JPS6015928A - パタ−ン形成方法 - Google Patents
パタ−ン形成方法Info
- Publication number
- JPS6015928A JPS6015928A JP58124302A JP12430283A JPS6015928A JP S6015928 A JPS6015928 A JP S6015928A JP 58124302 A JP58124302 A JP 58124302A JP 12430283 A JP12430283 A JP 12430283A JP S6015928 A JPS6015928 A JP S6015928A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- mask plate
- photosensitive resin
- patterns
- resin film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
- G03F7/2022—Multi-step exposure, e.g. hybrid; backside exposure; blanket exposure, e.g. for image reversal; edge exposure, e.g. for edge bead removal; corrective exposure
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、半導体素子などの製造工程におけるパター
ン形成方法に関するものである。
ン形成方法に関するものである。
従来のパターン形成方法、特に配線パターンの形成方法
としては第１図に示すものがあった。第１図（ａ）〜（
ｄ）において、１は半導体などの基板、２は配線用金属
膜、３は感光性樹脂膜、４は前記感光性樹脂膜３Ｖｃ転
写すべきパターンが描かれたマスク板、５は照射する元
、６は転写された感光性樹脂パターン、７は前記感光性
樹脂パターン６に従って形成された配線パターンである
。
としては第１図に示すものがあった。第１図（ａ）〜（
ｄ）において、１は半導体などの基板、２は配線用金属
膜、３は感光性樹脂膜、４は前記感光性樹脂膜３Ｖｃ転
写すべきパターンが描かれたマスク板、５は照射する元
、６は転写された感光性樹脂パターン、７は前記感光性
樹脂パターン６に従って形成された配線パターンである
。
次に従来の配線パターン７の形成方法について説明する
。
。
まず、第１図（＆）に示すように、基板１上に配線用金
属膜２火、例えばＣＶＤ法あるいはスパッタ法にて形成
する。その後、第１図（ｂ）に示すように感光性樹脂膜
３、例えば露光した部分か後の現像工程で除去されるポ
ジ型の感光性樹脂膜な塗布した後に、転写丁べきパター
ンが描かれているマスク板４を介して元５ｙＩｌ−照射
することにより露光を行う。この後、溶液などｌ用いた
現像工程を経ると、露光さねた部１分の感光性樹脂膜３
か除去されて、第１図（ｃ）Ｋ示すような感光性樹脂パ
ターン６が転写される。その後、第１図（ｄ） Ｋ示す
よ５Ｋ、化学的あるいは物理的効果ｌ利用したエツチン
グ法な用いて露出した配線用金属膜２を除去した後、感
光性樹脂パターン６を除去すると、第１図（ｄ）Ｋ示す
ような配線パターン７が形成できろ。
属膜２火、例えばＣＶＤ法あるいはスパッタ法にて形成
する。その後、第１図（ｂ）に示すように感光性樹脂膜
３、例えば露光した部分か後の現像工程で除去されるポ
ジ型の感光性樹脂膜な塗布した後に、転写丁べきパター
ンが描かれているマスク板４を介して元５ｙＩｌ−照射
することにより露光を行う。この後、溶液などｌ用いた
現像工程を経ると、露光さねた部１分の感光性樹脂膜３
か除去されて、第１図（ｃ）Ｋ示すような感光性樹脂パ
ターン６が転写される。その後、第１図（ｄ） Ｋ示す
よ５Ｋ、化学的あるいは物理的効果ｌ利用したエツチン
グ法な用いて露出した配線用金属膜２を除去した後、感
光性樹脂パターン６を除去すると、第１図（ｄ）Ｋ示す
ような配線パターン７が形成できろ。
従来の配線バク−７１の形成方法では、３μｍ程度の感
光性樹脂パターン６の形成までは容易であるか、２μｍ
以下の微細なパターンの形成にあたっては、それに相当
する微細なパターンをマスク板４に形成する必要かある
が、そｉは容易ではない。
光性樹脂パターン６の形成までは容易であるか、２μｍ
以下の微細なパターンの形成にあたっては、それに相当
する微細なパターンをマスク板４に形成する必要かある
が、そｉは容易ではない。
また、除去丁べき露光部分が多い現像工程においては、
現像時間が少しでもオーバすると未露−ｉｔ部分まで除
去さｆｌ、所望のパターンよりも細（なったり、パター
ンがなくなってしまう場合がある。
現像時間が少しでもオーバすると未露−ｉｔ部分まで除
去さｆｌ、所望のパターンよりも細（なったり、パター
ンがなくなってしまう場合がある。
この発明は、上記のような従来のもθ）の欠点を除去す
るためになさハたもので、マスク板上で容易に形成し得
る３μｎ１以上のパターンを２つのマスク板を用いて重
ね合わせることにより、２μｍ以下の微細なパターンを
形成することｌ目的としている。以下この発明の一実施
例１示面について説明する。
るためになさハたもので、マスク板上で容易に形成し得
る３μｎ１以上のパターンを２つのマスク板を用いて重
ね合わせることにより、２μｍ以下の微細なパターンを
形成することｌ目的としている。以下この発明の一実施
例１示面について説明する。
第２図（ａ）〜（ｅ）はこの発明の一実施例１示す工程
図で、まず、第２図（幻のように、マスク板４（以下第
１のマスク板という）火用いて第１図（ｃ）で得たのと
同様に感光性樹脂パターン６を形成し、次に、第２図（
ｂ） Ｖｃ示すように第２のマスク板８を介して再び光
５ヶ照射する。ここ忙おいて、第２のマスク板８は第１
のマスク板４（第１図（ｂ））と重なり合うパターン部
分が、所望の微細パターンとなるようなパターンが描か
れているものとする。露光後、溶液などケ用いた現像工
程ン経ると、露光された部分の感光性樹脂膜が除去され
て第２図（ｃ）Ｋ示１ように微細な感光性樹脂バク−７
９が形成される。その後、化学的あるいは物理的効果を
利用したエツチング法ｌ用いて露出した配線用金属膜２
ケ除去すると第２図（、ｄ）に示すよ５になり、さらに
、感光性樹脂パターン９１除去すると、第２図−（ｅ）
Ｋ示すような微細な配線パターン１０が形成される。
図で、まず、第２図（幻のように、マスク板４（以下第
１のマスク板という）火用いて第１図（ｃ）で得たのと
同様に感光性樹脂パターン６を形成し、次に、第２図（
ｂ） Ｖｃ示すように第２のマスク板８を介して再び光
５ヶ照射する。ここ忙おいて、第２のマスク板８は第１
のマスク板４（第１図（ｂ））と重なり合うパターン部
分が、所望の微細パターンとなるようなパターンが描か
れているものとする。露光後、溶液などケ用いた現像工
程ン経ると、露光された部分の感光性樹脂膜が除去され
て第２図（ｃ）Ｋ示１ように微細な感光性樹脂バク−７
９が形成される。その後、化学的あるいは物理的効果を
利用したエツチング法ｌ用いて露出した配線用金属膜２
ケ除去すると第２図（、ｄ）に示すよ５になり、さらに
、感光性樹脂パターン９１除去すると、第２図−（ｅ）
Ｋ示すような微細な配線パターン１０が形成される。
なお、上記実施例では、第１のマスク板４と第２のマス
ク板８の重なり合うパターンが１個である場合について
述べたが、第３図および第４図に示すように、重なり合
うパターンが複数個であってもよい。テなわら、第３図
（ａ）、（ｂ）では第１のマスク板４による感光性樹脂
膜パターン１２が１個であり、それと重なる第２のマス
ク板１１のパターンか２個である場合を示し、第４図（
ａ）、 （ｂ）では第１のマスク板４１／ｌ：よる感光
性樹脂パターン１４ａ、１４ｂが２個であり、そ４らと
重なる第２のマスク板１５のパターンが１個である場合
火水す。
ク板８の重なり合うパターンが１個である場合について
述べたが、第３図および第４図に示すように、重なり合
うパターンが複数個であってもよい。テなわら、第３図
（ａ）、（ｂ）では第１のマスク板４による感光性樹脂
膜パターン１２が１個であり、それと重なる第２のマス
ク板１１のパターンか２個である場合を示し、第４図（
ａ）、 （ｂ）では第１のマスク板４１／ｌ：よる感光
性樹脂パターン１４ａ、１４ｂが２個であり、そ４らと
重なる第２のマスク板１５のパターンが１個である場合
火水す。
なお、第３図（ｂンおよび第４図（ｂ）Ｋ示す１３゜１
６は第２のマスク板１１および１５により形成された感
う′Ｃ性（す１脂パターンケ示す。
６は第２のマスク板１１および１５により形成された感
う′Ｃ性（す１脂パターンケ示す。
以上説明したように、この発明は、２枚のマスク板に描
かＪまた、そねぞハ比較的大きなパターンｌ利用し、そ
１１らの重なり曾った部分でｆＸ！細なパターンｌ利用
するようにしたので、マスク板内のパターン形成か容易
となり、また、露光装置もそれほど棺度を斐しない大き
なパターンの露光が可能な比較的菱餅な装置ケ用いてよ
り微細なパターンが形成できるので、製造コストが低減
できる。
かＪまた、そねぞハ比較的大きなパターンｌ利用し、そ
１１らの重なり曾った部分でｆＸ！細なパターンｌ利用
するようにしたので、マスク板内のパターン形成か容易
となり、また、露光装置もそれほど棺度を斐しない大き
なパターンの露光が可能な比較的菱餅な装置ケ用いてよ
り微細なパターンが形成できるので、製造コストが低減
できる。
ザた、第１回目での現像工程でσＩ感感性性樹脂残直火
第２回目の現像工程で完全に除去できろ効果も期待でき
る。
第２回目の現像工程で完全に除去できろ効果も期待でき
る。
第１図（１〜（ｅ）は従来のパターン形成方法の工程を
示す断面図、第２図（ａ）〜（ｄ）ｉｉこの発明の一実
施例によるパターン形成方法の工程を示す断面図、第３
図（ａ）、（ｂ）および第４図（ａ ）、 （ｂ）はこ
の発明の他の実施例を示す１折面図である。 図中、１は基板、２は配線用金属膜、４は第１のマスク
板、６，９は感光性樹脂パターン、８は第２のマスク板
、１０は配線パターンである。 代理人 大 岩 増 雄 （外２名） 第１図 １１１ ＋ ｌ Ｊ ｉ Ｊ ト５ 第３図 ＮＮＮ１１ト５ １１１１１ ｉ １１ トｓ 特許庁長官殿 １．事件の表示 特願昭５８−１２４３０２号２、発明
の名称 パターン形成方法 ３、補正をする者 ５、補正命令の１１付 昭和５８年１０月２５日６、補
正の対象 明細書の図面の簡単な説明の４１２１ ７４補正の内容 明細書の第６頁６行の［第２１Ｎ（ａ）〜（ｄ）」を、
「第２図（ａ）〜（ｅ）」と補止する。 以Ｊ二 手続補正器（自発） 昭和 ５％１１月２６１」 〔 特許庁長官殿 １、事件の表示 特願昭５８−１２４３０２月２、発明
の名称 パターン形成方法 ３、補正をする者 事件との関係 １．に許出願人 − 住 所 東５：〔都千代田区丸の内二丁１」２番３号名
称 （６０１）五菱電機株式会社 代表者片由仁八部 ４、代理人 ′″イア；・′・１１ ５、補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄 ３、補正の内容 （１）明細書第１頁１９〜２０行の「第１図（ａ）〜（
ｄ）」を、［第１図（ａ）〜（ｅ）」：補正する。 （２）同じく第３頁２行の「第１図（ｄ）」を、“第１
図（ｅ）」と補正する。 （３）同じく第３頁１１行の［オーバＪを、「オーバー
」と補正する。 以」ニ
示す断面図、第２図（ａ）〜（ｄ）ｉｉこの発明の一実
施例によるパターン形成方法の工程を示す断面図、第３
図（ａ）、（ｂ）および第４図（ａ ）、 （ｂ）はこ
の発明の他の実施例を示す１折面図である。 図中、１は基板、２は配線用金属膜、４は第１のマスク
板、６，９は感光性樹脂パターン、８は第２のマスク板
、１０は配線パターンである。 代理人 大 岩 増 雄 （外２名） 第１図 １１１ ＋ ｌ Ｊ ｉ Ｊ ト５ 第３図 ＮＮＮ１１ト５ １１１１１ ｉ １１ トｓ 特許庁長官殿 １．事件の表示 特願昭５８−１２４３０２号２、発明
の名称 パターン形成方法 ３、補正をする者 ５、補正命令の１１付 昭和５８年１０月２５日６、補
正の対象 明細書の図面の簡単な説明の４１２１ ７４補正の内容 明細書の第６頁６行の［第２１Ｎ（ａ）〜（ｄ）」を、
「第２図（ａ）〜（ｅ）」と補止する。 以Ｊ二 手続補正器（自発） 昭和 ５％１１月２６１」 〔 特許庁長官殿 １、事件の表示 特願昭５８−１２４３０２月２、発明
の名称 パターン形成方法 ３、補正をする者 事件との関係 １．に許出願人 − 住 所 東５：〔都千代田区丸の内二丁１」２番３号名
称 （６０１）五菱電機株式会社 代表者片由仁八部 ４、代理人 ′″イア；・′・１１ ５、補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄 ３、補正の内容 （１）明細書第１頁１９〜２０行の「第１図（ａ）〜（
ｄ）」を、［第１図（ａ）〜（ｅ）」：補正する。 （２）同じく第３頁２行の「第１図（ｄ）」を、“第１
図（ｅ）」と補正する。 （３）同じく第３頁１１行の［オーバＪを、「オーバー
」と補正する。 以」ニ
Claims (1)
- 感光性樹脂膜にマスク板を介して光約を当て、その後の
現は工程にふ；いて未露光部を除去して感光性樹脂膜の
パターンｌ転写することにより前記マスク板に描かれた
パターンｌ転写する工程において、第１のマスク板によ
り感光性樹脂μのパターンな形成した後、前記第１のマ
スク板に描かねたパターンと一部か重なり合うパターン
を有する第２のマスク板を介して再度露光ケ行い、前記
型なり合うパターンのみを残すことを特徴とするパター
ン形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58124302A JPS6015928A (ja) | 1983-07-06 | 1983-07-06 | パタ−ン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58124302A JPS6015928A (ja) | 1983-07-06 | 1983-07-06 | パタ−ン形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6015928A true JPS6015928A (ja) | 1985-01-26 |
Family
ID=14881968
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58124302A Pending JPS6015928A (ja) | 1983-07-06 | 1983-07-06 | パタ−ン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6015928A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6358825A (ja) * | 1986-08-29 | 1988-03-14 | Sony Corp | パタ−ン形成方法 |
| EP0534463A2 (en) * | 1991-09-27 | 1993-03-31 | Fujitsu Limited | Pattern exposing method using phase shift and mask used therefor |
-
1983
- 1983-07-06 JP JP58124302A patent/JPS6015928A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6358825A (ja) * | 1986-08-29 | 1988-03-14 | Sony Corp | パタ−ン形成方法 |
| EP0534463A2 (en) * | 1991-09-27 | 1993-03-31 | Fujitsu Limited | Pattern exposing method using phase shift and mask used therefor |
| US5364716A (en) * | 1991-09-27 | 1994-11-15 | Fujitsu Limited | Pattern exposing method using phase shift and mask used therefor |
| US5472813A (en) * | 1991-09-27 | 1995-12-05 | Fujitsu Limited | Pattern exposing method using phase shift and mask used therefor |
| EP0810475A2 (en) * | 1991-09-27 | 1997-12-03 | Fujitsu Limited | Pattern exposing method using phase shift and mask used therefor |
| EP0810474A2 (en) * | 1991-09-27 | 1997-12-03 | Fujitsu Limited | Pattern exposing method using phase shift and mask used therefor |
| EP0810474A3 (en) * | 1991-09-27 | 1998-12-16 | Fujitsu Limited | Pattern exposing method using phase shift and mask used therefor |
| EP0810475A3 (en) * | 1991-09-27 | 1998-12-16 | Fujitsu Limited | Pattern exposing method using phase shift and mask used therefor |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4546066A (en) | Method for forming narrow images on semiconductor substrates | |
| US4368245A (en) | Method for making matt diffusion patterns | |
| JPS6015928A (ja) | パタ−ン形成方法 | |
| JPS63132452A (ja) | パタ−ン形成方法 | |
| JPS6386550A (ja) | 多層配線層の形成方法 | |
| JPS62245251A (ja) | レジストパタ−ン形成方法 | |
| JPS59155930A (ja) | 微細パタ−ンの形成方法 | |
| JPH01105538A (ja) | フォトレジストパターン形成方法 | |
| JPS58204532A (ja) | パタ−ン形成方法 | |
| JPH06349728A (ja) | レジストパターンの形成方法 | |
| JPH0562894A (ja) | 微細パターン形成方法 | |
| JP2500659B2 (ja) | 印刷配線板の製造方法 | |
| KR960008568B1 (ko) | 반도체 콘텍트 제조방법 | |
| JPS6091639A (ja) | フオトレジストパタ−ンの形成方法 | |
| JP2570709B2 (ja) | エツチング方法 | |
| JPH0461314A (ja) | 半導体ウエハのパターン形成方法 | |
| KR960012332A (ko) | 반도체 소자의 미세패턴 형성방법 | |
| JPS52127173A (en) | Pattern formation method | |
| JPH07193355A (ja) | 配線パターンの形成方法 | |
| KR20020091990A (ko) | 리소그래피 공정에서의 근접효과 제거 방법 | |
| JPS62165651A (ja) | レジストパタ−ンの形成方法 | |
| JPS5912437A (ja) | レジストパタ−ン形成方法 | |
| JPS59231535A (ja) | パタ−ンの形成方法 | |
| JPH0444233A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS61196536A (ja) | 半導体デバイス材料とそれを用いた半導体デバイスの製造方法 |