JPS5992531A - Ｘ線露光用マスク - Google Patents
Ｘ線露光用マスクInfo
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- JPS5992531A JPS5992531A JP57203081A JP20308182A JPS5992531A JP S5992531 A JPS5992531 A JP S5992531A JP 57203081 A JP57203081 A JP 57203081A JP 20308182 A JP20308182 A JP 20308182A JP S5992531 A JPS5992531 A JP S5992531A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/22—Masks or mask blanks for imaging by radiation of 100nm or shorter wavelength, e.g. X-ray masks, extreme ultraviolet [EUV] masks; Preparation thereof
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は例えば１１ｔｍ前後のきわめて微細なパター
ンを形成するために適用することができるＸ線露光用マ
スクに関するものである。
ンを形成するために適用することができるＸ線露光用マ
スクに関するものである。
最近、例えばｂ相前後の微細パターンを形成するために
、Ｘ線露光技術が注目されている。このＸ線露光に使用
されるマスクは軟Ｘ線および光に対する高いコントラス
トを有する以外に、低熱膨張性、高いピッチ精度、耐薬
品性などが要求される。
、Ｘ線露光技術が注目されている。このＸ線露光に使用
されるマスクは軟Ｘ線および光に対する高いコントラス
トを有する以外に、低熱膨張性、高いピッチ精度、耐薬
品性などが要求される。
従来、Ｘ線露光用マスクの吸収層としては金の薄膜が広
く使用されている。ところが、この金によるパターン形
成は金の耐薬品性が優れているため、通常のリソグラフ
ィ一工程の適用が困難となり、特に微細パターンの形成
は不可能となる。このため、Ｘ線露光のための金のパタ
ーン形成には通常リフトオフプロセスが適用されている
。このリフトオフプロセスは基板上に、あらかじめ感光
性樹脂によるパターンを形成し、この上に金の薄膜を形
成する。次に、この感光性樹脂を除去すると共に感光性
樹脂ＦＯ金の薄膜をも除去し、感光性樹脂に被覆されて
いない部分のみに金のパターンを形成することによって
希望のパターンが得られる。
く使用されている。ところが、この金によるパターン形
成は金の耐薬品性が優れているため、通常のリソグラフ
ィ一工程の適用が困難となり、特に微細パターンの形成
は不可能となる。このため、Ｘ線露光のための金のパタ
ーン形成には通常リフトオフプロセスが適用されている
。このリフトオフプロセスは基板上に、あらかじめ感光
性樹脂によるパターンを形成し、この上に金の薄膜を形
成する。次に、この感光性樹脂を除去すると共に感光性
樹脂ＦＯ金の薄膜をも除去し、感光性樹脂に被覆されて
いない部分のみに金のパターンを形成することによって
希望のパターンが得られる。
しかしながら、従来のＸ線露光用マスクでは通常のり７
トオフプロセスが適用され、感光性樹脂層の上に金の膜
を形成するため、工程が煩雑に々るのみならず、基板と
金属との接着強度が弱くなり、パターンの脱落が起き易
い。さらに、工程中に感光性樹脂膜の除去を容易にする
ため、感光性樹脂層の膜厚をできるだけ厚くする必要が
生じ、これが逆に微細パターン形成の障害となる。また
、感光性樹脂層の除去には強酸あるいは強アルカリのよ
うな腐蝕性の強い薬品を使用するため、マスク材料の破
壊あるいは欠陥発生の原因となるなどの欠点があつ７’
Ｃ。
トオフプロセスが適用され、感光性樹脂層の上に金の膜
を形成するため、工程が煩雑に々るのみならず、基板と
金属との接着強度が弱くなり、パターンの脱落が起き易
い。さらに、工程中に感光性樹脂膜の除去を容易にする
ため、感光性樹脂層の膜厚をできるだけ厚くする必要が
生じ、これが逆に微細パターン形成の障害となる。また
、感光性樹脂層の除去には強酸あるいは強アルカリのよ
うな腐蝕性の強い薬品を使用するため、マスク材料の破
壊あるいは欠陥発生の原因となるなどの欠点があつ７’
Ｃ。
したがって、この発明の目的は通常のリソグラフィ一工
程を適用することができ、しかも微細パターンの形成を
可能にするＸ線露光用マスクを提供するものである。
程を適用することができ、しかも微細パターンの形成を
可能にするＸ線露光用マスクを提供するものである。
このような目的を達成するため、この発明は窒化膜、ボ
ロン窒化膜、あるいはポリイミドのようなＸ線を通しや
すい薄膜と、この薄膜上に一様に形成したチタンＣ’ｒ
ｔＣの薄膜と、このＴｉの薄膜上に希望のパターンを形
成したＸ線吸収層となる金の薄膜とによって構成するも
のであり、以下実施例を用いて詳細に説明する。
ロン窒化膜、あるいはポリイミドのようなＸ線を通しや
すい薄膜と、この薄膜上に一様に形成したチタンＣ’ｒ
ｔＣの薄膜と、このＴｉの薄膜上に希望のパターンを形
成したＸ線吸収層となる金の薄膜とによって構成するも
のであり、以下実施例を用いて詳細に説明する。
第１図、第２図および第３図はこの発明に係るＸ１ＥＩ
露光用マスクの一実施例を示す工程順の断面図である。
露光用マスクの一実施例を示す工程順の断面図である。
同図において、（１）はシリコン基板、（２）はＸ線露
光用マスクの透過基板となるシリコンナイトライド膜、
（３）はＴｉ膜、（４）は金の膜、（５）はこの金の膜
（４）−ヒに所望のパターンに形成した例えば２０００
Ａ程度のＭＯ膜である。
光用マスクの透過基板となるシリコンナイトライド膜、
（３）はＴｉ膜、（４）は金の膜、（５）はこの金の膜
（４）−ヒに所望のパターンに形成した例えば２０００
Ａ程度のＭＯ膜である。
次に、上記構成によるＸ線露光用マスクの製造について
工程順に説明する。まず、第１図に示すように、シリコ
ン基板（１）上にＸ線露光用マスクの透過基板となるシ
リコンナイトライド膜（２）を形成する。そして、この
シリコンナイトライド膜（２）上にＴｉ膜（３）を１０
０ＯＡの厚さに形成する。
工程順に説明する。まず、第１図に示すように、シリコ
ン基板（１）上にＸ線露光用マスクの透過基板となるシ
リコンナイトライド膜（２）を形成する。そして、この
シリコンナイトライド膜（２）上にＴｉ膜（３）を１０
０ＯＡの厚さに形成する。
そして、このＴｉ膜（３）上に金の膜（４）をスパッタ
法により、またはメッキを用いて１．０μｍの厚さに形
成する。このとき、Ｔｌ膜（３）と金の膜（４）とは密
着性がよいため、金の膜（４）がはがれ難い構造となる
。次にこの金の膜（４）上に２０００Ａ程度ＯＭｏ ｇ
（５）により所望のパターンを形成する。
法により、またはメッキを用いて１．０μｍの厚さに形
成する。このとき、Ｔｌ膜（３）と金の膜（４）とは密
着性がよいため、金の膜（４）がはがれ難い構造となる
。次にこの金の膜（４）上に２０００Ａ程度ＯＭｏ ｇ
（５）により所望のパターンを形成する。
次に、イオンビームでエツチングを行なうことにより、
第２図に示すように、金の膜（４）がエツチングされ、
良好なパターンが得られる。このとき、金の膜（４）の
下地膜であるＴｉ膜（３）はイオンエツチング耐性が強
いので、金の膜（４）のエツチングが多少長めに行なっ
ても、Ｔｉ膜（３）が工’、／チングのストッパーとし
て働らくため、問題とならない。なお、イオンビームエ
ツチング装置はアルゴンガスを用い、イオンビームエネ
ルギー上５００ｅＶ＋イオンビームの電流密度は１ｍＡ
／（ｙＢ２ であり、７分でエツチングすることがで
きる。また、金のエツチング速度は１４００Ａ／−であ
るのに対し、Ｍ。
第２図に示すように、金の膜（４）がエツチングされ、
良好なパターンが得られる。このとき、金の膜（４）の
下地膜であるＴｉ膜（３）はイオンエツチング耐性が強
いので、金の膜（４）のエツチングが多少長めに行なっ
ても、Ｔｉ膜（３）が工’、／チングのストッパーとし
て働らくため、問題とならない。なお、イオンビームエ
ツチング装置はアルゴンガスを用い、イオンビームエネ
ルギー上５００ｅＶ＋イオンビームの電流密度は１ｍＡ
／（ｙＢ２ であり、７分でエツチングすることがで
きる。また、金のエツチング速度は１４００Ａ／−であ
るのに対し、Ｍ。
のエツチング速度は２３０Ａ／、７ 、 Ｔ ｉのエツ
チング速度は３２０Ａ／、ｉである。したがって、この
金のエツチング速度とＴｉのエツチング速度の差を利用
して上述のように金の膜（４）を所望のパターンにエツ
チングすることができる。また、金の膜（４）の下地膜
であるＴｉ膜（３）は金の接着性を大きくする働らきと
イオンエツチングのときのエツチングストッパとしての
働らきとの２つの重要な役割を果たしているが、さらに
この場合にはＸ線を透過し易い性質をもっていることに
よる。したがって、金の膜（４）のエツチングの後、Ｔ
ｉ膜（３）をエツチング除去する必要がないという利点
を有している。また、金のエツチングのマスク材である
Ｍｏは比較的Ｘ線を吸収し易い材料であるが、この実施
例ではＸ線吸収層である金の膜上にしか存在しないため
、エツチング除去する必要がないという利点をも有して
いる。次に、第３図に示すように、庭石水溶液において
、シリコン基板（１）をエツチングすることによって、
Ｘ線露光用マスクを完成することができる。
チング速度は３２０Ａ／、ｉである。したがって、この
金のエツチング速度とＴｉのエツチング速度の差を利用
して上述のように金の膜（４）を所望のパターンにエツ
チングすることができる。また、金の膜（４）の下地膜
であるＴｉ膜（３）は金の接着性を大きくする働らきと
イオンエツチングのときのエツチングストッパとしての
働らきとの２つの重要な役割を果たしているが、さらに
この場合にはＸ線を透過し易い性質をもっていることに
よる。したがって、金の膜（４）のエツチングの後、Ｔ
ｉ膜（３）をエツチング除去する必要がないという利点
を有している。また、金のエツチングのマスク材である
Ｍｏは比較的Ｘ線を吸収し易い材料であるが、この実施
例ではＸ線吸収層である金の膜上にしか存在しないため
、エツチング除去する必要がないという利点をも有して
いる。次に、第３図に示すように、庭石水溶液において
、シリコン基板（１）をエツチングすることによって、
Ｘ線露光用マスクを完成することができる。
なお、以上の実施例では金をエツチングするためのマス
クとして、Ｍｏ膜を用いたが、Ｔｉ等の耐イオンエツチ
ング性を有する材料であればよいことはもちろんである
。また、Ｘ線透過用基板として、シリコンナイトライド
膜を用いたが、ボロンナイトライド、あるいはＳｉＣま
たはポリイミドを用いてもよいことはもちろんである。
クとして、Ｍｏ膜を用いたが、Ｔｉ等の耐イオンエツチ
ング性を有する材料であればよいことはもちろんである
。また、Ｘ線透過用基板として、シリコンナイトライド
膜を用いたが、ボロンナイトライド、あるいはＳｉＣま
たはポリイミドを用いてもよいことはもちろんである。
以上詳細に説明したように、この発明に係るＸ線露光用
マスクによれば金のパターン形成を通常のリソグラフィ
一工程を用いて行なえるため、工程が簡単になると共に
微細パターンの形成が可能になるなどの効果がある。
マスクによれば金のパターン形成を通常のリソグラフィ
一工程を用いて行なえるため、工程が簡単になると共に
微細パターンの形成が可能になるなどの効果がある。
第１図、第２図および第３図はこの発明に係るＸ線露光
用マスクの一実施例を示す工程順の断面図である。 （１）・・・・シリコン基板、（２）・・・・シリコン
ナイトライド膜、（３）Ｔｉ膜、（４）・・・・金の膜
、（５）・Φ・・Ｍｏ膜。 なお、図中同一符号は同一または相当部分を示す。 （７） 第１図 第２図 第３図 １５７一
用マスクの一実施例を示す工程順の断面図である。 （１）・・・・シリコン基板、（２）・・・・シリコン
ナイトライド膜、（３）Ｔｉ膜、（４）・・・・金の膜
、（５）・Φ・・Ｍｏ膜。 なお、図中同一符号は同一または相当部分を示す。 （７） 第１図 第２図 第３図 １５７一
Claims (3)
- （１）窒化膜、ボロ／窒化膜、あるいはポリイミドのよ
うなＸ線を通しやすい薄膜と、この薄膜上に一様に形成
したチタンの薄膜と、このチタンの薄膜上に所望のパタ
ーンを形成したＸ線吸収層となる金の薄膜とによって構
成することを特徴とするＸ線露光用マスク。 - （２）前記金の薄膜のエツチングのマスク材として、モ
リブデン膜を設けたことを特徴とする特許請求の範囲第
１項記載ＯＸ線露光用マスク。 - （３）前記金の薄膜のエツチングのマスク材として、チ
タン膜を設けたことを特徴とする特許請求の範囲第１項
記載のＸ線露光用マスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57203081A JPS5992531A (ja) | 1982-11-17 | 1982-11-17 | Ｘ線露光用マスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57203081A JPS5992531A (ja) | 1982-11-17 | 1982-11-17 | Ｘ線露光用マスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5992531A true JPS5992531A (ja) | 1984-05-28 |
Family
ID=16468041
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57203081A Pending JPS5992531A (ja) | 1982-11-17 | 1982-11-17 | Ｘ線露光用マスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5992531A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0563024A (ja) * | 1991-04-10 | 1993-03-12 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 電気構成要素用の多層連結合金構造 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5057778A (ja) * | 1973-09-17 | 1975-05-20 | ||
| JPS5329574A (en) * | 1976-08-31 | 1978-03-18 | Oki Electric Ind Co Ltd | Transmitting type photoelectric switch |
| JPS5411677A (en) * | 1977-06-27 | 1979-01-27 | Rockwell International Corp | Mask used for fine line lithography and method of producing same |
| JPS5731135A (en) * | 1980-08-01 | 1982-02-19 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Collective forming method for metallic pattern |
-
1982
- 1982-11-17 JP JP57203081A patent/JPS5992531A/ja active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5057778A (ja) * | 1973-09-17 | 1975-05-20 | ||
| JPS5329574A (en) * | 1976-08-31 | 1978-03-18 | Oki Electric Ind Co Ltd | Transmitting type photoelectric switch |
| JPS5411677A (en) * | 1977-06-27 | 1979-01-27 | Rockwell International Corp | Mask used for fine line lithography and method of producing same |
| JPS5731135A (en) * | 1980-08-01 | 1982-02-19 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Collective forming method for metallic pattern |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0563024A (ja) * | 1991-04-10 | 1993-03-12 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 電気構成要素用の多層連結合金構造 |
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