JPS62277746A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPS62277746A JPS62277746A JP12011286A JP12011286A JPS62277746A JP S62277746 A JPS62277746 A JP S62277746A JP 12011286 A JP12011286 A JP 12011286A JP 12011286 A JP12011286 A JP 12011286A JP S62277746 A JPS62277746 A JP S62277746A
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- resist
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- Pending
Links
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Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
３、発明の詳細な説明
（産業上の利用分野）
本発明は半導体装置の製造方法に関し、特に半導体装置
の層間配線材の形成方法に関する。
の層間配線材の形成方法に関する。
（従来の技術）
集積化された半導体装置の製造プロセスにおいては、層
間配線を必要とするが、下層・ぞターンの断差によって
配線材が断差切れを起すという問題があった。従来、こ
の問題を解決するために、ウェットエツチングあるいは
文献、半導体・集積回路技術第１５回シン？ノウム講演
論文集（昭和５３年１１月１６日、１７日） Ｐ、Ｐ、
５４−５９に記載されているように、斜め入射イオン
エツチングにより下層ノクタ゛−ンのエノンをチー−−
状Ｋ ｊＪＯ工しこの下層パターン上に配線材を形成し
て断差切れを防止していた。
間配線を必要とするが、下層・ぞターンの断差によって
配線材が断差切れを起すという問題があった。従来、こ
の問題を解決するために、ウェットエツチングあるいは
文献、半導体・集積回路技術第１５回シン？ノウム講演
論文集（昭和５３年１１月１６日、１７日） Ｐ、Ｐ、
５４−５９に記載されているように、斜め入射イオン
エツチングにより下層ノクタ゛−ンのエノンをチー−−
状Ｋ ｊＪＯ工しこの下層パターン上に配線材を形成し
て断差切れを防止していた。
（発明が解決しようとする問題点）
しかしながら、このような半導体装置の製造方の点で問
題があシ、また斜め入射イオンエツチングについてはレ
ジストの２層構造あるいはレジスト／金属の２層構造を
とりておりプロセスが煩雑であるという問題点を有して
いた。
題があシ、また斜め入射イオンエツチングについてはレ
ジストの２層構造あるいはレジスト／金属の２層構造を
とりておりプロセスが煩雑であるという問題点を有して
いた。
そこで、本発明の目的は容易な方法によシテーノ２−状
のエツジを有する下層・母ターンを形成し、この上に配
線材を形成することによυ、配線材の断差切れのない半
導体装置の製造方法を提供するものである。
のエツジを有する下層・母ターンを形成し、この上に配
線材を形成することによυ、配線材の断差切れのない半
導体装置の製造方法を提供するものである。
（問題点を解決するための手段）
この発明は前記問題点を解決するために、基体の被エツ
チング部材上に、ノボラック樹脂のナフトキノンジアジ
ドスルホ／酸エステル等のネガ型のフォトレジスト層を
積層し、このフォトレジスト層を嘴形につき出たオーバ
ーハング構造をなすように選択的に除去し、異方性のあ
るドライエッチング法により前記被エツチング部材をエ
ツチングすると共に前記フォトレジスト層の嘴形につき
出た部分を一部もしくは全部エツチングすることにより
前記被エツチング部材の台形／Ｊターン体を形成し、こ
のフォトレジスト層を除去した後、この基体の所定領域
上に配線材を形成するものである。
チング部材上に、ノボラック樹脂のナフトキノンジアジ
ドスルホ／酸エステル等のネガ型のフォトレジスト層を
積層し、このフォトレジスト層を嘴形につき出たオーバ
ーハング構造をなすように選択的に除去し、異方性のあ
るドライエッチング法により前記被エツチング部材をエ
ツチングすると共に前記フォトレジスト層の嘴形につき
出た部分を一部もしくは全部エツチングすることにより
前記被エツチング部材の台形／Ｊターン体を形成し、こ
のフォトレジスト層を除去した後、この基体の所定領域
上に配線材を形成するものである。
（作用）
以上のように、本発明によれば、オーパーツ・ング構造
のフォトレジストをマスクとして異方的にドライエツチ
ングしているので被エツチング部材がエツチングされる
と共にマスクの嘴形につき出た部分もエツチングされる
ため、被エツチング部材は台形パターンを有して形成さ
れ、この基体の所定領域上に配線材を形成することによ
り、断差切れが起らない配線を得ることができる。
のフォトレジストをマスクとして異方的にドライエツチ
ングしているので被エツチング部材がエツチングされる
と共にマスクの嘴形につき出た部分もエツチングされる
ため、被エツチング部材は台形パターンを有して形成さ
れ、この基体の所定領域上に配線材を形成することによ
り、断差切れが起らない配線を得ることができる。
（実施例）
第１図（、）〜（ｄ）は、本発明の詳細な説明するため
の半導体装置断差部の概略断面図であり、以下図面を用
いて説明する。
の半導体装置断差部の概略断面図であり、以下図面を用
いて説明する。
まず、第１図（、）に示すように、Ｓｉ基板１上に熱酸
化によシ形成したＩＮＬ厚さのＳｉＯ２膜２上に、ネガ
型の７オトレジスト３としてノブラック樹脂のナフトキ
ノンジアジドスルホン酸エステル（以下ＬＭＲという）
をメチルセルソルブアセテートに２０〜４０ ｗｔ％溶
解し０．２μｍのフィルターでろ過したものを、スピン
コーティング法によシ１．０μ常厚さに塗布し、続いて
ホットプレートにて９０°Ｃで６０秒間ベーキングを行
った。
化によシ形成したＩＮＬ厚さのＳｉＯ２膜２上に、ネガ
型の７オトレジスト３としてノブラック樹脂のナフトキ
ノンジアジドスルホン酸エステル（以下ＬＭＲという）
をメチルセルソルブアセテートに２０〜４０ ｗｔ％溶
解し０．２μｍのフィルターでろ過したものを、スピン
コーティング法によシ１．０μ常厚さに塗布し、続いて
ホットプレートにて９０°Ｃで６０秒間ベーキングを行
った。
次に縮小投影型アライナ（ＮＡ＝０．３５）を用いたｇ
線（波長約４３６ｎｍ）の光をフォトレジスト３に選択
的に照射することにより露光を行った。
線（波長約４３６ｎｍ）の光をフォトレジスト３に選択
的に照射することにより露光を行った。
ドーズ量は１００〜２００ ｍＪ ７ｃｍ２ とした
。然る後、ホットプレートにて１１０℃で６０秒間べ一
キングヲ行った。そして、モノクロルベンゼン −１０
に対してシクロヘキサン１の溶液で５０秒間、２３℃で
現像し、シクロヘキサンにてリンスを行うことによシ、
第１図（ｂ）に示すように、嘴形につキ出タオーバーハ
ング構造のレジストパターン４を形成した。
。然る後、ホットプレートにて１１０℃で６０秒間べ一
キングヲ行った。そして、モノクロルベンゼン −１０
に対してシクロヘキサン１の溶液で５０秒間、２３℃で
現像し、シクロヘキサンにてリンスを行うことによシ、
第１図（ｂ）に示すように、嘴形につキ出タオーバーハ
ング構造のレジストパターン４を形成した。
次に、レジストツクターン４をマスクとして平行平板型
プラズマエツチング装置により異方的にＳｉＯ□膜２の
ドライエツチングを行うことによシ、第１図（ｃ）に示
すように、チー・ぞ−状の断面形状を有するＳｉＯ□ノ
母ターフタ−７体５した。エツチング条件はＣＦ４５０
ＳＣＣＭ、ガス圧５ Ｐａ、／Ｊクワ一度０、１６
Ｗ／ａｒｔ２とし１０分間エツチングを行った。
プラズマエツチング装置により異方的にＳｉＯ□膜２の
ドライエツチングを行うことによシ、第１図（ｃ）に示
すように、チー・ぞ−状の断面形状を有するＳｉＯ□ノ
母ターフタ−７体５した。エツチング条件はＣＦ４５０
ＳＣＣＭ、ガス圧５ Ｐａ、／Ｊクワ一度０、１６
Ｗ／ａｒｔ２とし１０分間エツチングを行った。
然る後、第１図（ｄ）に示すように、レジストツクター
ン４を除去し、表面の所定領域に配線材６を形成した。
ン４を除去し、表面の所定領域に配線材６を形成した。
以上説明したように本発明の実施例によれば、オーバー
ハング構造のレジストツクターン４ハＬＭＲのネガ型フ
ォトレジスト３を用いているので、従来のレジスト／金
属の２層構造等に比べ容易に形成することができ、この
レノストパターン４をマスクとしてＳ ｉＯ２膜２をエ
ツチングすることによりテーパー状のニップ部を有した
５１ｏ２ツクタ一ン体５を容易に形成することができる
。従って、このＳ ｉＯ２・ぐター／体５のニップ部に
形成した配線材６の断差切れを減少させることができる
。
ハング構造のレジストツクターン４ハＬＭＲのネガ型フ
ォトレジスト３を用いているので、従来のレジスト／金
属の２層構造等に比べ容易に形成することができ、この
レノストパターン４をマスクとしてＳ ｉＯ２膜２をエ
ツチングすることによりテーパー状のニップ部を有した
５１ｏ２ツクタ一ン体５を容易に形成することができる
。従って、このＳ ｉＯ２・ぐター／体５のニップ部に
形成した配線材６の断差切れを減少させることができる
。
尚、本発明の実施例ではフォトレジスト３としてＩを用
いているが、嘴形につき出たオーバーハング構造のレノ
ストノやターン４を形成することができるＳｔ−ＬＭＲ
等の他の材料を用いても同様の効果を得ることができる
。また、オーパーツ・ング構造はフォトレジスト３の厚
さ及び現像時間によシその形状をコントロールすること
ができる。
いているが、嘴形につき出たオーバーハング構造のレノ
ストノやターン４を形成することができるＳｔ−ＬＭＲ
等の他の材料を用いても同様の効果を得ることができる
。また、オーパーツ・ング構造はフォトレジスト３の厚
さ及び現像時間によシその形状をコントロールすること
ができる。
（発明の効果）
以上詳細に説明したように、本発明によればチー・ぞ−
状のニップを有するパターン体を容易に形成でき、この
パターン体上に形成された配線材は断差切れを生じない
ので起ＬＳＩ等の製造におけるパターンの形成方法とし
て有効に利用できる。
状のニップを有するパターン体を容易に形成でき、この
パターン体上に形成された配線材は断差切れを生じない
ので起ＬＳＩ等の製造におけるパターンの形成方法とし
て有効に利用できる。
第１図（ａ）〜（ｄ）は本発明の詳細な説明するだめの
半導体装置断差部の概略断面図である。 １・・・Ｓｉ基板、２・・・５ｉ０２膜、３・・・フォ
トレジスト、４・・・レジストノぐターン、５・・・Ｓ
１０２パタ一ン体、６・・・配線材。 特許出願人 沖電気工業株式会社 第１図
半導体装置断差部の概略断面図である。 １・・・Ｓｉ基板、２・・・５ｉ０２膜、３・・・フォ
トレジスト、４・・・レジストノぐターン、５・・・Ｓ
１０２パタ一ン体、６・・・配線材。 特許出願人 沖電気工業株式会社 第１図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）基体の被エッチング部材上にネガ型のフォトレジス
ト層を積層する工程と、 該フォトレジスト層を嘴形につき出たオーバーハング構
造をなすように選択的に除去する工程と、異方性のある
ドライエッチング法により前記被エッチング部材をエッ
チングすると共に前記フォトレジスト層の嘴形につき出
た部分を一部もしくは全部エッチングすることにより前
記被エッチング部材の台形パターン体を形成する工程と
、前記フォトレジスト層を除去した後、該基体の所定領
域上に配線材を形成する工程とを備えてなることを特徴
とする半導体装置の製造方法。 ２）前記フォトレジスト層はノボラック樹脂のナフトキ
ノンジアジドスルホン酸エステルの層であることを特徴
とする特許請求の範囲第１項記載の半導体装置の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12011286A JPS62277746A (ja) | 1986-05-27 | 1986-05-27 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12011286A JPS62277746A (ja) | 1986-05-27 | 1986-05-27 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62277746A true JPS62277746A (ja) | 1987-12-02 |
Family
ID=14778236
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12011286A Pending JPS62277746A (ja) | 1986-05-27 | 1986-05-27 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62277746A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001281698A (ja) * | 2000-03-30 | 2001-10-10 | Advanced Display Inc | 電気光学素子の製法 |
| US20160033863A1 (en) * | 2014-07-30 | 2016-02-04 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd | Photoresist composition to reduce photoresist pattern collapse |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5466768A (en) * | 1977-11-08 | 1979-05-29 | Fujitsu Ltd | Forming method of electrode window in semiconductor device |
| JPS6086834A (ja) * | 1983-10-19 | 1985-05-16 | Hitachi Ltd | パタ−ンの形成方法 |
-
1986
- 1986-05-27 JP JP12011286A patent/JPS62277746A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5466768A (en) * | 1977-11-08 | 1979-05-29 | Fujitsu Ltd | Forming method of electrode window in semiconductor device |
| JPS6086834A (ja) * | 1983-10-19 | 1985-05-16 | Hitachi Ltd | パタ−ンの形成方法 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001281698A (ja) * | 2000-03-30 | 2001-10-10 | Advanced Display Inc | 電気光学素子の製法 |
| US20160033863A1 (en) * | 2014-07-30 | 2016-02-04 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd | Photoresist composition to reduce photoresist pattern collapse |
| US9698014B2 (en) * | 2014-07-30 | 2017-07-04 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd | Photoresist composition to reduce photoresist pattern collapse |
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