JPS61100981A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

半導体装置の製造方法

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Publication number
JPS61100981A
JPS61100981A JP59223686A JP22368684A JPS61100981A JP S61100981 A JPS61100981 A JP S61100981A JP 59223686 A JP59223686 A JP 59223686A JP 22368684 A JP22368684 A JP 22368684A JP S61100981 A JPS61100981 A JP S61100981A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
layer electrode
layer
electrode
insulating film
photoresist
Prior art date
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Pending
Application number
JP59223686A
Other languages
English (en)
Inventor
Masayuki Ito
雅之 伊藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sharp Corp
Original Assignee
Sharp Corp
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Publication date
Application filed by Sharp Corp filed Critical Sharp Corp
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Publication of JPS61100981A publication Critical patent/JPS61100981A/ja
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02Details
    • H01L31/0224Electrodes

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  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Light Receiving Elements (AREA)
  • Photo Coupler, Interrupter, Optical-To-Optical Conversion Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (イ)発明の目的 〔産業上の利用分野〕 この発明は半導体装置の製造方法に関し、詳しくは絶縁
膜を介し発光素子を直接ボンディングできる構造を有す
る、ホトトランジスタ、ホトサイリスタ等の受光素子の
製造方法に関する。
〔従来の技術〕
従来の上記半導体装置は、半導体基体上に第一層目の電
極用の金属面を蒸着し、その上及び基体上に絶縁膜をコ
ーティングし、ホトエツチング等により上記金属面を絶
縁膜から露出させて第一層目の電極を形成した後に、こ
の電極以外の絶縁膜上に第二層目の電極を形成するもの
である。
〔発明が解決しようとする問題点〕
しかし、この方法では、第二層目の電極を形成する際に
、第一層目の電極上面及びこれ以外の半導体基体上面に
第二層目の電極を形成する金属面を蒸着して第一層目の
電極形成と同様にして第二層目の電極を形成する方法で
あるため、第二層目の電極形成時に、第一層目の露出し
ている電極が第二層目の電極形成時のエツチングによっ
て損傷されて消失することがあった。
この発明は以上の事情に鑑みなされたもので、その主要
な目的は、第二層の電極形成時に、第一層目の電極と第
二層目の電極用の金属面との間にホトレジストを介在さ
せて、第一層目の電極が第′ 二層目の電極形成時のエ
ツチングによって損傷されて消失するのを防止すること
にある。
(ロ)発明の構成 この発明は、半導体基体上の任意の位置に蒸着された第
一層目の電極用の金属面上面とこれ以外の半導体基体上
面とを絶縁膜で被覆し、ホトエツチングにより前記金属
面を絶縁膜から露出させて第一層目の電極を形成し、そ
の後、この電極のみをホトレジストで被覆するとともに
このホトレジスト及び絶縁膜上に第二層目の電極用の金
属面を蒸着し、さらにこの金属面の上面をホトレジスト
で被覆し、ホトエツチングにより絶縁膜上の金属面に第
二層目の電極を形成した後、第一層目及び第二層目の電
極を被うホトレジストを取除(ことからなる半導体装置
の製造方法である。
すなわちこの発明は、第二層目の電極形成時に、第一層
目の電極と第二層目の電極用の金属面との間にホトレジ
ストを介在させて半導体装置を製造するものである。
〔実施例〕
以下図に示す実施例に基づいて、この発明を詳述する。
なお、これによってこの発明が限定されるものではない
第1図はこの発明によって製造された半導体装置(1)
の−例を示す図である。
(2)は拡散等によりPN構造を形成したホトサイリス
クの半導体基体である。この基体(2)上に、サイリス
タの電極である第一層目の電極(3)と、絶縁11!1
(4)を介して発光素子ボンディング用の第二層目の電
極(5)とが間隔をあけて設けられている。なお、絶縁
膜(4)は、ポリイミド樹脂、シリコン樹脂などの合成
樹脂が用いられる。
次に、この装置(1)の製造方法を第2図(a)〜(C
)に基づいて説明する。
まず、半導体基体(2)上に同図(alのごと〈従来と
同様の方法で第一層目の電極(3)と絶縁膜(4)とを
離して形成する。次に、同図中)に示すように、第一層
目の電極(3)をホトレジスト(6)で覆った後に、半
導体基体(2)上面全てに、第二層目の電極(5)用の
金属面(7)を蒸着する0次いで、この金属面(7)の
上面全てをホトレジスト(8)で覆い(第2図(C)参
照)、ホトエツチングにより、絶縁膜(4)上の金属面
(7)に第二層目の電極(4)を形成した後に、同図(
C)に示す第一層目の電極(3)上のホトレジスト(6
)と第二層目の電極(5)上のホトレジスト(8)とを
同時に取除いて、第一層目の電極(3)を消失させるこ
となく、第1図のような半導体装置(1)を製造する。
以上のごとく製造された半導体装置(1)は、ホトサイ
リスクばかりではな(、ホトトランジスタなどの他の受
光素子として用いることができる。また、半導体基体(
2)の同一面上に異種金属を蒸着して2つの電極を形成
してもよい。
(ハ)発明の効果 この発明は、第二層目の電極形成時に、第一層目の電極
と第二層目の電極用の金属面との間にホトレジスタを介
在させて半導体装置を製造する方法であるから、絶縁膜
から露出している第一層目の電極を損傷させることなく
半導体装置を製造することができる効果を奏する。
の一実施例を示す縦断面図、第2図(a)〜(C)は、
この製造過程を示す第1図相当図である。
(1)・−・半導体装置、(2)・−・半導体基体、(
3)・−・第一層目の電極、(4)・−・・絶縁膜、(
5)・−・第二層目の電極、(6)(8)・−・ホトレ
ジスト。
第2i11(a) wE2図(b) 第21fi(c)

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1、半導体基体上の任意の位置に蒸着された第一層目の
    電極用の金属面上面とこれ以外の半導体基体上面とを絶
    縁膜で被覆し、ホトエッチングにより前記金属面を絶縁
    膜から露出させて第一層目の電極を形成し、その後、こ
    の電極のみをホトレジストで被覆するとともにこのホト
    レジスト及び絶縁膜上に第二層目の電極用の金属面を蒸
    着し、さらにこの金属面の上面をホトレジストで被覆し
    、ホトエッチングにより絶縁膜上の金属面に第二層目の
    電極を形成した後、第一層目及び第二層目の電極を被う
    ホトレジストを取除くことからなる半導体装置の製造方
    法。
JP59223686A 1984-10-23 1984-10-23 半導体装置の製造方法 Pending JPS61100981A (ja)

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JP (1) JPS61100981A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009247291A (ja) * 2008-04-08 2009-10-29 Daiwa Seiko Inc 魚釣用リール

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009247291A (ja) * 2008-04-08 2009-10-29 Daiwa Seiko Inc 魚釣用リール

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