JPH0444233A - 半導体装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ この発明は、半導体装！の電極パッドに関する。

［発明の概要］ この発明は、半導体装置において、電極パッド部以外を
電極パッド部より低くすることにより、半導体装置の回
路基板へのギヤングボンディングを可能にしたものであ
る。

〔従来の技術］ 従来、まず第２図（ａ）に示すように、半導体基板１上
に絶縁層３を形成する０次に、第２図（ｂ）に示すごと
くアルミ等の電極パッド４を形成する０次いで、第２図
（Ｃ）に示すように電極パッド部以外に保護［１１５を
形成することにより電極パッド４を形成している。

［発明が解決しようとする課Ｈ］ しかし、往来の方法では、ギヤングポンデイン等を行う
際、リード端子又は半導体装置の電極パッド上にバンブ
を必要とするため、複雑な工程を追加しなくてはならな
いという欠点を有していた。

そこで、この発明は従来のこのような欠点を解決するた
め、？ｊ！雑な工程を追加することなくギヤングボンデ
ィングが可能な半導体装置を提供することを目的として
いる。

［課題を解決するための手段１ 上；己課題を解決するために、この発明においては、電
極パッド部以外の半導体基板をエツチングすることによ
りギヤングボンディングを可能にした。

（作用］ 上記のように、電極パッド部以外の半導体基板をエツチ
ングすることにより、電極パッドはそれ以外の部分より
突起することになり、バンブを形成せずギヤングボンデ
ィングが可能となる。

〔実施例〕

以下に、この発明の半導体装置実施例を図面に基づいて
説明する。第１図（ａ）に示すように、半導体基板ｌに
ホトレジスト２を塗布し、露光、現像により電極パッド
となる部分にパターンを形成する０次に第１図（ｂ）に
示すように半導体基板１をエツチングする。この時エツ
チングする深さは、半導体装置を形成する最大の厚み以
上とする０次に、ホトレジスト２を除去した後、第１図
（Ｃ）に示すごと（絶縁層３を形成する０次に第１図（
ｄ）に示すようにアルミ等の電極パッド４を形成する０
次いで第１図（ｅ）に示すように電極パッド部以外に保
護膜５を形成することにより電極パッドを形成する。

［発明の効果１ この発明は以上説明したように、複雑なバンブ工程を追
加することなく、突起１ｉ極バツドを形成出来、ギヤン
グボンディング等の実装を可能とする効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図（ａ）〜（ｅ）はこの発明の半導体装置の製造工
程順断面図、第２図（ａ）〜（ｃ）は従来の半導体装置
の製造工程順断面図である６・半導体基板 ・ホトレジスト ・絶縁膜 ・電極パッド ・保護膜 以上 出願人　セイコー電子工業株式会社

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 　電極パッド部以外の半導体基板が、前記電極パッド部
   より低いことを特徴とする半導体装置。