JPH03263834A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、半導体装置の製造方法に関するものである。

従来の技術 半導体基板上に曲線状の形状部分を持つ導電体を形成す
る場合、第２図（ａ）〜（ｅ）の工程順断面図に不され
るような工程が採用される。第２図（ａ）に示すように
、先ず導電体９下部の形状を得るための誘電体パターン
８を形成し、第２図（ｂ）のように、前記誘電体パター
ン上から、全面に導電体膜７を堆積し、次に第２図（Ｃ
）のように前記第２図（ｅ）の導電体９上部の形状を得
るための誘電体パターン１０を形成し、第２図（ｃｌ）
のように選択的に、前記導電体膜を除去することにより
第２図（ｅ’）のような曲線状の形状部分をもつ導電体
８を有する半導体装置の形成を行っていた。

発明が解決しようとする課題 しかし、この製造方法では、導電体上部の形状を得るた
めに、誘電体膜をマスクとし、導電体膜のエツチング工
程を行わなければならず、誘電体膜や導電体膜の種類や
組合せ方、あるいは各膜厚や上部誘電体のパターン寸法
などに多くの制約が存在した。

課題を解決するための手段 上記の課題を解決するために、本発明の半導体装置の製
造方法では、先ず、半導体基板上に誘電体膜を堆積し、
この誘電体膜上に、部分的に開孔部を持つフォトレジス
トパターンを形成する。次にこのフォトレジストパター
ン開孔部の下に露出した、前記誘電体膜をエツチングに
より除去し、フォトレジストのパターンを、下の誘電体
膜にパターン転写する。更に続く加熱処理により、フォ
トレジスト開孔部の断面形状を曲線状に加工する。次に
前記フォトレジストパターンの上に、前記のフォトレジ
スト開孔部上部よりも大きな開孔部を持つフォトレジス
トパターンを、この開孔部が、下のフォトレジスト開孔
部の上にくるように、形成する。次に前記の２層になっ
たフォトレジストパターンの上に、前記１層目のフォト
レジスト開孔部上部よりも大きく、前記２層目のフでト
リジスト開孔部上部よりも小さい開孔部を持つフォトレ
ジストパターンを、この開孔部下部全体が、前記２層目
フォトレジスト開孔部上部にくるように形成する。次に
この開孔部を持つ、誘電体膜及び３層のレジストパター
ンが形成された、半導体基板上から、導電体膜を堆積す
る。次に、この導電体膜のうち、第３層目のフォトレジ
スト上に堆積された部分を、前記３層の各々のフォトレ
ジストと共に、前記誘電体膜上から除去する。

作用 上記の製造方法を用いることにより、最終的に半導体基
板上に残る導電体膜の形状を得るために、エツチングに
よる、導電体膜の選択的除去の必要がなくなり、エツチ
ング工程で発生する導電体膜の種類や、エツチングのマ
スクパターンとして用いる誘電体膜の種類や膜厚への制
約がなくなる。また、同様にエツチング工程で発生する
導電体膜の膜厚への制約も、前記第２層目のフォトレジ
ストの膜厚を変えることにより、自由に選択することか
できる。

実施例 第１図（ａ）〜（ｊ）は、本発明の一実施例を示す工程
順断面図で、半導体基板上に、部分的に基板とつながっ
た導電体膜を形成するものである。先ず、第１図（ａ）
に示すように半導体基板１上に、誘電体薄膜２を堆積す
る。次に、第１図（ｂ）に示すように、誘電体膜上に部
分的に開孔部を持つように、フォトレジスト３をパター
ン寸法グする。次に第１図（Ｃ）に示すようにフォトレ
ジスト３をマスクとし、開孔部の下に露出した誘電体膜
２を、エツチングにより除去する。次に第１図（ｄ）に
示すように、マスクとして使用したフォトレジスト３の
開孔部断面形状を曲線状に加工し、次に第１図（ｅ）に
示すように、加工された誘電体膜２及びフォトレジスト
３の形成された半導体基板１上に、全面に遠紫外露光可
能なフォトレジスト４を形成する。

次に、第１図（ｆ）に示すように、第１層目のフォトレ
ジスト３の開孔部よりも大きな開孔部を持つフォトレジ
スト５を、その開孔部が第１層目の開孔部を完全に含む
ように形成する。次にこの第３層目のフォトレジスト５
をマスクとし、基板上部から全面に、遠紫外光を露光し
、フォトレジスト４の現像工程を行うことにより、第１
図（ｇ）に示すように、第２層目のフォトレジスト４が
、第１層目の７オトレシスト３及び第３層目のフォトレ
ジスト５よりも大きな開孔部を持ち、その開孔部が、上
下両層のフォトレジスト開孔部を完全に含むように形成
する。次に第１図（ｈ）に示すように、開孔部下に露出
した半導体基板１の表面を若干エツチングし、第１図（
ｉ）に示すように、加工された誘電体及び３層のフォト
レジストの形成された、半導体基板１の上から全面に、
導電体膜６を堆積する。次にこの導電体膜６のうち、第
３層目のフォトレジスト５上に堆積された部分を、３層
のフォトレジストを誘電体膜２上から除去することによ
り、同時に除去し、第１図（ｊ）に示すように、半導体
基板１と連結している部分の形状のみ残った導電体膜６
を、半導体基板１上に形成する。

なお、本実施例では、先ず半導体基板上に、誘電体膜を
形成したが、これを省略し、直接第１層目のフォトレジ
ストパターンを形成してもよい。

本実施例では、第１層目のフォトレジスト開孔部断面図
形状の加工を行ったが、この工程を省略してもよい。さ
らに、本実施例では、第２層目に第３層目のフォトレジ
ストと感光波長の異なるフォトレジストを用いることに
より、第３層目のフォトレジスト開孔パターンを形成し
てから、第３層目フォトレジストパターンをマスクとし
て、露光することにより、第２層目のフォトレジスト開
孔部のパターン形成を行ったが、第２層目及び第３層目
のフォトレジストパターン形成はこの方式に限ったもの
でなく、第２層目のフォトレジストパターン形成を行っ
てから第３層目のフォトレジストパターン形成を行って
もよい。本実施例では、導電体膜の堆積を行う前に、開
孔部下に露光した半導体基板のエツチングを行ったが、
半導体基板の表面処理はこれに限ったそのではない。

発明の効果 以上のように、本発明は、先ず半導体基板上に、部分的
に開孔部を有する３層のフォトレジストパターンを形成
し、その後基板上全面に堆積した導電体膜のうち、第３
層目のフォトレジスト上に堆積した部分を、３層のフォ
トレジストと同時に、半導体基板上から除去することに
より、部分的に半導体基板と連結した、所望の形状の導
電体膜を、導電体膜のエツチング工程を行うことなく形
成することが可能となり、その実用的効果は大なるもの
がある。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の製造方法を説明するための工程順断面
図、第２図は従来の製造方法を説明するための工程順断
面図である。 １．７・・・・・・半導体基板、２・・・・・・誘電体
膜、３゜８．１０・・・・・・フォトレジスト、４・・
・・・・フォトレジスト（遠紫外感光用）、５・・・・
・・フォトレジスト（紫外感光用）、６．９・・・・・
・導電体膜。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 半導体基板上に、誘電体薄膜を堆積する工程と、前記誘
   電体膜上に、第１層目のフォトレジストパターンを形成
   する工程と、前記第１層目フォトレジストのパターンを
   マスクとし前記誘電体膜を形状加工する工程と、続く熱
   処理により、前記第１層目のフォトレジストの形状を加
   工する工程と、前記第１層目フォトレジストの上に、更
   に第２層目及び第３層目のフォトレジストパターンを形
   成する工程と、前記半導体基板上に形成された前記第１
   層目、第２層目および第３層目の３層のフォトレジスト
   の上から、導電体膜を堆積する工程と、前記導電体膜の
   うち、前記半導体基板上の前記第３層目のフォトレジス
   ト上に堆積された部分を、前記３層の各々のフォトレジ
   ストと共に前記半導体基板上から除去する工程とからな
   る半導体装置の製造方法。