JPS6239817B2

JPS6239817B2 -

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Publication number: JPS6239817B2
Application number: JP10506780A
Authority: JP
Inventors: Akira Ozawa; Toshiro Ono; Misao Sekimoto; Iwao Watanabe
Original assignee: Nippon Telegraph and Telephone Corp
Current assignee: Nippon Telegraph and Telephone Corp
Priority date: 1980-08-01
Filing date: 1980-08-01
Publication date: 1987-08-25
Also published as: JPS5731135A

Description

【発明の詳細な説明】本発明は半導体素子製造技術における金属パタ
ンの形成法に係り、ことに高精度な多段差を有す
るパタンを一括して形成することができる多段差
を有する金属パタンの形成法に関する。

本発明が対象とする高精度な多段差を有する金
属パタン形成の代表的な適用例としては、Ｘ線露
光用マスクの多重コントラストを有する吸収体パ
タン形成がある。以下、説明を簡単にするため２
重コントラストを有するＸ線吸収体パタンの事例
に即して述べるものとする。

第１図は従来のＸ線露光用２重コントラストパ
タンの代表的な形成法を例示する説明図である。
この従来の形成法においては、第１図ａに示すよ
うに、Si等の半導体結晶材料によつて構成される
基板１の表面を被覆している被覆膜いわゆるマス
ク基板層２の上に、Ti、Cr、Mo等の金属薄膜３
と、比較的原子番号が大きく、しかもＸ線吸収係
数が大きいAu、Pt等の金属薄膜４、およびこの
金属厚膜４のエツチング用マスクとしてのTi、
Cr、Mo、Al等の金属薄膜５とを多層構造に堆積
させた後、その表面上にホトレジスト膜あるいは
電子線レジスト膜６を塗布し、所定の第１レベル
（“レベル”は半導体装置を製造するときに必要な
幾層かのマスクパタンの層などを意味する）のパ
タンをこのレジスト膜６上に焼付けて、第１図ｂ
に示すように、金属薄膜５の上にレジストパタン
６′を形成する。続いてレジストパタン６′をマス
クとして、CF₄等のフレオン系ガスを用いたガス
プラズマとして、CF₄等のフレオン系ガスを用い
たガスプラズマエツチング法、あるいは反応性ス
パツタエツチング法によつて第１図ｃに示すよう
に、金属薄膜５を開孔して金属薄膜パタン５′と
し、さらにこの金属薄膜パタン５′をマスクとし
て、イオンエツチング法あるいはスパツタエツチ
ング法によつて第１図ｄに示すように金属厚膜４
を開孔する。次にCCl₂F₂等のフレオン系ガスを
用いたガスプラズマエツチング法によつて第１図
ｅに示すように、金属薄膜パタン５′および金属
厚膜４の開孔部に露出している金属薄膜３を除去
し、マスク基板層２の上に所要の第１レベルの金
属吸収体パタンを得る。ついで第１図ｆに示すよ
うに、第２レベルの金属吸収体パタンの必要膜厚
の２〜３割程度厚い膜厚で、反応性スパツタエツ
チング特性を十分に生かしうる等方性材料である
有機化合物あるいは無機化合物を中間膜７とし第
１レベルの金属吸収体パタン上に堆積させ、さら
にこの中間膜７上にホトレジスト膜あるいは電子
線レジスト膜８を塗布する。次に第１図ｇに示す
ように、ホトリソグラフイあるいは電子線リソグ
ラフイ等の方法により、第２レベルのパタンを中
間膜７上にレジストパタン８′として形成する。
続いてこのレジストパタン８′をマスクとしてス
パツタ法あるいは蒸着法によりTi、Cr、Mo等の
金属薄膜を堆積させた後、リフトオフ法を利用
し、レジストパタン８′およびこのレジストパタ
ン８′上の不要な金属薄膜を除去し、第１図ｈに
示すように、中間膜７上に所要の金属薄膜パタン
９を形成する。次にこの金属薄膜パタン９をマス
クとして、反応性スパツタエツチング法を利用
し、第１図ｉに示すように、中間膜７を開孔して
中間膜パタン７′とした後、第１レベルの金属吸
収体パタン上に中間膜パタン７′をマスクとし
て、第１図ｊに示すように、メツキ法を利用して
Au等のマスク吸収体材料を堆積させて第２レベ
ルの金属吸収体１０を形成し、さらに中間膜パタ
ン７′のエツチング用マスクとしての金属薄膜パ
タン９をフレオン系のプラズマエツチング等で除
去し、第１図ｋに示すように、第１、第２の各レ
ベルのパタンを有し、コントラストが大きく異な
る吸収体パタン、すなわち２重コントラストパタ
ンを得る。そしてこの第１図ｋのようにパタン内
部にある中間膜パタン７′を補強剤として残す
か、あるいは第１図１に示すように反応性スパツ
タエツチング法により完全に除去するかのいずれ
かを行う。なお最終的には第１図ｍに示すように
基板薄膜化処理が行なわれる。

ところで上記したように、１マスク１レベルの
吸収体形成プロセスを２回連続するようにした従
来の形成法にあつては以下に述べるような問題点
がある。

電子ビームによるレジストパタンの創成を前
提とした場合、下地膜として電子の後方散乱を
大量に生じせしめる膜厚の厚い金属があるた
め、現像後のレジストパタンの断面形状が悪化
し、裾引きやアンダーカツトを生じる。

第１レベルの金属パタンを形成した後、レジ
スト膜や中間膜を形成するが、この場合、基板
には0.3〜0.5μｍの大きな段差があるため、形
成膜の均一性や乱れを生じる。

第１レベルの金属パタンを形成したのち再び
電子ビームにより第２レベルのパタンをレジス
ト上に描画して第２レベルのレジストパタンを
形成するので、(i)第１レベルの金属パタンの形
成により基板に歪が生じることと、(ii)電子ビー
ム描画時のパタン位置合わせ精度に限度がある
こと（電子ビーム描画時の描画位置精度は下地
膜の構成によつて変化するため、下地膜の構成
が異なる基板上に２つのレベルのパタンを描画
すると、それらのレベル間のパタンの位置合わ
せ精度は、同一基板に２つのレベルのパタンを
描画する場合に比べて低下する）によつて第１
レベルと第２レベル間のパタン位置合わせ精進
が低下する。

本発明は上記した従来技術における実情に鑑み
てなされたもので、その目的は、半導体結晶材料
等の基板上にパタンレベルが異なる多層の厚膜金
属パタンを高精度、高傾斜角、高アスペクト比で
形成することができる多段差を有する金属パタン
の形成法を提供することにある。

この目的を達成するため本発明は、基板上に第
１の金属薄膜と上記第１の金属薄膜上に中間膜
と、上記中間膜上にそれぞれ感度が異なる多層の
レジスト膜を形成し、上記多層のレジスト膜をそ
れぞれ異なるレベルのパタンにより多重露光し、
それぞれの層に異なるレベルのパタン又は異なる
レベルのパタン間の合成パタンを感光させ、上記多層のレジスト膜を上層から順に当該層の
レジスト膜の現像に適し、かつ、当該層以外の層
のレジスト膜を溶解しない現像液を用いて現像
し、上記現像工程又は現像工程とリフトオフ工程に
よつて得られる異なるレベルのパタンを有する多
層のレジストパタンまたはリフトオフパタンをマ
スクにして上記中間膜をエツチングし、上記異な
るレベルのパタンの形状を反映したパタンが多段
に形成された態様の中間膜パタンを形成し、上記第１の金属薄膜を電極としたメツキ法によ
り、上記中間膜パタンを型にして上記中間膜パタ
ンの最下層と略々等しい厚さに金属を堆積し、次に、上記中間膜パタンの最下層の上の層のパ
タンが最下層のパタンの領域よりも内側に存在す
る部分がある場合には、上記中間膜パタンの段差
側面部を除いた上面部に第２の金属薄膜を堆積
し、上記第１の金属薄膜を電極としたメツキ法によ
り上記金属上又は上記金属とこれに接する上記第
２の金属薄膜上に上記中間膜パタンを型にして更
に金属を堆積するようにして多段差を有する金属パタンを形成するようにし
たものである。

以下、本発明の多段差を有する金属パタンの形
成法を第２図ないし第５図に基づいて詳述する。
第２図および第３図は、本発明の形成法を構成す
る２段差を有する中間膜パタンの形成を例示する
工程説明図で、第２図はレジスト２層構造膜に特
性が大きく異なり、レジスト膜の照射された領域
が化学変化を受け、照射されなかつた領域に比較
して不溶化するネガ型を利用した場合の工程説明
図、第３図は照射領域がより溶解するポジ型を用
いた場合の工程説明図、第４図および第５図はそ
れぞれ工程中にリフトオフ法を用いた本発明の形
成法を２重コントラストＸ線マスクにおける厚膜
金属吸収体パタンの形成に適用した別の実施例を
示す工程説明図、第４図はネガ型金属吸収体パタ
ンを形成する工程説明図、第５図はポジ型金属吸
収体パタンを形成する工程説明図である。なおこ
れらの図において上記した第１図に示す部材と同
じ部材は同一の符号で示してある。

はじめに第２図および第３図に基づいて中間膜
パタンの形成工程を説明する。

第２図に示すネガ型を利用するものにあつて
は、まず第２図ａに示すように、半導体結晶材料
から成る基板１の表層に、反応性スパツタエツチ
ング用ストツパ膜となりうるTi、Cr、Mo等の金
属薄膜３を堆積させ、さらにこの金属薄膜３の上
に、反応性スパツタエツチングが可能なポリイミ
ドを含む高分子化合物等の有機化合物、あるいは
ポリシリコン、窒化シリコン、酸化シリコン等の
無機化合物を中間膜７として堆積させる。次にこ
の中間膜７上に有機感光性樹脂として電子線に対
して比較的高感度特性を有するネガ型電子線レジ
スト膜、例えばPGMA（ポリメタクリル酸グリシ
ジル）からなる第１のレジスト膜１２を塗布し、
さらにこの第１のレジスト膜１２に比較して低感
度特性を有するネガ型電子線レジスト膜、例えば
CMS（クロロメチル化ポリスチレン）から成る
第２のレジスト膜１３を塗布し、基板１上に４層
から成る構造膜を形成する。

次に電子線を照射し、構造膜上に第２レベルの
パタンＢを描画する。このときの電子線の照射量
は、後述の第２の現像処理で感度が高い第１のレ
ジスト膜１２にパタンＢが形成される量（第１の
レジスト膜１２が感光する量）であつて、かつ第
１の現像処理で感度が低い第２のレジスト膜１３
にパタンＢが形成されない量（第２のレジスト膜
１３が感光しない量）にする。続いて電子線を照
射し、第１レベルのパタンＡを描画する。第１の
レジスト膜１２と第２のレジスト膜１３は２重に
露光されることになる。このときの電子線の照射
量は感度が低い第２のレジスト膜１３が感光する
量とする。第１のレジスト膜１２は第２のレジス
ト膜１３よりも感度が高いのでこのときにも感光
することになり、第１のレジスト膜１２はパタン
ＡとパタンＢの合成パタンが感光する。第２図は
パタンＢにパタンＡが含まれる場合である。

次に第２図ｂに示すように第２のレジスト膜１
３だけを可溶とする現像液、例えばMEK（メチ
ルエチルケトン）で第１レベルのパタンＡを第２
のレジスト膜１３上に開孔し（第１の現像処
理）、さらに第２図ｃに示すように第１のレジス
ト膜１２だけを可溶とする現像液、例えばアセト
ンとIPA（イソプロピルアルコール）との混合液
で、第１レベルのパタンＡと第２レベルのパタン
Ｂの合成パタン（第２図ではパタンＢにパタンＡ
が含まれる）を第１のレジスト膜１２上に開孔す
る（第２の現像処理）ことにより、２段差を有す
るレジストパタンを形成する。次に第２図ｃの構
造の基板をO₂系ガスによる反応性スパツタエツ
チングによりエツチングすると、レジストととも
に中間膜７もエツチングされる。第２図ｄはこの
ようにして第１レベルのパタンＡと第２レベルの
パタンＢの合成パタン（第２図ではパタンＢにパ
タンＡが含まれる）を中間膜７に転写した状態を
示している。更にエツチングを続けると、最終的
には第２図ｅに示すように、基板１上の金属薄膜
３の表面に中間膜７の２段差を有するポジ型パタ
ンを得ることができる。

また第３図に示すポジ型を利用するものにあつ
ては、まず第３図ａに示すように、半導体結晶材
料から成る基板１の表層に、金属薄膜３、中間膜
７、および電子線に対して比較的低感度特性を有
する低感度ポジ型レジスト膜、例えばPMMA
（ポリメチルメタクリレート）から成る第１のレ
ジスト膜１４、さらにはこの第１のレジスト膜１
４に対して高感度特性を有する高感度ポジ型レジ
スト膜、例えばFBM（ポリヘキサフロオロブチ
ルメタアクリレート）からなる第２のレジスト膜
１５を各々堆積させて４層からなる構造膜を形成
する。次に電子線を照射し、上記構造膜上に第２
レベルのパタンＢを描画する。このときの電子線
の照射量は感度が高い第２のレジスト膜１５が感
光する量であつて、かつ、感度が低い第１のレジ
スト膜１４が感光しない量とする。続いて電子線
を照射し第１レベルのパタンＡを描画する。第１
のレジスト膜１４と第２のレジスト膜１５は２重
に露光されることになる。このときの電子線の照
射量は、感度が低い第１のレジスト膜１４が感光
する量とする。第２のレジスト膜１５は第１のレ
ジスト膜１４よりも感度が高いのでこのときにも
感光することになり、第２のレジスト膜１５はパ
タンＡとパタンＢの合成パタンが感光する。第３
図は第２図の場合と同様パタンＢにパタンＡが含
まれる場合である。

続いて各々のレジスト膜１４，１５の照射領域
だけを溶解する現像液、例えばMIBK（メチルイ
ソプチルケトン）とIPA（イソプロピルアルコー
ル）との混合液を各々のレジスト膜１４，１５に
応じて混合比を変えて供給する。このようにして
第３図ｂに示すように、第２のレジスト膜１５に
はパタンＡとパタンＢの合成パタン（第３図では
パタンＢになる）を開孔し、さらに第３図ｃに示
すように、第１のレジスト膜１４にはパタンＡを
開孔することによつて、中間膜７上に２段差を有
するレジストパタンを形成する。その後第２図で
説明した工程と同様に第３図ｄに示すようにこの
２段差を有するレジストパタンを中間膜７へ逐次
転写することにより、最終的には第３図ｅに示す
ように、基板１の金属薄膜３の表面に２段差を有
する中間膜パタンを得る。

次に第４図および第５図に基づいて本発明の多
段差を有する金属パタンの形成法を、２重コント
ラストＸ線マスクにおける厚膜金属吸収体パタン
の形成に適用した実施例について説明する。

最初に第４図に基づき、２段差を有するネガ型
金属吸収体パタンを形成する工程について述べ
る。第４図ａに示すように、Ｘ線マスク用基板と
して広範に利用されているSi等の半導体結晶材料
から成る基板１の表面を被覆しているマスク基板
層２の上に、反応性スパツタエツチング用ストツ
パ膜となることができ、かつＸ線吸収体材料のメ
ツキ用電極に利用されるNi、Cr、Ti等の単一
膜、あるいはNi−Cr、Au−Ti等の多層金属膜か
ら成る金属薄膜３を堆積し、さらにこの金属薄膜
３の上に、所要とする２段差を有する吸収体の総
膜厚の２〜３割程度厚い膜厚で、反応性スパツタ
エツチングが可能であるポリイミドを含む高分子
化合物等の有機化合物、あるいは酸化シリコン、
窒化シリコン等の無機化合物を中間膜７として堆
積させる。続いてこの中間膜７上に高感度ネガ型
電子線レジスト膜、例えばPGMA（ポリメタリル
酸グリシジル）からなる第２のレジスト膜１６を
塗布し、次に低感度ポジ型電子線レジスト膜、例
えばPMMA（ポリメチルメタクリレート）から
なる第２のレジスト膜１７を任意の膜厚で塗布し
て、基板１上に５層からなる多層構造膜を形成す
る。次に電子線を照射し、上記多層構造膜上に第
２レベルのパタンＢを描画する。このときの電子
線の照射量は感度が高い第１のレジスト膜１６が
感光する量であつて、かつ、感度が低い第２のレ
ジスト膜１７が感光しない量とする。続いて電子
線を照射し、第１レベルのパタンＡを描画する。
第１のレジスト膜１６と第２のレジスト膜１７は
２重に露光される。このときの電子線の照射量は
感度が低い第２のレジスト膜１７が感光する量と
する。第２のレジスト膜１７は第１のレジスト膜
１６よりも感度が高いのでこのときにも感光する
ことになり、第２のレジスト膜１７はパタンＡと
パタンＢの合成パタンが感光する。第４図は、第
２図及び第３図の場合と同様にパタンＢにパタン
Ａが含まれる場合である。

次に第２のレジスト膜１７だけを可溶とする現
像液、例えばMIBK（メチルイソプチルケトン）
とIPA（イソプロピルアルコール）との混合液を
用いて、第４図ｂに示すように、第１レベルのパ
タンＡを第２のレジスト膜１７上に開孔し（第１
の現像処理）、続いて第２のレジスト膜１７をマ
スクとしてリフトオフ法により反応性スパツタエ
ツチング用マスクとして利用しうるTi、Cr、
Al、Mo等の金属薄膜あるいはその化合物からな
るリフトオフパタン１８を形成し、第４図ｃに示
すように、第１のレジスト膜１６上に金属パタン
を形成する。次に第４図ｄに示すように、第１の
レジスト膜１６を現像して中間膜７上に第１レベ
ルのパタンＡと第２レベルのパタンＢの合成パタ
ン（第４図ではパタンＢになる）を開孔する（第
２の現像処理）が、ここで上記のリフトオフする
工程に際し、第２のレジスト膜１７および第１の
レジスト膜１６のいずれも可溶とする溶剤、例え
ばMEK（メチルエチルケトン）を用いれば、上
記のリフトオフ工程で金属パタンおよび第１のレ
ジスト膜１６における第２レベルのパタンＢの開
孔が同時に実施でき、１工程で２段差を有するパ
タンの形成が可能で、工程の簡素化をすることが
できる。上記リフトオフ法はポジ型パタンをネガ
型パタンに変換する役割を果している。続いて
O₂系ガスを用いた反応性スパツタエツチングを
施し、第４図ｅに示すように段差を形成（第１次
中間膜エツチング）した後、第４図ｆに示すよう
に、リフトオフパタン１８をCF₄等のフレオン系
ガスによるプラズマエツチングで除去する。さら
にエツチングされて第１レベルのパタンＡに変化
した第１のレジスト膜１６をマスクとして第２次
中間膜エツチングにより、第４図ｇに示すように
第１レベルのパタン吸収体膜厚に応じた段差を設
け、２段差を有するポジ型の中間膜７のパタンを
得る。その後、中間膜７で開孔された金属薄膜３
をメツキ用電極として第４図ｈに示すように、第
２レベルのパタンＢの必要膜厚を電気メツキして
第２レベルの金属吸収体１９を形成する。次に第
４図に示すように、第２レベルの金属吸収体１
９と中間膜７の全面に、メツキ電極となり得る
Ni、Cr、Ti等の単一膜、あるいはNi−Cr、Au−
Ti等の多層金属膜からなる金属薄膜２０を形成
し、第４図ｊに示すように、第１のレベルのパタ
ンＡの必要膜厚をメツキする。２１は第１レベル
の金属吸収体を示す。なお第４図ｋに示すよう
に、中間膜７に残る金属薄膜２０をフレオン系ガ
スによるプラズマエツチングで除去し、最後に第
４図１に示すように裏面からの基板薄膜化処理を
経て終了する。

次に第５図に基づき２段差を有するポジ型金属
吸収体パタンを形成する工程について述べる。第
５図ａに示すように、基板１上にマスク基板層
２、金属薄膜３、中間膜７、低感度ポジ型電子線
レジスト膜、例えばPMMA（ポリメチルメタク
リレート）からなる第１のレジスト膜２２、高感
度ネガ型電子線レジスト膜、例えばPGMA（ポリ
メタグリル酸グリシジル）からなる第２のレジス
ト膜２３によつて構成される多層構造膜を形成す
る。次に電子線を照射し、多層構造膜上に第２レ
ベルのパタンＢを描画する。このときの電子線の
照射量は感度が高い第２のレジスト膜２３が感光
する量であつて、かつ感度が低い第１のレジスト
膜２２が感光しない量とする。続いて電子線を照
射し第１レベルのパタンＡを描画する。第１のレ
ジスト膜２２と第２のレジスト膜２３は２重に露
光される。このときの電子線の照射量は感度が低
い第２のレジスト膜２３が感光する量とする。第
１のレジスト膜２２は第２のレジスト膜２３より
も感度が高いのでこのときにも感光することにな
り、第１のレジスト膜２２はパタンＡとパタンＢ
の合成パタンが感光する。第５図は、第２図ない
し第４図の場合と同様にパタンＢにパタンＡが含
まれる場合である。

そして上記した第４図ｂ〜第４図ｇに示した工
程と同様の方法で、第５図ｂ〜第５図ｇの工程を
行ない、この第５図ｇに示すように中間膜７に第
４図ｇのパタンとは反対のネガ型の２段差を有す
るパタンを開孔する。さらに第４図ｈ〜第４図ｌ
に示した工程と同様に、金属薄膜形成とメツキ工
程とにより最終的に第５図ｌに示すように、薄膜
化された基板１上に２段のポジ型のパタンレベル
を有する高精度な金属吸収体を得る。なお第５図
ｈに示す２１′は第１レベルの金属吸収体、第５
図ｊに示す１９′は第２レベルの金属吸収体であ
る。

上記第４図に示す実施例および第５図に示す実
施例にあつては、描画手段として電子線リソグラ
フイを挙げて説明したが、これに限定されるもの
ではなく、例えばイオンビームを利用するリソグ
ラフイを適用することも可能である。また、上記
説明では本発明の形成法を２重コントラストＸ線
マスクにおける厚膜金属吸収体パタンの形成に適
用した実施例について説明したが、本発明の形成
法はこれに限定されるものでないことはもちろん
である。

以上説明したように、本発明の多段差を有する
金属パタンの形成法は、レジストの２層構造膜の
形成、露光処理および現像処理、ならびに中間膜
へのパタン転写によつて、２段差を有するパタン
を形成するように構成してあるので、以下に列挙
する効果を奏する。

レジストパタンを形成するのに電子線を用い
た場合、電子線レジストの下地に厚い金属層が
ないので電子の後方散乱等の影響が少なく、現
像後のレジストパタンの断面形状が良好であ
る。

段差がない基板上に中間膜やレジスト膜を形
成し、これに露光・現像処理を行なつてレジス
トパタンを形成するので、場所による膜厚むら
を生じない。

第１レベルパタンと第２レベルパタンとは同
一基板上に描画されるので、第２レベルのパタ
ンを電子ビームで描画するさいに第１レベルの
金属パタンによる基板の歪の影響や、異なる膜
構成の基板に電子ビーム描画するさいに生じる
パタン位置合わせ精度の低下の影響を受けるこ
とがない。

以上の本発明実施例の説明では説明を簡単にす
るため、２段差を有する金属パタンの形成法につ
いてだけ述べたが、３段差以上の多段差を有する
金属パタンも、本発明中の工程におけるレジスト
膜を３層以上積層して３段差以上の多段差を有す
る中間膜を形成することにより、容易に形成でき
ることは詳細に説明するまでもなく明らかであ
る。

本発明の形成法によつて作られたＸ線露光用マ
スクは１枚のマスクで多レベルの金属吸収体パタ
ンを有するので、Ｘ線レジストを塗布した被加工
基板のＸ線レジストに上記のＸ線マスクのＸ線像
を露光するさいに、そのＸ線露光量を適当な量と
することによりいずれかのレベルのパタン像をＸ
線レジストに転写することができる。

そのため、多レベルのマスクパタンを必要とす
る半導体装置の製造等においては、Ｘ線マスクの
数を減らすことができる他、前述したように多レ
ベルパタン間の合わせ精度を向上させることがで
きるという効果を生ずる。

【図面の簡単な説明】

第１図は従来の金属パタンの形成法の一例とし
て挙げたＸ線露光用２重コントラストパタンの代
表的な形成法を示す工程説明図、第２図および第
３図は本発明の多段差を有する金属パタンの形成
法を構成する２段差を有する中間膜パタンの形成
を例示する工程説明図で、第２図はネガ型を用い
た場合を、第３図はポジ型を用いた場合をそれぞ
れ示しており、第４図および第５図はそれぞれ本
発明の多段差を有する金属パタンの形成法を、２
重コントラストＸ線マスクにおける厚膜金属吸収
体パタンの形成に適用した別の実施例を示す工程
説明図で、第４図はネガ型金属吸収体パタンを形
成する工程説明図、第５図はポジ型金属吸収体パ
タンを形成する工程説明図である。１…基板、２…マスク基板層、３，２０…金属
薄膜、７…中間膜、１２，１４，１６，２２…第
１のレジスト膜、１３，１５，１７，２３…第２
のレジスト膜、１８…リフトオフパタン、１９，
１９′…第２レベルの金属吸収体、２１，２１′…
第１レベルの金属吸収体。

Claims

【特許請求の範囲】１基板上に第１の金属薄膜を堆積する工程と、上記第１の金属薄膜上に中間膜を堆積する工程
と、上記中間膜上にそれぞれ感度が異なる多層のレ
ジスト膜を形成する工程と、上記多層のレジスト膜をそれぞれ異なるレベル
のパタンにより多重露光し、それぞれの層に異な
るレベルのパタン又は異なるレベルのパタンの合
成パタンを感光させる工程と、上記多層のレジスト膜を、上層から順に、当該
層のレジスト膜の現像に適しかつ当該層以外の層
のレジスト膜を溶解しない現像液を用いて現像す
る工程と、上記現像工程又は上記現像工程とリフトオフ工
程によつて得られる異なるレベルのパタンを有す
る多層のレジストパタンまたはリフトオフパタン
をマスクにして上記中間膜をエツチングし、上記
異なるレベルのパタンの形状を反映したパタンが
多段に形成された態様の中間膜パタンを形成する
工程と、上記第１の金属薄膜を電極としたメツキ法によ
り、上記中間膜パタンを型にして上記中間膜パタ
ンの最下層と略々等しい厚さに金属を堆積する工
程と、次に、上記中間膜パタンの最下層の上の層のパ
タンが最下層のパタンの領域よりも内側に存在す
る部分がある場合には、上記中間膜パタンの段差
側面部を除いた上面部に第２の金属薄膜を堆積す
る工程と、上記第１の金属薄膜を電極としたメツキ法によ
り上記金属上又は上記金属とこれに接する上記第
２の金属薄膜上に上記中間膜パタンを型にして更
に金属を堆積する工程とを含む多段差を有する金属パタンの形成法。