JPH05299337A - 多層レジスト膜形成方法 - Google Patents
多層レジスト膜形成方法Info
- Publication number
- JPH05299337A JPH05299337A JP4126794A JP12679492A JPH05299337A JP H05299337 A JPH05299337 A JP H05299337A JP 4126794 A JP4126794 A JP 4126794A JP 12679492 A JP12679492 A JP 12679492A JP H05299337 A JPH05299337 A JP H05299337A
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- Japan
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- resist film
- film
- light
- upper layer
- layer resist
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- Pending
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体基板に下層フォトレジストを塗布し、
その後幾層かの上層レジストを塗布する多層レジスト膜
形成方法において、下層レジスト膜に対する上層レジス
ト膜露光光の透過率を著しく高くする。 【構成】 ウェハー１０１上に下層レジスト膜１１１を
形成し、下層レジスト膜１１１にＵＶ光１１２を照射す
る。ＵＶ光が照射された下層レジスト１１１の上に中間
層膜１１３を形成し、中間層膜１１３に上層レジスト膜
１１４を形成して三層レジスト膜を形成する。 【効果】 下層レジスト膜に対する光の透過率が、上層
レジスト膜の露光波長付近で著しく高くなるため、露
光，現像後得られる上層レジストパターンの形状が向上
し、微細パターンを再現性よく形成することができる。
その後幾層かの上層レジストを塗布する多層レジスト膜
形成方法において、下層レジスト膜に対する上層レジス
ト膜露光光の透過率を著しく高くする。 【構成】 ウェハー１０１上に下層レジスト膜１１１を
形成し、下層レジスト膜１１１にＵＶ光１１２を照射す
る。ＵＶ光が照射された下層レジスト１１１の上に中間
層膜１１３を形成し、中間層膜１１３に上層レジスト膜
１１４を形成して三層レジスト膜を形成する。 【効果】 下層レジスト膜に対する光の透過率が、上層
レジスト膜の露光波長付近で著しく高くなるため、露
光，現像後得られる上層レジストパターンの形状が向上
し、微細パターンを再現性よく形成することができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体集積回路製造方
法、特に多層レジスト膜形成方法に関する。
法、特に多層レジスト膜形成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種の多層レジスト膜形成方法
は、図３（ａ），（ｂ），（ｃ）に示すように、ウェハ
ー３０１に下層フォトレジスト膜３１１を形成した後、
その下層フォトレジスト膜３１１に遠紫外光（以下、Ｕ
Ｖ光という）を照射することなしに上層レジスト膜３１
３を中間層膜３１２を介して塗布形成し、多層レジスト
膜を形成していた。
は、図３（ａ），（ｂ），（ｃ）に示すように、ウェハ
ー３０１に下層フォトレジスト膜３１１を形成した後、
その下層フォトレジスト膜３１１に遠紫外光（以下、Ｕ
Ｖ光という）を照射することなしに上層レジスト膜３１
３を中間層膜３１２を介して塗布形成し、多層レジスト
膜を形成していた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の多層レ
ジスト膜形成方法にて形成された多層レジスト膜は、そ
の下層フォトレジスト膜にＵＶ光を照射していないた
め、図４の例に示すように未露光状態であり、フォトレ
ジスト膜に対する光の透過率は、上層レジスト膜の露光
波長であるｇ線（４３６ｎｍ），ｉ線（３６５ｎｍ）付
近で著しく低い。
ジスト膜形成方法にて形成された多層レジスト膜は、そ
の下層フォトレジスト膜にＵＶ光を照射していないた
め、図４の例に示すように未露光状態であり、フォトレ
ジスト膜に対する光の透過率は、上層レジスト膜の露光
波長であるｇ線（４３６ｎｍ），ｉ線（３６５ｎｍ）付
近で著しく低い。
【０００４】通常、上層レジストの露光は、露光光源か
らの入射光と、その入射光が下地基板であるウェハーで
反射され発生する反射光とによって形成される定在波に
より行われる。そのため、上層レジスト膜を露光する際
に、その露光光が下層レジスト膜に吸収され、下地基板
であるウェハーに到達する光量が減少し、ウェハー表面
で反射される反射光が減少し、前記定在波が弱まり、上
層レジスト膜に対して所望の露光量を得ようとした場
合、露光光源からの露光量が増大するという欠点があ
る。
らの入射光と、その入射光が下地基板であるウェハーで
反射され発生する反射光とによって形成される定在波に
より行われる。そのため、上層レジスト膜を露光する際
に、その露光光が下層レジスト膜に吸収され、下地基板
であるウェハーに到達する光量が減少し、ウェハー表面
で反射される反射光が減少し、前記定在波が弱まり、上
層レジスト膜に対して所望の露光量を得ようとした場
合、露光光源からの露光量が増大するという欠点があ
る。
【０００５】また、上記上層レジスト膜に対する上層レ
ジスト膜露光光の透過率が著しく低いということに起因
して、露光，現像後得られる上層レジストパターンの形
状も悪化するという欠点がある。
ジスト膜露光光の透過率が著しく低いということに起因
して、露光，現像後得られる上層レジストパターンの形
状も悪化するという欠点がある。
【０００６】特に微細パターン形成に対しては、これら
のようなパターン形状の悪化は致命的である。
のようなパターン形状の悪化は致命的である。
【０００７】本発明の目的は、下層レジスト膜に対する
上層レジスト膜露光光の透過率を著しく高めた多層レジ
スト膜形成方法を提供することにある。
上層レジスト膜露光光の透過率を著しく高めた多層レジ
スト膜形成方法を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明に係る多層レジスト膜形成方法は、半導体基
板に下層フォトレジストを塗布し、その後幾層かの上層
レジストを塗布する多層レジスト膜形成方法であって、
下層レジスト膜形成後、上層レジスト塗布以前に、下層
フォトレジスト膜に遠紫外光を照射するものである。
め、本発明に係る多層レジスト膜形成方法は、半導体基
板に下層フォトレジストを塗布し、その後幾層かの上層
レジストを塗布する多層レジスト膜形成方法であって、
下層レジスト膜形成後、上層レジスト塗布以前に、下層
フォトレジスト膜に遠紫外光を照射するものである。
【０００９】
【作用】下層レジスト膜形成後、上層レジスト塗布以前
に、下層フォトレジスト膜にＵＶ光を照射する。そのた
め、図４の例に示すように下層レジスト膜が完全露光状
態になり、その下層レジスト膜に対する光の透過率は、
上層レジスト膜の露光波長であるｇ線（４３６ｎｍ），
ｉ線（３６５ｎｍ）付近で著しく高くすることができ
る。
に、下層フォトレジスト膜にＵＶ光を照射する。そのた
め、図４の例に示すように下層レジスト膜が完全露光状
態になり、その下層レジスト膜に対する光の透過率は、
上層レジスト膜の露光波長であるｇ線（４３６ｎｍ），
ｉ線（３６５ｎｍ）付近で著しく高くすることができ
る。
【００１０】
【実施例】次に、本発明について図面を参照して説明す
る。
る。
【００１１】（実施例１）図１は、本発明の実施例１に
係る多層レジスト膜形成方法を工程順に示す断面図であ
る。
係る多層レジスト膜形成方法を工程順に示す断面図であ
る。
【００１２】図１（ａ）に示すように、ウェハー１０１
上に下層レジスト膜１１１を形成する。
上に下層レジスト膜１１１を形成する。
【００１３】次に図１（ｂ）に示すようにウェハー１０
１上に形成された下層レジスト膜１１３に対して、ＵＶ
光１１２を照射する。その後、図１（ｃ）に示すように
ＵＶ光１１２が照射された下層レジスト膜１１１上に中
間層膜１１３を形成する。
１上に形成された下層レジスト膜１１３に対して、ＵＶ
光１１２を照射する。その後、図１（ｃ）に示すように
ＵＶ光１１２が照射された下層レジスト膜１１１上に中
間層膜１１３を形成する。
【００１４】さらに図１（ｄ）に示すように中間層膜１
１３上に上層レジスト膜１１４を形成し、三層レジスト
膜を形成する。
１３上に上層レジスト膜１１４を形成し、三層レジスト
膜を形成する。
【００１５】上記方法により多層レジスト膜を形成した
場合、その下層フォトレジスト膜にＵＶ光を照射するた
め、図４の例に示すように完全露光状態であり、フォト
レジスト膜に対する光の透過率は、上層レジスト膜の露
光波長であるｇ線（４３６ｎｍ），ｉ線（３６５ｎｍ）
付近で著しく高くなる。
場合、その下層フォトレジスト膜にＵＶ光を照射するた
め、図４の例に示すように完全露光状態であり、フォト
レジスト膜に対する光の透過率は、上層レジスト膜の露
光波長であるｇ線（４３６ｎｍ），ｉ線（３６５ｎｍ）
付近で著しく高くなる。
【００１６】（実施例２）図２は、本発明の実施例２に
係る多層レジスト膜形成方法を工程順に示す断面図であ
る。
係る多層レジスト膜形成方法を工程順に示す断面図であ
る。
【００１７】図２（ａ）において、ウェハー２０１上に
下層レジスト膜２１１を形成する。
下層レジスト膜２１１を形成する。
【００１８】次に図２（ｂ）に示すように、ウェハー２
０１上に形成された下層レジスト膜２１１に対して、Ｕ
Ｖ光２１２を照射する。
０１上に形成された下層レジスト膜２１１に対して、Ｕ
Ｖ光２１２を照射する。
【００１９】さらに図２（ｃ）に示すように、ＵＶ光が
照射された下層レジスト膜２１１上に上層レジスト膜２
１２を形成し、二層レジスト膜を形成する。
照射された下層レジスト膜２１１上に上層レジスト膜２
１２を形成し、二層レジスト膜を形成する。
【００２０】
【発明の効果】以上説明したように本発明の多層レジス
ト膜形成方法は、下層フォトレジスト膜形成後、上層レ
ジスト塗布以前に、下層フォトレジスト膜にＵＶ光を照
射する方法となっているため、図４の例に示すように下
層レジスト膜が完全露光状態になり、その下層レジスト
膜に対する光の透過率は、上層レジスト膜の露光波長で
あるｇ線（４３６ｎｍ），ｉ線（３６５ｎｍ）付近で著
しく高くすることができる。
ト膜形成方法は、下層フォトレジスト膜形成後、上層レ
ジスト塗布以前に、下層フォトレジスト膜にＵＶ光を照
射する方法となっているため、図４の例に示すように下
層レジスト膜が完全露光状態になり、その下層レジスト
膜に対する光の透過率は、上層レジスト膜の露光波長で
あるｇ線（４３６ｎｍ），ｉ線（３６５ｎｍ）付近で著
しく高くすることができる。
【００２１】このため、上層レジスト膜を露光する際
に、その露光光が下層レジスト膜に吸収されることが減
少し、下地基板であるウェハーに到達する光量が増加し
ウェハー表面で反射される反射光が増加し、上層レジス
ト膜に対して所望の露光量を得ようとした場合、露光光
源からの露光量が増大するということもなくなる。
に、その露光光が下層レジスト膜に吸収されることが減
少し、下地基板であるウェハーに到達する光量が増加し
ウェハー表面で反射される反射光が増加し、上層レジス
ト膜に対して所望の露光量を得ようとした場合、露光光
源からの露光量が増大するということもなくなる。
【００２２】また、上記下層レジスト膜に対する上層レ
ジスト膜露光光の透過率が著しく高いということに起因
して、露光，現像後得られる上層レジストパターンの形
状も向上し、微細パターンを再現性よく形成することが
できる。
ジスト膜露光光の透過率が著しく高いということに起因
して、露光，現像後得られる上層レジストパターンの形
状も向上し、微細パターンを再現性よく形成することが
できる。
【図１】本発明の実施例１を工程順に示す断面図であ
る。
る。
【図２】本発明の実施例２を工程順に示す断面図であ
る。
る。
【図３】従来例を工程順に示す断面図である。
【図４】透過特性を示す図である。
１０１，２０１ ウェハー １１１，２１１ 下層レジスト膜 １１２ ＵＶ光 １１３ 中間層膜 １１４ 上層レジスト膜
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体基板に下層フォトレジストを塗布
し、その後幾層かの上層レジストを塗布する多層レジス
ト膜形成方法であって、 下層レジスト膜形成後、上層レジスト塗布以前に、下層
フォトレジスト膜に遠紫外光を照射することを特徴とす
る多層レジスト膜形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4126794A JPH05299337A (ja) | 1992-04-20 | 1992-04-20 | 多層レジスト膜形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4126794A JPH05299337A (ja) | 1992-04-20 | 1992-04-20 | 多層レジスト膜形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05299337A true JPH05299337A (ja) | 1993-11-12 |
Family
ID=14944115
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4126794A Pending JPH05299337A (ja) | 1992-04-20 | 1992-04-20 | 多層レジスト膜形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05299337A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114545734A (zh) * | 2022-03-09 | 2022-05-27 | 珠海市能动科技光学产业有限公司 | 一种阻焊干膜光阻剂、其制备方法及应用 |
-
1992
- 1992-04-20 JP JP4126794A patent/JPH05299337A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114545734A (zh) * | 2022-03-09 | 2022-05-27 | 珠海市能动科技光学产业有限公司 | 一种阻焊干膜光阻剂、其制备方法及应用 |
| CN114545734B (zh) * | 2022-03-09 | 2022-08-12 | 珠海市能动科技光学产业有限公司 | 一种阻焊干膜光阻剂、其制备方法及应用 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20040224 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20040308 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |