JPS59231535A - パタ−ンの形成方法 - Google Patents
パタ−ンの形成方法Info
- Publication number
- JPS59231535A JPS59231535A JP10815583A JP10815583A JPS59231535A JP S59231535 A JPS59231535 A JP S59231535A JP 10815583 A JP10815583 A JP 10815583A JP 10815583 A JP10815583 A JP 10815583A JP S59231535 A JPS59231535 A JP S59231535A
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- JP
- Japan
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- pattern
- layer
- processed
- interval
- resin film
- Prior art date
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- Granted
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
- G03F7/094—Multilayer resist systems, e.g. planarising layers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Architecture (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は、半導体装置の製造工程などＫおける微細間
隔を含む複数種の間隔を有するパターンの形成方法に関
するものである。
隔を含む複数種の間隔を有するパターンの形成方法に関
するものである。
従来、基板上に形成された被加工層上の感光性樹脂膜に
、２種類以上の大きさの間隔を有するパターンを転写す
る方法としては第１図に示すものがあった。図において
、（１）は基板、（２）は被加工層、（３）は感光性樹
脂膜である。
、２種類以上の大きさの間隔を有するパターンを転写す
る方法としては第１図に示すものがあった。図において
、（１）は基板、（２）は被加工層、（３）は感光性樹
脂膜である。
次に従来のパターン形成法について説明する。
基板（１）上に形成された被加工層（２）上に感光性樹
脂膜（３）を例えば回転塗布法によシ形成すると第１図
（ａ） Ｋ示すようになる。その後、通常の露光装置を
用いて、図示しなめ所望のパターンが描かれたマスク板
を重ねて光線を当てると、マスク板を通過した光線が感
光性樹脂膜（３）に照射される。その後の現像工程にお
いて、感光性樹脂膜（３）がポジティブ形の場合には照
射された部分の、またネガティブ形の場合には未照射の
部分の感光性樹脂膜（３）が現像液により除去される０
ここにおいて、マスク板に描かれたパターンの中に２種
類以上の大きさの異なる間隔（４）および（５）を有す
るパターンがある場合、特に小さい方の開隔（５）が２
μｍ以下の場合には、現像液のしみ込みが悪いので、大
きなパターン間隔（４）での現像が完了した時点でも小
さいパタ−ン間隔（５）では完了していないため第１図
（ｂ） Ｋ示すように現像不足による現像残（６）を生
ずる０第２図はその状況の平面図である。この場合、小
さい方のパターン間隔（５）の現像完了に合わせて現像
を行なっていくと、大きい方のパターン間隔（４）では
現像過多となりパターンの寸法に大きな狂いを生じてし
まう。その後、この現像された感光性樹脂膜（３）をマ
スクとして被加工層（２）をエツチングするのであるが
、第１図（ｂ）および第２図に示した現像残（６）は、
このエツチング工程でのエツチング残（７）を引き起こ
す。エツチング後、感光性樹脂膜（３）を除去した時の
パターンの断面図の例を第１図（Ｃ）に示す。このエツ
チング残（７）は隣接するパターンを短絡させてしまう
ことになる。
脂膜（３）を例えば回転塗布法によシ形成すると第１図
（ａ） Ｋ示すようになる。その後、通常の露光装置を
用いて、図示しなめ所望のパターンが描かれたマスク板
を重ねて光線を当てると、マスク板を通過した光線が感
光性樹脂膜（３）に照射される。その後の現像工程にお
いて、感光性樹脂膜（３）がポジティブ形の場合には照
射された部分の、またネガティブ形の場合には未照射の
部分の感光性樹脂膜（３）が現像液により除去される０
ここにおいて、マスク板に描かれたパターンの中に２種
類以上の大きさの異なる間隔（４）および（５）を有す
るパターンがある場合、特に小さい方の開隔（５）が２
μｍ以下の場合には、現像液のしみ込みが悪いので、大
きなパターン間隔（４）での現像が完了した時点でも小
さいパタ−ン間隔（５）では完了していないため第１図
（ｂ） Ｋ示すように現像不足による現像残（６）を生
ずる０第２図はその状況の平面図である。この場合、小
さい方のパターン間隔（５）の現像完了に合わせて現像
を行なっていくと、大きい方のパターン間隔（４）では
現像過多となりパターンの寸法に大きな狂いを生じてし
まう。その後、この現像された感光性樹脂膜（３）をマ
スクとして被加工層（２）をエツチングするのであるが
、第１図（ｂ）および第２図に示した現像残（６）は、
このエツチング工程でのエツチング残（７）を引き起こ
す。エツチング後、感光性樹脂膜（３）を除去した時の
パターンの断面図の例を第１図（Ｃ）に示す。このエツ
チング残（７）は隣接するパターンを短絡させてしまう
ことになる。
〔発明の概要〕
この発明は上記のような従来のものの欠点を除去するた
めになされたもので小さなパターン間隔を転写する部分
の被加工層の下層に予め凸部パターンを形成しておくこ
とにより隣接するボターン間を確実に分離することを目
的としてい名０〔発明の実施例〕 以下、この発明の一実施例を第３図および第４図につい
て説明する。図において、（１）は基板、（２）は被加
工層、（３）は感光性樹脂膜、（８）は被加工層の下層
に形成された凸部パターンである。
めになされたもので小さなパターン間隔を転写する部分
の被加工層の下層に予め凸部パターンを形成しておくこ
とにより隣接するボターン間を確実に分離することを目
的としてい名０〔発明の実施例〕 以下、この発明の一実施例を第３図および第４図につい
て説明する。図において、（１）は基板、（２）は被加
工層、（３）は感光性樹脂膜、（８）は被加工層の下層
に形成された凸部パターンである。
第３図（ａ） Ｋ示すように、基板（１）の上に、後に
小さなパターン間隔が描かれる位置に凸部パターン（８
）を形成しておく。しかる後に被加工層（２）を形成し
、その上に感光性樹脂膜（３）を例えば回転塗布法によ
シ形成すると、下層に凸部パターン（８）を形成してお
いた部分の感光性樹脂膜（３）の膜厚は、同図（ｂ）に
示すように他の部分に比べてかなシ薄くなる。
小さなパターン間隔が描かれる位置に凸部パターン（８
）を形成しておく。しかる後に被加工層（２）を形成し
、その上に感光性樹脂膜（３）を例えば回転塗布法によ
シ形成すると、下層に凸部パターン（８）を形成してお
いた部分の感光性樹脂膜（３）の膜厚は、同図（ｂ）に
示すように他の部分に比べてかなシ薄くなる。
その後、従来法と同様な露光工程および現像工程を経る
と同図（Ｃ）のようＫなる。図（Ｃ）かられかるように
、大きなパターン間隔（４）における現像完了とほぼ同
時に小さなパターン間隔（５）において現像を完了する
ことができる。第４図は第３図（、）の平面図であシ、
従来法でみられた現像演は生じない。
と同図（Ｃ）のようＫなる。図（Ｃ）かられかるように
、大きなパターン間隔（４）における現像完了とほぼ同
時に小さなパターン間隔（５）において現像を完了する
ことができる。第４図は第３図（、）の平面図であシ、
従来法でみられた現像演は生じない。
このパターンを形成した感光性樹脂膜（３）をマスクと
して被加工層（２）をエツチング後 脂膜（３）を除去した時のパターンの断面図の例を第３
図（ｄ） Ｋ示す。
して被加工層（２）をエツチング後 脂膜（３）を除去した時のパターンの断面図の例を第３
図（ｄ） Ｋ示す。
以上のように、この発明によれば小さなパターン間隔が
転写される部分に予め凸部パターンを形成しておいたの
で各種の大きさのものが混在するパターンの形成も確実
に行なうことができる。
転写される部分に予め凸部パターンを形成しておいたの
で各種の大きさのものが混在するパターンの形成も確実
に行なうことができる。
第１図は従来のパターン形成方法の一例を説明するため
の各段階における状態を示す断面側面図、第２図は第１
図（ｂ）の段階での平面図、第３図はこの発明の一実施
例によるパターン形成方法を説明するための各段階にお
ける状態を示す断面側面図、第４図は第３図（０）の段
階での平面図である。 図において、（１）は基板、（２）は被加工層、（３）
は感光性樹脂膜、（４）は大きいパターン間隔、（６）
は微小パターン間隔、（８）は凸部パターンである。 なお、図中同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人大岩増雄
の各段階における状態を示す断面側面図、第２図は第１
図（ｂ）の段階での平面図、第３図はこの発明の一実施
例によるパターン形成方法を説明するための各段階にお
ける状態を示す断面側面図、第４図は第３図（０）の段
階での平面図である。 図において、（１）は基板、（２）は被加工層、（３）
は感光性樹脂膜、（４）は大きいパターン間隔、（６）
は微小パターン間隔、（８）は凸部パターンである。 なお、図中同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人大岩増雄
Claims (1)
- （１）基板上に形成された被加工層に微少間隔を含む複
数種の間隔を有するパターンを形成するに際して、上記
被加工層の上記微少間隔を形成すべき部位の上記基板上
に凸部パターンを形成し、この凸部パターンの上を含め
て上記基板上に上記被加工層を形成し、この被加工層上
に形成された感光性樹脂膜を用いた写真食刻法によって
上記被加工層に上記所望のパターンを形成することを特
徴とするパターンの形成方法０
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10815583A JPS59231535A (ja) | 1983-06-14 | 1983-06-14 | パタ−ンの形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10815583A JPS59231535A (ja) | 1983-06-14 | 1983-06-14 | パタ−ンの形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59231535A true JPS59231535A (ja) | 1984-12-26 |
| JPH0318178B2 JPH0318178B2 (ja) | 1991-03-11 |
Family
ID=14477340
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10815583A Granted JPS59231535A (ja) | 1983-06-14 | 1983-06-14 | パタ−ンの形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59231535A (ja) |
-
1983
- 1983-06-14 JP JP10815583A patent/JPS59231535A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0318178B2 (ja) | 1991-03-11 |
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