JPH03100516A - 液晶表示装置の製造方法 - Google Patents
液晶表示装置の製造方法Info
- Publication number
- JPH03100516A JPH03100516A JP1237990A JP23799089A JPH03100516A JP H03100516 A JPH03100516 A JP H03100516A JP 1237990 A JP1237990 A JP 1237990A JP 23799089 A JP23799089 A JP 23799089A JP H03100516 A JPH03100516 A JP H03100516A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- liquid crystal
- wafer
- crystal display
- driver circuit
- display device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 title claims abstract description 21
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 13
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 12
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 6
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 4
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims description 3
- 239000010453 quartz Substances 0.000 abstract description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 6
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 abstract description 4
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 abstract description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 3
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 abstract description 3
- 238000007789 sealing Methods 0.000 abstract 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 4
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 3
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 2
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F2202/00—Materials and properties
- G02F2202/10—Materials and properties semiconductor
- G02F2202/105—Materials and properties semiconductor single crystal Si
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明は、液晶表示部およびそのドライバ回路が、同一
の基板に内蔵される、いわゆるドライバモノリシック型
の液晶表示装置の製造方法に関する。
の基板に内蔵される、いわゆるドライバモノリシック型
の液晶表示装置の製造方法に関する。
〈従来の技術〉
一般に、ドライバモノリシック型の液晶表示装置におけ
るドライバ回路部のトランジスタは、高移動度が要求さ
れるため、通常の、アモルファスＳｉ薄膜トランジスタ
や多結晶Ｓｔ薄膜トランジスタ等は使用できない。
るドライバ回路部のトランジスタは、高移動度が要求さ
れるため、通常の、アモルファスＳｉ薄膜トランジスタ
や多結晶Ｓｔ薄膜トランジスタ等は使用できない。
そこで、従来、ドライバ回路部としては、アモルファス
Ｓｉや多結晶Ｓｉを、レーザビームあるいは電子線照射
によりアニールして単結晶化した、Ｓ ＯＩ （Ｓｉｃ
ｏｎ Ｏｎ Ｉｎ５ｕｌａｔｏｒ） ）ランジスタが用
いられている。
Ｓｉや多結晶Ｓｉを、レーザビームあるいは電子線照射
によりアニールして単結晶化した、Ｓ ＯＩ （Ｓｉｃ
ｏｎ Ｏｎ Ｉｎ５ｕｌａｔｏｒ） ）ランジスタが用
いられている。
〈発明が解決しようとする課題〉
ところで、上述のドライバ回路部のトランジスタ製造方
法によると、レーザビームあるいは電子線照射による単
結晶化を、ウェハ全面に亘って均一に行うことは、現状
の技術では非常に困難で、製品の性能の信頼性が欠ける
という問題、さらには、レーザビーム照射や電子線照射
等のプロセスはスルーブツトが悪く、このため、量産時
における生産性が低く、ひいては製品コストが高くつく
という問題等がある。
法によると、レーザビームあるいは電子線照射による単
結晶化を、ウェハ全面に亘って均一に行うことは、現状
の技術では非常に困難で、製品の性能の信頼性が欠ける
という問題、さらには、レーザビーム照射や電子線照射
等のプロセスはスルーブツトが悪く、このため、量産時
における生産性が低く、ひいては製品コストが高くつく
という問題等がある。
く課題を解決するための手段〉
上記の問題点を解決するために、本発明では、実施例に
対応する第１図乃至第３図に示すように、絶縁性材料製
のウェハ（石英ウェハ）１に、単結晶半導体ウェハ（Ｓ
ｔウェハ）２を貼着しく第１図）、その単結晶半導体ウ
ェハ２の一部をエツチングにより除去する（第２図）。
対応する第１図乃至第３図に示すように、絶縁性材料製
のウェハ（石英ウェハ）１に、単結晶半導体ウェハ（Ｓ
ｔウェハ）２を貼着しく第１図）、その単結晶半導体ウ
ェハ２の一部をエツチングにより除去する（第２図）。
そして、第３図に示すように、その残った部分の単結晶
半導体基板２にドライバ回路部４を形成するとともに、
単結晶半導体基板を除去した部分３に液晶表示部５を形
成している。
半導体基板２にドライバ回路部４を形成するとともに、
単結晶半導体基板を除去した部分３に液晶表示部５を形
成している。
く作用〉
ドライバ回路部４は、単結晶化プロセスを要することな
く、通常の集積回路製造プロセスのみによって形成する
ことが可能となり、信頼性の高いドライバ回路を形成す
ることができる。また、液晶表示部５は、例えばアクテ
ィブマトリクス型とする場合、高い移動度は要求されな
いので、従来のアモルファス５ｔＦｊｌ膜トランジスタ
や多結晶Ｓｉ薄膜トランジスタにより形成できる。
く、通常の集積回路製造プロセスのみによって形成する
ことが可能となり、信頼性の高いドライバ回路を形成す
ることができる。また、液晶表示部５は、例えばアクテ
ィブマトリクス型とする場合、高い移動度は要求されな
いので、従来のアモルファス５ｔＦｊｌ膜トランジスタ
や多結晶Ｓｉ薄膜トランジスタにより形成できる。
〈実施例〉
第１図乃至第３図は、本発明実施例の製造手順を説明す
る図である。なお、各図における（ａ）は正面図で、［
有］）は縦断面図である。
る図である。なお、各図における（ａ）は正面図で、［
有］）は縦断面図である。
まず、第１図に示すように、石英ウェハ１の片面に単結
晶のＳｉウェハ２を貼りつけた後、Ｓｉウェハ２を研磨
して、その膜厚を２μｍ程度に仕上げる。なお、石英ウ
ェハ１へのＳｉウェハ２の貼着は、石英ウェハ１および
Ｓｉウェハ２の互いに接触する面を鏡面状に仕上げた後
、その両者を重ね合わせた状態で、所定の熱処理を施す
ことによって行う。
晶のＳｉウェハ２を貼りつけた後、Ｓｉウェハ２を研磨
して、その膜厚を２μｍ程度に仕上げる。なお、石英ウ
ェハ１へのＳｉウェハ２の貼着は、石英ウェハ１および
Ｓｉウェハ２の互いに接触する面を鏡面状に仕上げた後
、その両者を重ね合わせた状態で、所定の熱処理を施す
ことによって行う。
次に、リソフォトグラフィ法等を用いたエツチングによ
って、表示部に相応する部分のＳｉウェハ２を除去した
後（第２図）、残ったＳｉウェハ２に、通常の集積回路
製造プロセスによりドライバ回路部４を形成し、次いで
、Ｓｉウェハ２を除去した部分３に、通常のアモルファ
スＳｉ薄膜トランジスタ（ＴＰＴ）製造プロセスにより
、ＴＦＴアレイを形成してアクティブマトリクス型の液
晶表示部５を設ける（第３図）。
って、表示部に相応する部分のＳｉウェハ２を除去した
後（第２図）、残ったＳｉウェハ２に、通常の集積回路
製造プロセスによりドライバ回路部４を形成し、次いで
、Ｓｉウェハ２を除去した部分３に、通常のアモルファ
スＳｉ薄膜トランジスタ（ＴＰＴ）製造プロセスにより
、ＴＦＴアレイを形成してアクティブマトリクス型の液
晶表示部５を設ける（第３図）。
以後、従来と同様に、透明電極形成、液晶配向処理等を
行い、次いで、対向基板６を貼着した後、液晶封入を行
うことによって、ドライバモノリシック型の液晶表示装
置を得る。
行い、次いで、対向基板６を貼着した後、液晶封入を行
うことによって、ドライバモノリシック型の液晶表示装
置を得る。
〈発明の効果〉
以上説明したように、本発明によれば、絶縁性材料製の
ウェハに単結晶半導体ウェハを貼着し、その半導体ウェ
ハのドライバ回路形成部以外を除去した後、残った部分
の半導体ウェハを、通常の集積回路プロセスによりトラ
ンジスタ化したので、ドライバ回路形成に、従来行われ
ていた電子線照射等による単結晶化プロセスが不要とな
って、量産時における生産性が向上し、ひいては、製品
コストの低減化をはかることができる。しがも、ドライ
バ回路の信頼性が高くなり、これにより、高性能なドラ
イバモノリシック型の液晶表示装置を得ることが可能と
なる。
ウェハに単結晶半導体ウェハを貼着し、その半導体ウェ
ハのドライバ回路形成部以外を除去した後、残った部分
の半導体ウェハを、通常の集積回路プロセスによりトラ
ンジスタ化したので、ドライバ回路形成に、従来行われ
ていた電子線照射等による単結晶化プロセスが不要とな
って、量産時における生産性が向上し、ひいては、製品
コストの低減化をはかることができる。しがも、ドライ
バ回路の信頼性が高くなり、これにより、高性能なドラ
イバモノリシック型の液晶表示装置を得ることが可能と
なる。
第１図乃至第３図は、本発明実施例の製造手順を説明す
る図である。 ・石英ウェハ ・単結晶Ｓｉウェハ ・Ｓｉウェハ除去部 ドライバ回路部 表示部
る図である。 ・石英ウェハ ・単結晶Ｓｉウェハ ・Ｓｉウェハ除去部 ドライバ回路部 表示部
Claims (1)
- 液晶表示部およびそのドライバ回路が同一の基板に内蔵
される液晶表示装置を製造する方法であって、絶縁性材
料製のウェハに単結晶半導体ウェハを貼着し、その単結
晶半導体ウェハの一部をエッチングにより除去した後、
その除去した部分に液晶表示部を形成するとともに、残
った部分の上記単結晶半導体ウェハにドライバ回路を形
成するすることを特徴とする、液晶表示装置の製造方法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23799089A JP2561735B2 (ja) | 1989-09-13 | 1989-09-13 | 液晶表示装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23799089A JP2561735B2 (ja) | 1989-09-13 | 1989-09-13 | 液晶表示装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03100516A true JPH03100516A (ja) | 1991-04-25 |
| JP2561735B2 JP2561735B2 (ja) | 1996-12-11 |
Family
ID=17023484
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23799089A Expired - Lifetime JP2561735B2 (ja) | 1989-09-13 | 1989-09-13 | 液晶表示装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2561735B2 (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0474474A2 (en) * | 1990-09-05 | 1992-03-11 | Seiko Instruments Inc. | Semiconductor light valve device and process for fabricating the same |
| EP0530972A2 (en) * | 1991-08-02 | 1993-03-10 | Canon Kabushiki Kaisha | Liquid crystal image display unit |
| EP0586147A1 (en) * | 1992-08-19 | 1994-03-09 | Seiko Instruments Inc. | A semiconductor device and method of manufacture |
| DE4490399C2 (de) * | 1993-01-19 | 1996-05-23 | Hughes Aircraft Co | Reflektierende Flüssigkristallanzeige, die Treibervorrichtungen umfaßt, die integral in einer monokristallinen Halbleiterschicht gebildet sind, und Verfahren zur Herstellung der Anzeige |
| DE4490398C2 (de) * | 1993-01-19 | 1996-07-18 | Hughes Aircraft Co | Flüssigkristallanzeige, die Treibervorrichtungen umfaßt, die integral in einer monokristallinen Halbleiterschicht gebildet sind |
| US5574292A (en) * | 1992-05-13 | 1996-11-12 | Seiko Instruments Inc. | Semiconductor device with monosilicon layer |
| US5693237A (en) * | 1993-05-29 | 1997-12-02 | Daimler-Benz Aktiengesellschaft | Method of producing integrated active-matrix liquid crystal displays |
| KR100295273B1 (ko) * | 1997-05-08 | 2001-07-12 | 가시오 가즈오 | 액정표시소자와그구동방법 |
| US7954880B2 (en) | 2006-10-27 | 2011-06-07 | Nissan Motor Co., Ltd. | Sliding door structure for automobile |
| JP2012231161A (ja) * | 2003-02-18 | 2012-11-22 | Corning Inc | ガラスベースｓｏｉ構造 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5258500A (en) * | 1975-11-10 | 1977-05-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Liquid crystal display unit |
| JPS60101829A (ja) * | 1983-11-08 | 1985-06-05 | 松下電器産業株式会社 | リレ−駆動装置 |
| JPS60198581A (ja) * | 1984-03-22 | 1985-10-08 | 松下電器産業株式会社 | 液晶画像表示装置 |
| JPS6311989A (ja) * | 1987-04-03 | 1988-01-19 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学的表示装置 |
| JPS63101832A (ja) * | 1986-10-17 | 1988-05-06 | Nec Corp | アクテイブ・マトリクス液晶表示装置 |
-
1989
- 1989-09-13 JP JP23799089A patent/JP2561735B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5258500A (en) * | 1975-11-10 | 1977-05-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Liquid crystal display unit |
| JPS60101829A (ja) * | 1983-11-08 | 1985-06-05 | 松下電器産業株式会社 | リレ−駆動装置 |
| JPS60198581A (ja) * | 1984-03-22 | 1985-10-08 | 松下電器産業株式会社 | 液晶画像表示装置 |
| JPS63101832A (ja) * | 1986-10-17 | 1988-05-06 | Nec Corp | アクテイブ・マトリクス液晶表示装置 |
| JPS6311989A (ja) * | 1987-04-03 | 1988-01-19 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学的表示装置 |
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0474474A2 (en) * | 1990-09-05 | 1992-03-11 | Seiko Instruments Inc. | Semiconductor light valve device and process for fabricating the same |
| EP0530972A2 (en) * | 1991-08-02 | 1993-03-10 | Canon Kabushiki Kaisha | Liquid crystal image display unit |
| US5530266A (en) * | 1991-08-02 | 1996-06-25 | Canon Kabushiki Kaisha | Liquid crystal image display unit and method for fabricating semiconductor optical member |
| US5827755A (en) * | 1991-08-02 | 1998-10-27 | Canon Kabushiki Kaisha | Liquid crystal image display unit and method for fabricating semiconductor optical member |
| US5574292A (en) * | 1992-05-13 | 1996-11-12 | Seiko Instruments Inc. | Semiconductor device with monosilicon layer |
| EP0586147A1 (en) * | 1992-08-19 | 1994-03-09 | Seiko Instruments Inc. | A semiconductor device and method of manufacture |
| DE4490399C2 (de) * | 1993-01-19 | 1996-05-23 | Hughes Aircraft Co | Reflektierende Flüssigkristallanzeige, die Treibervorrichtungen umfaßt, die integral in einer monokristallinen Halbleiterschicht gebildet sind, und Verfahren zur Herstellung der Anzeige |
| DE4490398C2 (de) * | 1993-01-19 | 1996-07-18 | Hughes Aircraft Co | Flüssigkristallanzeige, die Treibervorrichtungen umfaßt, die integral in einer monokristallinen Halbleiterschicht gebildet sind |
| US5537234A (en) * | 1993-01-19 | 1996-07-16 | Hughes Aircraft Company | Relective liquid crystal display including driver devices integrally formed in monocrystalline semiconductor layer and method of fabricating the display |
| US5693237A (en) * | 1993-05-29 | 1997-12-02 | Daimler-Benz Aktiengesellschaft | Method of producing integrated active-matrix liquid crystal displays |
| KR100295273B1 (ko) * | 1997-05-08 | 2001-07-12 | 가시오 가즈오 | 액정표시소자와그구동방법 |
| JP2012231161A (ja) * | 2003-02-18 | 2012-11-22 | Corning Inc | ガラスベースｓｏｉ構造 |
| US7954880B2 (en) | 2006-10-27 | 2011-06-07 | Nissan Motor Co., Ltd. | Sliding door structure for automobile |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2561735B2 (ja) | 1996-12-11 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5766493A (en) | Method of fabricating a liquid crystal display substrate | |
| JPH03100516A (ja) | 液晶表示装置の製造方法 | |
| JPH01194351A (ja) | 薄膜半導体装置 | |
| JP3211995B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH04206766A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS6390859A (ja) | 薄膜トランジスタとその製造方法 | |
| JPH01181570A (ja) | 薄膜トランジスタの製造方法 | |
| JP3218861B2 (ja) | 液晶表示装置の製造方法 | |
| JPS61280660A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP3216173B2 (ja) | 薄膜トランジスタ回路の製造方法 | |
| JP3850462B2 (ja) | 半導体装置の作製方法 | |
| JP2003066402A5 (ja) | ||
| JPS6380570A (ja) | 薄膜トランジスタの製造方法 | |
| JPH0349251A (ja) | 半導体装置用基板およびその製造方法 | |
| JP2633402B2 (ja) | 液晶表示装置の製造方法 | |
| JPS6338235A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH07211876A (ja) | 半導体基体の作成方法 | |
| KR960002084B1 (ko) | 반도체 소자 제조방법 | |
| JPH01256146A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH01179435A (ja) | シリコン薄膜形成方法 | |
| JPH07183534A (ja) | 薄膜トランジスタの製造方法 | |
| JPS5827367A (ja) | 薄膜トランジスタ用基板 | |
| JPH0222841A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS6346762A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS62198164A (ja) | 薄膜トランジスタの製造法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080919 Year of fee payment: 12 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080919 Year of fee payment: 12 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090919 Year of fee payment: 13 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |