JPS58207635A - メンブラン・マスクの製造方法 - Google Patents
メンブラン・マスクの製造方法Info
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- JPS58207635A JPS58207635A JP57091046A JP9104682A JPS58207635A JP S58207635 A JPS58207635 A JP S58207635A JP 57091046 A JP57091046 A JP 57091046A JP 9104682 A JP9104682 A JP 9104682A JP S58207635 A JPS58207635 A JP S58207635A
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Links
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/22—Masks or mask blanks for imaging by radiation of 100nm or shorter wavelength, e.g. X-ray masks, extreme ultraviolet [EUV] masks; Preparation thereof
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はマスクの製造方法に係り、とりわけＸ線露光用
メンプラン・マスクの製造方法に関する。
メンプラン・マスクの製造方法に関する。
従来、Ｘ線廁光用メンプラン・マスクとしては代表的に
は、第１図に示す如き製造方法によるシリコン・メンプ
ラン・マスクが用いられていた。
は、第１図に示す如き製造方法によるシリコン・メンプ
ラン・マスクが用いられていた。
すなわち、け）シリコン・ウェーハ１の表面から、（ｂ
）ホロン拡散Ｎ２を２μｍ程度形成し、（ｃ）その表ｔ
ｆｉ Ｋ 金パターン３を通常の蒸着書−メツキおよび
ホトリソクラフィー法により形成し、（消シリコン・ウ
ェーハ裏面エッチを行ない、ホロン拡散層を残してエツ
チングを１トめ、シリコン・メンプラン−マスクとする
。
）ホロン拡散Ｎ２を２μｍ程度形成し、（ｃ）その表ｔ
ｆｉ Ｋ 金パターン３を通常の蒸着書−メツキおよび
ホトリソクラフィー法により形成し、（消シリコン・ウ
ェーハ裏面エッチを行ない、ホロン拡散層を残してエツ
チングを１トめ、シリコン・メンプラン−マスクとする
。
しかし、上Ｆ従来技術では、シリコンの熱膨張率が大芦
く、そのためにパターンずれが発生し易いという欠点が
あると共に、藩いシリコン・メンプラン膜を形成するの
が困難であるといら欠点があった。
く、そのためにパターンずれが発生し易いという欠点が
あると共に、藩いシリコン・メンプラン膜を形成するの
が困難であるといら欠点があった。
本発明は拘る従来技術の欠点をなくし、熱膨張率の小ざ
なメンプラン・マスクを容易に製造で昶る方法を押供す
る事を目的とする。
なメンプラン・マスクを容易に製造で昶る方法を押供す
る事を目的とする。
土Ｓｒ’目的を達成するための本発明の基本的な構成は
、マスクの製造方法において、石英枠には５ｊ０２１］
ｆｉまたは少なくとも８ｉ０２膜を含む膜を貼付ける事
を基本とすることを特徴とする。
、マスクの製造方法において、石英枠には５ｊ０２１］
ｆｉまたは少なくとも８ｉ０２膜を含む膜を貼付ける事
を基本とすることを特徴とする。
以下、実施例により本発明の詳細な説明する。
第２図は本発明によるメンプラン・マスクの製造方法を
示す一実施例の工程毎の断面図である。
示す一実施例の工程毎の断面図である。
まず、（ａ）５μｍ厚程変のポリイミド膜１１の表面に
は、スパッタ蒸着法等により２μｍＷ程度の、ＳｉＯ２
喚２を形成し、（ｃ）該ｓｊ ０２膜表面に通常ノ蒸着
、メッキおよγドホトリソグラフィ法πより、金パター
ン１３を形成（メンプラン膜基板とした）後、（（＃
１ ｔａｘ ｆｅｉ ８度〕石英枠１４１−Ｆ ５ｚｒ
ｏＨ）＋等の液状糊１５を甲いて、前言１メンプラン膜
基板を貼付ける。
は、スパッタ蒸着法等により２μｍＷ程度の、ＳｉＯ２
喚２を形成し、（ｃ）該ｓｊ ０２膜表面に通常ノ蒸着
、メッキおよγドホトリソグラフィ法πより、金パター
ン１３を形成（メンプラン膜基板とした）後、（（＃
１ ｔａｘ ｆｅｉ ８度〕石英枠１４１−Ｆ ５ｚｒ
ｏＨ）＋等の液状糊１５を甲いて、前言１メンプラン膜
基板を貼付ける。
第３図は、本発明によるメンプラン・マスクのその仲の
実施例を示す工程順を図であり、（ハ））第２ツ１のの
）工程でのポリイミド膜上のＥ’（０２膜をポリイミド
をＩ１１離して８ｉ ０２膜のみとする等して製造した
２μｍ程度の埋さのＦ３ｉ ０２膜２７を石英枠２２に
糊２５に貼付けた後、（ｂ）金パターン２４を通常の蒸
着、メッキおよびホトリソグラフィ法等にょｈ形成しｆ
ｃ＜、のである。
実施例を示す工程順を図であり、（ハ））第２ツ１のの
）工程でのポリイミド膜上のＥ’（０２膜をポリイミド
をＩ１１離して８ｉ ０２膜のみとする等して製造した
２μｍ程度の埋さのＦ３ｉ ０２膜２７を石英枠２２に
糊２５に貼付けた後、（ｂ）金パターン２４を通常の蒸
着、メッキおよびホトリソグラフィ法等にょｈ形成しｆ
ｃ＜、のである。
第４図及び第５図は本発明のその仙の応用例であり、第
４［ｉｉｉ’ｌＴけ’ｉｉ ０２膜３１を石英枠３２に
糊３３で糊付けしたメンプラン・マスク表面にけ金パタ
ーン３４が形成きね、更にその表面にＢｉ ０２膜５５
が破覆され、今パターン゛の保護膜としたものである。
４［ｉｉｉ’ｌＴけ’ｉｉ ０２膜３１を石英枠３２に
糊３３で糊付けしたメンプラン・マスク表面にけ金パタ
ーン３４が形成きね、更にその表面にＢｉ ０２膜５５
が破覆され、今パターン゛の保護膜としたものである。
第５図は、第３図の製法により形成ζｈた５ｉＯｚ膜４
１、石英枠４２、糊４３、全パターン４６からなるメン
プラン・マスクの金パターンの機械的提供からの保護の
ために糊４５により新たな石英枠４４を糊付けしｔもの
である。
１、石英枠４２、糊４３、全パターン４６からなるメン
プラン・マスクの金パターンの機械的提供からの保護の
ために糊４５により新たな石英枠４４を糊付けしｔもの
である。
この様にして製造されたＢｉ ０２ Ｋよるメンプラン
・マスクはシリコン・メンプランマスク’ｔＪ Ｋ Ｊ
） ヘて熱膨張が小ざく、そのためにパターンずれが発
光し鮒い効果があると共に、メンプラン・マスクが容易
ＶＣ製定可能となる効果がある。
・マスクはシリコン・メンプランマスク’ｔＪ Ｋ Ｊ
） ヘて熱膨張が小ざく、そのためにパターンずれが発
光し鮒い効果があると共に、メンプラン・マスクが容易
ＶＣ製定可能となる効果がある。
第１図は従来の第２図及び第３図は本発明によるメンプ
ラン・マスクの製造方法の実施例を示す工程毎の断面図
を、第４図及び第５図は、本発明によるメンプラン・マ
スクの応用例を示す断面図である。 １ ・・・・・・シリコ１″′ノ基板 ２・・・・・・ボロン拡散層 ３・・・・１５ 、２４ 、３４ 、４６・・・・・・
金パターン崩１１・・・・・・合成樹脂膜 １２．２１，３１．４１・・・・・・Ｓブ０２膜１４
、２２ 、３２ 、４２ 、４９ ・・・・・・石英
枠１５ 、２３ 、３３ 、４５ ・・・・・・５ｈ
ｏ２什糊以 上 出願人 株式会社 諏肪精工舎 伏理人 弁理士 最上 務 ５− 第１図 第２図 （＾）″ （１，） ／２ 第４図 ３ζ １５３−
ラン・マスクの製造方法の実施例を示す工程毎の断面図
を、第４図及び第５図は、本発明によるメンプラン・マ
スクの応用例を示す断面図である。 １ ・・・・・・シリコ１″′ノ基板 ２・・・・・・ボロン拡散層 ３・・・・１５ 、２４ 、３４ 、４６・・・・・・
金パターン崩１１・・・・・・合成樹脂膜 １２．２１，３１．４１・・・・・・Ｓブ０２膜１４
、２２ 、３２ 、４２ 、４９ ・・・・・・石英
枠１５ 、２３ 、３３ 、４５ ・・・・・・５ｈ
ｏ２什糊以 上 出願人 株式会社 諏肪精工舎 伏理人 弁理士 最上 務 ５− 第１図 第２図 （＾）″ （１，） ／２ 第４図 ３ζ １５３−
Claims (1)
- 石英枠にはＢｉＯ２膜または少なくともＢ１Ｃ４１を含
む膜を貼付ける事を基本とする事を特徴とするメンプラ
ン・マスクの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57091046A JPS58207635A (ja) | 1982-05-28 | 1982-05-28 | メンブラン・マスクの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57091046A JPS58207635A (ja) | 1982-05-28 | 1982-05-28 | メンブラン・マスクの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58207635A true JPS58207635A (ja) | 1983-12-03 |
Family
ID=14015555
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57091046A Pending JPS58207635A (ja) | 1982-05-28 | 1982-05-28 | メンブラン・マスクの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58207635A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5940645A (ja) * | 1982-08-31 | 1984-03-06 | Dainippon Printing Co Ltd | 軟ｘ線転写用マスク |
| JPS62190340U (ja) * | 1986-05-26 | 1987-12-03 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5057778A (ja) * | 1973-09-17 | 1975-05-20 | ||
| JPS50120270A (ja) * | 1974-02-15 | 1975-09-20 | ||
| JPS5329574A (en) * | 1976-08-31 | 1978-03-18 | Oki Electric Ind Co Ltd | Transmitting type photoelectric switch |
| JPS5375770A (en) * | 1976-12-17 | 1978-07-05 | Hitachi Ltd | X-ray copying mask |
-
1982
- 1982-05-28 JP JP57091046A patent/JPS58207635A/ja active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5057778A (ja) * | 1973-09-17 | 1975-05-20 | ||
| JPS50120270A (ja) * | 1974-02-15 | 1975-09-20 | ||
| JPS5329574A (en) * | 1976-08-31 | 1978-03-18 | Oki Electric Ind Co Ltd | Transmitting type photoelectric switch |
| JPS5375770A (en) * | 1976-12-17 | 1978-07-05 | Hitachi Ltd | X-ray copying mask |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5940645A (ja) * | 1982-08-31 | 1984-03-06 | Dainippon Printing Co Ltd | 軟ｘ線転写用マスク |
| JPH0370366B2 (ja) * | 1982-08-31 | 1991-11-07 | Dainippon Printing Co Ltd | |
| JPS62190340U (ja) * | 1986-05-26 | 1987-12-03 |
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