JPS6343347A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPS6343347A JPS6343347A JP61187513A JP18751386A JPS6343347A JP S6343347 A JPS6343347 A JP S6343347A JP 61187513 A JP61187513 A JP 61187513A JP 18751386 A JP18751386 A JP 18751386A JP S6343347 A JPS6343347 A JP S6343347A
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- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 14
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 6
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 claims description 21
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 21
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 42
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 abstract description 42
- 239000002245 particle Substances 0.000 abstract description 13
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 8
- 101100269850 Caenorhabditis elegans mask-1 gene Proteins 0.000 abstract description 5
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 239000011651 chromium Substances 0.000 abstract description 4
- 230000002950 deficient Effects 0.000 abstract description 4
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 25
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 11
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 6
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 6
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
多層配線半導体装置の層間スルーホール窓開き工程にお
いて、ウェーハ面のキーパターン部が全面窓開きされな
いようなパターンが設けられた、層間スルーホールの位
置合わせ用マスクを用いる半導体装置の製造方法。
いて、ウェーハ面のキーパターン部が全面窓開きされな
いようなパターンが設けられた、層間スルーホールの位
置合わせ用マスクを用いる半導体装置の製造方法。
本発明は、多層配線品種の半導体装置の層間スルーホー
ル窓開き工程の製造方法に関するものである。
ル窓開き工程の製造方法に関するものである。
多層配線半導体装置の層間スルーホール窓開き工程で、
キーパターン部の第１アルミ配線層の上部が一部エッチ
ングされ、その部分のアルミニウムが飛沫アルミ粒子と
なり、エツチングされたスルーホール内に落下し、第１
アルミ配線層の上に付着する障害が発生している。この
飛沫アルミ粒子は変色しており、第２アルミ配線層を形
成した時には、第２アルミ配線層に埋め込まれた状態と
なるので、製品としてはこの工程で不良となるために、
キーパターン部から飛沫アルミ粒子が飛び出さない半導
体装置の製造方法が要望されている。
キーパターン部の第１アルミ配線層の上部が一部エッチ
ングされ、その部分のアルミニウムが飛沫アルミ粒子と
なり、エツチングされたスルーホール内に落下し、第１
アルミ配線層の上に付着する障害が発生している。この
飛沫アルミ粒子は変色しており、第２アルミ配線層を形
成した時には、第２アルミ配線層に埋め込まれた状態と
なるので、製品としてはこの工程で不良となるために、
キーパターン部から飛沫アルミ粒子が飛び出さない半導
体装置の製造方法が要望されている。
従来の層間スルーホール窓開き工程で使用している位置
合わせ用マスク２１は、第５図に示すような図において
網かけを施した素子部３のクロム膜４は数千のスルーホ
ールの位置のみが透明で、キーパターン部２は全部Ｇ明
なマスクである。
合わせ用マスク２１は、第５図に示すような図において
網かけを施した素子部３のクロム膜４は数千のスルーホ
ールの位置のみが透明で、キーパターン部２は全部Ｇ明
なマスクである。
このようなマスクを用いてスルーホールの窓開きを行な
うには、第６図＋ａ＋及び第７図（ａｌに示すフォトレ
ジスト塗布、露光工程では、先ず層間絶縁膜８、例えば
ＰＳＧ被膜の上に感光材料１０（以下フォトレジストと
称す）を塗布して加熱乾燥し、その上に層間スルーホー
ルの位置合わせ用マスク２１を載せた状態で紫外線を照
射すると、スルーホールの位置とキーパターン部２のフ
ォトレジスト１０のみに紫外線が照射される。
うには、第６図＋ａ＋及び第７図（ａｌに示すフォトレ
ジスト塗布、露光工程では、先ず層間絶縁膜８、例えば
ＰＳＧ被膜の上に感光材料１０（以下フォトレジストと
称す）を塗布して加熱乾燥し、その上に層間スルーホー
ルの位置合わせ用マスク２１を載せた状態で紫外線を照
射すると、スルーホールの位置とキーパターン部２のフ
ォトレジスト１０のみに紫外線が照射される。
次に第６図（ｂｌ及び第７図（ｂｌに示す現像工程では
、スルーホールの位置とキーパターン部２のフォトレジ
スト１０が除去される。
、スルーホールの位置とキーパターン部２のフォトレジ
スト１０が除去される。
更に第６図（Ｃ１及び第７図（Ｃ）に示すドライエツチ
ング工程では、現像工程でフオＩ・レジスト１０に開け
られた数千のスルーホール用孔の下の層間絶縁膜８と、
キーパターン部２の全面の層間絶縁膜８がエツチングさ
れ、キーパターン部２の全面とスルーホール９の層間絶
縁膜８が除去されるが、個々の直径２μｍのスルーホー
ル９とキーパターン部のエツチング速度の差により、キ
ーパターン部が先にエツチングを終わるため、スルーホ
ール９のエツチングが終わるまでの間に、キーパターン
部の第１アルミ配線層の上面の一部のアルミニウムがエ
ツチングされて飛沫アルミ粒子１３となって空間を浮遊
し、第８図に示すように、スルーホール９のエツチング
が終わった後に落下してスルーホール９の第１アルミ配
線層７の上に付着することがある。
ング工程では、現像工程でフオＩ・レジスト１０に開け
られた数千のスルーホール用孔の下の層間絶縁膜８と、
キーパターン部２の全面の層間絶縁膜８がエツチングさ
れ、キーパターン部２の全面とスルーホール９の層間絶
縁膜８が除去されるが、個々の直径２μｍのスルーホー
ル９とキーパターン部のエツチング速度の差により、キ
ーパターン部が先にエツチングを終わるため、スルーホ
ール９のエツチングが終わるまでの間に、キーパターン
部の第１アルミ配線層の上面の一部のアルミニウムがエ
ツチングされて飛沫アルミ粒子１３となって空間を浮遊
し、第８図に示すように、スルーホール９のエツチング
が終わった後に落下してスルーホール９の第１アルミ配
線層７の上に付着することがある。
この上に第２アルミ配線層１１を設けると飛沫アルミ粒
子１３が第２アルミ配線層１１に埋め込まれるので、こ
の窓開き工程で不良となる。
子１３が第２アルミ配線層１１に埋め込まれるので、こ
の窓開き工程で不良となる。
以上説明の従来の多層配線半導体装置における層間スル
ーホール窓開き工程で問題となるのは、スルーホールと
キーパターン部全面の工・ノチングを行なう場合に、マ
スクのキーパターン部は全面エツチングされるために、
スルーホール部の工・ノチングに比してエツチングの進
行が速＜、所要Ｕ：＋間が短いためにキーパターン部は
第１アルミ配線層の上部が一部エソチングされ、その際
第１アルミ配線層のアルミニウムが飛沫アルミ粒子とな
って飛び出して空間を浮遊してからエツチングが終わっ
たスルーホール内に落下し、第１アルミ配線層の上に付
着することである。
ーホール窓開き工程で問題となるのは、スルーホールと
キーパターン部全面の工・ノチングを行なう場合に、マ
スクのキーパターン部は全面エツチングされるために、
スルーホール部の工・ノチングに比してエツチングの進
行が速＜、所要Ｕ：＋間が短いためにキーパターン部は
第１アルミ配線層の上部が一部エソチングされ、その際
第１アルミ配線層のアルミニウムが飛沫アルミ粒子とな
って飛び出して空間を浮遊してからエツチングが終わっ
たスルーホール内に落下し、第１アルミ配線層の上に付
着することである。
この飛沫アルミ粒子は変色しており、第２アルミ配線層
を形成すると、第２アルミ配線層に埋め込まれた状態と
なるので、製品はこの窓開き工程で不良となる。
を形成すると、第２アルミ配線層に埋め込まれた状態と
なるので、製品はこの窓開き工程で不良となる。
本発明は以上のような状況からキーパターン部から飛沫
アルミ粒子が飛び出さない半導体装置の製造方法の提供
を目的としたものである。
アルミ粒子が飛び出さない半導体装置の製造方法の提供
を目的としたものである。
上記問題点は、半導体装置の多層配線品種の層間スルー
ホール窓開き工程において使用する位置合わせマスクを
、ウェーハ面のキーパターン部が全面窓開きされないよ
うな、キーパターン部にクロム膜を設けて不透明にした
位置合わせ用マスクとすることにより解決する。
ホール窓開き工程において使用する位置合わせマスクを
、ウェーハ面のキーパターン部が全面窓開きされないよ
うな、キーパターン部にクロム膜を設けて不透明にした
位置合わせ用マスクとすることにより解決する。
即ち本発明においては、第１アルミ配ＶＡ層上の層間絶
縁膜のスルーホールをドライエツチングにより形成する
場合に、位置合わせ用マスクのキーパターン部が不透明
のため、キーパターン部では第１アルミ配線層上の層間
絶縁膜がフォトレジスト膜によって覆われているので、
層間絶縁膜はエツチングされない。従って第１アルミ配
線層も勿論エツチングされず、飛沫アルミ粒子が飛び出
すこともなくなる。
縁膜のスルーホールをドライエツチングにより形成する
場合に、位置合わせ用マスクのキーパターン部が不透明
のため、キーパターン部では第１アルミ配線層上の層間
絶縁膜がフォトレジスト膜によって覆われているので、
層間絶縁膜はエツチングされない。従って第１アルミ配
線層も勿論エツチングされず、飛沫アルミ粒子が飛び出
すこともなくなる。
以下第１図〜第４図について本発明の一実施例を説明す
る。
る。
本発明の層間スルーホール窓開き工程で使用する位置合
わせ用マスク１は、第１図に示すような図において精か
けを施した素子部３のクロム膜４は数千のスルーホール
の位置のみが透明で、キーパターン部２のクロム膜４は
全く不透明なマスクである。
わせ用マスク１は、第１図に示すような図において精か
けを施した素子部３のクロム膜４は数千のスルーホール
の位置のみが透明で、キーパターン部２のクロム膜４は
全く不透明なマスクである。
このマスクを用いてスルーホールの窓開きを行なうには
、第２図ｆａ）及び第３図（、ｌ）に示すフォトレジス
ト塗布、露光工程では、先ず層間絶縁膜８、例えばＰＳ
Ｇ被膜の上にフォトレジスト１ｏを■布して加熱乾燥し
、その上に層間スルーホールの位置合わせ用マスク１を
載せた状態で紫外線を照射すると、スルーホールの位置
のみに紫外線が照射される。
、第２図ｆａ）及び第３図（、ｌ）に示すフォトレジス
ト塗布、露光工程では、先ず層間絶縁膜８、例えばＰＳ
Ｇ被膜の上にフォトレジスト１ｏを■布して加熱乾燥し
、その上に層間スルーホールの位置合わせ用マスク１を
載せた状態で紫外線を照射すると、スルーホールの位置
のみに紫外線が照射される。
次に第２図（ｂ）及び第３図（ｂ）に示す現像工程では
、スルーホール９の位置のフォトレジスト１０のみが除
去され、キーパターン部２にはフォトレジストｌＯが残
る。
、スルーホール９の位置のフォトレジスト１０のみが除
去され、キーパターン部２にはフォトレジストｌＯが残
る。
更に第２図（Ｃ）及び第３図（Ｃ）に示すドライエソチ
ング工程では、フォトレジスト１０に開けられたスルー
ホール用孔の下の層間絶縁膜８がエツチングされ、直径
２μｍのスルーホール９が形成される。
ング工程では、フォトレジスト１０に開けられたスルー
ホール用孔の下の層間絶縁膜８がエツチングされ、直径
２μｍのスルーホール９が形成される。
一方、キーパターン部２の第１アルミ配線層７の上の層
間絶縁膜８はフォトレジスト１０でＩ貰われているため
、層間絶縁膜８はエツチングされない。
間絶縁膜８はフォトレジスト１０でＩ貰われているため
、層間絶縁膜８はエツチングされない。
従って第１アルミ配線層７も勿論エツチングされないの
で、飛沫アルミ粒子１３がキーパターン部２の第１アル
ミ配線層７から飛び出すことなく、第４図に示すように
、第２アルミ配線Ｊ’ＷＩＩを設けた場合にも、スルー
ホール９の第１アルミ配線層７の上に付着して第２アル
ミ配線Ｎ１１に埋め込まれることがなく高品質の半導体
装置が得られる。
で、飛沫アルミ粒子１３がキーパターン部２の第１アル
ミ配線層７から飛び出すことなく、第４図に示すように
、第２アルミ配線Ｊ’ＷＩＩを設けた場合にも、スルー
ホール９の第１アルミ配線層７の上に付着して第２アル
ミ配線Ｎ１１に埋め込まれることがなく高品質の半導体
装置が得られる。
以上説明したように本発明によれば、極めて簡単な位置
合わせ用マスクの変更により、第１アルミ配線層と第２
アルミ配線層の間への変色した飛沫アルミ粒子の付着を
確実に防止でき、製品が不良品とならないので、工業的
に極めて有用である。
合わせ用マスクの変更により、第１アルミ配線層と第２
アルミ配線層の間への変色した飛沫アルミ粒子の付着を
確実に防止でき、製品が不良品とならないので、工業的
に極めて有用である。
第１図は本発明による一実施例のマスクの平面図と側断
面図、 第２図は本発明による一実施例のキーパターン部の工程
順の側断面図、 第３図は本発明による一実施例の素子部の工＋１，１順
の側断面図、 第４図は本発明による一実施例の半導体チップの状態を
示す側断面図、 第５図は従来の方法のマスクの平面図と側断面図、 第６図は従来方法のキーパターン部の工程順の側断面図
、 第７図は従来方法の素子部の工程順の側断面図、第８図
は従来の方法の半導体チップの不都合な状態をを示す側
断面図、 である。 図において、 １は位置合わせ用マスク、 ２はキーパターン部、 ３は素子部、 ４はクロム膜、 ５はシリコン基板、 ６はシリコン酸化膜、 ７は第１アルミ配線層、 ８は層間絶縁膜、 ９はスルーホール、 １０はフォトレジスト、 １１は第２アルミ配線層、 １２はかカバー矩緑瞠、 である。 本発明による−３１のマスクの平面図と側断面図第１図 本発明による一寛「すのキーバターＸ邦のエヂの側断ｆ
図第２図 第 ４ 図 従来の方法のマスクの平面図と側断面図第５図 従来方法のキーパターン部の１弧の側断面図第６図 第７図
面図、 第２図は本発明による一実施例のキーパターン部の工程
順の側断面図、 第３図は本発明による一実施例の素子部の工＋１，１順
の側断面図、 第４図は本発明による一実施例の半導体チップの状態を
示す側断面図、 第５図は従来の方法のマスクの平面図と側断面図、 第６図は従来方法のキーパターン部の工程順の側断面図
、 第７図は従来方法の素子部の工程順の側断面図、第８図
は従来の方法の半導体チップの不都合な状態をを示す側
断面図、 である。 図において、 １は位置合わせ用マスク、 ２はキーパターン部、 ３は素子部、 ４はクロム膜、 ５はシリコン基板、 ６はシリコン酸化膜、 ７は第１アルミ配線層、 ８は層間絶縁膜、 ９はスルーホール、 １０はフォトレジスト、 １１は第２アルミ配線層、 １２はかカバー矩緑瞠、 である。 本発明による−３１のマスクの平面図と側断面図第１図 本発明による一寛「すのキーバターＸ邦のエヂの側断ｆ
図第２図 第 ４ 図 従来の方法のマスクの平面図と側断面図第５図 従来方法のキーパターン部の１弧の側断面図第６図 第７図
Claims (1)
- 多層配線を有する半導体装置の層間スルーホール窓開き
工程において、ウェーハ面のキーパターン部が全面窓開
きされないようなパターンが設けられた、層間スルーホ
ールの位置合わせ用マスク（１）を用いることを特徴と
する半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61187513A JPS6343347A (ja) | 1986-08-08 | 1986-08-08 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61187513A JPS6343347A (ja) | 1986-08-08 | 1986-08-08 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6343347A true JPS6343347A (ja) | 1988-02-24 |
Family
ID=16207384
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61187513A Pending JPS6343347A (ja) | 1986-08-08 | 1986-08-08 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6343347A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20190063301A (ko) * | 2017-11-29 | 2019-06-07 | 자동차부품연구원 | 비닐하우스용 송풍장치 |
-
1986
- 1986-08-08 JP JP61187513A patent/JPS6343347A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20190063301A (ko) * | 2017-11-29 | 2019-06-07 | 자동차부품연구원 | 비닐하우스용 송풍장치 |
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