JPS6232463A - 露光用マスク - Google Patents
露光用マスクInfo
- Publication number
- JPS6232463A JPS6232463A JP60171892A JP17189285A JPS6232463A JP S6232463 A JPS6232463 A JP S6232463A JP 60171892 A JP60171892 A JP 60171892A JP 17189285 A JP17189285 A JP 17189285A JP S6232463 A JPS6232463 A JP S6232463A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mask
- hole
- support frame
- supporting frame
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/50—Mask blanks not covered by G03F1/20 - G03F1/34; Preparation thereof
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の属する分野１
本発明は、Ｘ線、電子線または光等の照射エネルギーを
マスクを透して感応体上に照射し、マスクに形成された
パターンを感応体上に転写するためのマスクに関する。
マスクを透して感応体上に照射し、マスクに形成された
パターンを感応体上に転写するためのマスクに関する。
［従来技術の説明］
従来、Ｘ線、電子線または光等を用いた転写装置での露
光において、マスクと半導体ウェハ等の被露光体とのア
ライメントを行なう際に、アライメント用ビームをマス
クを透してウェハに照射し、その位置を検出する方法が
ある。このとき、Ｘ線や電子線、光等のアライメント用
ビームはマスク基板を透過する際、弱められたり散乱し
たりするので、ウェハの位置を精密に検出することは困
難であった。そこで、マスク基板に貫通穴を開け、その
穴にアライメント用ビームを通してウェハ上のアライメ
ントマークを検出する方法が考えられる。
光において、マスクと半導体ウェハ等の被露光体とのア
ライメントを行なう際に、アライメント用ビームをマス
クを透してウェハに照射し、その位置を検出する方法が
ある。このとき、Ｘ線や電子線、光等のアライメント用
ビームはマスク基板を透過する際、弱められたり散乱し
たりするので、ウェハの位置を精密に検出することは困
難であった。そこで、マスク基板に貫通穴を開け、その
穴にアライメント用ビームを通してウェハ上のアライメ
ントマークを検出する方法が考えられる。
第４図は、マスク基板２に貫通穴６を開け、その貫通穴
６にアライメント用ビーム５を通してアライメントを行
なっている様子を示す断面図である。同図において、１
はマスク支持枠、２はマスク基板、３はレジスト、４は
ウェハである。５はアライメント用ビーム、６は貫通穴
、７はアライメントマーク、９はマスクパターンである
。アライメントビーム５はマスク基板２に開けられた貫
通穴６を通り、ウェハ４を照射して、アライメントマー
ク７を検出する。
６にアライメント用ビーム５を通してアライメントを行
なっている様子を示す断面図である。同図において、１
はマスク支持枠、２はマスク基板、３はレジスト、４は
ウェハである。５はアライメント用ビーム、６は貫通穴
、７はアライメントマーク、９はマスクパターンである
。アライメントビーム５はマスク基板２に開けられた貫
通穴６を通り、ウェハ４を照射して、アライメントマー
ク７を検出する。
しかし、この場合、マスク基板２が非常に簿いため、こ
れに貫通穴６を開けるとマスク基板２内部の応力、特に
張力によりマスク基板２に歪が生じ、マスクパターン９
の歪を生ずるという欠点があった。
れに貫通穴６を開けるとマスク基板２内部の応力、特に
張力によりマスク基板２に歪が生じ、マスクパターン９
の歪を生ずるという欠点があった。
［発明の目的］
本発明は、上述従来形の問題点に名み、マスク基板に穴
を開けても歪を生ずることのない露光用マスクを提供す
ることを目的とする。
を開けても歪を生ずることのない露光用マスクを提供す
ることを目的とする。
［実施例の説明］
以下、図面を用いて本発明の実施例について説明する。
第１図ａは、本発明の一実施例に係る露光用マスクの外
観図を示す。第１図すは、第１図ａの露光用マスクにお
けるＡ−Ａ’の断面図を示す。なお、従来例と同一また
は対応するものについては同一の番号で示す。第１図に
おいて、１はマスク支持枠、２はマスク基板、６は４通
穴、８はｄ過大支持枠、９は照射エネルギーを吸収する
材料で構成されたマスクパターンである。マスク基板２
と貫通穴支持枠８．ｔ＋よびマスク支持枠１とは相互に
固着されている。ずなわら、貫通穴６の周囲には貫通穴
支持枠８が固着されているので、貫通穴６を開けること
で生ずるマスク基板２の歪は、剛性を持った貫通穴支持
枠８の外へは広がらず、マスクパターン９の歪を生ずる
可能性はなくなる。
観図を示す。第１図すは、第１図ａの露光用マスクにお
けるＡ−Ａ’の断面図を示す。なお、従来例と同一また
は対応するものについては同一の番号で示す。第１図に
おいて、１はマスク支持枠、２はマスク基板、６は４通
穴、８はｄ過大支持枠、９は照射エネルギーを吸収する
材料で構成されたマスクパターンである。マスク基板２
と貫通穴支持枠８．ｔ＋よびマスク支持枠１とは相互に
固着されている。ずなわら、貫通穴６の周囲には貫通穴
支持枠８が固着されているので、貫通穴６を開けること
で生ずるマスク基板２の歪は、剛性を持った貫通穴支持
枠８の外へは広がらず、マスクパターン９の歪を生ずる
可能性はなくなる。
また、第１図のように、マスク支持枠１と１過大支持枠
８とを同一材料で一体化して作成しておけば、両者の膨
脹係数が等しくなるので、熱による歪は従来のマスクと
何ら変わらない。
８とを同一材料で一体化して作成しておけば、両者の膨
脹係数が等しくなるので、熱による歪は従来のマスクと
何ら変わらない。
第２図は、上記実施例のマスクによりアライメントを行
なっている様子を示す断面図である。同図と従来形の第
４図との差異は、マスク支持枠１と一体化された貫通穴
支持枠８が貫通穴６の周囲に設けられていることのみで
あり、貫通穴６を使用したアライメントについては従来
形と何ら変わるところはない。
なっている様子を示す断面図である。同図と従来形の第
４図との差異は、マスク支持枠１と一体化された貫通穴
支持枠８が貫通穴６の周囲に設けられていることのみで
あり、貫通穴６を使用したアライメントについては従来
形と何ら変わるところはない。
上記実施例のような４通穴を持つ露光用マスクは従来の
マスク作成工程をほとんど変更することなしに製作する
ことができる。第３図は、上記実施例のマスクの作成工
程を示す工程図である。まず、（１００）面を有するシ
リコン基板１の裏面に酸化ケイ素やナイトライド等によ
りシリコンエツチングマスク１０を形成するく第３図ａ
）。形成したシリコンエツチングマスク１０は貫通穴支
持枠８の形を残し、あとは除去づる（第３図ｂ）。次に
、シリコン基板１の表面に、液状の熱硬化性および耐熱
性を有するポリイミド系トレニース等の８分子をスピナ
等で０．５μｍ乃至数μｍｌｍ後布後熱して硬化させマ
スク基板２を形成する（第３図Ｃ）。その後、Ｘ線等の
照射エネルギーの吸収体となる金、タングステン等のマ
スク吸収材９を付着させる（第３図ｄ）。次に、レジス
１へ１１をマスク吸収材９の表面に設けて、パターン形
成する（第３図ｅ）。その後、マスク吸収材９をエツチ
ングしく第３図ｆ）、さらに、シリコン基板１をエツチ
ングした後、レジスト１１を除去する（第３図ｇ）、、
次に、１ノジスト１１を、再び、マスク基板２およびマ
スク吸収材９の表面に塗布し、マスク基板２」−に貫通
穴６の形状が露出されるようにパターン形成する（第３
図ｈ）。これをヒドラジン、エチレンジアミン等のエツ
チング液によりエツチングし、レジスト１１を除去する
（第３図ｉ）。次に、エツチングマスク１０を除去し、
マスク枠１２を取り付け（第３図」）、求める露光用マ
スクを１ｑる。以上の工程は、従来の貫通穴を持つマス
クの作成工程とほとんど変わらない。マスク支持枠を作
成するため枠部分にシリコンエツチングマスクを残しバ
ックエッチを行なうが、この際、マスク支持枠と同様に
貫通穴支持枠のパターンを残すことのみが、従来形のマ
スク作成工程との相違点である。ずなわら、バックエッ
チのパターンを変更するだけであり、工程は増えない。
マスク作成工程をほとんど変更することなしに製作する
ことができる。第３図は、上記実施例のマスクの作成工
程を示す工程図である。まず、（１００）面を有するシ
リコン基板１の裏面に酸化ケイ素やナイトライド等によ
りシリコンエツチングマスク１０を形成するく第３図ａ
）。形成したシリコンエツチングマスク１０は貫通穴支
持枠８の形を残し、あとは除去づる（第３図ｂ）。次に
、シリコン基板１の表面に、液状の熱硬化性および耐熱
性を有するポリイミド系トレニース等の８分子をスピナ
等で０．５μｍ乃至数μｍｌｍ後布後熱して硬化させマ
スク基板２を形成する（第３図Ｃ）。その後、Ｘ線等の
照射エネルギーの吸収体となる金、タングステン等のマ
スク吸収材９を付着させる（第３図ｄ）。次に、レジス
１へ１１をマスク吸収材９の表面に設けて、パターン形
成する（第３図ｅ）。その後、マスク吸収材９をエツチ
ングしく第３図ｆ）、さらに、シリコン基板１をエツチ
ングした後、レジスト１１を除去する（第３図ｇ）、、
次に、１ノジスト１１を、再び、マスク基板２およびマ
スク吸収材９の表面に塗布し、マスク基板２」−に貫通
穴６の形状が露出されるようにパターン形成する（第３
図ｈ）。これをヒドラジン、エチレンジアミン等のエツ
チング液によりエツチングし、レジスト１１を除去する
（第３図ｉ）。次に、エツチングマスク１０を除去し、
マスク枠１２を取り付け（第３図」）、求める露光用マ
スクを１ｑる。以上の工程は、従来の貫通穴を持つマス
クの作成工程とほとんど変わらない。マスク支持枠を作
成するため枠部分にシリコンエツチングマスクを残しバ
ックエッチを行なうが、この際、マスク支持枠と同様に
貫通穴支持枠のパターンを残すことのみが、従来形のマ
スク作成工程との相違点である。ずなわら、バックエッ
チのパターンを変更するだけであり、工程は増えない。
また、マスク基板２に間ける貫通穴６は、レーザ加工等
により設けてもよい。
により設けてもよい。
さらに、マスク支持枠１と貫通穴支持枠８とが一体化さ
れていなくとも、両者が同様な膨脹係数をもつ物質で構
成されていれば、熱によるマスクの歪は従来のマスクと
同様程度であると考えられる。
れていなくとも、両者が同様な膨脹係数をもつ物質で構
成されていれば、熱によるマスクの歪は従来のマスクと
同様程度であると考えられる。
［発明の効果］
以上説明したように、本発明によれば、マスク基板に開
けられた貫通穴の周囲にマスク基板と固着した剛性を持
つ貫通穴支持枠を備えているため、マスク基板に貫通穴
を開けたために生ずるマスク基板の歪は貫通穴支持枠の
外側に広がることがなく、そのためマスクパターンも歪
むことがない。
けられた貫通穴の周囲にマスク基板と固着した剛性を持
つ貫通穴支持枠を備えているため、マスク基板に貫通穴
を開けたために生ずるマスク基板の歪は貫通穴支持枠の
外側に広がることがなく、そのためマスクパターンも歪
むことがない。
第１図は、本発明の一実施例に係る露光用マスクの外観
図および断面図、 第２図は、上記実施例の露光用マスクによりアライメン
トを行なっている様子を示す断面図、第３図は、上記実
施例の露光用マスクの作成工程を示す工程図、 第４図は、従来の貫通穴の開いたマスク基板においてア
ライメントを行なっている様子を示ず断面図である。 １：マスク支持枠、２：マスク基板、 ３．１１ニレジスト、４：ウェハ、 ５：アライメント用ビーム、６：貫通穴、７：アライメ
ントマーク、８：貫通穴支持枠、９：マスク吸収材（マ
スクパターン）、１０二酸化ケイ素膜、１２：マスク枠
。 ０ −Ｑ ｕ
ｏΦ１４−ｏＩＪ： ’−”Ｍ
図および断面図、 第２図は、上記実施例の露光用マスクによりアライメン
トを行なっている様子を示す断面図、第３図は、上記実
施例の露光用マスクの作成工程を示す工程図、 第４図は、従来の貫通穴の開いたマスク基板においてア
ライメントを行なっている様子を示ず断面図である。 １：マスク支持枠、２：マスク基板、 ３．１１ニレジスト、４：ウェハ、 ５：アライメント用ビーム、６：貫通穴、７：アライメ
ントマーク、８：貫通穴支持枠、９：マスク吸収材（マ
スクパターン）、１０二酸化ケイ素膜、１２：マスク枠
。 ０ −Ｑ ｕ
ｏΦ１４−ｏＩＪ： ’−”Ｍ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、露光ビームに対して透過性の基板上に不透過性材料
で所望の転写パターン層を形成するとともに単数または
複数個の貫通穴を設けてなる露光用マスクにおいて、 上記貫通穴の周辺に該マスク基板と固着した剛性を有す
る貫通穴支持枠を備えることを特徴とする露光用マスク
。 ２、前記貫通穴支持枠が、マスク支持枠と一体的に取り
付けられた枠である特許請求の範囲第１項記載の露光用
マスク。 ３、前記貫通穴支持枠が、マスク支持枠を形成するバッ
クエッチ工程において、マスク支持枠と同時に作成され
た枠である特許請求の範囲第１または２項記載の露光用
マスク。 ４、前記貫通穴支持枠が、マスク支持枠と同様な膨脹係
数を持つ物質で構成された枠である特許請求の範囲第１
項記載の露光用マスク。 ５、前記貫通穴が、アライメントビーム通過用の穴であ
る特許請求の範囲第１、２、３または４項記載の露光用
マスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60171892A JPS6232463A (ja) | 1985-08-06 | 1985-08-06 | 露光用マスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60171892A JPS6232463A (ja) | 1985-08-06 | 1985-08-06 | 露光用マスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6232463A true JPS6232463A (ja) | 1987-02-12 |
Family
ID=15931739
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60171892A Pending JPS6232463A (ja) | 1985-08-06 | 1985-08-06 | 露光用マスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6232463A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0242711A (ja) * | 1988-04-18 | 1990-02-13 | Canon Inc | リソグラフィ用マスクの構造体 |
| JP2002373221A (ja) * | 2001-06-15 | 2002-12-26 | Kawasaki Kiko Co Ltd | 入札処理方法及びそのシステム |
| JP2014137420A (ja) * | 2013-01-15 | 2014-07-28 | Adtec Engineeng Co Ltd | Ｉｔｏパターン露光装置 |
-
1985
- 1985-08-06 JP JP60171892A patent/JPS6232463A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0242711A (ja) * | 1988-04-18 | 1990-02-13 | Canon Inc | リソグラフィ用マスクの構造体 |
| JP2002373221A (ja) * | 2001-06-15 | 2002-12-26 | Kawasaki Kiko Co Ltd | 入札処理方法及びそのシステム |
| JP2014137420A (ja) * | 2013-01-15 | 2014-07-28 | Adtec Engineeng Co Ltd | Ｉｔｏパターン露光装置 |
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