成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体素子の高集積化、高性能化が進行
されるにつれ複雑な構造の導入で半導体基板上の微細パ
ターン形成技術に対する要求度が高まっている。このよ
うな半導体装置のパターンがフォトリソグラフィー法に
より形成されることは広く知られている。
されるにつれ複雑な構造の導入で半導体基板上の微細パ
ターン形成技術に対する要求度が高まっている。このよ
うな半導体装置のパターンがフォトリソグラフィー法に
より形成されることは広く知られている。
【０００３】フォトリソグラフィーによるパターンの形
成方法は次の通りである。先ず、絶縁膜、伝導性膜また
は半導体ウェハー等のようにパターンを形成しようとす
る基板の上部に、紫外線やＸ線等の光を照射すれば溶解
度変化が起こるようになるフォトレジスト膜を形成す
る。所定の部分のみを選択的に露光できるようにパタニ
ングされたマスクを使用し前記レジスト膜に選択的に光
を照射した後、現像し溶解度の大きいレジスト部分（ポ
ジティブ形のレジストの場合、露光された部分）は取り
除き溶解度の小さいレジスト部分を残しレジストパター
ンを形成する。レジストの取り除かれた部分の基板はエ
ッチングしパターンを形成し基板エッチングの完了され
た後、残ったレジストを取り除き各種の配線、電極等に
必要なパターンを得させる。
成方法は次の通りである。先ず、絶縁膜、伝導性膜また
は半導体ウェハー等のようにパターンを形成しようとす
る基板の上部に、紫外線やＸ線等の光を照射すれば溶解
度変化が起こるようになるフォトレジスト膜を形成す
る。所定の部分のみを選択的に露光できるようにパタニ
ングされたマスクを使用し前記レジスト膜に選択的に光
を照射した後、現像し溶解度の大きいレジスト部分（ポ
ジティブ形のレジストの場合、露光された部分）は取り
除き溶解度の小さいレジスト部分を残しレジストパター
ンを形成する。レジストの取り除かれた部分の基板はエ
ッチングしパターンを形成し基板エッチングの完了され
た後、残ったレジストを取り除き各種の配線、電極等に
必要なパターンを得させる。
【０００４】このようなフォトリソグラフィーによると
微細なパターンを高い解像度で形成できるので多く利用
されているが、より微細なパターンを形成するためには
多くの工程上の改善を必要とする。
微細なパターンを高い解像度で形成できるので多く利用
されているが、より微細なパターンを形成するためには
多くの工程上の改善を必要とする。
【０００５】すなわち、フォトレジスト膜を露光させた
後、現像して得た微細なパターンでパターンの線幅はフ
ォトマスク上に形成されたパターンの線幅と同一に一定
することが要求される。しかしながら、フォトリソグラ
フィーに幾つの段階の工程が存するのでパターンの線幅
を一定に保つことは非常に難しい。このような線幅偏差
は、主に、ａ）相異なるレジスト厚さを有するレジスト
内に集められるエネルギーの差、ｂ）回折および反射に
よる段差での光の散乱等に基づく（ S.Wolf and R.N. T
auber, Silicon Processing for the VLSI Era, Vol.1,
p439(1986) ）。
後、現像して得た微細なパターンでパターンの線幅はフ
ォトマスク上に形成されたパターンの線幅と同一に一定
することが要求される。しかしながら、フォトリソグラ
フィーに幾つの段階の工程が存するのでパターンの線幅
を一定に保つことは非常に難しい。このような線幅偏差
は、主に、ａ）相異なるレジスト厚さを有するレジスト
内に集められるエネルギーの差、ｂ）回折および反射に
よる段差での光の散乱等に基づく（ S.Wolf and R.N. T
auber, Silicon Processing for the VLSI Era, Vol.1,
p439(1986) ）。
【０００６】図１は、従来の単一層のレジスト法による
パターン形成工程の流れ図であるが、これを参照にして
更に詳細に調べれば次の通りである。
パターン形成工程の流れ図であるが、これを参照にして
更に詳細に調べれば次の通りである。
【０００７】基板を１００ないし１０００ｒｐｍの速度
で回転させながら感光性のフォトレジスト物質を基板の
上部に塗布した後、高速回転（２０００ないし６０００
ｒｐｍ）させれば感光性物質が遠心力により放射状で拡
がりながら基板全体に均一な厚さのレジスト膜を形成す
る。
で回転させながら感光性のフォトレジスト物質を基板の
上部に塗布した後、高速回転（２０００ないし６０００
ｒｐｍ）させれば感光性物質が遠心力により放射状で拡
がりながら基板全体に均一な厚さのレジスト膜を形成す
る。
【０００８】図３Ａおよび３Ｂには従来の単一層のレジ
スト法によるパターン形成の際段差でのレジスト厚さ変
化および現像の後段差でのパターン形を示す図面であ
る。図面の通り、基板上に既にパターンが形成されてお
り段差が存する場合にはレジスト膜の厚さが部分的に異
なる。すなわち、図３Ａに示した通り基板１の上部、段
差がある部分ではレジスト膜２が厚く形成される。特
に、素子の高集積化により複雑な構造の導入で段差の数
が増加されたが、このような複雑な段差によりフォトレ
ジスト塗布の際段差部分のレジストが他の部分に比べ相
対的に厚く形成されれば、後にレジストパターンの形成
の際パターンブリッジやスカム等の誘発が増加する。
スト法によるパターン形成の際段差でのレジスト厚さ変
化および現像の後段差でのパターン形を示す図面であ
る。図面の通り、基板上に既にパターンが形成されてお
り段差が存する場合にはレジスト膜の厚さが部分的に異
なる。すなわち、図３Ａに示した通り基板１の上部、段
差がある部分ではレジスト膜２が厚く形成される。特
に、素子の高集積化により複雑な構造の導入で段差の数
が増加されたが、このような複雑な段差によりフォトレ
ジスト塗布の際段差部分のレジストが他の部分に比べ相
対的に厚く形成されれば、後にレジストパターンの形成
の際パターンブリッジやスカム等の誘発が増加する。
【０００９】図３Ｂは、図３Ａのように形成されたレジ
スト膜を露光および現像して得られたレジストパターン
３を示す。図３Ｂを見れば図３Ａで段差の下、レジスト
厚さの特に厚い部分に対応する所のレジストが現像の際
完全に取り除かれず部分４のようにレジストパターン３
の間に残留されていることが分かる。
スト膜を露光および現像して得られたレジストパターン
３を示す。図３Ｂを見れば図３Ａで段差の下、レジスト
厚さの特に厚い部分に対応する所のレジストが現像の際
完全に取り除かれず部分４のようにレジストパターン３
の間に残留されていることが分かる。
【００１０】このように望ましくない現象が発生する原
因を調べれば次の通りである。
因を調べれば次の通りである。
【００１１】良好なレジストパターンを形成させようと
すれば、露光の際光線の焦点をレジストの厚さの中心線
に合わせるべきであるが（レジスト表面での露光領域と
レジスト下部での露光領域が焦点に対し対称なので、焦
点がレジストの厚さの中心線に合わせられる時、レジス
ト表面での露光領域とレジスト下部での露光領域が同一
になりシャープな光度分布を持つ）、段差のあるウェハ
ー上に形成されたレジスト膜の厚さは基板の領域により
一定していないので全レジスト膜の厚さの中心線と光線
の焦点を一致させることはほぼ不可能である。すなわ
ち、例えば相対的にレジスト厚さの厚い段差では光線の
焦点線がレジストの厚さの中心線の上部に存するのでレ
ジストの下部露光範囲が広くなるが、これはレジスト下
部での露光エネルギーが相対的に不足であるというこ
と、すなわち露光が十分でないことを意味する。不十分
な露光は望ましくないことにレジスト現像の後線幅の変
化、ブリッジ、スカム発生等をもたらす。これは結局レ
ジストパターンプロファイルの不良を発生し基板のエッ
チングを不可能にしたりもする。
すれば、露光の際光線の焦点をレジストの厚さの中心線
に合わせるべきであるが（レジスト表面での露光領域と
レジスト下部での露光領域が焦点に対し対称なので、焦
点がレジストの厚さの中心線に合わせられる時、レジス
ト表面での露光領域とレジスト下部での露光領域が同一
になりシャープな光度分布を持つ）、段差のあるウェハ
ー上に形成されたレジスト膜の厚さは基板の領域により
一定していないので全レジスト膜の厚さの中心線と光線
の焦点を一致させることはほぼ不可能である。すなわ
ち、例えば相対的にレジスト厚さの厚い段差では光線の
焦点線がレジストの厚さの中心線の上部に存するのでレ
ジストの下部露光範囲が広くなるが、これはレジスト下
部での露光エネルギーが相対的に不足であるというこ
と、すなわち露光が十分でないことを意味する。不十分
な露光は望ましくないことにレジスト現像の後線幅の変
化、ブリッジ、スカム発生等をもたらす。これは結局レ
ジストパターンプロファイルの不良を発生し基板のエッ
チングを不可能にしたりもする。
【００１２】従来の単一層レジスト法（ＳＬＲ；single
-layer resist ）による前記のような問題点を解決する
ために多層レジスト法（ＭＬＲ；multi-layer res-ist
）が導入された。
-layer resist ）による前記のような問題点を解決する
ために多層レジスト法（ＭＬＲ；multi-layer res-ist
）が導入された。
【００１３】図２には従来の多層レジスト法によるパタ
ーン形成工程の流れ図を示し、図４には多層レジスト法
によるパターン形成の際層間構造を説明するための図面
を示した。図２および図４を参照にして多層レジスト法
を詳細に説明すれば次の通りである。
ーン形成工程の流れ図を示し、図４には多層レジスト法
によるパターン形成の際層間構造を説明するための図面
を示した。図２および図４を参照にして多層レジスト法
を詳細に説明すれば次の通りである。
【００１４】まず、基板１の上部に平坦化用の下部フォ
トレジスト１１を基板の段差より厚く塗布してベークす
る。その上部に層間絶縁膜１２を塗布した後、露光用の
上部フォトレジスト１３を塗布し多層レジストを形成す
る。上部のフォトレジストを露光、現像の後層間絶縁膜
を乾式蝕刻（ドライエッチング）する。後に、下部の平
坦化用のフォトレジストを酸素ガスＯ2 、プラズマを利
用し乾式蝕刻することによりレジストパターンを形成す
る。レジストパターンを利用し基板をエッチングし、残
ったレジストを取り除きパターンを得る。この多層レジ
スト法によれば０．５μｍ以下の高解像度を有するパタ
ーンが得られる。
トレジスト１１を基板の段差より厚く塗布してベークす
る。その上部に層間絶縁膜１２を塗布した後、露光用の
上部フォトレジスト１３を塗布し多層レジストを形成す
る。上部のフォトレジストを露光、現像の後層間絶縁膜
を乾式蝕刻（ドライエッチング）する。後に、下部の平
坦化用のフォトレジストを酸素ガスＯ2 、プラズマを利
用し乾式蝕刻することによりレジストパターンを形成す
る。レジストパターンを利用し基板をエッチングし、残
ったレジストを取り除きパターンを得る。この多層レジ
スト法によれば０．５μｍ以下の高解像度を有するパタ
ーンが得られる。
【００１５】多層レジスト法の適用例が特開昭５１−１
０７７７５号に開示されている。凹凸や段差の存する基
板の上部に有機物層（下部膜）を厚く塗布し平坦にした
後、その上にＳＯＧ（spin on glass ）やＰＳＧ（phos
phosilicate glass ）またはＳｉＯ2 より構成された中
間膜を形成し、これの上部にフォトレジスト膜（上部
膜）を形成させる。通常のフォトリソグラフィー技術に
より、前記上層膜を露光および現像し、前記中間膜をエ
ッチングし所定の形に加工した後、この中間膜パターン
をマスクにして前記厚い下部膜の露出された部分をドラ
イエッチングし取り除く。下部膜パタニングにより被加
工膜の露出された部分をエッチングし所定のパターンを
形成するようになったのである。
０７７７５号に開示されている。凹凸や段差の存する基
板の上部に有機物層（下部膜）を厚く塗布し平坦にした
後、その上にＳＯＧ（spin on glass ）やＰＳＧ（phos
phosilicate glass ）またはＳｉＯ2 より構成された中
間膜を形成し、これの上部にフォトレジスト膜（上部
膜）を形成させる。通常のフォトリソグラフィー技術に
より、前記上層膜を露光および現像し、前記中間膜をエ
ッチングし所定の形に加工した後、この中間膜パターン
をマスクにして前記厚い下部膜の露出された部分をドラ
イエッチングし取り除く。下部膜パタニングにより被加
工膜の露出された部分をエッチングし所定のパターンを
形成するようになったのである。
【００１６】また、大韓民国特許公告第８９−３９０３
号には多層レジスト法において、中間膜の光に対する屈
折率と、上部膜および下部膜の光に対する屈折率との差
を少なくすることにより、上部膜と中間膜および中間膜
と下部膜の間の各界面における光の反射を減少させると
同時に、下部膜における膜の厚さの差により生ずる膜内
干渉を防止し、パターン形成の際寸法変動を抑制するこ
とによりパターンの解像度を向上させる方法が開示され
ている。前記文献に述べられた方法は被加工膜、有機高
分子化合物より成る下部膜、前記下部膜より耐ドライエ
ッチング性の大きい材料よりなる中間膜および感光性を
有する上部膜を基板上に順に積層する段階と、前記上部
膜の所定の部分に選択的に光を照射した後現像し、所定
の形を有する上部膜のパターンを形成する段階と、前記
下部膜の露出された部分を取り除く段階と、前記被加工
膜の露出された部分を取り除き前記被加工膜よりなるパ
ターンを形成する段階を含むが、前記中間膜の光屈折率
と前記上部膜および下部膜の光屈折率差がそれぞれ１２
％以下である。
号には多層レジスト法において、中間膜の光に対する屈
折率と、上部膜および下部膜の光に対する屈折率との差
を少なくすることにより、上部膜と中間膜および中間膜
と下部膜の間の各界面における光の反射を減少させると
同時に、下部膜における膜の厚さの差により生ずる膜内
干渉を防止し、パターン形成の際寸法変動を抑制するこ
とによりパターンの解像度を向上させる方法が開示され
ている。前記文献に述べられた方法は被加工膜、有機高
分子化合物より成る下部膜、前記下部膜より耐ドライエ
ッチング性の大きい材料よりなる中間膜および感光性を
有する上部膜を基板上に順に積層する段階と、前記上部
膜の所定の部分に選択的に光を照射した後現像し、所定
の形を有する上部膜のパターンを形成する段階と、前記
下部膜の露出された部分を取り除く段階と、前記被加工
膜の露出された部分を取り除き前記被加工膜よりなるパ
ターンを形成する段階を含むが、前記中間膜の光屈折率
と前記上部膜および下部膜の光屈折率差がそれぞれ１２
％以下である。
【００１７】多層レジスト法によれば高い解像度を有す
る微細パターンを得ることはできるが、工程が煩わしく
多くの段階を経るべきなので、生産性が低く欠点が増加
する可能性が大きくなり全体的な半導体製造コストが増
える問題がある。
る微細パターンを得ることはできるが、工程が煩わしく
多くの段階を経るべきなので、生産性が低く欠点が増加
する可能性が大きくなり全体的な半導体製造コストが増
える問題がある。
【００１８】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、前記
した問題点を解決するために単一層レジスト法を使用す
るので多層レジスト法の場合のように複雑な段階を経ず
工程が単純でありコストが節減されながらも、特に段差
部分での厚くなったフォトレジストが容易に現像でき優
れた解像度を有するパターンが得られるパターン形成方
法を提供することである。
した問題点を解決するために単一層レジスト法を使用す
るので多層レジスト法の場合のように複雑な段階を経ず
工程が単純でありコストが節減されながらも、特に段差
部分での厚くなったフォトレジストが容易に現像でき優
れた解像度を有するパターンが得られるパターン形成方
法を提供することである。
【００１９】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に本発明では、段差を有する被加工基板上にフォトレジ
スト膜を形成する段階と、前記フォトレジスト膜を第１
所定パターンの第１マスクを使用し第１露光する段階
と、前記露光されたフォトレジスト膜の中で段差により
相対的に厚くなった部分を露光するためのパターンを有
する第２の所定パターンの第２マスクを使用し第２露光
する段階と、得られる露光レジストを現像する段階を含
んで成ることを特徴とするパターンの形成方法を提供す
る。
に本発明では、段差を有する被加工基板上にフォトレジ
スト膜を形成する段階と、前記フォトレジスト膜を第１
所定パターンの第１マスクを使用し第１露光する段階
と、前記露光されたフォトレジスト膜の中で段差により
相対的に厚くなった部分を露光するためのパターンを有
する第２の所定パターンの第２マスクを使用し第２露光
する段階と、得られる露光レジストを現像する段階を含
んで成ることを特徴とするパターンの形成方法を提供す
る。
【００２０】
【作用】本発明によれば段差の上部に形成され厚さの差
のあるレジスト膜を第１マスクおよび第２マスクを使用
し二回露光するので優れたプロファイルを有するパター
ンが得られる。
のあるレジスト膜を第１マスクおよび第２マスクを使用
し二回露光するので優れたプロファイルを有するパター
ンが得られる。
【００２１】
【実施例】以下、添付した図面に基づき本発明を詳細に
説明する。
説明する。
【００２２】本発明の望ましい実施例ではレジストの露
光の後、厚いレジスト部分を第２マスクを使用し再び露
光させ、特に前記レジスト膜を第１マスクおよび第２マ
スクを使用し連続的に露光装置内で露光するのが好まし
い。また、前記第２マスクのパターンは段差部分に沿い
０．５ないし４００μｍの大きさを有するように製造す
るのが望ましく、さらに望ましいことは前記第２マスク
のパターンをフォトレジストの厚さと段差の深さにより
その大きさが調節できるように製造する。
光の後、厚いレジスト部分を第２マスクを使用し再び露
光させ、特に前記レジスト膜を第１マスクおよび第２マ
スクを使用し連続的に露光装置内で露光するのが好まし
い。また、前記第２マスクのパターンは段差部分に沿い
０．５ないし４００μｍの大きさを有するように製造す
るのが望ましく、さらに望ましいことは前記第２マスク
のパターンをフォトレジストの厚さと段差の深さにより
その大きさが調節できるように製造する。
【００２３】図５は本発明の方法によるパターン形成工
程の流れ図である。本発明は段差のある素子上に解像度
の高いパターンを形成するために１層レジスト上に所定
のパターンを有するマスクを使用し第１露光した後、段
差部分の厚いレジストを効果的に取り除くために所定の
パターンを有する第２マスクを使用し第２露光を遂行す
るようになった点にその特徴がある。すなわち、第１露
光の後厚いレジスト部分で露光エネルギーの脆弱により
ＰＡＣ（photo active compound ）の分解濃度が少なく
てこの部分が後にきれいに現像されない問題点を改善す
るために、段差部分をもう一回露光させることにより露
光エネルギーを補充しＰＡＣ濃度を高めた。
程の流れ図である。本発明は段差のある素子上に解像度
の高いパターンを形成するために１層レジスト上に所定
のパターンを有するマスクを使用し第１露光した後、段
差部分の厚いレジストを効果的に取り除くために所定の
パターンを有する第２マスクを使用し第２露光を遂行す
るようになった点にその特徴がある。すなわち、第１露
光の後厚いレジスト部分で露光エネルギーの脆弱により
ＰＡＣ（photo active compound ）の分解濃度が少なく
てこの部分が後にきれいに現像されない問題点を改善す
るために、段差部分をもう一回露光させることにより露
光エネルギーを補充しＰＡＣ濃度を高めた。
【００２４】前記第２露光の際の露光エネルギーは、第
１露光の際の露光エネルギー量の５ないし２０％にする
のが望ましいが、これはエネルギー量が５％より小さけ
ればその露光効果が微弱であり、２０％を超過すればエ
ネルギー増加によるパターンの解像度の増加が却って減
少するためである。第２露光エネルギー量を第１露光エ
ネルギー量に比べ弱くすれば、第１マスク介在の際に露
光されない部分が第２マスク介在の際に露光されても、
この部分には露光量が少なくて現像されないのでパター
ンで残らず、二回露光される段差部分レジストは十分に
露光されるので露光の縁部分まできれいなパターンが形
成される。
１露光の際の露光エネルギー量の５ないし２０％にする
のが望ましいが、これはエネルギー量が５％より小さけ
ればその露光効果が微弱であり、２０％を超過すればエ
ネルギー増加によるパターンの解像度の増加が却って減
少するためである。第２露光エネルギー量を第１露光エ
ネルギー量に比べ弱くすれば、第１マスク介在の際に露
光されない部分が第２マスク介在の際に露光されても、
この部分には露光量が少なくて現像されないのでパター
ンで残らず、二回露光される段差部分レジストは十分に
露光されるので露光の縁部分まできれいなパターンが形
成される。
【００２５】特に、第２マスクは段差の厚いレジスト膜
の上部に合うパターンを有するので第１マスクの場合の
ように微細なパターンがほぼなく、十分に大きいサイズ
を有するので第２露光の際には第１露光の際のようにマ
スクの正確な配列を必要とせずマスクのローテーショ
ン、オルトゴナリティ(orthogonality) 等の問題がない
という長所がある。従って、本発明の方法によれば第２
露光工程が追加されるという煩わしさがあるが、通常の
露光工程と比べる時、比較的に単純な工程でありながら
もその効果は優れるということが分かる。
の上部に合うパターンを有するので第１マスクの場合の
ように微細なパターンがほぼなく、十分に大きいサイズ
を有するので第２露光の際には第１露光の際のようにマ
スクの正確な配列を必要とせずマスクのローテーショ
ン、オルトゴナリティ(orthogonality) 等の問題がない
という長所がある。従って、本発明の方法によれば第２
露光工程が追加されるという煩わしさがあるが、通常の
露光工程と比べる時、比較的に単純な工程でありながら
もその効果は優れるということが分かる。
【００２６】さらに優れたパターンの形成のためには第
２マスクを使用し第２露光の際、数μｍ位のディフォー
カスを与えるのが望ましいが、これは第１マスクと第２
マスクの重なる縁のレジスト部分パターンの解像度を向
上させる。好ましくは前記ディフォーカスを０．５ない
し２０μｍにさせる。
２マスクを使用し第２露光の際、数μｍ位のディフォー
カスを与えるのが望ましいが、これは第１マスクと第２
マスクの重なる縁のレジスト部分パターンの解像度を向
上させる。好ましくは前記ディフォーカスを０．５ない
し２０μｍにさせる。
【００２７】また、本発明のパターンの形成方法では第
２の所定のパターンの第２マスク内に格子パターン（ｘ
またはｙ方向）あるいはチェスパターンを追加で挿入し
第２露光を遂行するのが望ましい。
２の所定のパターンの第２マスク内に格子パターン（ｘ
またはｙ方向）あるいはチェスパターンを追加で挿入し
第２露光を遂行するのが望ましい。
【００２８】図６Ａ〜６Ｄは、本発明で使用される第２
マスク上にデザインされた格子パターン（図６Ｂおよび
図６Ｃ中の符号９）またはチェスパターン（図６Ｄ中の
符号１０）を段差を有するフォトレジスト膜２（図６
Ａ）の上部に配置したことを示す。
マスク上にデザインされた格子パターン（図６Ｂおよび
図６Ｃ中の符号９）またはチェスパターン（図６Ｄ中の
符号１０）を段差を有するフォトレジスト膜２（図６
Ａ）の上部に配置したことを示す。
【００２９】このようなパターンは段差と平行に入る格
子の間の間隔ｄを段差によるフォトレジストの厚さの変
化により適切に調節し配置することによって、フォトレ
ジストの厚さの変化によるパターンサイズ変化量が最小
化できる。ここで、所定のパターンの第２マスクに挿入
する格子パターンやチェスパターンの大きさまたは間隔
は、解像度限界周辺領域またはそれ以下にするが、ディ
フォーカスにより示されない領域のパターンでデザイン
されるのが好ましい。また、前記格子パターン或いはチ
ェスパターンはフォトレジストの厚さの変化によりその
大きさや間隔を変換させ得るのが好ましい。
子の間の間隔ｄを段差によるフォトレジストの厚さの変
化により適切に調節し配置することによって、フォトレ
ジストの厚さの変化によるパターンサイズ変化量が最小
化できる。ここで、所定のパターンの第２マスクに挿入
する格子パターンやチェスパターンの大きさまたは間隔
は、解像度限界周辺領域またはそれ以下にするが、ディ
フォーカスにより示されない領域のパターンでデザイン
されるのが好ましい。また、前記格子パターン或いはチ
ェスパターンはフォトレジストの厚さの変化によりその
大きさや間隔を変換させ得るのが好ましい。
【００３０】マスクは一般的に硬質マスクと軟質マスク
で区分されるが、軟質マスクは２．５μｍ以下の微細な
パターンが形成しにくいので、最近の半導体製造では硬
質マスクが主に使用される。硬質マスクは基板上に遮光
性の薄膜材料を蒸着、スパッターまたは化学気相蒸着に
より塗布して製造する。マスク基板の材料としてはソー
ダ石灰、ボロシリケート(borosilicate)あるいは石英等
が挙げられる。その中でも特に、石英の場合は材料コス
トは高いが、熱膨張係数が至極小さく、近紫外線や遠紫
外線の透過率が非常に高いという長所がある。従って、
本発明では石英をマスク基板の材料として使用するのが
好ましい。
で区分されるが、軟質マスクは２．５μｍ以下の微細な
パターンが形成しにくいので、最近の半導体製造では硬
質マスクが主に使用される。硬質マスクは基板上に遮光
性の薄膜材料を蒸着、スパッターまたは化学気相蒸着に
より塗布して製造する。マスク基板の材料としてはソー
ダ石灰、ボロシリケート(borosilicate)あるいは石英等
が挙げられる。その中でも特に、石英の場合は材料コス
トは高いが、熱膨張係数が至極小さく、近紫外線や遠紫
外線の透過率が非常に高いという長所がある。従って、
本発明では石英をマスク基板の材料として使用するのが
好ましい。
【００３１】マスク上に塗布される遮光性薄膜材料とし
てはシリコン、酸化鉄、クロムまたはクロム酸化物が挙
げられる。特に本発明ではクロムおよび酸化クロムの複
合材料を使用するのが良い。
てはシリコン、酸化鉄、クロムまたはクロム酸化物が挙
げられる。特に本発明ではクロムおよび酸化クロムの複
合材料を使用するのが良い。
【００３２】本発明で使用可能なマスクには前述した基
板上にクロム／酸化クロムを被服した通常のマスク以外
にも、反射形のマスクまたは位相反転マスク等がある。
板上にクロム／酸化クロムを被服した通常のマスク以外
にも、反射形のマスクまたは位相反転マスク等がある。
【００３３】本発明で使用できる露光光線としてはレジ
ストに露光部分と非露光部分間に溶解度の差を与えてパ
ターンが形成できる限り制限はない。使用できる光線に
は、例えば水銀ランプやＸｅランプ等から出るｇ−ライ
ン(line)（４３６ｎｍ）、ｉ−ライン（３６５ｎｍ）、
ｈ−ライン（４０５ｎｍ）およびブロードバンド遠紫外
線（２４０〜４４０ｎｍ）のみならずＫｒＦエキシマレ
ーザー（２４８ｎｍ）、ＡｒＦエキシマレーザー（１９
３ｎｍ）等がある。
ストに露光部分と非露光部分間に溶解度の差を与えてパ
ターンが形成できる限り制限はない。使用できる光線に
は、例えば水銀ランプやＸｅランプ等から出るｇ−ライ
ン(line)（４３６ｎｍ）、ｉ−ライン（３６５ｎｍ）、
ｈ−ライン（４０５ｎｍ）およびブロードバンド遠紫外
線（２４０〜４４０ｎｍ）のみならずＫｒＦエキシマレ
ーザー（２４８ｎｍ）、ＡｒＦエキシマレーザー（１９
３ｎｍ）等がある。
【００３４】露光方式には縮小投影露光方式以外にも
１：１投射露光方式、Ｘ線露光方式等が例外なく使用さ
れ得る。
１：１投射露光方式、Ｘ線露光方式等が例外なく使用さ
れ得る。
【００３５】感光性材料は一般的にポジ形とネガ形とに
区分される。ネガ形の感光性材料は環化ゴム系樹脂とビ
スアジッド(bisazide)系化合物の混合物より構成されて
いるが、光照射部分が架橋剤（ビスアジッド系化合物）
により網目構造を形成して硬化され未照射部分は現像液
に溶解される。反面、ポジ形の感光性材料は一般的にキ
ノンジアジッド(diazide) 系の感光剤と、アルカリ可溶
性フェノール樹脂および有機溶剤より構成されている
が、この樹脂はそれ自体ではアルカリ不溶性であるが、
光照射によりアルカリ可溶性に変わる。ポジ形の感光性
材料がより高い解像度を有するので最近ではポジ形が広
く用いられている。
区分される。ネガ形の感光性材料は環化ゴム系樹脂とビ
スアジッド(bisazide)系化合物の混合物より構成されて
いるが、光照射部分が架橋剤（ビスアジッド系化合物）
により網目構造を形成して硬化され未照射部分は現像液
に溶解される。反面、ポジ形の感光性材料は一般的にキ
ノンジアジッド(diazide) 系の感光剤と、アルカリ可溶
性フェノール樹脂および有機溶剤より構成されている
が、この樹脂はそれ自体ではアルカリ不溶性であるが、
光照射によりアルカリ可溶性に変わる。ポジ形の感光性
材料がより高い解像度を有するので最近ではポジ形が広
く用いられている。
【００３６】本発明で使用できる感光性材料としてはポ
ジ形やネガ形のどちらを使用しても関係ないが、前述し
た通り解像度の高いポジ形を使用するのが望ましい。本
発明で使用できるポジ形の感光性材料にはノボラック形
レジスト組成物、化学増幅形レジスト組成物または側鎖
切断形レジスト組成物等がある。
ジ形やネガ形のどちらを使用しても関係ないが、前述し
た通り解像度の高いポジ形を使用するのが望ましい。本
発明で使用できるポジ形の感光性材料にはノボラック形
レジスト組成物、化学増幅形レジスト組成物または側鎖
切断形レジスト組成物等がある。
【００３７】以下、本発明の望ましい実施例を具体的に
説明するが本発明はこれにより限定されるものではな
い。
説明するが本発明はこれにより限定されるものではな
い。
【００３８】＜実施例１＞高段差を有する基板の上部に
ノボラック形樹脂およびジアゾナフトキノンを含むフォ
トレジストをスピン塗布し１．２μｍの厚さでフォトレ
ジスト膜を形成した。メタルパターンを有する所定の石
英マスクで紫外線ｇ−ライン（４３６ｎｍ）に整列露光
を施した後、段差部分の厚いレジストの効果的な除去の
ために、連続して段差でメタルパターンと同じ方向へ９
〜１０μｍ位の大きさを有するパターンのデザインされ
た第２マスクを介在し、第１露光エネルギーの約１０％
位のエネルギーで前記一次露光されたレジストを第２露
光した。この際、第２マスクの焦点をディフォーカスで
約５μｍ移動させ露光した。後に塩基性のＴＭＡＨ（te
tramethyl ammoniumhydroxide ）の水溶液で湿式現像を
施しレジストパターンを形成した。形成されたレジスト
パターンを使用し被加工基板をエッチングし、残ったレ
ジストを取り除き所望のパターンを得た。
ノボラック形樹脂およびジアゾナフトキノンを含むフォ
トレジストをスピン塗布し１．２μｍの厚さでフォトレ
ジスト膜を形成した。メタルパターンを有する所定の石
英マスクで紫外線ｇ−ライン（４３６ｎｍ）に整列露光
を施した後、段差部分の厚いレジストの効果的な除去の
ために、連続して段差でメタルパターンと同じ方向へ９
〜１０μｍ位の大きさを有するパターンのデザインされ
た第２マスクを介在し、第１露光エネルギーの約１０％
位のエネルギーで前記一次露光されたレジストを第２露
光した。この際、第２マスクの焦点をディフォーカスで
約５μｍ移動させ露光した。後に塩基性のＴＭＡＨ（te
tramethyl ammoniumhydroxide ）の水溶液で湿式現像を
施しレジストパターンを形成した。形成されたレジスト
パターンを使用し被加工基板をエッチングし、残ったレ
ジストを取り除き所望のパターンを得た。
【００３９】＜実施例２＞高段差を有する基板の上部に
実施例１の場合と同一の方法によりフォトレジスト膜を
形成した。メタルパターンを有する所定の石英マスクで
紫外線ｇ−ライン（４３６ｎｍ）に整列露光を施した
後、連続して段差部分の厚いレジストの効果的な除去の
ために、段差でメタルパターンと同じ方向へ９〜１０μ
ｍ位の大きさを有するパターンがデザインされ、その中
に０．１〜０．２μｍの大きさの格子パターン（または
チェスパターン）を配列した第２マスクを介在し、第１
露光エネルギーの約１０％位のエネルギーで前記一次露
光されたレジストを整列露光（第２露光）した。この
際、第２マスクの焦点をディフォーカスで約５μｍ移動
させ露光した。以後塩基性のＴＭＡＨ水溶液で湿式現像
を施しレジストパターンを形成した。形成されたレジス
トパターンを使用し被加工基板をエッチングし、残った
レジストを取り除き所望のパターンを得た。
実施例１の場合と同一の方法によりフォトレジスト膜を
形成した。メタルパターンを有する所定の石英マスクで
紫外線ｇ−ライン（４３６ｎｍ）に整列露光を施した
後、連続して段差部分の厚いレジストの効果的な除去の
ために、段差でメタルパターンと同じ方向へ９〜１０μ
ｍ位の大きさを有するパターンがデザインされ、その中
に０．１〜０．２μｍの大きさの格子パターン（または
チェスパターン）を配列した第２マスクを介在し、第１
露光エネルギーの約１０％位のエネルギーで前記一次露
光されたレジストを整列露光（第２露光）した。この
際、第２マスクの焦点をディフォーカスで約５μｍ移動
させ露光した。以後塩基性のＴＭＡＨ水溶液で湿式現像
を施しレジストパターンを形成した。形成されたレジス
トパターンを使用し被加工基板をエッチングし、残った
レジストを取り除き所望のパターンを得た。
【００４０】本実施例で前記ディフォーカスにより第１
マスクと第２マスクのオーバラップされる縁部分のパタ
ーンラフニス（roughness ）を向上させ、また格子パタ
ーン（或いはチェスパターン）の効果を向上させること
ができた。
マスクと第２マスクのオーバラップされる縁部分のパタ
ーンラフニス（roughness ）を向上させ、また格子パタ
ーン（或いはチェスパターン）の効果を向上させること
ができた。
【００４１】図７Ａ−７Ｃは前記のような本発明のパタ
ーン形成方法において、工程の流れによるパターン形成
の進行過程を示し、図８Ａ−８Ｂは前記実施例１および
実施例２により得られるパターンの段差での形を示し
た。
ーン形成方法において、工程の流れによるパターン形成
の進行過程を示し、図８Ａ−８Ｂは前記実施例１および
実施例２により得られるパターンの段差での形を示し
た。
【００４２】前記実施例を図面を通じてさらに詳細に説
明すれば、図７Ａ−７Ｃに示した工程の場合のようにレ
ジストを先ず第１露光し（図７Ａ）、第１露光されたレ
ジストの中で段差の上の部分のレジスト６は露光させず
段差の下の部分のレジスト７を第２露光し（図７Ｂ）、
二回露光されたレジスト８を得て露光後ベーク（ＰＥ
Ｂ；post exposure bake）および現像により段差部分で
のブリッジやスカムの全然ない円滑なレジストパターン
３が形成される（図７Ｃ）。
明すれば、図７Ａ−７Ｃに示した工程の場合のようにレ
ジストを先ず第１露光し（図７Ａ）、第１露光されたレ
ジストの中で段差の上の部分のレジスト６は露光させず
段差の下の部分のレジスト７を第２露光し（図７Ｂ）、
二回露光されたレジスト８を得て露光後ベーク（ＰＥ
Ｂ；post exposure bake）および現像により段差部分で
のブリッジやスカムの全然ない円滑なレジストパターン
３が形成される（図７Ｃ）。
【００４３】図８Ａおよび８Ｂに示した通り、得られた
レジストパターン（図８Ｂ）を段差でのレジスト（図８
Ａ）と対応して示したが、図面から本発明によれば不良
の発生しやすい段差の下の領域５を含んだ全領域できれ
いなパターンが形成されることが確認できた。
レジストパターン（図８Ｂ）を段差でのレジスト（図８
Ａ）と対応して示したが、図面から本発明によれば不良
の発生しやすい段差の下の領域５を含んだ全領域できれ
いなパターンが形成されることが確認できた。
【００４４】
【発明の効果】以上のように本発明の方法により微細パ
ターンを形成すれば、単層のレジストのみでも多層レジ
スト法で得られるような良好なプロファイルを有するレ
ジストパターンが得られるが、これはただ二つのマスク
パターンを使用し二回の露光を施すことにより簡単に得
られる。
ターンを形成すれば、単層のレジストのみでも多層レジ
スト法で得られるような良好なプロファイルを有するレ
ジストパターンが得られるが、これはただ二つのマスク
パターンを使用し二回の露光を施すことにより簡単に得
られる。
【００４５】また、本発明によれば不良発生率が至極少
なく（フォトレジスト自体の不良は含まず）工程も単純
であってスループット向上およびコスト節減の効果が得
られる。結局、段差の存在にもかかわらず微細なパター
ンが容易に形成できる。
なく（フォトレジスト自体の不良は含まず）工程も単純
であってスループット向上およびコスト節減の効果が得
られる。結局、段差の存在にもかかわらず微細なパター
ンが容易に形成できる。
【００４６】本発明は開示された本発明の実施例にのみ
限定されるものでなく却って請求範囲に記載された範疇
を逸脱しない範囲内で種々の変形が可能であることが理
解されるべきである。
限定されるものでなく却って請求範囲に記載された範疇
を逸脱しない範囲内で種々の変形が可能であることが理
解されるべきである。
【図１】 従来の単一層レジスト法（ＳＬＲ）によるパ
ターン形成工程の流れ図である。
ターン形成工程の流れ図である。
【図２】 従来の多層レジスト法（ＭＬＲ）によるパタ
ーン形成工程の流れ図である。
ーン形成工程の流れ図である。
【図３】 図３Ａおよび３Ｂは、従来の単一層のレジス
ト法によるパターン形成の際段差でのレジストの厚さの
変化および現像後段差でのパターン形成を示す図面であ
る。
ト法によるパターン形成の際段差でのレジストの厚さの
変化および現像後段差でのパターン形成を示す図面であ
る。
【図４】 従来の多層レジスト法によるパターン形成の
際層間構造を示す断面図である。
際層間構造を示す断面図である。
【図５】 本発明の方法によるパターン形成工程の流れ
図である。
図である。
【図６】 図６Ａは、段差を有するフォトレジスト膜の
断面図である。図６Ｂおよび図６Ｃは、本発明で用いら
れる第２マスク上にデザインされた格子パターンを図６
Ａのフォトレジスト膜の上部に配置した図面である。図
６Ｄは、本発明で使用される第２マスク上にデザインさ
れたチェスパターンを図６Ａのフォトレジスト膜の上部
に配置した図面である。
断面図である。図６Ｂおよび図６Ｃは、本発明で用いら
れる第２マスク上にデザインされた格子パターンを図６
Ａのフォトレジスト膜の上部に配置した図面である。図
６Ｄは、本発明で使用される第２マスク上にデザインさ
れたチェスパターンを図６Ａのフォトレジスト膜の上部
に配置した図面である。
【図７】 図７Ａないし７Ｃは、本発明のパターン形成
方法において、工程の流れによるパターン形成の進行過
程を示す図面である。
方法において、工程の流れによるパターン形成の進行過
程を示す図面である。
【図８】 図８Ａおよび８Ｂは、本発明の方法によるパ
ターン形成の際段差でのレジスト断面および現像後パタ
ーンの形を示す図面である。
ターン形成の際段差でのレジスト断面および現像後パタ
ーンの形を示す図面である。
１…基板、 ２…フォトレジス
ト膜、３…レジストパターン、 ４…レジス
トパターンの残留部分、５…段差の下の領域、
６…段差の上の部分のレジスト、７…段差の上の
部分のレジスト、 ８…二回露光されたレジスト、９
…格子パターン、 １０…チェスパター
ン、１１…下部フォトレジスト、 １２…層間絶
縁膜、１３…上部フォトレジスト、 ｄ…段差
と平行に入る格子の間の間隔。
ト膜、３…レジストパターン、 ４…レジス
トパターンの残留部分、５…段差の下の領域、
６…段差の上の部分のレジスト、７…段差の上の
部分のレジスト、 ８…二回露光されたレジスト、９
…格子パターン、 １０…チェスパター
ン、１１…下部フォトレジスト、 １２…層間絶
縁膜、１３…上部フォトレジスト、 ｄ…段差
と平行に入る格子の間の間隔。
Claims (10)
- 【請求項１】 段差を有する被加工基板上にフォトレジ
スト膜を形成する段階と、 前記フォトレジスト膜を第１マスクを使用し第１次に露
光する段階と、 前記露光されたフォトレジスト膜の中で段差により相対
的に厚くなった部分を露光するためのパターンを有する
第２マスクを使用し第２次に露光する段階と、 得られる露光レジストを現像する段階を含んで成ること
を特徴とするパターンの形成方法。 - 【請求項２】 前記第２マスクのパターンが、フォトレ
ジストの厚さと段差の深さによりその大きさが調節でき
るようになったことを特徴とする請求項１記載のパター
ンの形成方法。 - 【請求項３】 前記フォトレジスト膜を第１マスクおよ
び第２マスクを使用し連続的に露光装置内で露光するこ
とを特徴とする請求項１記載のパターンの形成方法。 - 【請求項４】 前記第２露光の際の露光エネルギーが第
１露光の際の露光エネルギー量の５ないし２０％である
ことを特徴とする請求項１記載のパターンの形成方法。 - 【請求項５】 前記第２マスクのパターンが段差部分に
沿い０．５ないし４００μｍの大きさを有することを特
徴とする請求項１記載のパターンの形成方法。 - 【請求項６】 前記第２マスクを使用し第２露光の際デ
ィフォーカスを与えることを特徴とする請求項１記載の
パターンの形成方法。 - 【請求項７】 前記ディフォーカスが０．５ないし２０
μｍであることを特徴とする請求項６記載のパターンの
形成方法。 - 【請求項８】 前記第２マスクが格子パターンまたはチ
ェスパターンであることを特徴とする請求項１ないし７
項の中いずれか一項記載のパターンの形成方法。 - 【請求項９】 前記格子パターンまたはチェスパターン
は、フォトレジストの厚さの変化によりその大きさまた
は間隔を変化させ得ることであることを特徴とする請求
項８記載のパターンの形成方法。 - 【請求項１０】 前記格子パターンまたはチェスパター
ンの大きさまたは間隔は解像度の限界以下であり、ディ
フォーカスにより現れない領域のパターンでデザインさ
れることを特徴とする請求項８記載のパターンの形成方
法。
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR920023805 | 1992-12-10 | ||
| KR92P23805 | 1993-03-04 | ||
| KR1019930003210A KR950008384B1 (ko) | 1992-12-10 | 1993-03-04 | 패턴의 형성방법 |
| KR93P3210 | 1993-03-04 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06318541A true JPH06318541A (ja) | 1994-11-15 |
| JP3355239B2 JP3355239B2 (ja) | 2002-12-09 |
Family
ID=26629420
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31088293A Expired - Lifetime JP3355239B2 (ja) | 1992-12-10 | 1993-12-10 | パターンの形成方法 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5413898A (ja) |
| EP (1) | EP0601887B1 (ja) |
| JP (1) | JP3355239B2 (ja) |
| KR (1) | KR950008384B1 (ja) |
| CN (1) | CN1066829C (ja) |
| DE (1) | DE69303585T2 (ja) |
| TW (1) | TW234768B (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JP2017162926A (ja) * | 2016-03-08 | 2017-09-14 | 東芝メモリ株式会社 | パターン形成方法 |
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|---|---|---|---|---|
| KR0144903B1 (ko) * | 1995-04-21 | 1998-08-17 | 김광호 | 포토레지스트 패턴의 선폭 조절을 위한 사진 묘화 공정 및 마스크 |
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-
1993
- 1993-03-04 KR KR1019930003210A patent/KR950008384B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1993-12-09 TW TW082110449A patent/TW234768B/zh active
- 1993-12-10 JP JP31088293A patent/JP3355239B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1993-12-10 DE DE69303585T patent/DE69303585T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1993-12-10 CN CN93120819A patent/CN1066829C/zh not_active Expired - Fee Related
- 1993-12-10 US US08/164,885 patent/US5413898A/en not_active Expired - Lifetime
- 1993-12-10 EP EP93310002A patent/EP0601887B1/en not_active Expired - Lifetime
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR940015692A (ko) | 1994-07-21 |
| CN1066829C (zh) | 2001-06-06 |
| DE69303585D1 (de) | 1996-08-14 |
| CN1089370A (zh) | 1994-07-13 |
| US5413898A (en) | 1995-05-09 |
| TW234768B (ja) | 1994-11-21 |
| KR950008384B1 (ko) | 1995-07-28 |
| EP0601887B1 (en) | 1996-07-10 |
| JP3355239B2 (ja) | 2002-12-09 |
| EP0601887A1 (en) | 1994-06-15 |
| DE69303585T2 (de) | 1997-02-13 |
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