JPS62281324A - Ｘ線マスクおよびその製造方法 - Google Patents
Ｘ線マスクおよびその製造方法Info
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- JPS62281324A JPS62281324A JP61123927A JP12392786A JPS62281324A JP S62281324 A JPS62281324 A JP S62281324A JP 61123927 A JP61123927 A JP 61123927A JP 12392786 A JP12392786 A JP 12392786A JP S62281324 A JPS62281324 A JP S62281324A
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- ray
- support frame
- semiconductor substrate
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Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
３、発明の詳細な説明
産業上の利用分野
本発明は半導体装置製造のためのパターン転写工程に用
いるＸ線マスクおよびその製造方法に関するものである
。
いるＸ線マスクおよびその製造方法に関するものである
。
従来の技術
従来のＸ線マスクおよびその製造方法を第３図にもとづ
いて説明する。
いて説明する。
半導体基板１の一生面に窒化硅素膜などのＸ線透過薄膜
２を形成する。前記薄膜２上にＸ線吸収体膜パターン３
を形成した後、前記半導体基板の他主面から前記半導体
基板の中央部４を選択的に食刻除去し前記Ｘ線透過薄膜
２を露出し、周辺に残した半導体基板ｌＸ線マスクの支
持枠１とする。
２を形成する。前記薄膜２上にＸ線吸収体膜パターン３
を形成した後、前記半導体基板の他主面から前記半導体
基板の中央部４を選択的に食刻除去し前記Ｘ線透過薄膜
２を露出し、周辺に残した半導体基板ｌＸ線マスクの支
持枠１とする。
発明が解決しようとする問題点
従来のＸ線マスクは支持枠の片面にのみＸ線透過薄膜を
形成するため、前記薄膜の応力のため、そりやゆがみが
生じやすかった。またＸ線吸収体膜パターンを形成後半
導体基板の中央部全裏面より選択的に食刻除去するため
前記パターンの損傷やひずみが生じやすいという問題点
があった。
形成するため、前記薄膜の応力のため、そりやゆがみが
生じやすかった。またＸ線吸収体膜パターンを形成後半
導体基板の中央部全裏面より選択的に食刻除去するため
前記パターンの損傷やひずみが生じやすいという問題点
があった。
問題点を解決するための手段
本発明は上記問題点を解決するため所定の基板上にＸ線
透過薄膜を形成し、さらにＸ線吸収体膜パターンを形成
する。次に支持枠を前記Ｘ線吸収体膜パターンを形成し
た基板上に接着形成する。
透過薄膜を形成し、さらにＸ線吸収体膜パターンを形成
する。次に支持枠を前記Ｘ線吸収体膜パターンを形成し
た基板上に接着形成する。
次に支持枠の他方の面に他のＸ線透過薄膜を接着形成し
た後、前記基板を全て食刻除去することにより、支持枠
の両面にＸ線透過薄膜を有し、一方のＸ線透過薄膜の内
側の面、即ち、他方のＸ線透過薄膜に対向した側の面に
Ｘ線吸収体膜パターンを有するＸ線マスク全形成する。
た後、前記基板を全て食刻除去することにより、支持枠
の両面にＸ線透過薄膜を有し、一方のＸ線透過薄膜の内
側の面、即ち、他方のＸ線透過薄膜に対向した側の面に
Ｘ線吸収体膜パターンを有するＸ線マスク全形成する。
作用
本発明のＸ線マスクは支持枠の両面に形成したＸ線透過
薄膜の張力を制御することにより、そりやひずみ金なく
することができる。また、Ｘ線吸収体膜パターンを２枚
のＸ線透過薄膜および支持枠で囲んで保護した後、基板
を除去するため、前記Ｘ線吸収体膜パターンを何ら損傷
することなく形成することができる。かつ基板を両面同
時に除去するため、Ｘ線透過薄膜および支持枠にひずみ
やそり全土じることがなくパターン精度の良いＸ線マス
ク全形成することができる。
薄膜の張力を制御することにより、そりやひずみ金なく
することができる。また、Ｘ線吸収体膜パターンを２枚
のＸ線透過薄膜および支持枠で囲んで保護した後、基板
を除去するため、前記Ｘ線吸収体膜パターンを何ら損傷
することなく形成することができる。かつ基板を両面同
時に除去するため、Ｘ線透過薄膜および支持枠にひずみ
やそり全土じることがなくパターン精度の良いＸ線マス
ク全形成することができる。
実施例
本発明の一実施例を第１図にもとづいて説明する。第１
の半導体基板１１上に窒化硅素膜などの第１のＸ線透過
薄膜１２を形成する。次に重ねて全面に金あるいはタン
タルなどのＸ線吸収体膜を形成した後、所定のパターン
１３を形成する。
の半導体基板１１上に窒化硅素膜などの第１のＸ線透過
薄膜１２を形成する。次に重ねて全面に金あるいはタン
タルなどのＸ線吸収体膜を形成した後、所定のパターン
１３を形成する。
次に中央部に開孔部を形成した支持枠１４および、第２
の半導体基板１５上に前記と同様の窒化硅素膜などの第
２のＸ線透過薄膜１６を形成した基板を前記第１の半導
体基板１１上に接着形成する。このとき第１図已に示す
ように支持枠１４を中央にし、第１の半導体基板１１と
第２の半導体基板１６のＸ線透過薄膜１２および１６形
成面を前記支持枠１４に接着する。最終工程でＸ線透過
薄膜に引張り応力を持たせ、たるみをなくすため、前記
半導体基板１１および１６より熱膨張係数の小さい材料
からなる支持枠１４を用い、高温中で接着しても良い。
の半導体基板１５上に前記と同様の窒化硅素膜などの第
２のＸ線透過薄膜１６を形成した基板を前記第１の半導
体基板１１上に接着形成する。このとき第１図已に示す
ように支持枠１４を中央にし、第１の半導体基板１１と
第２の半導体基板１６のＸ線透過薄膜１２および１６形
成面を前記支持枠１４に接着する。最終工程でＸ線透過
薄膜に引張り応力を持たせ、たるみをなくすため、前記
半導体基板１１および１６より熱膨張係数の小さい材料
からなる支持枠１４を用い、高温中で接着しても良い。
次に第１および第２の半導体基板１１および１５を除去
し、Ｘ線マスクとする。
し、Ｘ線マスクとする。
なお上記実施例ではＸ線透過薄膜として半導体基板上に
形成した窒化硅素膜を例に説明したが、他の基板上に形
成した有機薄膜でもよいことはいうまでもない。また支
持枠へのＸ線透過薄膜の接着は両面同時でなく片面づつ
でもよいことは言うまでもない。また支持枠上の前記半
導体基板は残留させて第２図に示すようにＸ線マスクの
局辺部のみ厚くしても良いことはいうまでもない。
形成した窒化硅素膜を例に説明したが、他の基板上に形
成した有機薄膜でもよいことはいうまでもない。また支
持枠へのＸ線透過薄膜の接着は両面同時でなく片面づつ
でもよいことは言うまでもない。また支持枠上の前記半
導体基板は残留させて第２図に示すようにＸ線マスクの
局辺部のみ厚くしても良いことはいうまでもない。
発明の効果
本発明てよるＸ線マスクは支持枠の両面にＸ線透過薄膜
を形成するため、そりやひずみを生じることがない。ま
た、Ｘ線吸収体膜パターンは、２枚のＸ線透過薄膜およ
び支持枠により囲まれているため、使用途中で損傷を受
けることなく、またパターン面が汚染されることがない
ため、耐久性が良い。
を形成するため、そりやひずみを生じることがない。ま
た、Ｘ線吸収体膜パターンは、２枚のＸ線透過薄膜およ
び支持枠により囲まれているため、使用途中で損傷を受
けることなく、またパターン面が汚染されることがない
ため、耐久性が良い。
本発明による製造方法では、Ｘ線吸収体膜パターンに形
成後は支持枠および２枚のＸ線透過薄膜により保護され
るため、接着前に半導体基板に形成された状態でパター
ン検査および修正を容易に行なうことができる。また最
終工程でＸ線透過薄膜を形成した基板は全面あるいは中
央部ｆ、２枚同時に除去することによりそりおよびゆが
みを生じることなく容易に形成することができる。
成後は支持枠および２枚のＸ線透過薄膜により保護され
るため、接着前に半導体基板に形成された状態でパター
ン検査および修正を容易に行なうことができる。また最
終工程でＸ線透過薄膜を形成した基板は全面あるいは中
央部ｆ、２枚同時に除去することによりそりおよびゆが
みを生じることなく容易に形成することができる。
第１図は本発明の一実施例を説明するためのＸ線マスク
構造の製造工程断面図、第２図は本発明の他の実施例を
説明するだめのＸ線マスク構造断面図、第３図は従来例
を説明するだめのＸ線マス構造の製造工程断面図である
。 １１．１５・・・・・・半導体基板、１２．１６・・・
・・Ｘ線透過薄膜、１４・・・・・・支持枠、１３・・
・・・Ｘ線吸収体膜パターン。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名ｔｔ
、 ｔｓ −−一基板 ／２． ／６−Ｘ啼丞逼簿俣 第 １ 図 ｆ町−支持杆第 ２ 図 １．３ ／−一一基版 第３図
構造の製造工程断面図、第２図は本発明の他の実施例を
説明するだめのＸ線マスク構造断面図、第３図は従来例
を説明するだめのＸ線マス構造の製造工程断面図である
。 １１．１５・・・・・・半導体基板、１２．１６・・・
・・Ｘ線透過薄膜、１４・・・・・・支持枠、１３・・
・・・Ｘ線吸収体膜パターン。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名ｔｔ
、 ｔｓ −−一基板 ／２． ／６−Ｘ啼丞逼簿俣 第 １ 図 ｆ町−支持杆第 ２ 図 １．３ ／−一一基版 第３図
Claims (3)
- （１）支持枠の両面にＸ線透過薄膜を形成し、かつ前記
Ｘ線透過薄膜の一方の膜にＸ線吸収体膜パターンを形成
したことを特徴とするＸ線マスク。 - （２）Ｘ線吸収体膜パターンを他方のＸ線透過薄膜に面
した側に形成したことを特徴とする特許請求の範囲第１
項に記載のＸ線マスク。 - （３）半導体基板上に第１のＸ線透過薄膜を形成する工
程と、前記薄膜上にＸ線吸収体パターンを形成する工程
と、前記パターン上に支持枠を接着形成する工程と、前
記支持枠上に第２のＸ線透過薄膜を接着形成する工程と
、前記半導体基板を除去する工程とを含むことを特徴と
するＸ線マスクの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61123927A JPS62281324A (ja) | 1986-05-29 | 1986-05-29 | Ｘ線マスクおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61123927A JPS62281324A (ja) | 1986-05-29 | 1986-05-29 | Ｘ線マスクおよびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62281324A true JPS62281324A (ja) | 1987-12-07 |
Family
ID=14872785
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61123927A Pending JPS62281324A (ja) | 1986-05-29 | 1986-05-29 | Ｘ線マスクおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62281324A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR19990072348A (ko) * | 1998-02-17 | 1999-09-27 | 포만 제프리 엘 | 개선된엑스-선마스크구조체 |
-
1986
- 1986-05-29 JP JP61123927A patent/JPS62281324A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR19990072348A (ko) * | 1998-02-17 | 1999-09-27 | 포만 제프리 엘 | 개선된엑스-선마스크구조체 |
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