JPS6066430A - レジストパタ−ンの形成方法 - Google Patents
レジストパタ−ンの形成方法Info
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- JPS6066430A JPS6066430A JP58174716A JP17471683A JPS6066430A JP S6066430 A JPS6066430 A JP S6066430A JP 58174716 A JP58174716 A JP 58174716A JP 17471683 A JP17471683 A JP 17471683A JP S6066430 A JPS6066430 A JP S6066430A
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- JP
- Japan
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- resist
- pattern
- exposure
- resist film
- film
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70425—Imaging strategies, e.g. for increasing throughput or resolution, printing product fields larger than the image field or compensating lithography- or non-lithography errors, e.g. proximity correction, mix-and-match, stitching or double patterning
- G03F7/7045—Hybrid exposures, i.e. multiple exposures of the same area using different types of exposure apparatus, e.g. combining projection, proximity, direct write, interferometric, UV, x-ray or particle beam
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
- G03F7/2022—Multi-step exposure, e.g. hybrid; backside exposure; blanket exposure, e.g. for image reversal; edge exposure, e.g. for edge bead removal; corrective exposure
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（発明の技術分野）
本発明は半導体装置等の製造に際し金属、絶縁物冨の被
着層のパターニングをリフトオフで行うためのレジスｉ
・パターンの形成方法に関する。
着層のパターニングをリフトオフで行うためのレジスｉ
・パターンの形成方法に関する。
（従来技術の説明）
゛１′−導体装２ｉ等の製造に際し、金属、絶縁物等の
被着層をパターン形成する方法として従来からエツチン
グによる方法及びリフトオフによる方法の！一つの方法
が知られている。リフトオフ方法は簡易の方法であり、
エツチングによる損傷がなく微細パターン形成に適して
おり、また、エツチングが困難な金属でも容易にパター
ニング出来るという利点がある。しかしながら、リフト
オフによる方法はレジスト膜の断面形状、耐熱性、溶解
性、密着性等に関しての厳しい条件が要求されている。
被着層をパターン形成する方法として従来からエツチン
グによる方法及びリフトオフによる方法の！一つの方法
が知られている。リフトオフ方法は簡易の方法であり、
エツチングによる損傷がなく微細パターン形成に適して
おり、また、エツチングが困難な金属でも容易にパター
ニング出来るという利点がある。しかしながら、リフト
オフによる方法はレジスト膜の断面形状、耐熱性、溶解
性、密着性等に関しての厳しい条件が要求されている。
例えば、リフトオフにより容易にパターン形成が出来る
ためにはレジスト膜上に被着された被着層がレジストの
溶解と共に容易に除去出来ることが必要であり、このた
めにはパターン形成されたレジスト膜の断面形状がオー
パーツ＼ング形状となっている必要がある。また、金属
等の基板に対する密着性を向上させるには蒸着時に基板
を加熱するのが有効であのでレジストの耐熱性が良し）
ことが要求されている。また、金属等の蒸着前及び蒸着
中はレジスト層が剥れたりしないようにレジストの基板
に対する密着性が良いことが要求されている。
ためにはレジスト膜上に被着された被着層がレジストの
溶解と共に容易に除去出来ることが必要であり、このた
めにはパターン形成されたレジスト膜の断面形状がオー
パーツ＼ング形状となっている必要がある。また、金属
等の基板に対する密着性を向上させるには蒸着時に基板
を加熱するのが有効であのでレジストの耐熱性が良し）
ことが要求されている。また、金属等の蒸着前及び蒸着
中はレジスト層が剥れたりしないようにレジストの基板
に対する密着性が良いことが要求されている。
゛さらに、ＶＬＳＩ等のような高集積化された微細、＜
クーンを形成するためには、レジストがサブミクロンと
いう高解像性を有することが要求されている。しかも、
レジスト膜上に被着する被着層を配線パターン等とする
場合には、１μ謬より厚い金属をパターニングする必要
がある。その場合には、レジストパターンもＩＩＬＩＩ
＋よりも厚いレジスト膜で構成することが必要となる。
クーンを形成するためには、レジストがサブミクロンと
いう高解像性を有することが要求されている。しかも、
レジスト膜上に被着する被着層を配線パターン等とする
場合には、１μ謬より厚い金属をパターニングする必要
がある。その場合には、レジストパターンもＩＩＬＩＩ
＋よりも厚いレジスト膜で構成することが必要となる。
しかしながら、今まで提案されている遠紫外線を用いた
レジストパターンの形成方法では、遠紫外線が厚いレジ
゛ストＩ＋（！の表面部分のみしか不溶化しないため、
微細加工用のレジストパターンを形成しようとしても、
レジスト膜の幅が微小であるため、基板側のｒ側部分が
現像の際に溶解して除去されてしまい、レジストの現像
のみでこれらの要求を満足するレジストパターンを形成
するこｋは不ｉｉＪ能であった。
レジストパターンの形成方法では、遠紫外線が厚いレジ
゛ストＩ＋（！の表面部分のみしか不溶化しないため、
微細加工用のレジストパターンを形成しようとしても、
レジスト膜の幅が微小であるため、基板側のｒ側部分が
現像の際に溶解して除去されてしまい、レジストの現像
のみでこれらの要求を満足するレジストパターンを形成
するこｋは不ｉｉＪ能であった。
（発明の［１的）
本発明の目的は上述した従来の欠点に鑑みリフ（・オフ
によりサメミクロンという微細幅でかつ厚膜のレジスト
及び被着層パターンを形成するためのレジストパターン
形成方法を提供するにある。
によりサメミクロンという微細幅でかつ厚膜のレジスト
及び被着層パターンを形成するためのレジストパターン
形成方法を提供するにある。
さらに、本発明の目的は、レジストパターンを形成する
レジスト膜の断面形状をサブミクロンのオーダでオーバ
ーハング形状に容易に形成し得、レジストの耐熱性、溶
解性及び密着性が良く、現像後のレジストパターンのレ
ジスト膜にクラックが発生せず、しかも、奇麗でシャー
プなレジストパターンを１与るようにしたレジスＩ・パ
ターン形成力法を提供するにある。
レジスト膜の断面形状をサブミクロンのオーダでオーバ
ーハング形状に容易に形成し得、レジストの耐熱性、溶
解性及び密着性が良く、現像後のレジストパターンのレ
ジスト膜にクラックが発生せず、しかも、奇麗でシャー
プなレジストパターンを１与るようにしたレジスＩ・パ
ターン形成力法を提供するにある。
（発明の目的）
この目的の達成を図るため、本発明によれば、；！、ｌ
ｉ板表面上にレジスト膜として形成されたノボラックｍ
ｌＨのキノンジアジドスルフォン酪エステルの皮膜に対
し、遠紫外線及び電！−線の両名で夫々部分的に重複さ
せて露光する工程を含み、この場合、遠紫外線による露
光パターンの大きさを′電子線による露光パターンより
大きくして重複露光を行うことを特徴とする。
ｉ板表面上にレジスト膜として形成されたノボラックｍ
ｌＨのキノンジアジドスルフォン酪エステルの皮膜に対
し、遠紫外線及び電！−線の両名で夫々部分的に重複さ
せて露光する工程を含み、この場合、遠紫外線による露
光パターンの大きさを′電子線による露光パターンより
大きくして重複露光を行うことを特徴とする。
（実施例の説明）
以下、本発明の実施例につき説明する。
本発明者等は、リフトオフ法における従来の欠点を解決
するために、数々の実験を行った。その結果、レジスト
パターンの′断面形状がオーバーハグ形状となり、耐熱
性、溶解性及び密着性にＷ！１れ、現像後にレジスト膜
にクラックが発生せず。
するために、数々の実験を行った。その結果、レジスト
パターンの′断面形状がオーバーハグ形状となり、耐熱
性、溶解性及び密着性にＷ！１れ、現像後にレジスト膜
にクラックが発生せず。
しかも、微細で奇麗でシャープなレジストパター〉・が
得られるレジスト材料として、ノポラ、ツタ樹＋１Ｈの
キノンジアジドスルフォン酸エステルが適していること
を見い出した。しかも、この４Ａネ１を用いてレジスト
パターンを形成するに当り、レジス１股に対して、遠紫
外線及び゛電子線での露光を行い、これらの露光に際し
、遠紫外線での露光パターンの大きさを電子線での露光
パターンの大きさよりも大きくして部分的に重複露光す
ると、サブミクロンの微細レジストパターンが１１１ら
れることか確認された。
得られるレジスト材料として、ノポラ、ツタ樹＋１Ｈの
キノンジアジドスルフォン酸エステルが適していること
を見い出した。しかも、この４Ａネ１を用いてレジスト
パターンを形成するに当り、レジス１股に対して、遠紫
外線及び゛電子線での露光を行い、これらの露光に際し
、遠紫外線での露光パターンの大きさを電子線での露光
パターンの大きさよりも大きくして部分的に重複露光す
ると、サブミクロンの微細レジストパターンが１１１ら
れることか確認された。
ざらに、このようにして得られたレジストパターンを用
いれば、厚１模の、サブミクロンの被着層パターンが得
られることも確認された。
いれば、厚１模の、サブミクロンの被着層パターンが得
られることも確認された。
本発明によるレジストパターン形成方法の実施例及び比
較例について説明する。
較例について説明する。
尚、本発明を以下の実施例及び比較例によって説明する
が、これら実施例は本発明の範囲内の好適な特定の条件
の下における単なる例示にすぎず、この発明がこれらの
実施例にのみ限定されるものでないことを理解されたい
。
が、これら実施例は本発明の範囲内の好適な特定の条件
の下における単なる例示にすぎず、この発明がこれらの
実施例にのみ限定されるものでないことを理解されたい
。
実施例ル
レジスト材料としてノボラック樹脂のキノンジアジドス
ルフォン酸エステルの一種であるノボラック樹脂のオフ
Ｉ・キノン−１，２−ジアジド＝５−スルフォン酸エス
テル（以下ＬＭＲと称スる）を使用した。この場合、重
合度が低いことが解像度を高める一原因であることを考
慮して重合度が１〜１０のノボラック樹脂のナフトキノ
ン−１，２−ジアジド−５−スルフォン酸エステルを使
用した。先ず、このＬＭＲをメチルセルンルブアセテ−
１・に溶解しシリコン基板りに１．５ ｇｍの厚さに塗
布し皮膜すなわちレジスト膜を形成した。次に、レジス
ト膜を有する基板を８０℃の温度で３０分間熱処理（プ
レベーク）した後、このレジストｌＩりを、５００りの
Ｘｅ−Ｈｇランプの主として２００〜３００ｒ＋ｍの遠
紫外線で、６秒間、コンタクト法により露光を行った。
ルフォン酸エステルの一種であるノボラック樹脂のオフ
Ｉ・キノン−１，２−ジアジド＝５−スルフォン酸エス
テル（以下ＬＭＲと称スる）を使用した。この場合、重
合度が低いことが解像度を高める一原因であることを考
慮して重合度が１〜１０のノボラック樹脂のナフトキノ
ン−１，２−ジアジド−５−スルフォン酸エステルを使
用した。先ず、このＬＭＲをメチルセルンルブアセテ−
１・に溶解しシリコン基板りに１．５ ｇｍの厚さに塗
布し皮膜すなわちレジスト膜を形成した。次に、レジス
ト膜を有する基板を８０℃の温度で３０分間熱処理（プ
レベーク）した後、このレジストｌＩりを、５００りの
Ｘｅ−Ｈｇランプの主として２００〜３００ｒ＋ｍの遠
紫外線で、６秒間、コンタクト法により露光を行った。
この場合の露光パターンは０．５ｐＬｍロ、１．０μｍ
ロ、ａｐＬｍ口及び０．５ 、ｍライン、１．ＯＪＬｍ
ライン、３ｇｍラインとした。
ロ、ａｐＬｍ口及び０．５ 、ｍライン、１．ＯＪＬｍ
ライン、３ｇｍラインとした。
次に、遠紫外線で露光した試料に対して、電子線により
露光を行った。この電子線での露光ノぐターンは、角型
のパターンの場合には、全て０．３ルｍ口のパターンと
し、また、ラインパターンの場合には、０．３ ｐ−ｍ
ラインのパターンを、夫々、う・ｆンの中心に露光した
。この霧光は２０にマの加速電圧で行い、露光量を５０
ルＣ／Ｃ層２とした。
露光を行った。この電子線での露光ノぐターンは、角型
のパターンの場合には、全て０．３ルｍ口のパターンと
し、また、ラインパターンの場合には、０．３ ｐ−ｍ
ラインのパターンを、夫々、う・ｆンの中心に露光した
。この霧光は２０にマの加速電圧で行い、露光量を５０
ルＣ／Ｃ層２とした。
露光後、この試料に対し、１００’Ｃの温度で３０分間
ベーキングを９１い、然る後、このレジスト膜を、容積
比で耐耐イソアミル１０に対しでシクロヘキサン２に氷
を飽和させた溶液で３０秒現像したところ、角型及びラ
インの両パターン共に０．５ ｇｍのスペースのレジス
トパターンが良好に得られた。
ベーキングを９１い、然る後、このレジスト膜を、容積
比で耐耐イソアミル１０に対しでシクロヘキサン２に氷
を飽和させた溶液で３０秒現像したところ、角型及びラ
インの両パターン共に０．５ ｇｍのスペースのレジス
トパターンが良好に得られた。
次に、このようにして得られたレジストパターンを有す
る基板に、被着層、例えば、アルミニウムを１ルーの厚
さに蒸着によって被着した。ここまでの工程で得ら−れ
た試料の断面について走査形電子顕微鏡で観測した様子
を拡大して第１図に示す。この観察結果から明らかなよ
うに、基板ｌ上のレジストパターンを形成するレジスト
膜２の断面形状は上側の表面部分２ａが好適なオーバー
ハング形状を有し、基板側の下側部分２ａが基板ｌに良
好に密着していることが確認された。さらに、また蒸着
されたアルミニウム金属層３．４もレジストｎＱ ２上
及びパターン間の基板ｌ上に夫々重囲でシャープに被着
していることが確認された。
る基板に、被着層、例えば、アルミニウムを１ルーの厚
さに蒸着によって被着した。ここまでの工程で得ら−れ
た試料の断面について走査形電子顕微鏡で観測した様子
を拡大して第１図に示す。この観察結果から明らかなよ
うに、基板ｌ上のレジストパターンを形成するレジスト
膜２の断面形状は上側の表面部分２ａが好適なオーバー
ハング形状を有し、基板側の下側部分２ａが基板ｌに良
好に密着していることが確認された。さらに、また蒸着
されたアルミニウム金属層３．４もレジストｎＱ ２上
及びパターン間の基板ｌ上に夫々重囲でシャープに被着
していることが確認された。
次に、このレジスト膜２をジメチルポルムアミ；・でリ
フトオフを行ったところ、第２図に示すように、１ｋＩ
１１のノアさで０．５ ｇｍの幅のアルミニウム金属層
４のパターンが得られたことが電子顕微鏡観察から確認
された。
フトオフを行ったところ、第２図に示すように、１ｋＩ
１１のノアさで０．５ ｇｍの幅のアルミニウム金属層
４のパターンが得られたことが電子顕微鏡観察から確認
された。
実施例２
この実施例では、実施例１での遠紫外線での露光と電子
線での露光の順序を逆にした以外は、実施例１と同様な
条件の下で、実験を行った。露光後、１００°Ｃで３０
分間ベーキングを行って、然る後実施例１と同様に現像
を行ったところ、０．５ ｐ、ｔｓ口のパターン及び０
．５ ｐ、ｍのラインのパターンが良好に得られたこと
が同様な電子顕微鏡観察から確認された６また、この場
合にも、実施例１と同じ条件で被着したアルミニウム金
属層によって。
線での露光の順序を逆にした以外は、実施例１と同様な
条件の下で、実験を行った。露光後、１００°Ｃで３０
分間ベーキングを行って、然る後実施例１と同様に現像
を行ったところ、０．５ ｐ、ｔｓ口のパターン及び０
．５ ｐ、ｍのラインのパターンが良好に得られたこと
が同様な電子顕微鏡観察から確認された６また、この場
合にも、実施例１と同じ条件で被着したアルミニウム金
属層によって。
リフトオフ後、同様にＩｇｍ厚で０．５ｇｍ幅のアルミ
ニウム金属層のパターンが得られたことが確認された。
ニウム金属層のパターンが得られたことが確認された。
このように、本発明の方法によれば、オーバーハングの
パターンのレジスト膜の幅が０．５ ｐ、ｍのパターン
でも、このパターンを１．５ ｇｔａの高さで形成する
ことが出来るので、１．０ル腸の厚さの被着層のリフト
オフが０．５ ＪＬＩｌｌのパターンでも可能となる。
パターンのレジスト膜の幅が０．５ ｐ、ｍのパターン
でも、このパターンを１．５ ｇｔａの高さで形成する
ことが出来るので、１．０ル腸の厚さの被着層のリフト
オフが０．５ ＪＬＩｌｌのパターンでも可能となる。
比較例１
実施例１の場合と同様なレジスト膜に対して遠紫外線で
のパターニングを行った後、′Ｉｖ、ｆ−線でのパター
ニングを行なわずして、１００℃で３０分間のベーキン
グを行い、続いて実施例１と同様にして現像を行ったと
ころ、最大２μ゛ｍ口及び２ｐＩ１１ラインのパターン
が得られたが、０．５ ｇｒｌ及び１．０ルｍのパター
ンは得られなかった。
のパターニングを行った後、′Ｉｖ、ｆ−線でのパター
ニングを行なわずして、１００℃で３０分間のベーキン
グを行い、続いて実施例１と同様にして現像を行ったと
ころ、最大２μ゛ｍ口及び２ｐＩ１１ラインのパターン
が得られたが、０．５ ｇｒｌ及び１．０ルｍのパター
ンは得られなかった。
これら実施例及び比較例につき４？４する。
実施例１から明らかなように、ＬＭＲは紫外線を受だ部
分が現像液に対し不溶化するが、ＬＭＲが不溶化される
のはレジスト膜の表面層のみである。そして、レジスト
膜はこの不溶化された部分をマスクとして等方的に現像
されるので、オーバーハング形状が得られる。
分が現像液に対し不溶化するが、ＬＭＲが不溶化される
のはレジスト膜の表面層のみである。そして、レジスト
膜はこの不溶化された部分をマスクとして等方的に現像
されるので、オーバーハング形状が得られる。
しかし、パターンが微細となり、レジストが厚くなると
、比較例に示したように、レジス；・膜の社の部分が等
力的な現像によりさらに溶解し、よって、オーバーハン
グが大きくなり、パターンが切れてパターニング出来な
くなる。
、比較例に示したように、レジス；・膜の社の部分が等
力的な現像によりさらに溶解し、よって、オーバーハン
グが大きくなり、パターンが切れてパターニング出来な
くなる。
これに対し、遠紫外線で、の露光の他に、電子線での露
光を行えば、露光部分が不溶化し、この不溶化の部分も
基板側へと表面層よりもＦ側のレジスト膜部分にも達す
るので、電子線による露光部分が柱となって、０．５μ
ｍのレジストパターンでもパターニングできる。この場
合、遠紫外線および゛・Ｌ子線での露光の順序はどちら
が先であってもよい。
光を行えば、露光部分が不溶化し、この不溶化の部分も
基板側へと表面層よりもＦ側のレジスト膜部分にも達す
るので、電子線による露光部分が柱となって、０．５μ
ｍのレジストパターンでもパターニングできる。この場
合、遠紫外線および゛・Ｌ子線での露光の順序はどちら
が先であってもよい。
尚、本発明で用い得るレジストは遠紫外及び゛屯ｒ線の
両方ノ丈にネガ形となり、遠紫外領域での吸収が大さい
必要がある。
両方ノ丈にネガ形となり、遠紫外領域での吸収が大さい
必要がある。
（発明の効果）
このように本発明によれば、レジスト材ネ゛ｌとしてノ
ボラック樹脂のキノンジアジドスルフメン酸エステルを
用い、遠紫外線と電子線との両溝による露光を行い、し
かも、この露光に際し、紫外線での露光パターンを電ｆ
−線での露光パターンよりも大きいパターンで行うので
、サブミクロンという微細なパターンであっても、また
、厚１１りのレジスト膜であっても、パターニング後の
レジストの１＃ｌｉ ｉｌ’ｌｊ形状が良＆／なオーバ
ーハング形状となる６また、本発明によれば、遠紫外線
による露光に加えて電子線による部分的な重複露光によ
るのみであるから、簡単かつ容易な工程によって、リフ
トオフに’＆ｆ適なサブミクロンでかつ厚膜のレジスト
パターンを形成出来るという利点がある。
ボラック樹脂のキノンジアジドスルフメン酸エステルを
用い、遠紫外線と電子線との両溝による露光を行い、し
かも、この露光に際し、紫外線での露光パターンを電ｆ
−線での露光パターンよりも大きいパターンで行うので
、サブミクロンという微細なパターンであっても、また
、厚１１りのレジスト膜であっても、パターニング後の
レジストの１＃ｌｉ ｉｌ’ｌｊ形状が良＆／なオーバ
ーハング形状となる６また、本発明によれば、遠紫外線
による露光に加えて電子線による部分的な重複露光によ
るのみであるから、簡単かつ容易な工程によって、リフ
トオフに’＆ｆ適なサブミクロンでかつ厚膜のレジスト
パターンを形成出来るという利点がある。
さらに、本発明によれば、レジスト材料としてノボラッ
ク樹脂のキノンジアジドスルフォン酸エステルを用いて
レジストパターンを形成するので、レジストの耐熱性、
溶解性及び密着性が良く、現像後のレジストパターンの
レジスＩＩＩ！にクラックが発生せず、しかも、奇麗で
シャープなレジストパターンを得ることが出来る。
ク樹脂のキノンジアジドスルフォン酸エステルを用いて
レジストパターンを形成するので、レジストの耐熱性、
溶解性及び密着性が良く、現像後のレジストパターンの
レジスＩＩＩ！にクラックが発生せず、しかも、奇麗で
シャープなレジストパターンを得ることが出来る。
本発明による方法によれば、レジスト膜が厚くてもリフ
トオフに好適な微細パターンを形成出来るので、本発明
のパターン形成方法を半導体デバイス、磁気バブル素子
、表面弾性波デバイス、光応用部品等の製造に利用して
好適である。
トオフに好適な微細パターンを形成出来るので、本発明
のパターン形成方法を半導体デバイス、磁気バブル素子
、表面弾性波デバイス、光応用部品等の製造に利用して
好適である。
第１図及び第２図は本発明のレジストパターン形成方法
を用いて得られたレジストパターン及び被着層パターン
の状態を説明するだめの略図的拡大断面図である。 １・・・基板、 ２・・・レジスト膜 ２ｄ・・・レジスト膜６表面部分 ２ｂ・・・レジスト膜のＦ側部分 ３．４・・・被着層。 特１負出願人 −ＩＩ゛、［ｉ、気工業株代理人弁理１
： 天上１ｊ Ｘ＝ 第１図 第２図
を用いて得られたレジストパターン及び被着層パターン
の状態を説明するだめの略図的拡大断面図である。 １・・・基板、 ２・・・レジスト膜 ２ｄ・・・レジスト膜６表面部分 ２ｂ・・・レジスト膜のＦ側部分 ３．４・・・被着層。 特１負出願人 −ＩＩ゛、［ｉ、気工業株代理人弁理１
： 天上１ｊ Ｘ＝ 第１図 第２図
Claims (1)
- 基板表面上にレジスト膜として形成されたノボラック樹
脂のキノンジアジドスルフォン酸エステルのＪズ膜に対
し、遠紫外線及び電子線の両者で部分的に重複露光する
工程を含み、この場合、前記遠紫外線による露光パター
ンを前記電ｆ−線による露光パターンよりも大きくした
ことを４４シ徴とするレジスｉ・パターンの形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58174716A JPS6066430A (ja) | 1983-09-21 | 1983-09-21 | レジストパタ−ンの形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58174716A JPS6066430A (ja) | 1983-09-21 | 1983-09-21 | レジストパタ−ンの形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6066430A true JPS6066430A (ja) | 1985-04-16 |
| JPH041492B2 JPH041492B2 (ja) | 1992-01-13 |
Family
ID=15983394
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58174716A Granted JPS6066430A (ja) | 1983-09-21 | 1983-09-21 | レジストパタ−ンの形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6066430A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4889824A (en) * | 1987-12-30 | 1989-12-26 | U.S. Philips Corp. | Method of manufacture semiconductor device of the hetero-junction bipolar transistor type |
| JPH0437134A (ja) * | 1990-06-01 | 1992-02-07 | Sharp Corp | 厚膜メタル配線の形成方法 |
| KR101106041B1 (ko) * | 2011-08-18 | 2012-01-18 | 주식회사 정우기술 | 머시닝 센터의 공작물 자동 교환장치 |
-
1983
- 1983-09-21 JP JP58174716A patent/JPS6066430A/ja active Granted
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4889824A (en) * | 1987-12-30 | 1989-12-26 | U.S. Philips Corp. | Method of manufacture semiconductor device of the hetero-junction bipolar transistor type |
| JPH0437134A (ja) * | 1990-06-01 | 1992-02-07 | Sharp Corp | 厚膜メタル配線の形成方法 |
| KR101106041B1 (ko) * | 2011-08-18 | 2012-01-18 | 주식회사 정우기술 | 머시닝 센터의 공작물 자동 교환장치 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH041492B2 (ja) | 1992-01-13 |
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