JPS62144328A - Ｘ線マスク及びその製造方法 - Google Patents
Ｘ線マスク及びその製造方法Info
- Publication number
- JPS62144328A JPS62144328A JP60286807A JP28680785A JPS62144328A JP S62144328 A JPS62144328 A JP S62144328A JP 60286807 A JP60286807 A JP 60286807A JP 28680785 A JP28680785 A JP 28680785A JP S62144328 A JPS62144328 A JP S62144328A
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- Japan
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- ray
- mask
- absorption band
- pattern
- ray absorption
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、軟Ｘ線源を光源としたＸｖＡ露光において
使用するＸ線マスクとその製造方法に関するものである
。
使用するＸ線マスクとその製造方法に関するものである
。
第３図は、従来のＸ線マスクであり、図において、１ａ
はシリコン等よりなるＸ線マスクの支持台、２はＸ線透
過膜、３はＡｕ等よりなるＸ線吸収帯パターンである。
はシリコン等よりなるＸ線マスクの支持台、２はＸ線透
過膜、３はＡｕ等よりなるＸ線吸収帯パターンである。
従来、Ｘ線マスクを製造するにおいて、そのＸ線吸収帯
パターン３は、５ｊｆｆＮ４．ＢＮ等のＸ線透過膜２上
に形成したレジストパターンを使うＡｕメッキ法、ある
いは）ｌ透過膜２上に蒸着したＡｕの膜の反応性イオン
エツチング（ＲＩＥ）、スパッタエッチ等によって形成
していた。
パターン３は、５ｊｆｆＮ４．ＢＮ等のＸ線透過膜２上
に形成したレジストパターンを使うＡｕメッキ法、ある
いは）ｌ透過膜２上に蒸着したＡｕの膜の反応性イオン
エツチング（ＲＩＥ）、スパッタエッチ等によって形成
していた。
Ｘ線マスクのコントラストを高めるためには、Ａｕ等の
Ｘ線吸収帯の膜厚を０．５μｍ〜１．０μｍ以上の厚さ
にする必要があり、そのためにはＡｕメッキ法がすぐれ
ているが、これでは微細パターン形成が難しい。又ＲＩ
Ｅ、スパッタエッチ等の方法によるＸ線吸収パターン
の形成は微細パターン形成には良いが、膜厚をあまり厚
くできず十分なマスクコントラストを得られないという
問題点があった。
Ｘ線吸収帯の膜厚を０．５μｍ〜１．０μｍ以上の厚さ
にする必要があり、そのためにはＡｕメッキ法がすぐれ
ているが、これでは微細パターン形成が難しい。又ＲＩ
Ｅ、スパッタエッチ等の方法によるＸ線吸収パターン
の形成は微細パターン形成には良いが、膜厚をあまり厚
くできず十分なマスクコントラストを得られないという
問題点があった。
この発明は、上記のような問題点を解消するためになさ
れたもので、膜厚が厚くなくても十分に高いマスクコン
トラストを有し、かつ微細パターンを形成することので
きるＸ線マスク及びその製造方法を提供することを目的
とする。
れたもので、膜厚が厚くなくても十分に高いマスクコン
トラストを有し、かつ微細パターンを形成することので
きるＸ線マスク及びその製造方法を提供することを目的
とする。
本発明に係るＸ線マスクは、ＸｖＡ吸収帯パターンを、
ＸｖＡ吸収係数の大きい物質からなる薄膜とｘ線透過性
物質からなる薄膜とが交互に重畳した多層膜構造とした
ものである。
ＸｖＡ吸収係数の大きい物質からなる薄膜とｘ線透過性
物質からなる薄膜とが交互に重畳した多層膜構造とした
ものである。
また、本発明の別の発明に係るＸ線マスクの製造方法は
、Ｘ線透過膜上にレジストパターンを形成し、その上に
Ｘ線透過性物質とＸ線吸収係数の大きい物質とを交互に
複数回蒸着して多層膜のＸ線吸収帯を形成し、その後上
記レジストパターン及びその上のＸ線吸収帯を除去する
ものである。
、Ｘ線透過膜上にレジストパターンを形成し、その上に
Ｘ線透過性物質とＸ線吸収係数の大きい物質とを交互に
複数回蒸着して多層膜のＸ線吸収帯を形成し、その後上
記レジストパターン及びその上のＸ線吸収帯を除去する
ものである。
本発明のｘｖＡマスクにおいては、ＸｖＡ吸収帯パター
ンはＸｗＡ吸収物賞と透過性物質との多層膜構造である
ので、該吸収物質と透過性物質との境界面が入射Ｘ線を
反射するＸ線ミラーとして機能して上記境界面を節とす
る、下層はど振幅の小さい定在波が上記各吸収物質層内
で形成され、上記吸収帯パターンを透過する入射Ｘ線束
は著しく少なくなってＸＶＡマスクのマスクコントラス
トが高まる。
ンはＸｗＡ吸収物賞と透過性物質との多層膜構造である
ので、該吸収物質と透過性物質との境界面が入射Ｘ線を
反射するＸ線ミラーとして機能して上記境界面を節とす
る、下層はど振幅の小さい定在波が上記各吸収物質層内
で形成され、上記吸収帯パターンを透過する入射Ｘ線束
は著しく少なくなってＸＶＡマスクのマスクコントラス
トが高まる。
また、本発明の別の発明のＸＶＡマスクの製造方法にお
いては、Ｘ線透過膜上にレジストパターンを形成した後
、その上にＸ線透過性物質と吸収物質とを交互に複数回
蒸着し、その後上記レジストパターンを除去するので、
多層膜構造のＸ線吸収帯パターンの形成されたＸ線マス
クが得られる。
いては、Ｘ線透過膜上にレジストパターンを形成した後
、その上にＸ線透過性物質と吸収物質とを交互に複数回
蒸着し、その後上記レジストパターンを除去するので、
多層膜構造のＸ線吸収帯パターンの形成されたＸ線マス
クが得られる。
以下、この発明の実施例について説明する。
第１図は本発明の別の発明の一実施例による多層膜構造
のＸ線吸収帯パターンを有するＸ線マスクの製造方法を
工程順に示し、第１図（ｄ）に示す最終生成物が本発明
の一実施例によるＸ線マスクである。図において、１．
１ａ、２は従来例と同一符号は同一ものである。４はレ
ジストパターン、５は多層膜構造のＸ線吸収帯、５ａは
そのパターンである。
のＸ線吸収帯パターンを有するＸ線マスクの製造方法を
工程順に示し、第１図（ｄ）に示す最終生成物が本発明
の一実施例によるＸ線マスクである。図において、１．
１ａ、２は従来例と同一符号は同一ものである。４はレ
ジストパターン、５は多層膜構造のＸ線吸収帯、５ａは
そのパターンである。
第２図はＸ線吸収帯パターン５ａの多Ｎ膜構造を示す。
図において、６はＸ線吸収係数の大きい物質からなる薄
膜で、これはＡｕＰｄ合金膜、Ｗ膜、ＲｅＷ膜等である
。７はＣ（炭素）等のＸ線透過性物質からなる薄膜、８
は入射するＸ線、９は上記薄膜６，７の境界面を節とす
る定在波である。
膜で、これはＡｕＰｄ合金膜、Ｗ膜、ＲｅＷ膜等である
。７はＣ（炭素）等のＸ線透過性物質からなる薄膜、８
は入射するＸ線、９は上記薄膜６，７の境界面を節とす
る定在波である。
次に本実施例によるＸ線マスクの製造方法について説明
する。まず第１図（ａｌに示すように、Ｘ線透過膜２上
にレジストパターン４を形成する。次に第１図（ｂ）に
示すように上記レジストパターン４を形成したものの上
にＭＢＥ、 イオンクラスタビーム等によって（Ａｕ
Ｐｄ、Ｃ）、 （Ｗ、Ｃ）。
する。まず第１図（ａｌに示すように、Ｘ線透過膜２上
にレジストパターン４を形成する。次に第１図（ｂ）に
示すように上記レジストパターン４を形成したものの上
にＭＢＥ、 イオンクラスタビーム等によって（Ａｕ
Ｐｄ、Ｃ）、 （Ｗ、Ｃ）。
（ＲｅＷ、Ｃ）等の薄膜６．７を適当な間隔で交互に蒸
着していき多層膜構造のＸ′！ｆ！Ａ吸収帯５を形成す
る。次に第１図（Ｃ１に示すように、上記レジストパタ
ーン４及びその上のＸ線吸収帯５を除去し、第１図（ｄ
）に示すように基板１を支持台１ａを残すようにエツチ
ングする。このようにして、多層膜構造を持ったＸ線吸
収帯パターン５ａを有するＸ線マスクが形成される。
着していき多層膜構造のＸ′！ｆ！Ａ吸収帯５を形成す
る。次に第１図（Ｃ１に示すように、上記レジストパタ
ーン４及びその上のＸ線吸収帯５を除去し、第１図（ｄ
）に示すように基板１を支持台１ａを残すようにエツチ
ングする。このようにして、多層膜構造を持ったＸ線吸
収帯パターン５ａを有するＸ線マスクが形成される。
このような多層膜構造のＸ線吸収帯パターン５ａでは、
第２図で示すように、これにＸ線８が入射すると、Ｘ線
吸収物質からなる薄膜６と透過性物質からなる薄膜７と
の境界面で上記入射Ｘ′ｇＡ８の何割かが反射され、上
記薄膜６内で上記境界面を節とする定在波９が形成され
、しかも該定在波９は下層はど振幅の小さいものである
。したがってＸ線吸収帯パターン５ａを透過するＸ線束
は、入射ＸｖＡ束−（反射Ｘ線束＋吸収Ｘ線束）となり
、このＸ！ｌ、ｉ！吸収帯パターン５ａを透過するＸ線
は極めて少なくなるので、マスクコントラストの高いＸ
線マスクが得られる。また、これによりＸ線吸収帯パタ
ーンの膜厚を厚くしなくても、急峻なエツジプロファイ
ルを持った微細なレジストパターンが得られる。
第２図で示すように、これにＸ線８が入射すると、Ｘ線
吸収物質からなる薄膜６と透過性物質からなる薄膜７と
の境界面で上記入射Ｘ′ｇＡ８の何割かが反射され、上
記薄膜６内で上記境界面を節とする定在波９が形成され
、しかも該定在波９は下層はど振幅の小さいものである
。したがってＸ線吸収帯パターン５ａを透過するＸ線束
は、入射ＸｖＡ束−（反射Ｘ線束＋吸収Ｘ線束）となり
、このＸ！ｌ、ｉ！吸収帯パターン５ａを透過するＸ線
は極めて少なくなるので、マスクコントラストの高いＸ
線マスクが得られる。また、これによりＸ線吸収帯パタ
ーンの膜厚を厚くしなくても、急峻なエツジプロファイ
ルを持った微細なレジストパターンが得られる。
以上のようにこの発明によれば、Ｘ線吸収帯パターンを
、Ｘ線透過性物質とＸ線吸収係数の大きい物質とが交互
に重畳した多層膜構造としたので、より高いマスクコン
トラストを持つ、たＸ線マスクが得られ、より急峻なエ
ツジプロファイルを持った微細なレジストパターンを形
成できる効果がある。
、Ｘ線透過性物質とＸ線吸収係数の大きい物質とが交互
に重畳した多層膜構造としたので、より高いマスクコン
トラストを持つ、たＸ線マスクが得られ、より急峻なエ
ツジプロファイルを持った微細なレジストパターンを形
成できる効果がある。
第１図は本発明の別の発明の一実施例によるＸ線マスク
の製造方法を示す工程別断面図、第２図は本発明の一実
施例によるＸ線マスクのＸ線吸収帯パターンを示す断面
図、第３図は従来のＸ線マスクを示す断面図である。 図において、１は基板、１ａはＸ線マスク支持台、２は
ＸｖＡ透過膜、３はＡｕからなるＸ線吸収帯パターン、
４はレジストパターン、５は多層膜構造のＸ線吸収帯、
５ａはそのパターン、６はＸ線吸収係数の大きい物質か
らなる薄膜、７はＸ線透過性物質からなる薄膜、８は入
射Ｘ線、９は定在波である。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
の製造方法を示す工程別断面図、第２図は本発明の一実
施例によるＸ線マスクのＸ線吸収帯パターンを示す断面
図、第３図は従来のＸ線マスクを示す断面図である。 図において、１は基板、１ａはＸ線マスク支持台、２は
ＸｖＡ透過膜、３はＡｕからなるＸ線吸収帯パターン、
４はレジストパターン、５は多層膜構造のＸ線吸収帯、
５ａはそのパターン、６はＸ線吸収係数の大きい物質か
らなる薄膜、７はＸ線透過性物質からなる薄膜、８は入
射Ｘ線、９は定在波である。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
Claims (4)
- （１）マスク基板上にＸ線吸収帯パターンを形成してな
るＸ線マスクにおいて、 上記Ｘ線吸収帯パターンが、Ｘ線透過性物質とＸ線吸収
係数の大きい物質とを交互に重畳した多層膜構造からな
ることを特徴とするＸ線マスク。 - （２）上記Ｘ線透過性物質は炭素（Ｃ）であり、上記Ｘ
線吸収係数の大きい物質はレニウムタングステン（Ｒｅ
Ｗ），タングステン（Ｗ）又は金パラジウム（ＡｕＰｄ
）であることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の
Ｘ線マスク。 - （３）マスク基板上にＸ線吸収帯パターンを形成してな
るＸ線マスクの製造方法において、 Ｘ線吸収帯パターンを形成する工程が、 Ｘ線透過膜上にレジストパターンを形成する工程と、 上記レジストパターンを形成したものの上に、Ｘ線透過
性物質とＸ線吸収係数の大きい物質とを交互に複数回蒸
着して多層膜を形成する工程と、上記レジストパターン
を除去する工程とからなることを特徴とするＸ線マスク
の製造方法。 - （４）上記Ｘ線透過性物質は炭素（Ｃ）であり、上記Ｘ
線吸収係数の大きい物質はレニウムタングステン（Ｒｅ
Ｗ），タングステン（Ｗ）又は金パラジウム（ＡｕＰｄ
）であることを特徴とする特許請求の範囲第３項記載の
Ｘ線マスクの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60286807A JPS62144328A (ja) | 1985-12-18 | 1985-12-18 | Ｘ線マスク及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60286807A JPS62144328A (ja) | 1985-12-18 | 1985-12-18 | Ｘ線マスク及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62144328A true JPS62144328A (ja) | 1987-06-27 |
| JPH031821B2 JPH031821B2 (ja) | 1991-01-11 |
Family
ID=17709302
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60286807A Granted JPS62144328A (ja) | 1985-12-18 | 1985-12-18 | Ｘ線マスク及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62144328A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0294421A (ja) * | 1988-09-30 | 1990-04-05 | Toshiba Corp | Ｘ線露光マスク |
| JP2005505930A (ja) * | 2001-10-04 | 2005-02-24 | カール・ツァイス・エスエムティー・アーゲー | 光学要素及びその製造方法、並びにリソグラフィー装置及び半導体装置の製造方法 |
| JP2007255125A (ja) * | 2006-03-24 | 2007-10-04 | Sekisui Plastics Co Ltd | 融雪装置 |
-
1985
- 1985-12-18 JP JP60286807A patent/JPS62144328A/ja active Granted
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0294421A (ja) * | 1988-09-30 | 1990-04-05 | Toshiba Corp | Ｘ線露光マスク |
| JP2005505930A (ja) * | 2001-10-04 | 2005-02-24 | カール・ツァイス・エスエムティー・アーゲー | 光学要素及びその製造方法、並びにリソグラフィー装置及び半導体装置の製造方法 |
| JP2007255125A (ja) * | 2006-03-24 | 2007-10-04 | Sekisui Plastics Co Ltd | 融雪装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH031821B2 (ja) | 1991-01-11 |
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