JPS61100981A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPS61100981A JPS61100981A JP59223686A JP22368684A JPS61100981A JP S61100981 A JPS61100981 A JP S61100981A JP 59223686 A JP59223686 A JP 59223686A JP 22368684 A JP22368684 A JP 22368684A JP S61100981 A JPS61100981 A JP S61100981A
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- layer electrode
- layer
- electrode
- insulating film
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Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 26
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 10
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 20
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 20
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 17
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 11
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 claims description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract description 3
- 230000008034 disappearance Effects 0.000 abstract 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 108091008695 photoreceptors Proteins 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0224—Electrodes
Landscapes
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- Photo Coupler, Interrupter, Optical-To-Optical Conversion Devices (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（イ）発明の目的
〔産業上の利用分野〕
この発明は半導体装置の製造方法に関し、詳しくは絶縁
膜を介し発光素子を直接ボンディングできる構造を有す
る、ホトトランジスタ、ホトサイリスタ等の受光素子の
製造方法に関する。
膜を介し発光素子を直接ボンディングできる構造を有す
る、ホトトランジスタ、ホトサイリスタ等の受光素子の
製造方法に関する。
従来の上記半導体装置は、半導体基体上に第一層目の電
極用の金属面を蒸着し、その上及び基体上に絶縁膜をコ
ーティングし、ホトエツチング等により上記金属面を絶
縁膜から露出させて第一層目の電極を形成した後に、こ
の電極以外の絶縁膜上に第二層目の電極を形成するもの
である。
極用の金属面を蒸着し、その上及び基体上に絶縁膜をコ
ーティングし、ホトエツチング等により上記金属面を絶
縁膜から露出させて第一層目の電極を形成した後に、こ
の電極以外の絶縁膜上に第二層目の電極を形成するもの
である。
しかし、この方法では、第二層目の電極を形成する際に
、第一層目の電極上面及びこれ以外の半導体基体上面に
第二層目の電極を形成する金属面を蒸着して第一層目の
電極形成と同様にして第二層目の電極を形成する方法で
あるため、第二層目の電極形成時に、第一層目の露出し
ている電極が第二層目の電極形成時のエツチングによっ
て損傷されて消失することがあった。
、第一層目の電極上面及びこれ以外の半導体基体上面に
第二層目の電極を形成する金属面を蒸着して第一層目の
電極形成と同様にして第二層目の電極を形成する方法で
あるため、第二層目の電極形成時に、第一層目の露出し
ている電極が第二層目の電極形成時のエツチングによっ
て損傷されて消失することがあった。
この発明は以上の事情に鑑みなされたもので、その主要
な目的は、第二層の電極形成時に、第一層目の電極と第
二層目の電極用の金属面との間にホトレジストを介在さ
せて、第一層目の電極が第′ 二層目の電極形成時のエ
ツチングによって損傷されて消失するのを防止すること
にある。
な目的は、第二層の電極形成時に、第一層目の電極と第
二層目の電極用の金属面との間にホトレジストを介在さ
せて、第一層目の電極が第′ 二層目の電極形成時のエ
ツチングによって損傷されて消失するのを防止すること
にある。
（ロ）発明の構成
この発明は、半導体基体上の任意の位置に蒸着された第
一層目の電極用の金属面上面とこれ以外の半導体基体上
面とを絶縁膜で被覆し、ホトエツチングにより前記金属
面を絶縁膜から露出させて第一層目の電極を形成し、そ
の後、この電極のみをホトレジストで被覆するとともに
このホトレジスト及び絶縁膜上に第二層目の電極用の金
属面を蒸着し、さらにこの金属面の上面をホトレジスト
で被覆し、ホトエツチングにより絶縁膜上の金属面に第
二層目の電極を形成した後、第一層目及び第二層目の電
極を被うホトレジストを取除（ことからなる半導体装置
の製造方法である。
一層目の電極用の金属面上面とこれ以外の半導体基体上
面とを絶縁膜で被覆し、ホトエツチングにより前記金属
面を絶縁膜から露出させて第一層目の電極を形成し、そ
の後、この電極のみをホトレジストで被覆するとともに
このホトレジスト及び絶縁膜上に第二層目の電極用の金
属面を蒸着し、さらにこの金属面の上面をホトレジスト
で被覆し、ホトエツチングにより絶縁膜上の金属面に第
二層目の電極を形成した後、第一層目及び第二層目の電
極を被うホトレジストを取除（ことからなる半導体装置
の製造方法である。
すなわちこの発明は、第二層目の電極形成時に、第一層
目の電極と第二層目の電極用の金属面との間にホトレジ
ストを介在させて半導体装置を製造するものである。
目の電極と第二層目の電極用の金属面との間にホトレジ
ストを介在させて半導体装置を製造するものである。
以下図に示す実施例に基づいて、この発明を詳述する。
なお、これによってこの発明が限定されるものではない
。
。
第１図はこの発明によって製造された半導体装置（１）
の−例を示す図である。
の−例を示す図である。
（２）は拡散等によりＰＮ構造を形成したホトサイリス
クの半導体基体である。この基体（２）上に、サイリス
タの電極である第一層目の電極（３）と、絶縁１１！１
（４）を介して発光素子ボンディング用の第二層目の電
極（５）とが間隔をあけて設けられている。なお、絶縁
膜（４）は、ポリイミド樹脂、シリコン樹脂などの合成
樹脂が用いられる。
クの半導体基体である。この基体（２）上に、サイリス
タの電極である第一層目の電極（３）と、絶縁１１！１
（４）を介して発光素子ボンディング用の第二層目の電
極（５）とが間隔をあけて設けられている。なお、絶縁
膜（４）は、ポリイミド樹脂、シリコン樹脂などの合成
樹脂が用いられる。
次に、この装置（１）の製造方法を第２図（ａ）〜（Ｃ
）に基づいて説明する。
）に基づいて説明する。
まず、半導体基体（２）上に同図（ａｌのごと〈従来と
同様の方法で第一層目の電極（３）と絶縁膜（４）とを
離して形成する。次に、同図中）に示すように、第一層
目の電極（３）をホトレジスト（６）で覆った後に、半
導体基体（２）上面全てに、第二層目の電極（５）用の
金属面（７）を蒸着する０次いで、この金属面（７）の
上面全てをホトレジスト（８）で覆い（第２図（Ｃ）参
照）、ホトエツチングにより、絶縁膜（４）上の金属面
（７）に第二層目の電極（４）を形成した後に、同図（
Ｃ）に示す第一層目の電極（３）上のホトレジスト（６
）と第二層目の電極（５）上のホトレジスト（８）とを
同時に取除いて、第一層目の電極（３）を消失させるこ
となく、第１図のような半導体装置（１）を製造する。
同様の方法で第一層目の電極（３）と絶縁膜（４）とを
離して形成する。次に、同図中）に示すように、第一層
目の電極（３）をホトレジスト（６）で覆った後に、半
導体基体（２）上面全てに、第二層目の電極（５）用の
金属面（７）を蒸着する０次いで、この金属面（７）の
上面全てをホトレジスト（８）で覆い（第２図（Ｃ）参
照）、ホトエツチングにより、絶縁膜（４）上の金属面
（７）に第二層目の電極（４）を形成した後に、同図（
Ｃ）に示す第一層目の電極（３）上のホトレジスト（６
）と第二層目の電極（５）上のホトレジスト（８）とを
同時に取除いて、第一層目の電極（３）を消失させるこ
となく、第１図のような半導体装置（１）を製造する。
以上のごとく製造された半導体装置（１）は、ホトサイ
リスクばかりではな（、ホトトランジスタなどの他の受
光素子として用いることができる。また、半導体基体（
２）の同一面上に異種金属を蒸着して２つの電極を形成
してもよい。
リスクばかりではな（、ホトトランジスタなどの他の受
光素子として用いることができる。また、半導体基体（
２）の同一面上に異種金属を蒸着して２つの電極を形成
してもよい。
（ハ）発明の効果
この発明は、第二層目の電極形成時に、第一層目の電極
と第二層目の電極用の金属面との間にホトレジスタを介
在させて半導体装置を製造する方法であるから、絶縁膜
から露出している第一層目の電極を損傷させることなく
半導体装置を製造することができる効果を奏する。
と第二層目の電極用の金属面との間にホトレジスタを介
在させて半導体装置を製造する方法であるから、絶縁膜
から露出している第一層目の電極を損傷させることなく
半導体装置を製造することができる効果を奏する。
の一実施例を示す縦断面図、第２図（ａ）〜（Ｃ）は、
この製造過程を示す第１図相当図である。
この製造過程を示す第１図相当図である。
（１）・−・半導体装置、（２）・−・半導体基体、（
３）・−・第一層目の電極、（４）・−・・絶縁膜、（
５）・−・第二層目の電極、（６）（８）・−・ホトレ
ジスト。
３）・−・第一層目の電極、（４）・−・・絶縁膜、（
５）・−・第二層目の電極、（６）（８）・−・ホトレ
ジスト。
第２ｉ１１（ａ）
ｗＥ２図（ｂ）
第２１ｆｉ（ｃ）
Claims (1)
- １、半導体基体上の任意の位置に蒸着された第一層目の
電極用の金属面上面とこれ以外の半導体基体上面とを絶
縁膜で被覆し、ホトエッチングにより前記金属面を絶縁
膜から露出させて第一層目の電極を形成し、その後、こ
の電極のみをホトレジストで被覆するとともにこのホト
レジスト及び絶縁膜上に第二層目の電極用の金属面を蒸
着し、さらにこの金属面の上面をホトレジストで被覆し
、ホトエッチングにより絶縁膜上の金属面に第二層目の
電極を形成した後、第一層目及び第二層目の電極を被う
ホトレジストを取除くことからなる半導体装置の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59223686A JPS61100981A (ja) | 1984-10-23 | 1984-10-23 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59223686A JPS61100981A (ja) | 1984-10-23 | 1984-10-23 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61100981A true JPS61100981A (ja) | 1986-05-19 |
Family
ID=16802056
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59223686A Pending JPS61100981A (ja) | 1984-10-23 | 1984-10-23 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61100981A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009247291A (ja) * | 2008-04-08 | 2009-10-29 | Daiwa Seiko Inc | 魚釣用リール |
-
1984
- 1984-10-23 JP JP59223686A patent/JPS61100981A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009247291A (ja) * | 2008-04-08 | 2009-10-29 | Daiwa Seiko Inc | 魚釣用リール |
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