JP2561735B2 - 液晶表示装置の製造方法 - Google Patents
液晶表示装置の製造方法Info
- Publication number
- JP2561735B2 JP2561735B2 JP23799089A JP23799089A JP2561735B2 JP 2561735 B2 JP2561735 B2 JP 2561735B2 JP 23799089 A JP23799089 A JP 23799089A JP 23799089 A JP23799089 A JP 23799089A JP 2561735 B2 JP2561735 B2 JP 2561735B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- liquid crystal
- wafer
- crystal display
- single crystal
- semiconductor wafer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F2202/00—Materials and properties
- G02F2202/10—Materials and properties semiconductor
- G02F2202/105—Materials and properties semiconductor single crystal Si
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 ＜産業上の利用分野＞ 本発明は、液晶表示部およびそのドライバ回路が、同
一の基板に内蔵される、いわゆるドライバモノリシック
型の液晶表示装置の製造方法に関する。
一の基板に内蔵される、いわゆるドライバモノリシック
型の液晶表示装置の製造方法に関する。
＜従来の技術＞ 一般に、ドライバモノリシック型の液晶表示装置にお
けるドライバ回路部のトランジスタは、高移動度が要求
されるため、通常の、アモルファスSi薄膜トランジスタ
や多結晶Si薄膜トランジスタ等は使用できない。
けるドライバ回路部のトランジスタは、高移動度が要求
されるため、通常の、アモルファスSi薄膜トランジスタ
や多結晶Si薄膜トランジスタ等は使用できない。
そこで、従来、ドライバ回路部としては、アモルファ
スSiや多結晶Siを、レーザビームあるいは電子線照射に
よりアニールして単結晶化した、SOI（Sicon On Insula
tor）トランジスタが用いられている。
スSiや多結晶Siを、レーザビームあるいは電子線照射に
よりアニールして単結晶化した、SOI（Sicon On Insula
tor）トランジスタが用いられている。
＜発明が解決しようとする課題＞ とろこで、上述のドライバ回路部のトランジスタ製造
方法によると、レーザビームあるいは電子線照射による
単結晶化を、ウェハ全面に亘って均一に行うことは、現
状の技術では非常に困難で、製品の性能の信頼性が欠け
るという問題、さらには、レーザビーム照射や電子線照
射等のプロセスはスループットが悪く、このため、量産
時における生産性が低く、ひいては製品コストが高くつ
くという問題等がある。
方法によると、レーザビームあるいは電子線照射による
単結晶化を、ウェハ全面に亘って均一に行うことは、現
状の技術では非常に困難で、製品の性能の信頼性が欠け
るという問題、さらには、レーザビーム照射や電子線照
射等のプロセスはスループットが悪く、このため、量産
時における生産性が低く、ひいては製品コストが高くつ
くという問題等がある。
＜課題を解決するための手段＞ 上記の問題点を解決するために、本発明では、実施例
に対応する第１図乃至第３図に示すように、絶縁性材料
製のウェハ（石英ウェハ）１に、単結晶半導体ウェハ
（Siウェハ）２を貼着し（第１図）、その単結晶半導体
ウェハ２の一部をエッチングにより除去する（第２
図）。そして、第３図に示すように、単結晶半導体ウェ
ハ２の残った部分にドライバ回路部４を形成するととも
に、単結晶半導体基板を除去した部分３に液晶表示部５
を形成している。
に対応する第１図乃至第３図に示すように、絶縁性材料
製のウェハ（石英ウェハ）１に、単結晶半導体ウェハ
（Siウェハ）２を貼着し（第１図）、その単結晶半導体
ウェハ２の一部をエッチングにより除去する（第２
図）。そして、第３図に示すように、単結晶半導体ウェ
ハ２の残った部分にドライバ回路部４を形成するととも
に、単結晶半導体基板を除去した部分３に液晶表示部５
を形成している。
＜作用＞ ドライバ回路部４は、単結晶化プロセスを要すること
なく、通常の集積回路製造プロセスのみによって形成す
ることができ、しかもドライバ回路部４を形成した後に
研磨やエッチング等の素子にダメージ・損傷等を及ぼす
加工を行わずに済む。その結果、信頼性の高いドライバ
回路を形成することができる。また、液晶表示部５は、
例えばアクティブマトリクス型とする場合、高い移動度
は要求されないので、従来のアモルファスSi薄膜トラン
ジスタや多結晶Si薄膜トランジスタにより形成できる。
なく、通常の集積回路製造プロセスのみによって形成す
ることができ、しかもドライバ回路部４を形成した後に
研磨やエッチング等の素子にダメージ・損傷等を及ぼす
加工を行わずに済む。その結果、信頼性の高いドライバ
回路を形成することができる。また、液晶表示部５は、
例えばアクティブマトリクス型とする場合、高い移動度
は要求されないので、従来のアモルファスSi薄膜トラン
ジスタや多結晶Si薄膜トランジスタにより形成できる。
＜実施例＞ 第１図乃至第３図は、本発明実施例の製造手順を説明
する図である。なお、各図における（ａ）は正面図で、
（ｂ）縦断面図である。
する図である。なお、各図における（ａ）は正面図で、
（ｂ）縦断面図である。
まず、第１図に示すように、石英ウェハ１の片面に単
結晶のSiウェハ２を貼りつけた後、Siウェハ２を研磨し
て、その膜厚を２μｍ程度に仕上げる。なお、石英ウェ
ハ１へのSiウェハ２の貼着は、石英ウェハ１およびSiウ
ェハ２の互いに接触する面を鏡面状に仕上げた後、その
両者を重ね合わせた状態で、所定の熱処理を施すことに
よって行う。
結晶のSiウェハ２を貼りつけた後、Siウェハ２を研磨し
て、その膜厚を２μｍ程度に仕上げる。なお、石英ウェ
ハ１へのSiウェハ２の貼着は、石英ウェハ１およびSiウ
ェハ２の互いに接触する面を鏡面状に仕上げた後、その
両者を重ね合わせた状態で、所定の熱処理を施すことに
よって行う。
次に、リソフォトグラフィ法等を用いたエッチングに
よって、表示部に相応する部分のSiウェハ２を除去した
後（第２図）、残ったSiウェハ２に、通常の集積回路製
造プロセスによりドライバ回路部４を形成し、次いで、
Siウェハ２を除去した部分３に、通常のアモルファスSi
薄膜トランジスタ（TFT）製造プロセスにより、TFTアレ
イを形成してアクティブマトリクス型の液晶表示部５を
設ける（第３図）。
よって、表示部に相応する部分のSiウェハ２を除去した
後（第２図）、残ったSiウェハ２に、通常の集積回路製
造プロセスによりドライバ回路部４を形成し、次いで、
Siウェハ２を除去した部分３に、通常のアモルファスSi
薄膜トランジスタ（TFT）製造プロセスにより、TFTアレ
イを形成してアクティブマトリクス型の液晶表示部５を
設ける（第３図）。
以後、従来と同様に、透明電極形成、液両配向処理等
を行い、次いで、対向基板６を貼着した後、液晶封入を
行うことによって、ドライバモノリシック型の液晶表示
装置を得る。
を行い、次いで、対向基板６を貼着した後、液晶封入を
行うことによって、ドライバモノリシック型の液晶表示
装置を得る。
＜発明の効果＞ 以上説明したように、本発明によれば、絶縁性材料製
のウェハに単結晶半導体ウェハを貼着し、その半導体ウ
ェハのドライバ回路形成部以外を除去した後、残った部
分の半導体ウェハを、通常の集積回路プロセスによりト
ランジスタ化したので、ドライバ回路形成に、従来行わ
れていた電子線照射等による単結晶化プロセスが不要と
なって、量産時における生産性が向上し、ひいては、製
品コストの低減化をはかることができる。さらに、本発
明によると、上記したように単結晶プロセスが不要で、
しかもドライバ回路を形成した後に研磨やエッチング等
の素子に悪影響を及ぼす加工を行わずに済むことから、
ドライバ回路の信頼性が高くなり、これにより高性能な
ドライバモノリシック型の液晶表示装置を得ることがで
きる。
のウェハに単結晶半導体ウェハを貼着し、その半導体ウ
ェハのドライバ回路形成部以外を除去した後、残った部
分の半導体ウェハを、通常の集積回路プロセスによりト
ランジスタ化したので、ドライバ回路形成に、従来行わ
れていた電子線照射等による単結晶化プロセスが不要と
なって、量産時における生産性が向上し、ひいては、製
品コストの低減化をはかることができる。さらに、本発
明によると、上記したように単結晶プロセスが不要で、
しかもドライバ回路を形成した後に研磨やエッチング等
の素子に悪影響を及ぼす加工を行わずに済むことから、
ドライバ回路の信頼性が高くなり、これにより高性能な
ドライバモノリシック型の液晶表示装置を得ることがで
きる。
また、本発明では、絶縁性材料製のウェハと単結晶半
導体ウェハとの貼着を、これら二つのウェハの互いに接
触する面を鏡面状に仕上げた後、重ね合わせ、熱処理す
ることにより行うので、絶縁性材料製のウェハと単結晶
半導体ウェハとを全面均一に貼着することができるとい
う効果もある。
導体ウェハとの貼着を、これら二つのウェハの互いに接
触する面を鏡面状に仕上げた後、重ね合わせ、熱処理す
ることにより行うので、絶縁性材料製のウェハと単結晶
半導体ウェハとを全面均一に貼着することができるとい
う効果もある。
第１図乃至第３図は、本発明実施例の製造手順を説明す
る図である。 １……石英ウェハ ２……単結晶Siウェハ ３……Siウェハ除去部 ４……ドライバ回路部 ５……表示部
る図である。 １……石英ウェハ ２……単結晶Siウェハ ３……Siウェハ除去部 ４……ドライバ回路部 ５……表示部
Claims (2)
- 【請求項１】液晶表示部およびそのドライバ回路が同一
の基板に内蔵される液晶表示装置を製造する方法であっ
て、絶縁性材料製のウェハに単結晶半導体ウェハを貼着
し、その単結晶半導体ウェハの一部をエッチングにより
除去した後、その除去した部分に液晶表示部を形成する
とともに、上記単結晶半導体ウェハの残った部分にドラ
イバ回路を形成することを特徴とする、液晶表示装置の
製造方法。 - 【請求項２】請求項１に記載の製造方法において、上記
単結晶半導体ウェハの貼着を、この単結晶半導体ウェハ
と絶縁性材料製のウェハの互いに接触する面を鏡面状に
仕上げた後、これらウェハを重ね合わせた状態で熱処理
を施すことによって行うことを特徴とする、液晶表示装
置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23799089A JP2561735B2 (ja) | 1989-09-13 | 1989-09-13 | 液晶表示装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23799089A JP2561735B2 (ja) | 1989-09-13 | 1989-09-13 | 液晶表示装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03100516A JPH03100516A (ja) | 1991-04-25 |
| JP2561735B2 true JP2561735B2 (ja) | 1996-12-11 |
Family
ID=17023484
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23799089A Expired - Lifetime JP2561735B2 (ja) | 1989-09-13 | 1989-09-13 | 液晶表示装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2561735B2 (ja) |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6067062A (en) * | 1990-09-05 | 2000-05-23 | Seiko Instruments Inc. | Light valve device |
| DE69223009T2 (de) * | 1991-08-02 | 1998-04-02 | Canon Kk | Flüssigkristall-Anzeigeeinheit |
| TW214603B (en) * | 1992-05-13 | 1993-10-11 | Seiko Electron Co Ltd | Semiconductor device |
| JP3526058B2 (ja) * | 1992-08-19 | 2004-05-10 | セイコーインスツルメンツ株式会社 | 光弁用半導体装置 |
| US5491571A (en) * | 1993-01-19 | 1996-02-13 | Hughes Aircraft Company | Liquid crystal display including electrodes and driver devices integrally formed in monocrystalline semiconductor layer |
| US5537234A (en) * | 1993-01-19 | 1996-07-16 | Hughes Aircraft Company | Relective liquid crystal display including driver devices integrally formed in monocrystalline semiconductor layer and method of fabricating the display |
| DE4318022C1 (de) * | 1993-05-29 | 1994-08-18 | Daimler Benz Ag | Verfahren zum Herstellen integrierter Aktivmatrix-Flüssigkristalldisplays |
| JP3551702B2 (ja) * | 1997-05-08 | 2004-08-11 | カシオ計算機株式会社 | 液晶表示素子とその駆動方法 |
| US7176528B2 (en) * | 2003-02-18 | 2007-02-13 | Corning Incorporated | Glass-based SOI structures |
| JP5040512B2 (ja) | 2006-10-27 | 2012-10-03 | 日産自動車株式会社 | 自動車のスライドドア構造 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5258500A (en) * | 1975-11-10 | 1977-05-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Liquid crystal display unit |
| JPS60101829A (ja) * | 1983-11-08 | 1985-06-05 | 松下電器産業株式会社 | リレ−駆動装置 |
| JPS60198581A (ja) * | 1984-03-22 | 1985-10-08 | 松下電器産業株式会社 | 液晶画像表示装置 |
| JPS63101832A (ja) * | 1986-10-17 | 1988-05-06 | Nec Corp | アクテイブ・マトリクス液晶表示装置 |
| JPS6311989A (ja) * | 1987-04-03 | 1988-01-19 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学的表示装置 |
-
1989
- 1989-09-13 JP JP23799089A patent/JP2561735B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH03100516A (ja) | 1991-04-25 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5766493A (en) | Method of fabricating a liquid crystal display substrate | |
| KR100243881B1 (ko) | 반도체 기판 및 반도체장치의 제조방법 | |
| JPH01315159A (ja) | 誘電体分離半導体基板とその製造方法 | |
| JPS59208783A (ja) | 薄膜トランジスタ | |
| JPH08505010A (ja) | 石英基板上の単結晶シリコン・アイランド作製方法 | |
| US4684435A (en) | Method of manufacturing thin film transistor | |
| JP2561735B2 (ja) | 液晶表示装置の製造方法 | |
| JP3512496B2 (ja) | Ｓｏｉ型半導体集積回路の作製方法 | |
| US6054371A (en) | Method of manufacturing a semiconductor device by detachably mounting substrates to a holder board | |
| EP0646950B1 (en) | Method for processing a thin film | |
| JPH0832038A (ja) | 貼り合わせｓｏｉ基板の製造方法および貼り合わせｓｏｉ基板 | |
| JP3211995B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH04206766A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS6390859A (ja) | 薄膜トランジスタとその製造方法 | |
| US5416341A (en) | Substrate for a semiconductor device and method for manufacturing a semiconductor device from the substrate | |
| JPS57180148A (en) | Manufacture of semiconductor device having dielectric isolation structure | |
| JP2001250775A (ja) | 半導体基板及び半導体装置及び半導体基板の製造方法及び半導体基板の製造治具及び半導体装置の製造治具 | |
| JP3216173B2 (ja) | 薄膜トランジスタ回路の製造方法 | |
| JP3171844B2 (ja) | 半導体単結晶薄膜基板液晶光弁装置 | |
| JPS5940684A (ja) | 表示パネル | |
| JPH04133034A (ja) | 光弁基板用単結晶薄膜半導体装置 | |
| JP2633402B2 (ja) | 液晶表示装置の製造方法 | |
| JPH04307735A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH03104276A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH07183534A (ja) | 薄膜トランジスタの製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080919 Year of fee payment: 12 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080919 Year of fee payment: 12 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090919 Year of fee payment: 13 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |