JPS6042833A - 微細パタ−ン形成方法 - Google Patents
微細パタ−ン形成方法Info
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- JPS6042833A JPS6042833A JP15127283A JP15127283A JPS6042833A JP S6042833 A JPS6042833 A JP S6042833A JP 15127283 A JP15127283 A JP 15127283A JP 15127283 A JP15127283 A JP 15127283A JP S6042833 A JPS6042833 A JP S6042833A
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、半導体装置の製造工１７Ｍにおいて使用す
る微細パターンを、感光性樹脂膜を用いて形成する微細
パターン形成方法に関するものである。
る微細パターンを、感光性樹脂膜を用いて形成する微細
パターン形成方法に関するものである。
従来の２層構造の樹脂膜を用いた微細パターン形成方法
を、第１図で説明する。
を、第１図で説明する。
まず、高低差のある基板１上に被加工膜２′？形成し、
この被々ロエＰＡ２の上に比較的厚く樹脂膜３を形成し
て高低差を低減させる。その後、樹脂膜３の上に順次酸
素プラズマに対して耐性を有する膜４および感光性樹脂
膜５を比較的薄く形成する。
この被々ロエＰＡ２の上に比較的厚く樹脂膜３を形成し
て高低差を低減させる。その後、樹脂膜３の上に順次酸
素プラズマに対して耐性を有する膜４および感光性樹脂
膜５を比較的薄く形成する。
第１図のよりに基板１上に形成した膜に対し、最初に感
光性樹脂膜５に光露光技術を用いて微細パターンを形成
する。次に、この微細パターンをマスクとして膜４を食
刻し、さらに、感光性樹脂膜５および［４をマスクとし
て樹脂膜３ｖ酸素プラズマにより食刻する。最後に、感
光性樹脂膜５゜膜４．および樹脂膜３の多層構造で形成
した微細パターンケマスクとし、トライエツチング法で
被加工膜２ン食刻することによって、目的とする微細パ
ターンが被加工ｌｌＡ２に形成される。
光性樹脂膜５に光露光技術を用いて微細パターンを形成
する。次に、この微細パターンをマスクとして膜４を食
刻し、さらに、感光性樹脂膜５および［４をマスクとし
て樹脂膜３ｖ酸素プラズマにより食刻する。最後に、感
光性樹脂膜５゜膜４．および樹脂膜３の多層構造で形成
した微細パターンケマスクとし、トライエツチング法で
被加工膜２ン食刻することによって、目的とする微細パ
ターンが被加工ｌｌＡ２に形成される。
上記のように、被加工膜２に微細パターンが形成できる
のは、厚い樹脂膜３の作用で基板１の高低差が低減さ幻
、かつ、感光性樹脂膜５が薄膜であるので、光露光技術
で感光性樹脂膜５に、微細パターンの形成が可能である
こと、および膜４が酸素プラズマに対し耐性を有するた
め、厚い樹脂膜３の食刻が可能となることによるもので
ある。
のは、厚い樹脂膜３の作用で基板１の高低差が低減さ幻
、かつ、感光性樹脂膜５が薄膜であるので、光露光技術
で感光性樹脂膜５に、微細パターンの形成が可能である
こと、および膜４が酸素プラズマに対し耐性を有するた
め、厚い樹脂膜３の食刻が可能となることによるもので
ある。
しかしながら、従来の微細パターン形成方法では、被加
工膜３ｖ加工するために３つの膜、すなわち樹脂膜３．
膜４．および感光性樹脂膜５の形成と加工が必賛であり
、工程が１１１！雑となる等の欠点があった。
工膜３ｖ加工するために３つの膜、すなわち樹脂膜３．
膜４．および感光性樹脂膜５の形成と加工が必賛であり
、工程が１１１！雑となる等の欠点があった。
この発明は、上記の点にかんがみてたされたもので、従
来の酸素プラズマに対して耐性！有する膜と、感光性樹
脂膜の作用ケ１つの感光性樹脂膜で実現させることによ
り、膜の形成工程と加工工程の簡略化を可能とする微細
パターン形成方法を提供てるものである。以下、この発
明を図面について説明する。
来の酸素プラズマに対して耐性！有する膜と、感光性樹
脂膜の作用ケ１つの感光性樹脂膜で実現させることによ
り、膜の形成工程と加工工程の簡略化を可能とする微細
パターン形成方法を提供てるものである。以下、この発
明を図面について説明する。
第２図はこの発明の一実施例ケ説明するための断面略図
で；第１図と同一符号は同一部分を示し、６は前記樹脂
膜３上に薄（形成した感光性樹脂膜で、酸素プラズマに
対して耐性を高める物質、例えはシリコンを含有させ゛
である。
で；第１図と同一符号は同一部分を示し、６は前記樹脂
膜３上に薄（形成した感光性樹脂膜で、酸素プラズマに
対して耐性を高める物質、例えはシリコンを含有させ゛
である。
第２図のよ５Ｋ、基板１上に形成した膜に対し、始めに
、光露光技術によって感光性樹脂膜６に微細パターンを
形成する。次に、この微細パターンをマスクとして、厚
い樹脂膜３を酸素プラズマにより食刻する。そして、最
後に感光性樹脂膜６と樹脂ｌｌＡ３で形成した微細パタ
ーンをマスクとして被加工膜２を食刻し、目的とする微
細パターンヶ被加工腺２に形成する。
、光露光技術によって感光性樹脂膜６に微細パターンを
形成する。次に、この微細パターンをマスクとして、厚
い樹脂膜３を酸素プラズマにより食刻する。そして、最
後に感光性樹脂膜６と樹脂ｌｌＡ３で形成した微細パタ
ーンをマスクとして被加工膜２を食刻し、目的とする微
細パターンヶ被加工腺２に形成する。
上記のように、被加工膜２に微細パターンが形成できる
のは、前述したように厚い樹脂膜３０作用で基板１の高
低差が低減され、かつ、感光性樹脂膜６が薄膜であるの
で、光露光技術で微細パターンの形成が可能であること
と；および感光性樹脂膜６の酸素プラズマに対する耐性
が含有した物質によって轡められているため、感光性樹
脂膜６ｔマスクとして、厚い樹脂膜３を酸素プラズマで
食刻できることによるものである。
のは、前述したように厚い樹脂膜３０作用で基板１の高
低差が低減され、かつ、感光性樹脂膜６が薄膜であるの
で、光露光技術で微細パターンの形成が可能であること
と；および感光性樹脂膜６の酸素プラズマに対する耐性
が含有した物質によって轡められているため、感光性樹
脂膜６ｔマスクとして、厚い樹脂膜３を酸素プラズマで
食刻できることによるものである。
したがって、この発明の微細パターン形成方法は、従来
の膜４と感光性樹脂膜５の作用を１つの感光性樹脂膜６
で実現でき、膜の形成工程と加工工程が簡略化できる。
の膜４と感光性樹脂膜５の作用を１つの感光性樹脂膜６
で実現でき、膜の形成工程と加工工程が簡略化できる。
なお、上記実施例は、感光性樹脂ｐＡ６に酸素ブラズ侍
に対する耐性を高める物質としてシリコン以外有させた
が、酸素プラズマに耐性のあるものであわばシリコン以
外のものでもよい。また、酸素プラズマに対する耐性を
高める物質は、化合物として含有させてもよい。
に対する耐性を高める物質としてシリコン以外有させた
が、酸素プラズマに耐性のあるものであわばシリコン以
外のものでもよい。また、酸素プラズマに対する耐性を
高める物質は、化合物として含有させてもよい。
以上説明したように、この発明の微細）（ターン形成方
法は、基板上に２つの膜を形成し、加工てることＫよっ
て微細パターンが形成できるので、従来の方法に比べて
工程か簡略化できるという利点がある。
法は、基板上に２つの膜を形成し、加工てることＫよっ
て微細パターンが形成できるので、従来の方法に比べて
工程か簡略化できるという利点がある。
第１図は従来の微細パターン形成方法ケ説明するための
断面略図、第２図はこの発明の一実施例ｖ説明するため
の断面略図である。 図中、１は基板、２は被加工膜、３は樹脂膜。 ６は感光性樹脂膜である。なお、図中の同一符号は同一
または相当部分を示す。 代理人 大岩増雄 （外２名） 第７図 第 ２ 図 手続補正書（０発９ １、事件の表示 特願昭５１１１−１５１２７２号２、
発明の名称 微細パターン形成方法、′３ 補正をする
者 代表者片由仁へ部 − ４代理人 ５、補正の対象 明細書の特許請求の範囲の欄および発明の詳細な説明の
欄 ６、補正の内容 （１）明細書の特許請求の範囲を別紙のように補正する
。 （２）明細書第２頁３行の「２層構造」を、「３層構造
」と補正する。 （３）同じく第３頁８行の「被加工膜３」を、「被加工
膜２」と補正する。 以 上 ２、特許請求の範囲 （１） 基板−ヒに被加工膜を形成し、この上に有機膜
を形成した後、前記有機膜上に酸素プラズマに耐性を有
する物質を含有させた感光性樹脂膜を形成した後、前記
感光性樹脂膜に光露光技術を用いて微細パターンを形成
し、次いでこの微細パターンをマスクとして前記有機膜
を酸素プラズマにより食刻し、次にこの２有機膜をマス
クとして前記被加工膜をドライエツチングで食刻し目的
とする微細パターンを得ることを特徴とする微細パター
ン形成方法。 （２）感光性拘脂膜ド、酸素プラズマに耐性を有する物
質としてシリコンを含有させたこと番特徴とする特許請
求の範囲第（１）項記載の微細パターン形成方法。
断面略図、第２図はこの発明の一実施例ｖ説明するため
の断面略図である。 図中、１は基板、２は被加工膜、３は樹脂膜。 ６は感光性樹脂膜である。なお、図中の同一符号は同一
または相当部分を示す。 代理人 大岩増雄 （外２名） 第７図 第 ２ 図 手続補正書（０発９ １、事件の表示 特願昭５１１１−１５１２７２号２、
発明の名称 微細パターン形成方法、′３ 補正をする
者 代表者片由仁へ部 − ４代理人 ５、補正の対象 明細書の特許請求の範囲の欄および発明の詳細な説明の
欄 ６、補正の内容 （１）明細書の特許請求の範囲を別紙のように補正する
。 （２）明細書第２頁３行の「２層構造」を、「３層構造
」と補正する。 （３）同じく第３頁８行の「被加工膜３」を、「被加工
膜２」と補正する。 以 上 ２、特許請求の範囲 （１） 基板−ヒに被加工膜を形成し、この上に有機膜
を形成した後、前記有機膜上に酸素プラズマに耐性を有
する物質を含有させた感光性樹脂膜を形成した後、前記
感光性樹脂膜に光露光技術を用いて微細パターンを形成
し、次いでこの微細パターンをマスクとして前記有機膜
を酸素プラズマにより食刻し、次にこの２有機膜をマス
クとして前記被加工膜をドライエツチングで食刻し目的
とする微細パターンを得ることを特徴とする微細パター
ン形成方法。 （２）感光性拘脂膜ド、酸素プラズマに耐性を有する物
質としてシリコンを含有させたこと番特徴とする特許請
求の範囲第（１）項記載の微細パターン形成方法。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１１基板上ＶＣＣ被加工膜形形成、この上に有機ＰＡ
Ｙ形成した後、前記有機膜上に酸素プラズマに耐性を有
する物質ケ含有させた感光性樹脂膜を形成した後、前記
感光性樹脂膜に光露光技術を用いて微細パターンな形成
し、次いでこの微細パターンをマスクとして前記層ａｌ
ｌを酸素フラズマにより食刻し、次にこの有機膜をマス
クとして前記被加工膜を］ライエツチングで食刻し目的
とする微細パターンを得ることを特徴とする微細パター
ン形成方法。 （２） 感光性樹脂膜は、酸素プラズマに耐性を有する
物質としてシリコンン含有させたことを特徴とする特許
請求の範囲第（１）項記載の微細パターン形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15127283A JPH0618183B2 (ja) | 1983-08-17 | 1983-08-17 | 微細パタ−ン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15127283A JPH0618183B2 (ja) | 1983-08-17 | 1983-08-17 | 微細パタ−ン形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6042833A true JPS6042833A (ja) | 1985-03-07 |
| JPH0618183B2 JPH0618183B2 (ja) | 1994-03-09 |
Family
ID=15515039
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15127283A Expired - Lifetime JPH0618183B2 (ja) | 1983-08-17 | 1983-08-17 | 微細パタ−ン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0618183B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5886079A (en) * | 1995-11-28 | 1999-03-23 | Hitachi Maxell, Ltd. | Polymer fine particles and ink composition containing the same |
| US6037391A (en) * | 1997-06-24 | 2000-03-14 | Mitsubishi Pencil Kabushiki Kaisha | Water based dye ink composition for free ink rollerball pen |
-
1983
- 1983-08-17 JP JP15127283A patent/JPH0618183B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5886079A (en) * | 1995-11-28 | 1999-03-23 | Hitachi Maxell, Ltd. | Polymer fine particles and ink composition containing the same |
| US6121365A (en) * | 1995-11-28 | 2000-09-19 | Hitachi Maxell, Ltd. | Polymer fine particles and ink composition containing the same |
| US6037391A (en) * | 1997-06-24 | 2000-03-14 | Mitsubishi Pencil Kabushiki Kaisha | Water based dye ink composition for free ink rollerball pen |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0618183B2 (ja) | 1994-03-09 |
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